TW201515290A - 發光二極體之封裝元件的製造方法及封裝結構 - Google Patents

發光二極體之封裝元件的製造方法及封裝結構 Download PDF

Info

Publication number
TW201515290A
TW201515290A TW102136507A TW102136507A TW201515290A TW 201515290 A TW201515290 A TW 201515290A TW 102136507 A TW102136507 A TW 102136507A TW 102136507 A TW102136507 A TW 102136507A TW 201515290 A TW201515290 A TW 201515290A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting diode
package
package component
male mold
Prior art date
Application number
TW102136507A
Other languages
English (en)
Inventor
Cheng-Yen Chen
Chun-Chieh Chin
Yun-Li Li
Original Assignee
Genesis Photonics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Genesis Photonics Inc filed Critical Genesis Photonics Inc
Priority to TW102136507A priority Critical patent/TW201515290A/zh
Priority to CN201410488510.8A priority patent/CN104576877A/zh
Priority to US14/510,758 priority patent/US9123872B2/en
Publication of TW201515290A publication Critical patent/TW201515290A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/90—Methods of manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations

Abstract

本發明係揭露一種發光二極體之封裝元件的製造方法，至少包括：將設置於基板上之至少一發光二極體置入光固化樹脂中，其中基板與光固化樹脂完全包覆發光二極體；提供電力予發光二極體以令發光二極體發出複數道光線，使得部分之光固化樹脂受到光線的照射而固化，以形成公模；進行分離程序，以將公模與光固化樹脂之另一部分、發光二極體及基板分離；進行翻模程序以利用公模製造母模，其中母模具有與公模之形狀相同的至少一容納空間；以及進行成型程序以利用容納空間形成與公模之形狀相同的封裝元件。

Description

發光二極體之封裝元件的製造方法及封裝結構
本發明是有關於一種製造方法及封裝結構，特別是有關於一種發光二極體之封裝元件的製造方法及封裝結構。
在面臨全球能源短缺、高油價、及高電費的時代來臨，並為響應政府節約能源及節能減碳之政策下，省電之照明技術已成為開發主流，大量的技術開發者已著手開發可替換習知發光源，且具低消耗能量之替代產品。其中，發光二極體(Light emitting diode，LED)之照明技術，已成為目前替代發光源中最具潛力的發展商品。
LED具有體積小、壽命長、耗電量小等優勢，因此普遍的應用於3C產品指示器與顯示裝置。有鑑於此，為提高市場上的競爭力，LED相關產業無不汲汲追求如何提高生產良率並降低生產成本，以提高自身優勢。
在進行LED封裝製程時，通常利用噴塗或點膠的方式直接將封裝材料置於各個LED上，再利用固化程序來使封裝材料固化成封裝層，以完成習知的LED封裝結構。然而，每一次的噴塗 或點膠步驟中，由於未固化前的封裝材料通常為液狀或凝膠狀，因此LED上的封裝材料的量及固化後的外型厚度通常不一致，容易導致所製得之LED封裝結構品質不一，影響其亮度或色度。並且，由於LED具有指向性光型，因此正向光與側向光的強度不同，對於內部摻雜有螢光物質的封裝材料封裝於LED上時，無法針對各別出光向強度做封裝材料的變化(例如厚度)，將使LED有出光光色不均和光色分布差異大的問題。對於現今需大量製備LED封裝結構的產業而言，實為一大困擾。
有鑑於上述習知技藝之問題，本發明之目的就是在提供一種發光二極體之封裝元件的製造方法及封裝結構，以解決習知LED封裝製程無法達成LED封裝結構品質一致之缺失，並改善LED出光光色均勻性。
為達前述目的，本發明提出一種發光二極體之封裝元件的製造方法，至少包括：將設置於基板上之至少一發光二極體置入光固化樹脂中，其中基板與光固化樹脂完全包覆發光二極體；提供電力予發光二極體以令發光二極體發出複數道光線，使得部分之光固化樹脂受到光線的照射而固化，以形成公模；進行分離程序，以將公模與光固化樹脂之另一部分、發光二極體及基板分離；進行翻模程序以利用公模製造母模，其中母模具有與公模之形狀相同的至少一容納空間；以及進行成型程序以利用容納空間形成與公模之形狀相同的封裝元件。其中成型程序包括射出成型程序，亦或填充膠體於母模之容納空間，利用熱固化或熱壓成型程序以令膠體形成與公模形狀相同的封裝元件。其中封裝元件內進一步包含波長轉換物質或光散射物質。其中，膠體為矽膠或環 氧樹脂。
依據本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之另一較佳實施例，在分離程序及翻模程序之間，更包含對公模進行一清洗步驟，以除去公模上殘留之光固化樹脂。其中，清洗步驟係對公模使用有機溶劑清洗。
此外，本發明更提出一種封裝結構，包括：基板；至少一發光二極體，設置於基板上；以及覆蓋發光二極體之封裝元件，其中封裝元件係依據上述任一項所述之發光二極體之封裝元件的製造方法所製得。其中，發光二極體發出之複數道光線於封裝元件之表面上的每一點的發光強度皆相同。
依據本發明之封裝結構之另一較佳實施例，本發明之封裝結構更包含一黏著層位於發光二極體及封裝元件之間。
承上所述，依本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法及封裝結構，其可具有一或多個下述優點：
(1)本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法，藉由發光二極體自身發光所製得之公模製備母模，可有效率地製得品質一致之封裝元件，達到大量生產品質佳之封裝元件之目的。並且，可根據各種不同LED自身發光光型所製得之公模製備母模，將能針對各個光向的光線強度製備出所需的封裝元件，使出光光色可以更均勻。
(2)本發明之封裝結構，藉由本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法所製得，可解決習知LED封裝製程無法達成LED封裝結構品質一致之缺失，並改善LED出光光色均勻性，提高LED封裝結構之規格。
S10、S20、S30、S40、S50、S60‧‧‧步驟
10、52‧‧‧容置槽
20、24‧‧‧光固化樹脂
22‧‧‧公模
221‧‧‧頂部
222‧‧‧側部
30、32‧‧‧基板
40、42‧‧‧發光二極體
401‧‧‧上表面
402‧‧‧側表面
403‧‧‧下表面
50‧‧‧供電單元
L、L1、L2‧‧‧光線
60‧‧‧母模材料
62‧‧‧母模
S‧‧‧容納空間
70‧‧‧封裝元件
72‧‧‧添加材料
80‧‧‧黏著層
A‧‧‧區域
第1圖 係為本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之第一較佳實施例之流程圖。
第2圖 係為本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之第二較佳實施例之流程圖。
第3圖至第8圖 係為本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之操作實施示意圖。
第9圖 係為本發明之封裝結構之第一較佳實施例之示意圖。
第10圖 係為本發明之封裝結構之第二較佳實施例之示意圖。
第11圖 係為本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之第三較佳實施例之示意圖。
請參閱第1圖，其係為本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之第一較佳實施例之流程圖。如第1圖所示，在本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之第一較佳實施例中，發光二極體之封裝元件的製造方法至少包括步驟S10、S20、S30、S40及S50。在步驟S10中，將設置於基板上之至少一發光二極體置入光固化樹脂中，且基板與光固化樹脂完全包覆發光二極體；在步驟S20中，提供電力予發光二極體以令發光二極體發出複數道光線，使得部分之光固化樹脂受到光線的照射而固化，以形成公模；在步驟S30中，進行分離程序，以將公模與光固化樹 脂之另一部分、發光二極體及基板分離；在步驟S40中，進行翻模程序以利用公模製造母模，使得母模具有與公模之形狀相同的至少一容納空間；以及在步驟S50中，進行成型程序以利用容納空間形成與公模之形狀相同的封裝元件。其中成型程序可例如包括一射出成型程序以形成一與公模之形狀相同的封裝元件；或可例如填充一膠體於母模的容納空間中，進行一熱固化或一熱壓成型程序以令膠體形成一與公模之形狀相同的封裝元件，但不限定於此。任何能利用容納空間形成與公模之形狀相同的封裝元件的成型程序皆為本發明所請求保護之範疇。
請接續參閱第2圖，其係為本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之第二較佳實施例之流程圖。如第2圖所示，在本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之第二較佳實施例中，發光二極體之封裝元件的製造方法至少包括步驟S10、S20、S30、S40、S50及S60。本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之第二較佳實施例及第一較佳實施例之差異處僅在於，在第二較佳實施例中，在分離程序及翻模程序之間更包含對公模進行清洗步驟S60，以除去公模上殘留之光固化樹脂。在清洗步驟S60中，可例如對公模使用有機溶劑清洗。其中，有機溶劑可例如為丙酮，但不限定於此。任何能溶解或除去公模上殘留之光固化樹脂的溶劑或溶液皆為本發明所請求保護之範疇。
關於上述本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之第一較佳實施例及第二較佳實施例中所述之步驟S10、S20、S30、S40及S50，請參閱第3圖至第8圖一併詳細說明。
第3圖至第8圖係為本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之操作實施示意圖。首先，如第3圖所示，提供一容置 槽10，並於此容置槽10中置入光固化樹脂20。接著，將設置於基板30上之至少一發光二極體40置入光固化樹脂20中(步驟S10)，使得光固化樹脂20與基板30完全包覆發光二極體40。此外，更提供一供電單元50電性連接發光二極體40。供電單元50可例如電性連接基板30，且基板30電性連接發光二極體40，但不限定於此。其中，光固化樹脂20可例如為紫外光固化樹脂或可見光固化樹脂，但不限定於此，使用者可針對發光二極體所發光的光線波長而做光固化樹脂的選擇。任何可藉由發光二極體所發出的光線而固化之樹脂材料皆為本發明所請求保護之範疇。
請接續參閱第4圖，提供電力予發光二極體40以令發光二極體40發出複數道光線L(步驟S20)，使得部分之光固化樹脂20受到光線L的照射而固化。其中，部分之光固化樹脂20受光線L的照射而固化的時間可例如介於1秒至70秒之間。意即，在發光二極體40發出光線L約1秒至70秒後，部分之光固化樹脂20可完全從凝膠態(或者是液態)固化成固態而形成公模22。此外，如第4圖所示，發光二極體40具有遠離基板30的上表面401、複數個連接上表面401的側表面402以及連接側表面402與基板30之下表面403，並且，由於發光二極體40發光具有指向性，因此發光二極體40發出之光線L中，從發光二極體之上表面401所發出的光線L1的強度大於從發光二極體之側表面402所發出的光線L2的強度。
在部分之光固化樹脂20從凝膠態(或者是液態)固化成固態而形成公模22之後，即進行步驟S30以進行分離程序，使得公模22與光固化樹脂20之另一部分24、發光二極體40及基板30分離。如第5圖所示，步驟S30後所得之公模22具有頂部221 及側部222。於本實施例中，由於發光二極體40發出之光線L中，從發光二極體之上表面401所發出的光線L1的強度大於從發光二極體之側表面402所發出的光線L2的強度(見第4圖)，因此，公模22之頂部221的厚度大於公模22之側部222的厚度且因發光二極體40的各個光向強度皆不同，形成的公模22表面也約略有不平滑的狀況。由於各種發光二極體的出光光型不會一致，因此公模22的形狀將會因受到光線照射的強度而不同，於此不限定。在進行步驟S30之後，更可進行一清洗步驟S60(參閱第2圖)，以除去公模22上因未固化而殘留之光固化樹脂。其中，在清洗步驟S60中，可例如對公模22使用例如為丙酮之有機溶劑以進行清洗。
接著，如第6圖至第7圖所示，進行翻模程序(步驟S40)以利用公模22製造母模。進行翻模程序的方式為，提供一容置槽52，並於此容置槽52中置入母模材料60。接著，將公模22置入母模材料60中，待母模材料60固定成型而形成母模62後，即分離母模62及公模22。翻模程序也可以利用如射出成型方式形成母模62，但不限定於此。請接續參閱第7圖，如第7圖所示，母模62具有與公模22之形狀相同的一容納空間S。當然也可以視情況於同一母模62上形成與公模22之形狀相同的多個容納空間S，可以節省後續步驟的製備成本和時間。隨後，進行成型程序(步驟S50)，以利用容納空間S而形成與公模22之形狀相同的封裝元件70。其中，成型程序可例如為一射出成型程序，或者利用填充一膠體於母模62之容納空間S中，進行一熱固化程序或熱壓成型程序，使得膠體固化成型而形成與公模22之形狀相同的封裝元件70，但不限定於此。其中，膠體可例如為矽膠或環氧 樹脂，但不限定於此。其中，進行成型程序的時間係可例如介於0.5小時至5小時之間。藉由本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法所製得之封裝元件70如第8圖所示，且封裝元件70內更可視實際需求進一步包含添加材料72，例如波長轉換物質或光散射物質，以改變光線通過封裝元件70後的物理特性(例如波長或散射性質)。其中，波長轉換物質或光散射物質可於成型程序中混合添加，例如是混合添加於膠體中再固化形成封裝元件70，於此不限定。
由於本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法係藉由發光二極體40自身發光而製得公模22，再藉由公模22製備母模62，並使用這個母模62以製得複數個品質一致之封裝元件70。因此，所製得之複數個封裝元件70的尺寸(例如厚度及大小)及物理性質皆相同，故可解決習知製程中LED封裝元件的品質不一致之問題。且由於各種LED所發出的光型不一，使用習知封裝方式將可能造成各個光向的光線經過封裝元件後會有出光光色不均和出光光色分布差異大的問題，利用本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法，由於是根據LED本身所發出的光型所製得之公模製備母模，將能針對各個光向的光線強度製備出所需的封裝元件，光強的光向厚度較厚，光弱的光向厚度較薄，將可使出光光色可以更均勻。
請接續參閱第9圖，其係為本發明之封裝結構之第一較佳實施例之示意圖。如第9圖所示，在本發明之封裝結構之第一較佳實施例中，封裝結構包括基板32、設置於基板32上之至少一發光二極體42以及覆蓋發光二極體42之封裝元件70。其中，封裝元件70係依據前述本發明之發光二極體之封裝元件的製造 方法之第一或第二較佳實施例所製得。其中，發光二極體42發出之複數道光線於封裝元件70之表面上的每一點的發光強度皆相同，也就是說，發光二極體42的出光在經過封裝元件70後，位於每一光向的每一點光線皆是均勻的。此外，若封裝元件70中添加有波長轉換物質，封裝元件70則為具波長轉換功能之波長轉換元件。舉例而言，封裝元件70內摻雜有黃色螢光粉，而發光二極體42為一發出藍色光的發光二極體，在光線經過封裝元件70而激發黃色螢光粉時，封裝結構將可發出白光。由於本發明之封裝元件70是針對各個光向的光線強度所製備出，因此將使白光光色的均勻度最佳化，更適合應用於例如燈泡等照明燈具。
此外，如第10圖所示，在本發明之封裝結構之第二較佳實施例中，本發明之封裝結構更包含黏著層80位於發光二極體42及封裝元件70之間，以藉由黏著層80之黏性而將封裝元件70固定於發光二極體42上。其中，黏著層80之材質可例如為矽膠或環氧樹脂，但不限定於此。任何可提供黏性之黏著層80的材質皆為本發明所請求保護之範疇。
請接續參閱第11圖，其係為本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法之第三較佳實施例之示意圖。除了前述第4圖所繪示，使用者更可視實際需求將兩個以上之發光二極體40設置於基板30上(於此實施例中發光二極體40的數量為兩個，但不限定於此)，並將這些發光二極體40連同基板30一併置於光固化樹脂20中。在供電單元50提供發光二極體40電力而使得發光二極體40發出光線L之後，部分之光固化樹脂20會受到光線L的照射而固化，而獲得公模22。如第11圖所示，由於相鄰的兩個 發光二極體40所發出的光線可能會同時照射到光固化樹脂20中的區域A，使得區域A所照射到的光線L具有加成性，而固化成如第11圖所示之形狀的公模22。透過兩個以上之發光二極體40排列所發出的光型所製得之公模22製備母模，再利用母模製備適用的封裝元件，除了可以不用各別針對發光二極體40進行封裝製程，以減少製程時間和成本外，亦將可使封裝於同一基板30上的複數發光二極體40各個光向的出光光色更均勻且均一。除此之外，使用者更可視實際需求調整兩相鄰發光二極體40之間的距離，以製得具有區域A(見第11圖)之連續性公模22或不具有區域A(未繪示)之不連續公模22。
綜上所述，本發明之發光二極體之封裝元件的製造方法及封裝結構，可藉由發光二極體自身發光所製得之公模製備母模，以製得品質一致之封裝元件，解決習知LED封裝製程品質不一致之問題，並提高LED封裝結構之規格，以在高效率及低成本之製程條件下大量生產品質佳之封裝元件。且可根據各種不同LED所發出的光型所製得之公模製備母模，將能針對各個光向的光線強度製備出所需的封裝元件，使可以出光更均勻。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
S10、S20、S30、S40、S50‧‧‧步驟

Claims (11)

  1. 一種發光二極體之封裝元件的製造方法，至少包括：將設置於一基板上之至少一發光二極體置入一光固化樹脂中，其中該基板與該光固化樹脂完全包覆該發光二極體；提供一電力予該發光二極體以令該發光二極體發出複數道光線，使得部分之該光固化樹脂受到該些光線的照射而固化，以形成一公模；進行一分離程序，以將該公模與該光固化樹脂之另一部分、該發光二極體及該基板分離；進行一翻模程序以利用該公模製造一母模，其中該母模具有與該公模之形狀相同的至少一容納空間；以及進行一成型程序以利用該容納空間形成一與該公模之形狀相同的封裝元件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體之封裝元件的製造方法，其中該成型程序包括一射出成型程序。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體之封裝元件的製造方法，其中該成型程序包括：填充一膠體於該母模之該容納空間中；以及進行一熱固化程序或一熱壓成型程序以令該膠體形成一與該公模之形狀相同的封裝元件。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體之封裝元件的製造方法，其中該封裝元件內包含一波長轉換物質。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體之封裝元件的製造方法，其中該封裝元件內包含一光散射物質。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的發光二極體之封裝元件的製造方法，其中該膠體為矽膠或環氧樹脂。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體之封裝元件的製造方法，其中在該分離程序及該翻模程序之間，更包含對該公模進行一清洗步驟，以除去該公模上殘留之該光固化樹脂。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體之封裝元件的製造方法，其中該清洗步驟係對該公模使用一有機溶劑清洗。
  9. 一種封裝結構，包括：一基板；至少一發光二極體，設置於該基板上；以及覆蓋該發光二極體之一封裝元件，其中該封裝元件係依據申請專利範圍第1至8項中任一項所述之發光二極體之封裝元件的製造方法所製得。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的封裝結構，其中該發光二極體發出之複數道光線於該封裝元件之表面上的每一點的發光強度皆相同。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的封裝結構，更包含一 黏著層位於該發光二極體及該封裝元件之間。
TW102136507A 2013-10-09 2013-10-09 發光二極體之封裝元件的製造方法及封裝結構 TW201515290A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102136507A TW201515290A (zh) 2013-10-09 2013-10-09 發光二極體之封裝元件的製造方法及封裝結構
CN201410488510.8A CN104576877A (zh) 2013-10-09 2014-09-22 发光二极管的封装元件的制造方法及封装结构
US14/510,758 US9123872B2 (en) 2013-10-09 2014-10-09 Method of manufacturing package component for light emitting diode and package structure thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102136507A TW201515290A (zh) 2013-10-09 2013-10-09 發光二極體之封裝元件的製造方法及封裝結構

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201515290A true TW201515290A (zh) 2015-04-16

Family

ID=52776264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102136507A TW201515290A (zh) 2013-10-09 2013-10-09 發光二極體之封裝元件的製造方法及封裝結構

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9123872B2 (zh)
CN (1) CN104576877A (zh)
TW (1) TW201515290A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017002783A1 (ja) * 2015-06-29 2017-01-05 富士フイルム株式会社 機能性フィルムおよび機能性フィルムの製造方法
JP7218378B2 (ja) * 2018-02-19 2023-02-06 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ ライトエンジンを備える封止デバイス

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007273765A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sony Corp 半導体発光装置の製造方法
US8089140B2 (en) * 2008-09-25 2012-01-03 Silitek Electronic (Guangzhou) Co., Ltd. Lead frame assembly, lead frame and insulating housing combination, and led module having the same
JP5428358B2 (ja) * 2009-01-30 2014-02-26 ソニー株式会社 光学素子パッケージの製造方法
CN101582477B (zh) * 2009-06-23 2010-12-29 中山大学 一种led芯片的活性封装方法
CN102339914B (zh) * 2011-09-28 2013-07-24 广东昭信灯具有限公司 一种具有白光光子晶体的发光二极管的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150097206A1 (en) 2015-04-09
US9123872B2 (en) 2015-09-01
CN104576877A (zh) 2015-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100621154B1 (ko) 발광 다이오드 제조방법
US20100237775A1 (en) Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof
TWI528601B (zh) 封裝方法及封裝結構
CN104752597B (zh) 发光二极管封装结构及其封装方法
TWI656664B (zh) 具有經圖案化之囊封之混合式板上晶片發光二極體模組
WO2014101602A1 (zh) 应用远距式荧光粉层的led封装结构及其制成方法
TW201515290A (zh) 發光二極體之封裝元件的製造方法及封裝結構
TWI399873B (zh) 發光二極體封裝結構及其製作方法
KR101288918B1 (ko) 파장변환층이 형성된 발광소자 제조방법 및 그에 따라 제조된 발광소자
US8871538B2 (en) Method for fabricating wavelength conversion member for use in LED lighting apparatus
CN102569558A (zh) 在led封装中实现荧光粉胶远离涂覆的封装方法及应用
CN202487663U (zh) 一种自由曲面透镜
TWI566914B (zh) 製作led的模具及其製作led的方法
US20160141462A1 (en) Molded substrate, package structure, and method of manufacture the same
JP2009018559A (ja) Ｌｅｄ装置におけるレンズの製造方法およびその装置
KR100742225B1 (ko) 고휘도 엘이디 구조 및 그 제조방법
TW201403872A (zh) 以點膠方式形成封裝層之ｌｅｄ封裝體結構
TW201513410A (zh) 發光二極體製造方法
CN102738371A (zh) 白光led及其的制造方法
TW201528554A (zh) 發光二極體封裝體的製造方法
TW201327920A (zh) 不需使用脫模劑或脫模片即可順利進行脫模的發光二極體封裝結構的製作方法
CN202210520U (zh) 分支式led封装结构
TWI459600B (zh) 發光二極體封裝體及其製造方法
JP2014197152A (ja) 光学素子、発光装置及び光学素子の製造方法
KR101466477B1 (ko) 발광 디바이스 제조방법