TW201525428A - 溫度感測電路 - Google Patents

Abstract

一種溫度感測電路，用以產生與溫度呈高度線性關係的電流，此溫度感測電路包含第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體和共源極放大器，其中共源極放大器包含第七電晶體、第八電晶體和電阻元件。此溫度感測電路更包含電流鏡電路和電流控制振盪器，用以將電流轉換為與溫度呈高度線性關係的脈波訊號。

Description

溫度感測電路

本發明是有關於一種溫度感測電路，且特別是一種可有效提升溫度感測精準度的溫度感測電路。

溫度感測器現今已廣泛應用在各種電子產品上。在大部分溫度感測器的操作上，主要為先將溫度轉換成電壓或電流等訊號，接著再由溫度感測器內的電路處理此電壓或電流訊號，根據此電壓或電流訊號與溫度的關係來回推溫度。然而，電壓或電流訊號轉換為溫度的特性曲線有非線性的問題，導致電壓或電流訊號轉換為溫度的精準度降低。為了克服上述問題，可多設置額外的校正電路來降低非線性的影響，但同時也增加了消耗功率和電路佈局面積。

因此，本發明的目的是在提供一種溫度感測電路，可有效提升溫度感測的精準度，且其同時具有低功率消耗和電路面積小型化等優點。

根據本發明之上述目的，提出一種溫度感測電路，此溫度感測電路包含第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、第六電晶體和共源極放大器。第一電晶體具有閘極、汲極和電性連接於電壓源的源 極，其中第一電晶體的閘極電性連接於第一電晶體的汲極。第二電晶體具有汲極、電性連接於電壓源的源極和電性連接於第一電晶體的閘極的閘極。第三電晶體具有汲極、電性連接於第一電晶體的汲極的源極和電性連接於偏壓電壓源的閘極。第四電晶體具有汲極、電性連接於第二電晶體的汲極的源極和電性連接於偏壓電壓源的閘極。第五電晶體具有電性連接於第三電晶體的汲極的源極、電性連接於第四電晶體的汲極的閘極和電性連接於接地端的汲極。第六電晶體具有電性連接於第四電晶體的汲極的源極、電性連接於第五電晶體的閘極的閘極和電性連接於接地端的汲極。共源極放大器電性連接於電壓源和第四電晶體的汲極，其包含第七電晶體、第八電晶體和電阻元件。第七電晶體具有閘極、汲極和電性連接於電壓源的源極，其中第七電晶體的閘極電性連接於第七電晶體的汲極。第八電晶體具有汲極、電性連接於第七電晶體的汲極的源極和電性連接於第四電晶體的汲極的閘極。電阻元件具有電性連接於第八電晶體的汲極的第一端和電性連接於接地端的第二端。

依據本發明之一實施例，上述第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體和第七電晶體為P型金屬氧化半導體場效應電晶體(p-type metal oxide semiconductor field effect transistor；pMOSFET)，且上述第五電晶體、第六電晶體和第八電晶體為N型金屬氧化半導體場效應電晶體(n-type metal oxide semiconductor field effect transistor；nMOSFET)。

依據本發明之另一實施例，上述P型金屬氧化半導體場效應電晶體的臨界電壓的溫度係數(temperature coefficient)大於上述N型金屬氧化半導體場效應電晶體之的臨界電壓的溫度係數。

依據本發明之又一實施例，上述第一電晶體的寬長比(W/L)大於上述第三電晶體的寬長比，且上述第三電晶體的寬長比大於上述第六電晶體的寬長比。

依據本發明之再一實施例，上述溫度感測電路更包含電流鏡電路，電性連接於電壓源、接地端與第八電晶體的閘極。

依據本發明之再一實施例，上述電流鏡電路包含第九電晶體、第十電晶體、第十一電晶體、第十二電晶體和第十三電晶體。第九電晶體具有汲極、電性連接於電壓源的源極和電性連接於第八電晶體的閘極的閘極。第十電晶體具有閘極、汲極和電性連接於第九電晶體的汲極的源極，其中第十電晶體的源極電性連接於第十電晶體的閘極。第十一電晶體具有閘極、電性連接於第十電晶體的汲極的源極和電性連接於接地端的汲極，其中第十一電晶體的源極電性連接於第十電晶體的閘極。第十二電晶體具有源極、汲極和電性連接於第十電晶體的閘極的閘極。第十三電晶體具有電性連接於第十二電晶體的汲極的源極、電性連接於第十一電晶體的閘極的閘極和電性連接於接地端的汲極。

依據本發明之再一實施例，上述第九電晶體為P型金屬氧化半導體場效應電晶體，且上述第十電晶體、第十一電晶體、第十二電晶體和第十三電晶體為N型金屬氧化半導體場效應電晶體。

依據本發明之再一實施例，上述溫度感測電路更包含電流控制振盪器(current controlled oscillator；CCO)，電性連接於電流鏡電路、電壓源與接地端。

依據本發明之再一實施例，上述電流控制振盪器包含正反器、第一比較器、第二比較器、第一電容、第二電容、第一互補金屬氧化半導體(complementary metal oxide semiconductor；CMOS)和第二互補金屬氧化半導體。正反器具有第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端和第二輸出端。第一比較器具有負相輸入端、電性連接於參考電壓源的正相輸入端和電性連接於正反器的第一輸入端的輸出端。第二比較器具有負相輸入端、電性連接於參考電壓源的正相輸入端和電性連接於正反器的第二輸入端的輸出端。第一電容具有電性連接於第一比較器的負相輸入端的第一端和電性連接於接地端的第二端。第二電容具有電性連接於第二比較器的負相輸入端的第一端和電性連接於接地端的第二端。第一互補金屬氧化半導體電性連接於電壓源、第一電容的第一端、正反器的第一輸出端和電流鏡電路。第二互補金屬氧化半導體電性連接於電壓源、第二電容的第一端、正反器的第二輸出端和電流鏡電路。

100、500‧‧‧溫度感測電路

110‧‧‧共源極放大器

510‧‧‧電流鏡電路

520‧‧‧電流控制振盪器

521‧‧‧正反器

522、523‧‧‧比較器

524、525‧‧‧互補金屬氧化半導體

C1、C2‧‧‧電容

GND‧‧‧接地端

IR‧‧‧電流

IS‧‧‧鏡像電流

M1~M17‧‧‧電晶體

POUT‧‧‧脈波訊號

R‧‧‧電阻元件

VB‧‧‧偏壓電壓源

VDD‧‧‧電壓源

VP‧‧‧節點電壓

VREF‧‧‧參考電壓源

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖係繪示依據本發明實施例溫度感測電路之示意圖。

第2A圖係繪示依據本發明實施例溫度與第1圖中節點電壓的關係之示意圖。

第2B圖係繪示依據本發明實施例溫度與第1圖中節點電壓產生之溫度誤差的關係之示意圖。

第3A圖係繪示依據本發明實施例溫度與第1圖中電阻元件的關係之示意圖。

第3B圖係繪示依據本發明實施例溫度與第1圖中電阻元件產生之溫度誤差的關係之示意圖。

第4A圖係繪示依據本發明實施例溫度與第1圖中電流的關係之示意圖。

第4B圖係繪示依據本發明實施例溫度與第1圖中電流產生之溫度誤差的關係之示意圖。

第5圖係繪示依據本發明實施例溫度感測電路之示意圖。

第6A圖係繪示第5圖中偏壓電壓源為1伏特(V)時溫度與輸出頻率的關係之示意圖。

第6B圖係繪示依據本發明實施例溫度與第5圖中偏壓電壓源為1伏特時輸出頻率產生之溫度誤差的關係之示意圖。

第7A圖係繪示第5圖中偏壓電壓源為1.13伏特時溫 度與輸出頻率的關係之示意圖。

第7B圖係繪示依據本發明實施例溫度與第5圖中偏壓電壓源為1.13伏特時輸出頻率產生之溫度誤差的關係之示意圖。

第8A圖係繪示第5圖中偏壓電壓源為1.2伏特時溫度與輸出頻率的關係之示意圖。

第8B圖係繪示依據本發明實施例溫度與第5圖中偏壓電壓源為1.2伏特時輸出頻率產生之溫度誤差的關係之示意圖。

以下仔細討論本發明的實施例。然而，可以理解的是，實施例提供許多可應用的發明概念，其可實施於各式各樣的特定內容中。所討論之特定實施例僅供說明，並非用以限定本發明之範圍。

請參照第1圖，其係繪示本發明實施例溫度感測電路100之示意圖。在第1圖中，溫度感測電路100包含電晶體M1~M8和電阻元件R。電晶體M1具有閘極、汲極和電性連接於電壓源VDD的源極，且電晶體M1的閘極與電晶體M1的汲極電性連接。電晶體M2具有汲極、電性連接於電壓源VDD的源極和電性連接於電晶體M1的閘極的閘極。電晶體M3具有汲極、電性連接於電晶體M1的汲極的源極和電性連接於偏壓電壓源VB的閘極。電晶體M4具有汲極、電性連接於電晶體M2的汲極的源極和電性連接於偏壓電壓源VB的閘極。電晶體M5具有電性連接於電晶體 M3的汲極的源極、電性連接於電晶體M4的汲極的閘極和電性連接於接地端GND的汲極。電晶體M6具有電性連接於電晶體M4的汲極的源極、電性連接於電晶體M5的閘極的閘極和電性連接於接地端GND的汲極。

在本發明實施例中，電晶體M1~M4為P型金屬氧化半導體場效應電晶體(p-type metal oxide semiconductor field effect transistor；pMOSFET)，且電晶體M5和M6為N型金屬氧化半導體場效應電晶體(n-type metal oxide semiconductor field effect transistor；nMOSFET)。

在本發明實施例中，電晶體M1、M3和M6的寬長比(W/L)關係為M1>M3>M6，使節點電壓VP對溫度的一次項係數為正。在電晶體通道寬度(W)和通道長度(L)的設計上，電晶體M1的通道寬度和通道長度分別為4.4微米(μm)和2微米，電晶體M3的通道寬度和通道長度分別為2.4微米和2微米，且電晶體M6的通道寬度和通道長度分別為2.2微米和10微米。此外，在本發明實施例中，N型金屬氧化半導體場效應電晶體的載子遷移率(carrier mobility)大約為P型金屬氧化半導體場效應電晶體的載子遷移率的2倍。另一方面，節點電壓VP具有與絕對溫度成正比(proportional to absolute temperature；PTAT)的特性。應注意的是，上述通道寬度和通道長度的設計值及載子遷移率的關係係本發明之一示範實施例，其並非用以限制本發明的範圍。

請參照第2A圖，第2A圖係繪示依據本發明實施 例溫度與第1圖中節點電壓VP的關係之示意圖。在第2A圖中，節點電壓VP與溫度間的線性度(linearity)約為99.92%，且節點電壓VP對溫度的靈敏度(sensitivity)約為2.233毫伏特(mV)/℃。此外，請同時參照第2B圖，第2B圖係繪示依據本發明實施例溫度與第1圖中節點電壓VP產生之溫度誤差的關係之示意圖。第2B圖所繪示的關係將節點電壓VP與第2A圖之線性迴歸線上的對應值相減後，再除以此線性迴歸線的斜率而得。由第2B圖可知，在溫度為0℃~125℃的範圍內，節點電壓VP所產生的溫度誤差可到1℃以上，其不利於溫度感測。

請再回到第1圖。電晶體M7具有閘極、汲極和電性連接於電壓源VDD的源極，且電晶體M7的閘極與電晶體M7的汲極電性連接。電晶體M8具有汲極、電性連接於電晶體M8的汲極的源極和電性連接於電晶體M4的汲極的閘極。電阻元件R具有電性連接於電晶體M8的汲極的第一端和電性連接於接地端GND的第二端。電晶體M7和M8和電阻元件R的組合為共源極放大器110，其係用以提供電壓增益，進而放大流經電阻元件R的電流IR。

在共源極放大器110中，電晶體M7為P型金屬氧化半導體場效應電晶體，且電晶體M8為N型金屬氧化半導體場效應電晶體。此外，電阻元件R的溫度誤差特性與節點電壓VP的溫度誤差特性相似。本發明的電阻元件R係以多晶矽電阻(polysilicon resistor)為例。在其他實施例中，電阻元件R可以是擴散電阻(diffused resistor)或 其他類似元件。

請參照第3A圖，第3A圖係繪示依據本發明實施例溫度與第1圖中電阻元件R的關係之示意圖。在第3A圖中，電阻值與溫度間的線性度約為99.62%，且電阻元件R對溫度的靈敏度約為24.24歐姆(Ω)/℃。此外，請同時參照第3B圖，第3B圖係繪示依據本發明實施例溫度與第1圖中電阻元件R產生之溫度誤差的關係之示意圖。由第3B圖可知，在溫度為0℃~125℃的範圍內，電阻元件R所產生的溫度誤差可到1℃以上，其亦不利於溫度感測。

然而，比較第2B和3B圖可知，第2B圖所繪示的曲線與第3B圖所繪示的曲線相似。換言之，節點電壓VP的溫度誤差特性相似於電阻元件R的溫度誤差特性。請再回到第1圖。在第1圖中，於電晶體M8的轉導值(transconductance)與電阻元件R的電阻值之乘積遠大於1的情況下，電流IR與節點電壓VP和電阻元件R的關係可表示為：IR=(VP-V_GS8)/R， (1)

其中，V_GS8代表電晶體M8的閘極與源極之間的電位差。因節點電壓VP與電阻元件R的溫度誤差特性相似，藉由式(1)中節點電壓VP與電阻元件R的關係，節點電壓VP與電阻元件R的溫度誤差特性可大致抵銷，使電流IR的溫度誤差控制在一定的範圍內。雖電晶體M8的閘極與源極之間的電位差V_GS8可能隨著偏壓電流或溫度而改變，但利用節點電壓VP和電阻元件R對溫度的相似非線 性曲率關係，透過式(1)的線性化處理，仍可得到高線性度的電流IR與溫度之關係。

請參照第4A圖，第4A圖係繪示依據本發明實施例溫度與第1圖中電流IR的關係之示意圖。在第4A圖中，電流IR與溫度間的線性度約為99.9998%，且電流IR對溫度的靈敏度約為28奈安培(nA)/℃。此外，請同時參照第4B圖，第4B圖係繪示依據本發明實施例溫度與第1圖中電流IR產生之溫度誤差的關係之示意圖。由第4B圖可知，在溫度為0℃~125℃的範圍內，電阻元件R所產生的溫度誤差在-0.2℃~0.1℃之間。

由上述可知，依據本發明的溫度感測電路100，可使所產生的電流IR和溫度之間的線性度在99.9998%之上，且溫度誤差可控制在一定的範圍內，如此一來，便可藉由量測電流IR來推算對應的溫度。因此，本發明的溫度感測電路100可有效提升溫度感測的精準度。此外，本發明的溫度感測電路100係由電晶體M1~M8和電阻元件R等元件組成，故其同時具有低功率消耗和電路面積小型化等優點。

然而，溫度感測電路100可能會受到量測儀器、外在環境和負載元件寄生量過大，導致量測到電流IR的精準度下降。另一方面，電流IR對溫度的靈敏度為奈安培等級，故在量測電流IR的變化上較為困難。針對上述問題，本發明另提出一種溫度感測電路，其係先將電流轉換為脈波訊號，再藉由脈波訊號的輸出頻率來推算對應的溫度，以避 免外在因素的影響而導致量測精準度下降，且便利於實際量測。

請參照第5圖，第5圖係繪示依據本發明實施例溫度感測電路500之示意圖。溫度感測電路500除了包含溫度感測電路100的電晶體M1~M8和電阻元件R外，更包含電流鏡電路510和電流控制振盪器(current controlled oscillator；CCO)520。電流鏡電路510電性連接於電壓源VDD、接地端GND與電晶體M8的閘極，其係用以產生對應電流IR的鏡像電流IS。電流控制振盪器520電性連接於電流鏡電路510、電壓源VDD與接地端GND，其係用以將鏡像電流IS轉換為脈波訊號POUT。

電流鏡電路510包含電晶體M9~M13。電晶體M9具有汲極、電性連接於電壓源VDD的源極和電性連接於電晶體M8的閘極的閘極。電晶體M10具有閘極、汲極和電性連接於電晶體M9的汲極的源極，且電晶體M10的源極與電晶體M10的閘極電性連接。電晶體M11具有閘極、電性連接於電晶體M10的汲極的源極和電性連接接地端GND的汲極，且電晶體M11的源極與電晶體M10的閘極電性連接。電晶體M12具有源極、汲極和電性連接於電晶體M10的閘極的閘極。電晶體M13具有電性連接於電晶體M12的汲極的源極、電性連接於電晶體M11的閘極的閘極和電性連接於接地端GND的汲極。在電流鏡電路510中，電晶體M9為P型金屬氧化半導體場效應電晶體，且電晶體M10~M13為N型金屬氧化半導體場效應電晶體。

電流控制振盪器包含正反器(flip-flop)521、比較器522和523、電容C1和C2和互補金屬氧化半導體(complementary metal oxide semiconductor；CMOS)524和525。正反器521為SR正反器(SR flip-flop)，其具有第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端和第二輸出端，其中第一輸出端用以輸出脈波訊號POUT。比較器522具有負相輸入端、電性連接於參考電壓源VREF的正相輸入端和電性連接於正反器521的第一輸入端的輸出端。比較器具有負相輸入端、電性連接於參考電壓源VREF的正相輸入端和電性連接於正反器521的第二輸入端的輸出端。電容C1具有電性連接於比較器522的負相輸入端的第一端和電性連接於接地端GND的第二端。電容C2具有電性連接於比較器523的負相輸入端的第一端和電性連接於接地端GND的第二端。互補金屬氧化半導體524電性連接於電壓源VDD、電容C1的第一端、正反器521的第一輸出端和電流鏡電路510中電晶體M12的源極。互補金屬氧化半導體525電性連接於電壓源VDD、電容C2的第一端、正反器521的第二輸出端和電流鏡電路510中電晶體M12的源極。互補金屬氧化半導體524包含電晶體M14和M15，且互補金屬氧化半導體525包含電晶體M16和M17。其中，電晶體M14和M16為P型金屬氧化半導體場效應電晶體，且電晶體M15和M17為N型金屬氧化半導體場效應電晶體。

藉由切換互補金屬氧化半導體524和525的狀態， 使電容C1和C2在充電狀態與放電狀態之間往復改變，再經由輸入至比較器522和523負相輸入端的電壓準位與參考電壓源VREF比較，使輸出的脈波訊號POUT在高準位和低準位之間來回切換，如此便可決定脈波訊號POUT的輸出頻率。另一方面，在電晶體M14與M16導通時分別對電容C1與C2充電的充電速率均遠大於電晶體M15與M17導通時分別對電容C1與C2放電的放電速率之條件下，脈波訊號POUT的半週期時間寬度大致等於電容C1或C2的放電時間。若電容C1和C2的電容量相同，則輸出脈波的責任週期(duty cycle)為50%。

在第5圖中，脈波訊號POUT的輸出頻率f_POUT與鏡像電流IS的關係如下：f_POUT=IS/[2C(VDD-VREF)]， (2)

其中，C代表電容C1和C2的電容量。由式(2)可知，脈波訊號POUT的輸出頻率f_POUT與鏡像電流IS為線性關係。如前所述，電流IR和溫度之間具有高度線性關係。因此，搭配電流鏡電路510和電流控制振盪器520後，脈波訊號POUT的輸出頻率f_POUT與溫度之間亦具有高度線性關係。

請參照第6A圖，第6A圖係繪示第5圖中偏壓電壓源VB為1伏特時輸出頻率f_POUT與溫度間的關係之示意圖。在第6A圖中，溫度與輸出頻率f_POUT的線性度約為99.9941%，且輸出頻率f_POUT對溫度的靈敏度約為2.3千赫茲(KHz)/℃。此外，請同時參照第6B圖，第6B圖係繪 示依據本發明實施例溫度與第5圖中偏壓電壓源VB為1伏特時輸出頻率f_POUT產生之溫度誤差的關係之示意圖。由第6B圖可知，在溫度為0℃~125℃的範圍內，輸出頻率f_POUT所產生的溫度誤差在-0.5℃~0.5℃之間。

請參照第7A圖，第7A圖係繪示第5圖中偏壓電壓源VB為1.13伏特時輸出頻率f_POUT與溫度間的關係之示意圖。在第7A圖中，溫度與輸出頻率f_POUT的線性度約為99.9934%，且輸出頻率f_POUT對溫度的靈敏度約為2.28千赫茲/℃。此外，請同時參照第7B圖，第7B圖係繪示依據本發明實施例溫度與第5圖中偏壓電壓源VB為1.13伏特時輸出頻率f_POUT產生之溫度誤差的關係之示意圖。由第7B圖可知，在溫度為0℃~125℃的範圍內，輸出頻率f_POUT所產生的溫度誤差在-0.5℃~0.4℃之間。

請參照第8A圖，第8A圖係繪示第5圖中偏壓電壓源VB為1.2伏特時輸出頻率f_POUT與溫度間的關係之示意圖。在第8A圖中，溫度與輸出頻率f_POUT的線性度約為99.9993%，且輸出頻率f_POUT對溫度的靈敏度約為2.24千赫茲/℃。此外，請同時參照第8B圖，第8B圖係繪示依據本發明實施例溫度與第5圖中偏壓電壓源VB為1.2伏特時輸出頻率f_POUT產生之溫度誤差的關係之示意圖。由第8B圖可知，在溫度為0℃~125℃的範圍內，輸出頻率f_POUT所產生的溫度誤差在-0.15℃~0.2℃之間。

由上述可知，依據本發明的溫度感測電路500，可使輸出頻率f_POUT與溫度之間具有高度線性關係，且溫度誤 差可控制在一定的範圍內，如此一來，便可藉由量測輸出頻率f_POUT來推算對應的溫度。此外，相較於直接量測對溫度的靈敏度為奈安培等級的電流IR，量測脈波訊號POUT的輸出頻率f_POUT較為容易，且不易受到量測儀器、外在環境和負載元件寄生量過大的影響，而導致其精準度下降。因此，本發明的溫度感測電路500除了可有效提升溫度感測的精準度外，亦可便利於實際量測。

另一方面，本發明的溫度感測電路500，可藉由調整偏壓電壓源VB的準位以達成輸出頻率f_POUT校正的功效。舉例而言，將偏壓電壓源VB的準位調高，可降低脈波訊號POUT的輸出頻率f_POUT，但同時也降低輸出頻率f_POUT對溫度的靈敏度。

綜上所述，本發明的溫度感測電路可有效提升溫度感測的精準度。此外，本發明的溫度感測電路係由低耗能的小型電子元件組成，故其同時具有低功率消耗和電路面積小型化等優點。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧溫度感測電路

110‧‧‧共源極放大器

GND‧‧‧接地端

IR‧‧‧電流

M1~M8‧‧‧電晶體

R‧‧‧電阻元件

VB‧‧‧偏壓電壓源

VDD‧‧‧電壓源

VP‧‧‧節點電壓

Claims (9)

1. 一種溫度感測電路，包含：一第一電晶體，具有一閘極、一汲極及電性連接一電壓源之一源極，其中該第一電晶體之閘極電性連接該第一電晶體之汲極；一第二電晶體，具有一汲極、電性連接該電壓源之一源極及電性連接該第一電晶體之閘極之一閘極；一第三電晶體，具有一汲極、電性連接該第一電晶體之汲極之一源極及電性連接一偏壓電壓源之一閘極；一第四電晶體，具有一汲極、電性連接該第二電晶體之汲極之一源極及電性連接該偏壓電壓源之一閘極；一第五電晶體，具有電性連接該第三電晶體之汲極之一源極、電性連接該第四電晶體之汲極之一閘極及電性連接一接地端之一汲極；一第六電晶體，具有電性連接該第四電晶體之汲極之一源極、電性連接該第五電晶體之閘極之一閘極及電性連接該接地端之一汲極；以及一共源極放大器，電性連接於該電壓源及該第四電晶體之汲極，該共源極放大器包含：一第七電晶體，具有一閘極、一汲極及電性連接該電壓源之一源極，其中該第七電晶體之閘極電性連接該第七電晶體之汲極；一第八電晶體，具有一汲極、電性連接該第七電晶體之汲極之一源極及電性連接該第四電晶體之汲極之一閘極；以及一電阻元件，具有電性連接於該第八電晶體之汲極 之一第一端及電性連接該接地端之一第二端。
2. 如請求項1所述之溫度感測電路，其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體、該第四電晶體及該第七電晶體為P型金屬氧化半導體場效應電晶體(p-type metal oxide semiconductor field effect transistor；pMOSFET)，且該第五電晶體、該第六電晶體及該第八電晶體為N型金屬氧化半導體場效應電晶體(n-type metal oxide semiconductor field effect transistor；nMOSFET)。
3. 如請求項2所述之溫度感測電路，其中該些P型金屬氧化半導體場效應電晶體之一臨界電壓之一溫度係數(temperature coefficient)大於該些N型金屬氧化半導體場效應電晶體之一臨界電壓之一溫度係數。
4. 如請求項1所述之溫度感測電路，其中該第一電晶體之一寬長比(W/L)大於該第三電晶體之一寬長比，且該第三電晶體之該寬長比大於該第六電晶體之一寬長比。
5. 如請求項1所述之溫度感測電路，更包含一電流鏡電路，電性連接於該第八電晶體之閘極、該電壓源與一接地端。
6. 如請求項5所述之溫度感測電路，其中該電流鏡電路包含：一第九電晶體，具有一汲極、電性連接於該電壓源之一 源極及電性連接於該第八電晶體之閘極之一閘極；一第十電晶體，具有一閘極、一汲極及電性連接於該第九電晶體之汲極之一源極，其中該第十電晶體之源極電性連接於該第十電晶體之閘極；一第十一電晶體，具有一閘極、電性連接於該第十電晶體之汲極之一源極及電性連接於該接地端之一汲極，其中該第十一電晶體之源極電性連接於該第十電晶體之閘極；一第十二電晶體，具有一源極、一汲極及電性連接於該第十電晶體之閘極之一閘極；以及一第十三電晶體，具有電性連接於該第十二電晶體之一汲極一源極、電性連接於該第十一電晶體之閘極之一閘極及電性連接於該接地端之一汲極。
7. 如請求項6所述之溫度感測電路，其中該第九電晶體為P型金屬氧化半導體場效應電晶體，且該第十電晶體、該第十一電晶體、該第十二電晶體及該第十三電晶體為N型金屬氧化半導體場效應電晶體。
8. 如請求項5所述之溫度感測電路，更包含一電流控制振盪器(current controlled oscillator；CCO)，電性連接於該電流鏡電路、該電壓源與該接地端。
9. 如請求項8所述之溫度感測電路，其中該電流控制振盪器包含：一正反器，具有一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端及一第二輸出端； 一第一比較器，具有一負相輸入端、電性連接於一參考電壓源之一正相輸入端及電性連接於該正反器之第一輸入端之一輸出端；一第二比較器，具有一負相輸入端、電性連接於該參考電壓源之一正相輸入端及電性連接於該正反器之第二輸入端之一輸出端；一第一電容，具有電性連接於該第一比較器之負相輸入端之一第一端及電性連接於該接地端之一第二端；一第二電容，具有電性連接於該第二比較器之負相輸入端之一第一端及電性連接於該接地端之一第二端；一第一互補金屬氧化半導體(complementary metal oxide semiconductor；CMOS)，電性連接於該電壓源、該第一電容之第一端、該正反器之第一輸出端及該電流鏡電路；以及一第二互補金屬氧化半導體，電性連接於該電壓源、該第二電容之第一端、該正反器之第二輸出端及該電流鏡電路。