TW201525620A - 帶有簡化光學元件的極紫外線（ｅｕｖ）基板檢查系統及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種極紫外線(EUV)基板檢查系統及其製造方法，包含：一EUV來源，該EUV來源引導EUV照射穿過一光圈；一光偵測器，該光偵測器偵測帶有由一基板反射離開的減低之偏離軸的射線的光罩照射；及一電腦裝置，該電腦裝置處理由該光偵測器偵測到之影像資料。

Description

帶有簡化光學元件的極紫外線(EUV)基板檢查系統及其製造方法 【交叉引用】
本申請案主張申請於2013年12月19日之美國臨時專利申請案序號第61/918,639號之利益，且其申請標的藉由參考併入於此。
本發明一般相關於極紫外線(extreme ultraviolet,EUV)微影術(lithography)基板查核及檢查，且更特定係關於帶有簡化光學元件之極紫外線基板檢查系統及其製造。
極紫外線微影術(也已知為軟X射線投影微影術)為取代用於0.13微米及更小、最小特徵尺寸半導體裝置之製造的深紫外線微影術的競爭者。
然而，極紫外線光，一般在5至40奈米波長範圍中，實際上在幾乎所有材料中被強烈地吸收。因此，極紫外線系統藉由光的反射而非透射來操作。透過一系列鏡子、透鏡元 件及反射性元件的使用，或極紫外線基板例如以非反射性吸收材料光罩圖案塗敷的EUV空白光罩，圖案化的光化的光被反射至塗有光阻劑的半導體晶圓上。
以反射性多層塗敷材料(例如鉬及矽)塗敷極紫外線微影術系統之透鏡元件及極紫外線空白光罩。藉由使用塗敷以多塗層之基板，獲得每個透鏡元件或EUV空白光罩大約65%的反射數值，該等塗層主要在極窄紫外線帶通內的單一波長強烈地反射光；例如，針對13奈米紫外線光的12至14奈米帶通。
用於半導體及微電子製造的最小特徵尺寸設計規則持續隨著摩爾定律(Moore’s Law)縮小。使用短波長，極紫外線微影術具有便利於甚至更小的設計規則之潛力，即便完全商業化此技術仍有許多技術挑戰。高品質、無缺陷的光罩為連接此兩項的一個關鍵點。光罩缺陷檢查一般昂貴且複雜。
因此，仍然對帶有簡化光學元件的極紫外線微影術基板檢查系統有需求。有鑑於支援高品質及無缺陷的光罩的需求增長，找到這些問題的解答愈加重要。有鑑於持續增加的商業競爭壓力，愈來愈多的消費者期許及市場中重要產品區別之可能性減小，找到這些問題的解答很重要。另外，減低成本、改進效率及效能及應付競爭壓力的需求，讓找到這些問題的解答之重要性更加迫切。
吾人長期以來找尋這些問題的解決方案，但先前發展並未教示或建議任何解決方案，因而，這些問題的解決方案長期以來困惑著發明所屬技術領域具有通常知識者。
本發明之實施例提供一種極紫外線(EUV)基板檢查系統，包含：一EUV來源，該EUV來源引導EUV照射穿過一光圈；一光偵測器，該光偵測器偵測帶有由一基板反射離開的減低之偏離軸射線的光罩照射；及一電腦裝置，該電腦裝置處理由該光偵測器偵測到之影像資料。
本發明之實施例提供一種製造EUV基板檢查系統的方法，包含以下步驟：提供一EUV來源；引導該EUV來源的EUV照射穿過一光圈至一基板上；偵測由自該基板反射離開的減低之偏離軸的射線在一光偵測器上的光罩照射；由該光偵測器傳輸影像資料至一電腦裝置；及在該電腦裝置上處理該影像資料。
本發明之實施例提供一種EUV點來源之裝置，包含：一EUV來源，該EUV來源引導EUV照射穿過一光圈；及具有該光圈的一光偵測器，該光偵測器偵測帶有減低之偏離軸的射線之光罩照射。
本發明的某些實施例具有那些上述以外的或取代那些上述的其他步驟或元件。在參考所附圖式時，步驟或元件由閱讀以下細節描述對發明所屬技術領域具有通常知識者會變得明顯的。
100‧‧‧EUV基板檢查系統
102‧‧‧EUV點來源
104‧‧‧EUV照射
106‧‧‧EUV光罩
108‧‧‧EUV影像感應器
110‧‧‧表面
112‧‧‧光罩照射
114‧‧‧偏離軸射線
116‧‧‧中央軸
118‧‧‧影像處理器
200‧‧‧聚焦明視野點來源基板檢查系統
202‧‧‧EUV點來源
204‧‧‧聚焦EUV照射
206‧‧‧EUV光罩
208‧‧‧EUV影像感應器
210‧‧‧EUV照射
212‧‧‧光圈
214‧‧‧聚光器
216‧‧‧外環
218‧‧‧光罩照射
220‧‧‧影像處理器
222‧‧‧中央軸
224‧‧‧偏離軸射線
300‧‧‧EUV基板檢查系統
302‧‧‧EUV點來源
304‧‧‧EUV照射
306‧‧‧EUV光罩
308‧‧‧EUV影像感應器
310‧‧‧影像處理器
312‧‧‧光圈
314‧‧‧背側表面
316‧‧‧前側表面
318‧‧‧中央
320‧‧‧照射角度
322‧‧‧光圈角度
324‧‧‧光罩照射
326‧‧‧中央軸
328‧‧‧偏離軸射線
330‧‧‧可移動台
400‧‧‧方法
402、404、406、408、410‧‧‧區塊
第1圖為本發明的第一實施例中的EUV基板檢查系統之示範。
第2圖為本發明的第二實施例中的聚焦EUV基板檢 查系統之示範。
第3圖為本發明的第三實施例中的帶有簡化光學元件的EUV基板檢查系統之示範。
第4圖為本發明的進一步實施例中的製造EUV基板檢查系統之方法的流程圖。
以足夠細節描述以下實施例，使發明所屬技術領域具有通常知識者能夠製造及使用本發明。應理解其他實施例基於本揭示案為明顯的，且可進行系統、製程、或機械改變而不脫離本發明的實施例之範疇。
在以下描述中，給予眾多特定細節以提供本發明之徹底的理解。然而，很明顯可實作本發明而無須這些特定細節。為了避免混淆本發明之實施例，一些廣為人知的電路、系統配置及處理步驟不詳細揭露。
展示系統之實施例的圖式為半圖解的且非依比例繪製，且特定地，一些尺寸用於呈現清晰且在圖式中誇示。相似地，雖然用於易於描述之圖式中的視圖一般展示相似的取向，圖式中多數部件的此描繪為隨意的。一般地，本發明可以任意取向操作。
揭露及描述具有一些共同特徵的多個實施例，為了清晰及易於圖示、描述及理解，相似及類似的特徵將以相似的元件符號描述。
為了說明的目的，定義用詞「水平」(如此間所使用)為：平行於極紫外線(EUV)光罩的平面或表面之平面，而無視 其取向如何。用詞「垂直」指示：正交於剛提到的水平的方向。相對於水平面定義用詞「上方」、「下方」、「底部」、「頂部」、「側面」(如「側壁」)、「更高」、「更低」、「較高」、「在上方」、及「在下」，如圖式中所展示。用詞「在上」指示元件間有直接接觸。
用詞「處理」(如此間所使用)包含材料或光阻的沉積、圖案化、曝露、顯影、蝕刻、清理、及/或材料或光阻的移除，該等處理為形成描述的結構中所需。
本發明之實施例提供製造EUV基板檢查的系統及方法。可使用根據本發明之實施例的系統及方法以檢查反射性表面上的缺陷，例如EUV空白光罩、EUV光罩或晶圓，該檢查兼具高感應度(例如偵測非常小的缺陷的能力)及精確度(例如抑制背景訊號或模糊的能力)。
根據本發明之實施例的EUV基板檢查系統及製造方法使用「暗視野」或「明視野」成像技術。在明視野成像技術中，EUV照射被引導至反射性表面上。反射的照射(例如由反射性表面反射離開的光罩照射，且藉由光偵測器被偵測到)係透射白光。光罩照射為由反射性表面的缺陷中的一些透射照射的部分被吸收所引發的對比。EUV基板檢查系統中的明視野成像技術之典型的外觀為明亮背景上的暗缺陷。
藉由該暗視野成像技術，由反射性表面反射離開的光罩照射係未被光偵測器偵測到的透射光，因此不形成影像的一部分。暗視野成像技術產生暗的(幾乎是黑的)背景而帶有明亮的缺陷於其上之典型的外觀。
根據本發明之實施例，EUV光罩或其他欲檢查之反射性表面被塗敷一層光阻，施用該光阻覆蓋於無缺陷之EUV光罩區域上。EUV光罩接著曝露於EUV照射一段足夠時間，以完全曝露而顯影光阻。為完全顯影以足夠的強度及持續期間完全曝露光阻層，若EUV光罩中無缺陷則移除。
當EUV光罩完美無暇時，顯影後沒有光阻留在EUV光罩表面上。然而，若EUV光罩具有缺陷，緊接EUV光罩表面上的缺陷的上方及圍繞該等缺陷的面積接收較少藉由反射的曝露，且沒有完全地顯影及移除。可藉由顯影後EUV光罩表面上的殘存光阻而輕易偵測缺陷。
EUV光罩可於基底上(如玻璃、陶瓷、矽或金屬材料)製成。矽基底可為材料如高密度電漿(HDP)氧化物、硼摻雜磷玻璃、非晶矽。金屬基底可為此金屬，如：鉬、鈦、釕及其氧化物或合金。EUV光罩的厚度可為多樣的，包含等於或小於一個毫米(mm)。根據EUV基板檢查系統的設計及需求，EUV光罩可配置成多種尺寸及形狀，包含矩形、圓形、或其他形狀。可建立保護層、反射性層、或吸收層而覆蓋於EUV光罩的基底。圖案可配置於吸收層中。
光學顯微鏡，例如暗視野顯微鏡或明視野顯微鏡，足以偵測EUV光罩或其他反射性表面上的殘存的光阻或缺陷。
顯微鏡可包含一系列反射鏡及針孔攝影機，該針孔攝影機為無透鏡但具有不透光盒的單一小針孔之簡單攝影機。光通過針孔且將EUV光罩的一部分之反轉影像投影至正 對光源的螢幕上。藉由檢查EUV光罩的反轉影像，可偵測及定位EUV光罩的缺陷。
針對使用針孔攝影機的EUV基板檢查系統，反轉影像的解析度係基於針孔之大小，而放大率係基於目標距離與影像距離的比率，該目標距離為由目標至針孔的距離，該影像距離為由反轉影像至針孔的距離。在某點以前，針孔越小，則反轉影像越鮮明且越昏暗。
因為針孔攝影機需要長的曝露，使用針孔攝影機的EUV基板檢查系統緩慢地掃描光阻以足量地曝露，導致緩慢的掃描及長的檢查週期。為了加速檢查，開發了無針孔攝影機的EUV基板檢查系統。
無針孔攝影機的EUV基板檢查系統可包含光源，例如引導EUV照射於EUV光罩上的EUV點來源。光偵測器(例如EUV影像感應器)偵測由EUV光罩反射離開的光罩照射，且傳輸影像資料(例如影像感應器資料)至電腦裝置(例如影像處理器)以偵測EUV光罩的缺陷及產生其位置資訊。
EUV點來源藉由合適的手段產生EUV照射，該手段包含但不限於：雷射產生或放電產生電漿、同步加速器輻射、電子放電來源、帶有毫微微秒(femto-second)雷射脈衝的高次諧波產生、放電泵浦X射線雷射、或電子束驅動輻射裝置。
EUV照射，一般在5至40奈米(nm)波長範圍中，被引導至EUV光罩表面上。可藉由EUV影像感應器偵測反射的照射，例如反射離開EUV光罩的空白光罩照射。光罩照射投影影像資料，例如EUV光罩的影像感應器資料及EUV影 像感應器上的EUV光罩的缺陷。EUV影像感應器傳輸影像感應器資料至影像處理器。影像處理器利用多種演算法及技術以消除影像背景雜訊並定位EUV光罩的缺陷。
為了獲得高感應度及精確度的EUV基板檢查系統，光罩照射需要足夠的聚焦及對比。由光罩照射的偏離軸射線所引發的模糊化影像可防止成像或缺陷偵測。
帶有光圈或引導束的EUV點來源可減低導致影像模糊化減低的偏離軸射線。帶有減低的偏離軸射線之聚焦及對比光罩照射可投影鮮明的影像並偵測EUV光罩的小缺陷。根據多個因數可有多種偏離軸射線的減低，因數例如光源及反射性表面。一般地，減低相較於無光圈或引導束的EUV點來源可為大約50%或更多。帶有減低的偏離軸射線之EUV點來源可達到EUV光罩的次20nm或更佳的解析度。
發現帶有光圈或引導束的EUV點來源可減低偏離軸射線大約50%或更多，導致改進EUV基板檢查系統的感應度及精確度。
帶有光圈的EUV點來源可包含EUV點來源、光圈、及聚光器。聚光器為適用以集中EUV點來源的EUV照射的透鏡。EUV照射進入光圈，該光圈允許EUV照射的外環通過。聚光器聚焦EUV照射的外環。聚焦的EUV照射被引導至EUV光罩表面上。EUV影像感應器偵測由EUV光罩表面反射離開的光罩照射，並傳輸影像感應器資料至影像處理器以處理。
帶有光圈及聚光器的EUV基板檢查系統為複雜的結構且可增加製造成本。帶有簡化光學元件的EUV點來源利 用EUV影像感應器的穿孔以取代光圈及聚光器。EUV照射在被引導至EUV光罩表面上之前穿過EUV影像感應器的穿孔而集中，以減低偏離軸射線高達50%或更多。
EUV照射被引導至EUV光罩表面上且由EUV光罩反射離開。EUV影像感應器可偵測帶有減低的偏離軸射線由EUV光罩表面反彈離開的光罩照射，包含EUV光罩的影像及其缺陷。可改進影像的模糊化，因為偏離軸射線的減低。EUV影像感應器可傳輸影像感應器資料至影像處理器，以使用多種演算法及技術來偵測EUV光罩缺陷及其位置。更鮮明的影像可加強基板檢查系統的感應度及精確度。
所偵測的影像感應器資料可包含明視野資料及暗視野資料。暗視野應用的EUV點來源可處於較明視野應用更離開EUV光罩的一瀏覽角度。由EUV點來源至EUV光罩的典型距離有多樣，取決於應用及儀器。例如，由EUV影像感應器至EUV光罩的距離可大約為二至三公尺。藉由調整EUV影像感應器至EUV光罩間的距離，引導光束至EUV光罩的EUV光源，EUV影像感應器可經放置以紀錄在單一曝露中由相對大面積的EUV光罩的反射。EUV光源的大小及位置以及EUV影像感應器的大小及位置決定EUV光罩上的照射區域及可檢查的區域。
EUV影像感應器的穿孔尺寸由公式決定，d為光圈直徑，f為焦距(由光圈至EUV光罩的距離)，而λ為EUV照射的波長。
EUV影像感應器可包含同步至光罩掃描的時間延遲 積分(TDI)感應器。TDI為線掃描的方法，相較於其他錄像掃描方法提供大幅增加的可靠性。該方法容許低光中的快更多的掃描速度，或允許傳統速度下的減低的光等水平及成本。掃描速度的改進取決於多種因素，例如，影像解析度、電腦裝置容量、掃描器操作速度或其組合。帶有TDI的EUV影像感應器的典型掃描速度可為傳統速度的兩倍或更多。
EUV光罩檢查系統可包含複數個EUV點來源。多個EUV點來源可平行地掃描EUV光罩以改進掃描效率。EUV光罩檢查系統可同時檢查EUV光罩的多個面積，且影像處理器可平行地處理多個面積的影像感應器資料。
EUV光罩表面與EUV影像感應器平行。EUV點來源可以一照射角度引導EUV照射於EUV光罩上，該照射角度為EUV影像感應器表面處的一偏斜角度。EUV影像感應器的穿孔以EUV影像感應器表面處的一光圈角度穿過EUV影像感應器而形成。照射角度通常與光圈角度相同，允許EUV照射前進通過而不受任何阻礙。光圈角度可為多樣的以符合基板檢查系統的需求。
當EUV照射前進通過EUV影像感應器的穿孔時可發生繞射。描述繞射現象為：當波遇到阻礙或大小與照射波長相當之狹縫時的波幹擾。當穿孔尺寸約與EUV照射的波長相當時，可觀察到繞射圖案。
影像處理器可利用ptychographic成像技術與EUV影像感應器的進步技術及影像處理器計算，以處理繞射圖案，產生帶有增加的空間解析度的光學顯微術而無須透鏡。 可使用單一或多個繞射圖案，以使用ptychography技術偵測或提取影像。ptychography係用於藉由同調地干擾鄰近布拉格(Bragg)反射，且因此決定其相對相位，來解決繞射圖案相位問題的技術。布拉格反射提供來自晶格的用於同調及不同調散射的角度，或強制的照射偏差。
已發現偵測基板的缺陷及提取該等缺陷之位置資訊在半導體製造中非常重要。由於製造完美無暇基板的困難度，缺陷的偵測及位置為至關重要的。不完美的基板可包含眾多缺陷。只要缺陷數量低於製造標準，基板品質可為可接受的。在製造處理期間，可丟棄缺陷所在之晶片。同時，可處理無缺陷之晶片。可接受的缺陷數量為多樣的，取決於製造。
現在參考第1圖，此間展示本發明第一實施例中的EUV基板檢查系統100的示範。明視野點來源基板檢查系統100可包含：提供EUV照射104的EUV點來源102、基板(例如EUV光罩106)及光偵測器(例如EUV影像感應器108)。用詞「明視野」由EUV影像感應器108在亮的背景上偵測暗的EUV光罩而取得。
EUV點來源102藉由合適的手段產生EUV照射104，該構件包含但不限於：雷射產生或放電產生電漿、同步加速器輻射、電子放電來源、帶有毫微微秒雷射脈衝的高次諧波產生、放電泵浦X射線雷射、或電子束驅動輻射裝置。EUV照射一般在5至40奈米(nm)波長範圍中。
EUV點來源102可以一偏斜角度引導EUV照射104 至EUV光罩106的表面110上。EUV光罩為欲印刷至半導體晶圓上(典型為光阻層上)的反射性基板配置圖案。根據明視野或暗視野的應用，可調整由EUV點來源102至表面110的距離。EUV照射104可一致地照射EUV光罩106欲檢查的部分。藉由移動EUV光罩106通過EUV點來源102，可逐部分地掃描EUV光罩106的表面110。
當EUV照射104被引導至表面110上，光罩照射112由EUV光罩106被反射離開，投影影像於EUV影像感應器108上。光罩照射112可包含偏離軸射線114，偏離軸射線114由中央軸116轉向照射。光罩照射112為對比的，因為吸收了EUV光罩106及其缺陷的一些透射照射。偏離軸射線114可引發投影至EUV影像感應器108上的影像模糊化，並降低缺陷偵測。
EUV影像感應器108偵測光罩照射112並傳輸所偵測的影像感應器資料至影像處理器118以處理。影像處理器118可利用多種演算法及技術以偵測缺陷且處理其位置。例如，表面110上的小缺陷可具有帶有因偏離軸射線114而導致模糊化邊緣的影像。模糊化影像邊緣可混合入影像背景，導致影像處理器118偵測缺陷失敗。
可在同時照射EUV光罩106的多個區域中利用多個EUV點來源。影像處理器118可平行處理多個區域的影像感應器資料。可在EUV影像感應器108中包含TDI感應器。可在有合適調整的相似結構中實行暗視野基板檢查系統。
第1圖中所展示的明視野點來源基板檢查系統100 為示範。明視野點來源基板檢查系統100可包含一系列鏡子或透鏡元件，例如鏡面反射鏡或投影光學元件(第1圖中未展示)。
已發現明視野點來源基板檢查系統可藉由減少曝露持續期間加速掃描過程。多個EUV點來源可同時掃描基板以改進系統的效率。
現在參考第2圖，此間展示本發明第二實施例中的聚焦EUV基板檢查系統200的示範。聚焦明視野點來源基板檢查系統200可包含：EUV點來源202、聚焦EUV照射204、EUV光罩206及EUV影像感應器208。EUV點來源202提供EUV照射210通過光圈212及聚光器214。
EUV照射210進入光圈212，光圈212允許EUV照射210的外環216通過。聚光器214為適用以集中外環216在EUV光罩206上的透鏡。聚焦EUV照射204被以一偏斜角度引導於EUV光罩206上。光罩照射218由EUV光罩206被反射離開，投影EUV光罩206及其缺陷的影像於EUV影像感應器208上。光罩照射218為對比的，因為吸收了EUV光罩206及其缺陷的一些透射照射。
EUV影像感應器208偵測光罩照射218並傳輸所偵測的影像感應器資料至影像處理器220以偵測缺陷且處理其位置。光罩照射218具有中央軸222及偏離軸射線224。與第1圖的光罩照射112相比，光罩照射218更聚焦且具有較少的偏離軸射線224以減低影像模糊化。聚焦明視野點來源基板檢查系統200可減低影像模糊化。模糊化的減低可為多樣的， 取決於光圈212的尺寸及聚光器214與其他條件及限制。
可在同時照射EUV光罩206的多個區域中利用複數個帶有光圈212及聚光器214的EUV點來源202。影像處理器220可平行處理多個區域的影像感應器資料。可在EUV影像感應器208中包含TDI感應器。可在有合適調整的相似結構中實行暗視野基板檢查系統。
第2圖中所展示的聚焦明視野點來源基板檢查系統200為示範。聚焦明視野點來源基板檢查系統200可包含一系列鏡子或透鏡元件，例如鏡面反射鏡或投影光學元件(第2圖中未展示)。
已發現帶有光圈及聚光器的聚焦明視野點來源基板檢查系統減低影像模糊化，導致改進成像及缺陷偵測的精確度及敏感度。
現在參考第3圖，此間展示本發明第三實施例中的帶有簡化光學元件的EUV基板檢查系統300的示範。帶有簡化光學元件的EUV基板檢查系統300可包含：提供EUV照射304的EUV點來源302、EUV光罩306、EUV影像感應器308及影像處理器310。
聚焦明視野點來源基板檢查系統200具有複雜結構，包含第2圖中的光圈212及聚光器214，增加製造成本。帶有簡化光學元件的EUV基板檢查系統300利用EUV影像感應器308的光圈312以取代光圈212及聚光器214。
以一偏斜角度穿過EUV影像感應器308形成的光圈312可為狹縫、洞、或其他穿過EUV影像感應器308整體厚 度的空間。EUV照射304由背離EUV光罩306的背側表面314進入光圈312，且由面向EUV光罩306的前側表面316離開EUV影像感應器308。當EUV照射304前進穿過EUV影像感應器308時，EUV照射304藉由光圈312聚焦或集中。
光圈312可為具有中央318及穿過EUV影像感應器308的一致尺寸之多種形狀。光圈312的側壁或數個側壁平行於中央318。EUV照射304被引導以一照射角度320穿過光圈312至EUV光罩306上，且均勻地照射EUV光罩的一部分。光圈312的中央318形成前表面316處的光圈角度322，其中光圈角度322與照射角度320相同。光罩照射324由EUV光罩306反射離開，且投影EUV光罩306及其缺陷的影像於EUV影像感應器308上。光罩照射324為對比的，因為吸收了EUV光罩306及其缺陷的一些透射照射。
EUV影像感應器308偵測光罩照射324並傳輸所偵測的影像感應器資料至影像處理器310以偵測缺陷且處理其位置。光罩照射324具有中央軸326及偏離軸射線328。與第1圖的光罩照射112相比，光罩照射324具有較少的偏離軸射線328，而導致影像模糊化的減低。影像模糊化的減低可為多樣的，取決於光圈312的尺寸及形狀及EUV影像感應器308的厚度與其他條件及限制。
可裝設EUV光罩306於可移動台330上。可移動台330可調整X及Y座標兩者中相對於EUV影像感應器308及EUV點來源302的位置之EUV光罩306位置。可在平行於前側表面316的一平面中調整EUV光罩306的位置。可在EUV 光罩306穿過靜止的EUV影像感應器308及EUV點來源302時，藉由EUV點來源302掃描EUV光罩306的整體表面。EUV影像感應器308在掃描期間偵測光罩照射324，容許整體EUV光罩306的缺陷偵測。
當光圈312尺寸可與EUV照射304波長大小相當時，當EUV照射304前進通過光圈312時可發生繞射。描述繞射現象為：當波遇到阻礙或狹縫(例如光圈312)時的波幹擾。繞射圖案為波幹擾的影像，例如EUV照射304的幹擾。光罩照射324可包含反射的EUV照射304，及反射的繞射圖案。
EUV影像感應器308偵測光罩照射324，且傳輸偵測的影像感應器資料至影像處理器310，以偵測EUV光罩306的缺陷並處理其位置。影像感應器資料可包含明視野資料、暗視野資料或繞射圖案。
可在EUV基板檢查系統300中使用複數個EUV點來源302。複數個EUV照射304可穿過複數個光圈312同時照射EUV光罩306上的多個區域。影像處理器310可平行處理由EUV光罩306的多個區域所偵測到的影像感應器資料。可在EUV影像感應器308中包含TDI感應器。
第3圖中所展示的EUV基板檢查系統300為示範。EUV基板檢查系統300可包含一系列鏡子或透鏡元件，例如鏡面反射鏡或投影光學元件(第3圖中未展示)。
已發現帶有多個EUV點來源的EUV基板檢查系統可改進EUV光罩掃描的效率且大幅減低檢查週期時間。
可以合適的調整於相似的結構中利用EUV基板檢查系統300於暗視野及明視野應用中。可由EUV光罩306的直接反射點感應明視野資料，而在別處感應暗視野資料。暗視野資料由來自直接反射點的光之周圍的光獲得。用詞「暗視野」由EUV影像感應器在暗的背景上偵測亮的EUV光罩而取得。在暗視野應用中由EUV點來源302至EUV光罩306的距離較明視野應用中遠。
已發現投影穿過EUV影像感應器中的至少一個開口之至少一個EUV點來源的EUV照射可大大減低偏離軸射線且改進影像模糊化及缺陷偵測。
已進一步發現：可使用由光圈所產生且由EUV影像感應器所偵測的單一或多個繞射圖案，以使用ptychography技術進一步改進成像及偵測缺陷。
ptychography技術用於藉由改變照射束的相位、剖面、或位置，解決由同調干擾鄰近布拉格反射所導致的繞射圖案相位問題。已發現該技術增加空間解析度以改進成像。
進一步地，已發現EUV影像感應器可使用TDI感應器架構，該架構容許光電子由多次曝露產生以不與加成性雜訊加總，以致能非常低光條件下的高速成像。帶有TDI的EUV影像感應器可改進掃描速度且減低基板檢查週期時間。
現在參考第4圖，此間展示本發明之進一步實施例中的EUV基板檢查系統的製造之方法400的流程圖。方法400包含：在區塊402中提供一EUV來源；在區塊404中引導該EUV來源的EUV照射穿過一光圈至一基板上；在區塊406中 偵測帶有由該基板反射離開的減低之偏離軸的射線在一光偵測器上的光罩照射；在區塊408中由該光偵測器傳輸影像資料至一電腦裝置；及在區塊410中在該電腦裝置上處理該影像資料。
所得的方法、製程、設備、裝置、產品及/或系統為直接的、成本有效的、不複雜的、高度通用的及有效率的，可驚人地及非顯而易見地由適用已知技術而實行，因此無困難且有效經濟地適於製造EUV基板檢查系統，該系統完全相容於傳統製造方法或製程及技術。
本發明的實施例之另一重要態樣為寶貴地支持及服務減低成本、簡化系統及增加效能之歷史趨勢。
本發明的實施例之這些及其他寶貴的態樣因此促進當前技術水平至至少下個水平。
在結合特定最佳模式描述本發明時，應理解：在看過前述描述下，許多替代、修改、變化對發明所屬技術領域具有通常知識者為明顯的。相應地，意圖涵蓋所有落於所附申請專利範圍之範疇內的此類替代、修改、變化。所有於此提出或展示於所附圖式中的事項將被解釋為說明性的及非限定的意思。
300‧‧‧EUV基板檢查系統
302‧‧‧EUV點來源
304‧‧‧EUV照射
306‧‧‧EUV光罩
308‧‧‧EUV影像感應器
310‧‧‧影像處理器
312‧‧‧光圈
314‧‧‧背側表面
316‧‧‧前側表面
318‧‧‧中央
320‧‧‧照射角度
322‧‧‧光圈角度
324‧‧‧光罩照射
326‧‧‧中央軸
328‧‧‧偏離軸射線
330‧‧‧可移動台

Claims (20)

  1. 一種製造一極紫外線(EUV)基板檢查系統的方法，包括以下步驟：提供一EUV來源；引導該EUV來源的EUV照射穿過一光圈至一基板上；偵測在一光偵測器上的光罩照射，該光罩照射帶有由該基板反射離開的減低之偏離軸的射線；由該光偵測器傳輸影像資料至一電腦裝置；及在該電腦裝置上處理該影像資料。
  2. 如請求項1所述之方法，其中提供該EUV來源的步驟包含以下步驟：提供多個EUV點來源。
  3. 如請求項1所述之方法，其中引導該EUV來源的該EUV照射穿過該光圈的步驟包含以下步驟：引導一EUV點來源的EUV照射以一偏斜角度穿過一EUV影像感應器的光圈至一晶圓上或一EUV光罩上。
  4. 如請求項1所述之方法，其中偵測該光罩照射至該光偵測器上的步驟包含以下步驟：偵測光罩照射至帶有複數個光圈或一時間延遲積分(TDI)感應器的一EUV影像感應器上。
  5. 如請求項1所述之方法，其中由該光偵測器傳輸該影像資料至該電腦裝置的步驟包含以下步驟：由一EUV影像感應 器傳輸明視野、暗視野或繞射圖案之影像感應器資料至一影像處理器，以定位該基板之缺陷。
  6. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟：調整一可移動台，一EUV光罩裝設於該可移動台上，其中藉由一EUV點來源及一EUV影像感應器完整地掃描該EUV光罩。
  7. 如請求項1所述之方法，其中處理該影像資料的步驟包含以下步驟：使用ptychography技術處理影像感應器資料。
  8. 一種EUV基板檢查系統，包括：一EUV來源，該EUV來源引導EUV照射穿過一光圈；一光偵測器，該光偵測器偵測帶有由一基板反射離開的減低之偏離軸的射線的光罩照射；及一電腦裝置，該電腦裝置處理由該光偵測器偵測到之影像資料。
  9. 如請求項8所述之系統，其中該EUV來源包含多個EUV點來源。
  10. 如請求項8所述之系統，其中該光圈包含該光偵測器之光圈。
  11. 如請求項8所述之系統，其中該光偵測器包含帶有多個光圈或一TDI感應器的一EUV影像感應器。
  12. 如請求項8所述之系統，其中該影像資料包含由一EUV影像感應器傳輸明視野、暗視野或繞射圖案至一影像處理器之影像感應器資料，以定位該基板之缺陷。
  13. 如請求項8所述之系統，進一步包括：一可移動台，一EUV光罩裝設於該可移動臺上，其中藉由一EUV點來源及一EUV影像感應器完整地掃描該EUV光罩。
  14. 如請求項8所述之系統，其中處理該影像資料之該光偵測器包含一EUV影像感應器，該EUV影像感應器使用ptychography技術處理影像感應器資料。
  15. 一種EUV點來源之裝置，包括；一EUV來源，該EUV來源引導EUV照射穿過一光圈；及具有該光圈的一光偵測器，該光偵測器偵測帶有減低之偏離軸的射線的光罩照射。
  16. 如請求項15所述之裝置，其中該EUV來源包含多個EUV來源。
  17. 如請求項15所述之裝置，其中該光圈包含複數個該等光圈。
  18. 如請求項15所述之裝置，其中該光偵測器包含帶有一TDI感應器的一EUV影像感應器。
  19. 如請求項15所述之裝置，其中該光圈以一偏斜角度穿過該光偵測器。
  20. 如請求項15所述之裝置，進一步包括：傳輸影像資料至一電腦裝置之該光偵測器。
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