TW201526131A - 影像關鍵尺寸量測校正方法及系統 - Google Patents

Abstract

一種影像關鍵尺寸量測校正方法，利用一影像中存在的預設節距尺寸值作為標準，對存在於該同一影像中之待量測或校正之目標圖案影像的關鍵尺寸量測值進行校正，或是對該目標影像的尺寸進行關鍵尺寸的計算，排除量測過程因為量測機台本身的誤差(例如放大倍率誤差)所造成的關鍵尺寸量測結果失真的問題；此外，本發明也同時提供一種用以進行該影像關鍵尺寸量測校正方法的系統。

Description

影像關鍵尺寸量測校正方法及系統

本發明是有關於一種影像量測校正方法及系統，特別是指一種用於半導體製程的影像關鍵尺寸(CD，Critical dimension)量測校正方法及系統。

半導體製程主要是在晶圓上反覆的以半導體製程技術定義而形成複雜且數量龐大的半導體元件，而在如此高度積層化的製程過程中，若形成之積層線路圖案的關鍵尺寸(CD)產生誤差時，會使元件特性無法達到預期目標值，例如閘極CD誤差，或者元件或後段金屬連接層阻值(resistance)產生誤差。而由於半導體製程技術的發展迅速，在節距及溝槽尺寸要求越來越小(pitch<140nm)的條件下，控制並確認每一個製程所產生之積層線路圖像的關鍵尺寸的精密度及穩定性，以準確的控制層與層間的疊對(overlay)，確保後續製成之半導體元件的良率與生產效能，則是在製程管理中相對重要的因素。

目前常用於量測關鍵尺寸的方式有多種，例如掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)，及光學式散射量測儀(scattermetry)可用於在生產過程中量測並控制關鍵尺寸；而原子力顯微鏡(AFM)則可用於製程開發的離線測 量。然而，利用前述量測機台，例如光學顯微鏡(OM)或是電子掃描式微影鏡(SEM)量測關鍵尺寸時，因為都是以影像來量測CD，所以會因為機台本身的誤差，造成量測結果的誤差；例如用以量測待測影像的比例尺，因為是與待測影像的放大倍率相關，所以，當待測影像於量測機台進行量測時，若是量測的實際放大倍率與預設的放大倍率值不同，或是該待測影像的X、Y方向為不對稱放大時，則待測影像量得的關鍵尺寸也會因此產生誤差，而無法得到實際的關鍵尺寸值。

因此，本發明之目的，即在提供一種可更易於監控並校正影像關鍵尺寸量測的方法。

於是本發明的影像關鍵尺寸量測校正方法，包含：一影像取得步驟、一量測步驟，及一校正計算步驟。

該影像取得步驟是自一基材經由一次性影像擷取，取得一圖案影像，該圖案影像包含一預定影像，及一待量測或校正之目標影像，該預定影像具有固定的節距，且具有一預設的節距(pitch)尺寸預設值。

該量測步驟是沿一預定方向量測該預定影像以及該待量測或校正之目標影像的畫素數(Pixel number)，或是沿一預定方向量測該預定影像的至少一個節距(Pitch)得到一節距尺寸量測值，以及量測該待量測或校正之目標影像的一關鍵尺寸，得到一關鍵尺寸量測值。

該校正計算步驟是利用該預定影像的節距尺寸 預設值與該預定影像的節距尺寸量測值或畫素數進行比值運算，再利用該比值運算結果對該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸量測值進行校正，或是計算該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸。

較佳地，前述該影像關鍵尺寸量測校正方法，其中，該校正計算步驟是將該預定影像的節距尺寸預設值與該預定影像的節距尺寸量測值進行比值運算或線性比對，得到一單位尺寸的量測校正值，然後，再利用該量測校正值對該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸量測值進行校正，或是利用該預定影像的節距尺寸預設值與該預定影像的畫素數進行比值運算，得到一單位畫素尺寸(dimension)值，再利用該單位畫素尺寸值與該待量測或校正之目標影像的畫素數相乘，求得該待量測或校正之目標影像沿該預定方向的實際關鍵尺寸。

較佳地，前述該影像關鍵尺寸量測校正方法，其中，該量測步驟中，該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸的量測方向與該預定影像的節距量測方向相同。

較佳地，前述該影像關鍵尺寸量測校正方法，其中，該待量測或校正之目標影像選自形成於該基材的線寬、線距、通孔、淺溝槽、島狀突起或是對位標示記號，該校正計算步驟是利用該比值運算結果對該待量測或校正之目標影像進行關鍵尺寸校正，或關鍵尺寸差值的計算。

較佳地，前述該影像關鍵尺寸量測校正方法，其中，該待量測或校正之目標影像可選自該一次性影像擷 取所取得的該預定影像，或是該預定影像以外的影像。

較佳地，前述該影像關鍵尺寸量測校正方法，其中，該待量測或校正之目標影像與該預定影像位在相同或不同積層。

較佳地，前述該影像關鍵尺寸量測校正方法，其中，該待量測或校正之目標影像與該預定影像位在該基材的不同積層，且可利用當層為基準作為前層的校正。

較佳地，前述該影像關鍵尺寸量測校正方法，還包含一在該校正計算步驟之後的輸出步驟，將自不同基材的位置、不同基材、不同量測方向，或不同量測機台計算而得的校正及計算結果對外輸出。

又，本發明之另一目的，即在提供一種影像關鍵尺寸量測校正系統。

該接收儲存單元可接收並儲存由一取像單元自一基材經由一次性影像擷取，所取得的一圖案影像，該圖案影像包含一預定影像及一待量測或校正之目標影像，該預定影像具有固定的節距，且具有一預設的節距尺寸預設值。

該量測計算單元是量測該預定影像以及一待量測或校正之目標影像的畫素數，或是沿一預定方向量測該預定影像的至少一個節距，得到一節距尺寸量測值，以及量測該待量測或校正之目標影像沿該預定方向的一關鍵尺寸，得到一關鍵尺寸量測值，利用該預定影像的節距尺寸預設值與該預定影像的節距尺寸量測值或畫素數進行比值 運算，再利用該比值運算結果對該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸量測值進行校正，或是計算該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸。

較佳地，前述該影像關鍵尺寸量測校正系統，還包含一校正輸出單元，將該預定影像與該待量測或校正之目標影像的校正或計算結果對外輸出。

較佳地，前述該影像關鍵尺寸量測校正系統，其中，該取像單元選自光學顯微鏡、電子掃描式顯微鏡，或疊對誤差量測機台。

本發明之功效在於：利用一預定影像的系統預設節距尺寸值作為標準，對待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸量測值進行校正，或是計算待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸，可排除量測過程因為量測機台本身的誤差(例如放大倍率誤差)所造成的量測失真問題。

21‧‧‧影像取得步驟

22‧‧‧量測步驟

23‧‧‧校正計算步驟

A~D‧‧‧對位記號

F‧‧‧薄膜

I‧‧‧預定影像

J‧‧‧關鍵尺寸量測值

K‧‧‧節距尺寸量測值

Kx‧‧‧X方向節距尺寸量測值

Ky‧‧‧Y方向節距尺寸量測值

L‧‧‧線

P‧‧‧節距

S‧‧‧線距

SA1、SB1、SC1、SD1‧‧‧量測距離

SA2、SB2、SC2、SD2‧‧‧實際距離

T1、T2‧‧‧目標圖案

本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的較佳實施例詳細說明中清楚地呈現，其中：圖1是一文字流程圖，說明本發明該較佳實施例；圖2是一示意圖，說明同一製程形成的重覆圖案，於相同臨界條件的節距P；圖3是一示意圖，輔助說明該較佳實施例的量測步驟；圖4是一示意圖，輔助說明該較佳實施例的校正計算步驟，利用漸進線作圖的態樣； 圖5是一示意圖，說明利用該較佳實施例，進行box-in-box對位記號的校正，與十字記號的關鍵尺寸校正；圖6是一示意圖，說明利用該較佳實施例，進行對位標識記號的校正；圖7是一示意圖，輔助說明圖6的校正結果；圖8是一示意圖，輔助說明形成於不同積層的目標圖案T1、T2。

本發明影像關鍵尺寸量測校正方法，是在對半導體元件的製程過程所形成的影像圖案進行關鍵尺寸量測時，用以消除因為機台誤差而造成影像圖案的關鍵尺寸量測結果失真的校正方法，以確保關鍵尺寸的量測正確性。

本發明影像關鍵尺寸量測校正方法的一較佳實施例，是藉由一關鍵尺寸量測校正系統進行。

該關鍵尺寸量測校正系統包含：一接收儲存單元、一量測計算單元，及一校正輸出單元。具體的說，該量測系統可為一取像機台內建的運算系統或獨立的電腦系統，而該取像機台可為光學顯微鏡、電子掃描式顯微鏡，或疊對誤差量測機台。

該接收儲存單元可接收並儲存由一個取像單元自一基材經由一次性影像擷取，所取得的至少一個圖案影像，該圖案影像包含一預定影像，及一待量測或校正之目標影像，該預定影像具有固定的節距，且具有一預設的節 距尺寸預設值。

該量測計算單元係沿一預定方向量測儲存於該接收儲存單元的該預定影像，及該待量測或校正之目標影像的畫素數；或是沿一預定方向量測該預定影像的至少一個節距，得到一節距尺寸量測值，以及量測該待量測或校正之目標影像沿該預定方向的關鍵尺寸，得到一關鍵尺寸量測值。並利用該預定影像的節距尺寸預設值，與該預定影像的節距尺寸量測值、或畫素數進行比值運算，再利用該比值運算結果對該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸量測值進行校正，或是計算該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸。

該校正輸出單元為將該預定影像與該待量測或校正之目標影像的校正或計算結果對外輸出。

參閱圖1，本發明影像關鍵尺寸量測校正方法的該較佳實施例，包含一影像取得步驟21、一量測步驟22，及一校正計算步驟23。

首先進行該影像取得步驟21，藉由該取像機台經由一次性影像擷取，自一基材取得一圖案影像，該等圖案影像包含一預定影像，及一待量測或校正之目標影像。

該基材具有一選自半導體、光罩(blank)，或玻璃的基板，該預定影像及該待量測或校正之目標影像，是經由半導體製程後形成於該基板上的預定圖案，經由該取像機台於同一次取像擷取而得，並來自同一張影像。該待量測或校正之目標影像可選自與該預定影像相同或不同 的影像，且該預定影像與該待量測或校正之目標影像可位於該基材的同一積層或不同積層。其中，該預定影像具有固定的節距，或固定的線路密度，並具有一預設的節距尺寸預設值，該待量測或校正之目標圖案選自形成於該基材的線寬、線距、通孔、淺溝槽、島狀突起，或是對位量測記號。

該半導體製程可為微影或蝕刻等製程，且該製程並不特定是用於IC(積體電路)的製造，也可以用於製作其它具有微米尺度或是奈米尺度的元件，例如光學系統、光罩圖案、磁儲存元件的檢測圖案、平面顯示器或液晶顯示器等。該經由半導體製程形成之預定圖案可以是由線(line)、線距(space)，或是對位量測記號(Overlay measurement mark)等所組成。

參閱圖2，要說明的是，由同一製程形成的重複圖案，例如line/space、island/trench、alignment mark，因為會具有實質相同的輪廓，故，利用相同的臨界條件(threshold condition)，自該重複圖案的側壁進行節距(line+space或island+trench)P的尺寸量測時，其所量得的節距尺寸應為相同，因此同一組重複圖案的節距P可視為固定值。所以，以圖2中該預定影像圖案沿該X方向分佈的節距P是由line/space構成為例做說明，該重複圖案沿該X方向分佈的該等line(L)、space(S)，可視為同一組圖案，故，利用相同的臨界條件(圖1中相同的線段表示相同的臨界條件)自該重複圖案的側壁進行節距(L +S)的尺寸量測時，該重複圖案沿該X方向的節距尺寸可視為相同，因此，可將單一節距的預設值、量測值、或是多個節距的平均值，視為該重複圖案之節距的整體表現，同時也可以作為量測機台於一次性影像擷取所取得之圖案影像的尺寸量測計算或校正標準。

接著進行該量測步驟22，量測該預定影像，以及該待量測或校正之目標影像的畫素數(Pixel number)，或是沿一預定方向量測該預定影像以及該待量測或校正之目標影像的至少一個節距(Pitch)，分別得到一節距尺寸量測值。

然後進行該校正計算步驟23，利用該預定影像的節距尺寸預設值與該預定影像的節距尺寸量測值或畫素數進行比值運算，再利用該比值運算結果對該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸量測值進行校正，或是計算該待量測或校正影像的關鍵尺寸。

參閱圖3，以X方向為例做說明：假設該預定影像沿該X方向具有系統預設的節距尺寸預設值M，且該預定影像沿該X方向具有m個畫素，該量測步驟22是利用該取像機台的量測比例尺，沿該X方向量測該預定影像的節距尺寸，得到一節距尺寸量測值K；接著，沿該X方向再以該取像機台的量測比例尺量測該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸，得到該待量測或校正之目標影像的一關鍵尺寸量測值J，及該待量測或校正之目標影像的畫素數量，假設該待量測或校正之目標影像具有n個畫素。

因此，該校正計算步驟23可利用該預定影像的節距尺寸預設值M與該預定影像的節距尺寸量測值K或畫素數目m進行比值運算，再利用該比值運算結果對該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸量測值J進行校正，或是用以計算該待量測或校正之目標影像沿該預定方向的關鍵尺寸。

詳細的說，該校正計算步驟23是利用前述該預定影像的節距尺寸預設值M與該預定影像的節距尺寸量測值K進行比值運算或線性比對，得到一單位尺寸的關鍵尺寸量測校正值Fx，再利用該關鍵尺寸量測校正值Fx對該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸量測值J進行校正；或是，也可利用將該預定影像的節距尺寸預設值M與該預定影像的畫素數量m進行比值運算，得到一單位畫素尺寸值Rx，再利用該單位畫素尺寸值R與該待量測或校正之目標影像的畫素數量n相乘，即可求得該待量測或校正之目標影像沿該X方向的實際關鍵尺寸，該關鍵尺寸計算方式可適用僅量測或輸出該待量測或校正之目標影像之影像輪廓的取像量測機台。

也就是說，可以是利用下列等式關係，求得該目標影像的關鍵尺寸校正值或標準值：

更具體的說，該預定影像的節距尺寸量測值K 可以是由單一個節距尺寸量測值K1、兩個節距尺寸量測值K2、或是多種節距尺寸量測值混合，例如：K1+K2+K3+K4；而用以計算該關鍵尺寸量測校正值Fx的節距尺寸預設值M的計算標準則與該預定影像的節距尺寸量測值K相同，可依據該節距尺寸量測值K而為由系統預設的單一個節距尺寸預設值M、兩個節距尺寸預設值2×M、或是多種節距尺寸預設值混合，例如：M+(2×M)+(3×M)+(4×M))，如此，即可利用該預定影像的節距尺寸預設值M與節距尺寸量測值K進行比值計算，例如：M/K1、2M/K2，或(M+2M+3M+4M)/(K1+K2+K3+K4)，求得該量測校正值Fx。或是，參閱圖4，也可利用將該預定影像的節距尺寸預設值與節距尺寸量測值或畫素數作圖(圖4以節距尺寸預設值與節距尺寸量測值為例作圖說明)，得到一漸進線，如此，利用將該待量測或校正之目標影像量測而得的尺寸量測值代入該漸進線，即可求得該待量測或校正之目標影像的實際關鍵尺寸值。

同樣的，當要對該待量測或校正之目標影像進行Y方向的關鍵尺寸校正或影像尺寸計算時，可利用與前述該X方向相同的量測，及校正計算方式，對該目標影像進行Y方向的關鍵尺寸校正或影像尺寸計算。

值得一提的是，該較佳實施例還可具有一輸出步驟，可用以將自相同或不同基材的不同位置、不同量測方向(X或Y方向)、不同積層，或是不同量測機台計算而得的量測校正值或比對結果，藉由該校正輸出單元對外 輸出，以作為機台的監控或校正的參考參數。

例如，由前述該校正計算步驟23可知該量測機台的節距預設值與量測值的標準比為M/K、該機台的校正比例：((K-M)/K)=1-M/K；所以，可針對不同量測機台、不同晶圓，或是同一晶圓的相異量測位置(如左上與右下)，輸出M/K或1-M/K，以作為機台的監控或校正的參考參數，或是可輸出自不同機台擷取而得的同一類型目標圖案與該預定影像的偏移值、節距量測值比、節距畫素數比、節距/畫素數值比，用以比較不同機台之間的差異性。

參閱圖5，圖5為一種用於半導體積層間對位的box-in-box對位記號，以及位於該box-in-box對位記號周圍，用於校正的預定影像I，並假設該預定影像I沿該X方向及Y方向的節距尺寸預設值Mx、My為1.0μm。

量測該預定影像沿該X方向的節距尺寸，要說明的是，於量測該預定影像沿該X方向的節距尺寸時，會扣除位在前後兩個邊界的線(line)，因此，可以量得6個節距，將該6個節距的尺寸量測值平均，即可得到該預定影像沿該X方向的節距尺寸量測值Kx，假設節距尺寸量測值Kx=0.95μm。接著，量測該box-in-box的十字對位記號沿該X方向的寬度，得到該十字對位記號沿該X方向的一關鍵尺寸量測值CDx，假設CDx=1.05μm，因此，將該預定影像沿該X方向的節距尺寸預設值Mx除以該預定影像沿該X方向的節距尺寸量測值Kx，即可得到量測機台 沿該X方向的量測校正值Fx=Mx/Kx=1.0/0.95=1.05

續參閱圖5，當利用該校正影像求得該X方向的量測校正值Fx之後，即可利用該X方向的關鍵尺寸量測校正值Fx做為該box-in-box十字對位記號的X方向的關鍵尺寸量測值CDx進行校正，即：該box-in-box對位記號沿該X方向的實際關鍵尺寸=關鍵尺寸量測值CDx×Fx=1.05×1.05=1.1μm。同理，要進行該box-in-box十字對位記號沿該Y方向的關鍵尺寸量測值CDy的校正時，則可量測得到該預定影像沿該Y方向的節距尺寸量測值Ky，再利用相同的方式，求得該校正影像沿該Y方向的量測校正值Fy，因此，該box-in-box十字對位記號沿該Y方向的實際關鍵尺寸=關鍵尺寸量測值CDy×Fy。此外，由圖5可知該box-in-box對位記號左右兩側的內框與外框沿該X方向的量測距離分別為aμm，及bμm，因此，也可利用前述計算而得的量測校正值Fx，對該box-in-box十字對位記號的疊對偏移值(overlay shift)進行校正，即，該box-in-box十字對位記號沿該X方向的實際疊對偏移值=(a-b)/2×Fx。

參閱圖6，圖6所示為一組用於半導體基材不同積層的對位標識記號(alignment mark)，其中，以沿Y方向分佈排列的對位記號而言，A、B(圖6中以網格長條圖案表示)在同一基層，C、D(圖6中以空白長條表示)在同一積層，A、B及C、D分別在不同積層，中間的十字記號為原始設定的中心點，且該A、B、C、D沿該 Y方向均排列有多個相同的節距Y1。

配合參閱圖7，以圖6所示之該對位標識記號沿Y方向，位在不同積層之對位記號A、B、C、D的關鍵尺寸校正為例做說明：該對位記號A、B、C、D的中點到中心點的量測距離為SA1、SB1、SC1、SD1，而經由前述關鍵尺寸量測值與關鍵尺寸實際值的計算可分別得到該等對位記號A、B、C、D的該節距Y1的關鍵尺寸量測校正值Fy，因此，將該等量測距離SA1、SB1、SC1、SD1分別利用該對位記號A、B、C、D各自的關鍵尺寸量測校正值Fy校正，即可得到該對位記號A、C、B、D的中點到中心點的實際距離SA2、SB2、SC2，及SD2，而完成該對位標識記號的關鍵尺寸校正，之後即可利用該經校正後之對位標識記號進行疊對誤差量測，避免該對位標識記號因為關鍵尺寸量測的偏差，而造成疊對誤差量測結果的誤差。而要再說明的是，位於不同積層的預定圖案，也可以彼此作為基準相互校正，就是可利用前層(下層)用後層(上層)，或是後層(上層)用前層(下層)作為基準相互校正。例如，以前述位於不同積層的對位記號A、B、C、D為例，可以利用該對位記號A、B求得的SA2、SB2，作為該對位記號C、D的SC1、SD1的校正標準。

此外，參閱圖8，當目標圖案T1、T2為形成於該半導體基材上的不同積層時，例如前、後層，由於形成於前層的圖案T1會受到沉積於其上方的薄膜F(例如 dielectric film)的折射率、厚度、表面曲度，或型態而影響該圖案T1的頂視影像(top view)，造成不同積層的單位對應長度(um)產生差異，而會影響該目標圖案T1、T2之關鍵尺寸量測結果的精確度。因此，可先利用與目標圖案T1、T2位於同一結構層之預設圖案，經由前述關鍵尺寸量測值與關鍵尺寸實際值的計算分別得到對應該結構層的關鍵尺寸量測校正值，即可對該目標圖案T1、T2的關鍵尺寸量測結果進行校正，解決前述問題。此外，進一步計算或輸出此差異也可以監控微區域影像的尺寸變異，也可避免前/後層影像因為單位畫素對應長度(um)的差異，造成關鍵尺寸的量測誤差，導致後續對位或疊對誤差量測結果錯誤。

要再說明的是，本發明除了可利用該關鍵尺寸量測校正值，及該畫素單位值可作為該待量測或校正之目標影像之關鍵尺寸量測結果的校正，及求得該待量測或校正之目標影像的影像尺寸之外，還可藉由輸出同一機台，於不同時間量測而得的節距尺寸量測值與節距尺寸預設值的比對，或是特定目標圖案經由預設標準節距校正前、後的關鍵尺寸值的比對，或是利用由不同機台量得的節距尺寸量測值與節距尺寸預設值的變化趨勢，例如兩者的面積偏移量(offset)、長度，或是比值(例如節距量測值比、節距畫素數比、節距/畫素數值比)等，比較不同機台之間的差異性，並利用該結果作為機台穩定性的監控。

綜上所述，本發明利用將一預設影像的節距尺 寸預設值與該預設影像的節距尺寸量測值或該預設影像的畫素數進行比對，而求得量測機台的標準單位長度值，因此，可以排除關鍵尺寸量測過程，因為機台或是形成於不同積層之圖案所造成之該影像單位畫素對應長度(um)的誤差，所導致的關鍵尺寸量測結果失真的問題，而可精確的監控及校正圖案的關鍵尺寸量測結果，以確保後續製程圖案可精確的與前層的圖案進行對準，更提昇對準的精度，並符合元件需求，故確實能達成本發明之目的。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

21‧‧‧影像取得步驟

22‧‧‧量測步驟

23‧‧‧校正計算步驟

Claims (11)

1. 一種影像關鍵尺寸量測校正方法，包含：一影像取得步驟，自一基材經由一次性影像擷取，取得複數圖案影像，該等圖案影像包含一預定影像及一待量測或校正之目標影像，該預定影像具有固定的節距，並具有一預設的節距尺寸預設值；一量測步驟，沿一預定方向量測該預定影像以及該待量測或校正之目標影像的畫素數目，或是沿一預定方向量測該預定影像的至少一個節距得到一節距尺寸量測值，以及量測該待量測或校正之目標影像的一關鍵尺寸，得到一關鍵尺寸量測值；及一校正計算步驟，利用該預定影像的節距尺寸預設值與該預定影像的節距尺寸量測值或畫素數目進行比值運算，再利用該比值運算結果對該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸量測值進行校正，或是計算該待量測或校正影像的關鍵尺寸。
2. 如請求項1所述的影像關鍵尺寸量測校正方法，其中，該校正計算步驟是將該預定影像的節距尺寸預設值與該預定影像的節距尺寸量測值進行比值運算或線性比對，得到一單位尺寸的量測校正值，再利用該量測校正值對該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸量測值進行校正，或是利用該預定影像的節距尺寸預設值與該預定影像的畫素數進行比值運算，得到一單位畫素尺寸值，再利用該單位畫素尺寸值與該待量測或校正之目標影像的 畫素數相乘，求得該待量測或校正之目標影像沿該預定方向的實際關鍵尺寸。
3. 如請求項1所述的影像關鍵尺寸量測校正方法，其中，該量測步驟中，該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸的量測方向與該預定影像的節距量測方向相同。
4. 如請求項1所述的影像關鍵尺寸量測校正方法，其中，該待量測或校正之目標影像選自形成於該基材的線寬、線距、通孔、淺溝槽、島狀突起，或是對位量測記號，該校正計算步驟是利用該比值運算結果對該待量測或校正之目標影像進行關鍵尺寸計算，或關鍵尺寸差值的校正。
5. 如請求項1所述的影像關鍵尺寸量測校正方法，其中，該待量測或校正之目標影像可選自該一次性影像擷取所取得的該預定影像，或是該預定影像以外的影像。
6. 如請求項2所述的影像關鍵尺寸量測校正方法，其中，該待量測或校正之目標影像與該預定影像位在該基材的相同或不同積層。
7. 如請求項6所述的影像關鍵尺寸量測校正方法，其中，該待量測或校正之目標影像與該預定影像位在該基材的不同積層，且可利用其中之一為校正基準。
8. 如請求項1所述的影像關鍵尺寸量測校正方法，還包含一在該校正計算步驟之後的輸出步驟，將自不同基材的位置、不同基材，不同量測方向，或不同量測機台計算而得的校正及計算結果對外輸出。
9. 一種影像關鍵尺寸量測校正系統，包含：一接收儲存單元，接收並儲存由一取像單元自一基材經由一次性影像擷取取得的圖案影像，該圖案影像包含一預定影像，及一待量測或校正之目標影像，該預定影像具有固定的節距，且具有一預設的節距尺寸預設值；及一量測計算單元，量測該預定影像以及一待量測或校正之目標影像的畫素數，或是沿一預定方向量測該預定影像的至少一個節距得到一節距尺寸量測值，以及量測該待量測或校正之目標影像沿該預定方向的一關鍵尺寸，得到一關鍵尺寸量測值，利用該預定影像的節距尺寸預設值與該預定影像的節距尺寸量測值或畫素數進行比值運算，再利用該比值運算結果對該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸量測值進行校正，或是計算該待量測或校正之目標影像的關鍵尺寸。
10. 如請求項9所述的影像關鍵尺寸量測校正系統，還包含一校正輸出單元，將該預定影像與該待量測或校正之目標影像的校正或計算結果對外輸出。
11. 如請求項9所述的影像關鍵尺寸量測校正系統，其中，該取像單元選自光學顯微鏡、電子掃描式顯微鏡，或疊對誤差量測機台。