TW201508899A - 有機電致發光顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之有機電致發光顯示裝置1包括：基板10；複數個陽極32，其等形成於各像素P；像素隔離膜14，其於上述各像素之間覆蓋上述陽極之至少端部32d；有機層33，其於上述複數個陽極及上述像素隔離膜上覆蓋上述顯示區域整體，且至少具有發光層；陰極34，其形成於上述有機層上；及對向基板50，其以與上述基板對向之方式配置於上述陰極上；且上述陽極包含：接觸區域32b，其與上述有機層接觸，且面對上述對向基板之對應像素；及周圍區域32c，其形成於上述接觸區域之周圍，且面對上述對向基板之對應像素周圍之像素。根據有機電致發光顯示裝置1，可實現高精細化、高亮度化及防止混色。

Description

有機電致發光顯示裝置
本發明係關於一種有機電致發光顯示裝置。
作為薄型且輕量之發光源，有機電致發光元件備受矚目，開發有具備多個有機電致發光元件之圖像顯示裝置。電致發光元件具有以陽極與陰極夾著具有發光層之有機層之構造。
作為此種有機電致發光顯示裝置，例如於日本專利特開2012-234748號公報中揭示有如下之構成，即，具有：平坦化膜，其形成有發揮引導障壁(bank)形成之作用之凹部；障壁，其形成於凹部上；及有機發光層，其形成於由障壁界定之區域內。
圖10係先前之有機電致發光顯示裝置101之顯示區域D之一部分之概略剖面圖。有機電致發光顯示裝置101包括：電路層112與平坦化膜113，其等形成於基板110上；陽極132，其形成於每一像素P(P1、P2)；像素隔離膜114，其覆蓋陽極132之至少端部；有機層133，其覆蓋顯示區域D整體之陽極132及像素隔離膜114且至少具有發光層；陰極134，其形成於有機層133上；密封膜140，其覆蓋於陰極134上；及對向基板150，其介隔填充材料145而配置於密封膜140上，且具有形成有彩色濾光片148之玻璃基板149。
於此種構成中，來自像素P1中之有機層133之發光L之一部分於像素隔離膜114之界面114a或密封膜140之界面140a反射。繼而，該反 射光L1、L2向基板110側行進，於鄰接之像素P2之陽極132處向對向基板150側反射。藉此，反射光L1、L2自對向基板150之與像素P2對應之區域出射。因此，來自所期望之像素P1之發光L因經由與鄰接之像素P2對應之彩色濾光片148出射而產生混色，並且於所期望之像素P1產生亮度降低。
又，像素P變得越微細，則鄰接之像素P間之距離變得越短，故而容易產生因此種反射光L1、L2所引起之混色。因此，先前之有機電致發光顯示裝置101難以實現高精細化、高亮度化及混色之防止。
本發明係鑒於此種情況而成者，其目的在於實現有機電致發光顯示裝置之高精細化、高亮度化及混色之防止。
(1)本發明之有機電致發光顯示裝置之特徵在於包括：基板；複數個陽極，其等形成於呈矩陣狀配置在上述基板上之顯示區域之各像素；像素隔離膜，其於上述各像素之間覆蓋上述陽極之至少端部，且包含絕緣材料；有機層，其於上述複數個陽極及上述像素隔離膜上覆蓋上述顯示區域整體，至少具有發光層，且包含有機材料；陰極，其形成於上述有機層上；及對向基板，其以與上述基板對向之方式配置於上述陰極上；且上述陽極包含：接觸區域，其與上述有機層接觸，且面對上述對向基板之對應像素；及周圍區域，其形成於上述接觸區域之周圍，且面對上述對向基板之對應像素周圍之像素。
(2)本發明之有機電致發光顯示裝置亦可為於(1)中，上述周圍區域面對上述對向基板之與對應像素鄰接之像素。
(3)本發明之有機電致發光顯示裝置亦可為於(2)中進而包括絕緣膜，該絕緣膜配置於上述基板與上述陽極之間，且於上述各像素間具有朝上述基板方向凹陷之槽部，上述周圍區域係藉由在上述槽部成膜而形成。
(4)本發明之有機電致發光顯示裝置亦可為於(3)中，上述絕緣膜 係於每一上述像素隔離而形成。
(5)本發明之有機電致發光顯示裝置亦可為於(3)或(4)中，上述像素隔離膜覆蓋上述槽部之至少一部分。
(6)本發明之有機電致發光顯示裝置亦可為於(1)至(5)之任一項中，上述對向基板為彩色濾光片基板。
(7)本發明之有機電致發光顯示裝置亦可為包括：基板；複數個陽極，其等形成於呈矩陣狀配置在上述基板上之顯示區域之各像素；像素隔離膜，其於上述各像素之間覆蓋上述陽極之至少端部，且包含絕緣材料；有機層，其於上述複數個陽極及上述像素隔離膜上覆蓋上述顯示區域整體，至少具有發光層，且包含有機材料；及陰極，其形成於上述有機層上；且上述像素隔離膜之距上述基板較遠側之面較上述發光層位於更靠上述基板側。
(8)本發明之有機電致發光顯示裝置亦可為於(7)中，上述發光層係於每一上述像素形成有2層以上發出波長區域互不相同之光之發光層。
(9)本發明之有機電致發光顯示裝置亦可為於(7)或(8)中，上述陽極包含：接觸區域，其與上述有機層接觸，且面對上述對向基板之對應像素；及周圍區域，其形成於上述接觸區域之周圍，且面對上述對向基板之對應像素周圍之像素。
(10)本發明之有機電致發光顯示裝置亦可為於(9)中，上述周圍區域以面對之方式朝向上述對向基板之與對應像素鄰接之像素。
(11)本發明之有機電致發光顯示裝置亦可為於(10)中進而包括絕緣膜，該絕緣膜配置於上述基板與上述陽極之間，且於上述各像素間具有朝上述基板方向凹陷之槽部，上述周圍區域係藉由在上述槽部成膜而形成。
(12)本發明之有機電致發光顯示裝置亦可為於(11)中，上述絕緣 膜係於每一上述像素隔離而形成。
根據上述(1)至(6)中之任一項，即便鄰接之像素間之距離變短，亦與不具有本構成之有機電致發光顯示裝置相比，可防止因來自所期望之像素之發光之反射而引起其周圍之像素發光。藉此，可實現高精細化、高亮度化及混色之防止。
根據上述(7)至(12)中之任一項，即便鄰接之像素間之距離變短，亦與不具有本構成之有機電致發光顯示裝置相比，可防止來自所期望之像素之發光於像素隔離膜之界面反射，且防止因反射光所引起之周圍之像素之發光。藉此，可實現高精度化、高亮度化及混色之防止。
1‧‧‧有機電致發光顯示裝置
2‧‧‧可撓性電路基板
3‧‧‧驅動IC
10‧‧‧元件基板
11‧‧‧薄膜電晶體
11a‧‧‧多晶矽半導體層
11b‧‧‧閘極絕緣層
11c‧‧‧閘極電極
11d‧‧‧源極/汲極電極
11e‧‧‧第1絕緣膜
11f‧‧‧鈍化膜
12‧‧‧電路層
13‧‧‧平坦化膜
14‧‧‧像素隔離膜
14a‧‧‧上表面
14a1‧‧‧端部
14a2‧‧‧中央部
20‧‧‧槽部
20a‧‧‧周圍區域形成面
21‧‧‧凹處
30‧‧‧有機電致發光元件
32‧‧‧陽極
32a‧‧‧接觸孔
32b‧‧‧接觸區域
32c‧‧‧周圍區域
32d‧‧‧端部
33‧‧‧有機層
34‧‧‧陰極
34a‧‧‧上表面
40‧‧‧密封膜
40a‧‧‧上表面
45‧‧‧填充劑
48‧‧‧彩色濾光片
49‧‧‧玻璃基板
50‧‧‧彩色濾光片基板
101‧‧‧有機電致發光顯示裝置
110‧‧‧基板
112‧‧‧電路層
113‧‧‧平坦化膜
114‧‧‧像素隔離膜
114a‧‧‧界面
132‧‧‧陽極
133‧‧‧有機層
134‧‧‧陰極
140‧‧‧密封膜
140a‧‧‧界面
145‧‧‧填充材料
148‧‧‧彩色濾光片
149‧‧‧玻璃基板
B‧‧‧交界
BM‧‧‧黑色矩陣
D‧‧‧顯示區域
L‧‧‧發光
L‧‧‧反射光
L1、L2‧‧‧反射光
P、P1、P2、P3‧‧‧像素
圖1係本實施形態之有機電致發光顯示裝置之概略俯視圖。
圖2係圖1所示之有機電致發光顯示裝置之II區域之局部放大圖。
圖3係圖2所示之有機電致發光顯示裝置之III-III切斷線處之概略剖面圖。
圖4係圖2所示之有機電致發光顯示裝置之IV-IV切斷線處之概略剖面圖。
圖5係於與圖4相同之視野表示本實施形態之有機電致發光顯示裝置之變化例之概略剖面圖。
圖6係於與圖4相同之視野表示本實施形態之有機電致發光顯示裝置之變化例之概略剖面圖。
圖7係於與圖4相同之視野表示本實施形態之有機電致發光顯示裝置之變化例之概略剖面圖。
圖8係於與圖4相同之視野表示本實施形態之有機電致發光顯示裝置之變化例之概略剖面圖。
圖9係先前之有機電致發光顯示裝置之顯示區域之一部分之概略 剖面圖。
以下，針對本實施形態之有機電致發光顯示裝置，基於圖式以有機電致發光顯示裝置1為例進行說明。再者，以下之說明中所參照之圖式有為使特徵易於理解，而於方便上將成為特徵之部分放大表示之情形，各構成要素之尺寸比率等未必與實際相同。又，以下之說明中所例示之材料等為一例，各構成要素亦可與其等不同，可於不變更各構成要素之主旨之範圍內對材料等加以變更而實施。
圖1係本實施形態之有機電致發光顯示裝置1之概略俯視圖。於基板10之上表面10a中未配置對向基板50之區域，連接有可撓性電路基板2，進而設置有驅動IC(Integrated Circuit，積體電路)3。驅動IC 3係自有機電致發光顯示裝置1之外部經由可撓性電路基板2被供給圖像資料且配置於基板10上之IC。驅動IC 3藉由被供給圖像資料，而對有機電致發光元件30供給經由未圖示之資料線對各像素施加之電壓信號。
其次，對有機電致發光顯示裝置1之顯示區域D之構成之詳細情況進行說明。圖2係圖1所示之有機電致發光顯示裝置1之II區域之局部放大圖。再者，為便於說明，在圖2中主要表示各像素P中之陽極32(於下文敍述)之構成。
陽極32係對應於各像素P而形成為矩陣狀。於本實施形態中，例如將像素P1之Y方向上鄰接之像素P設為像素P2，將像素P1之X方向上鄰接之像素P設為像素P3。又，陽極32連接於接觸孔32a。
陽極32包含與下述有機層33接觸之接觸區域32b、及形成於接觸區域32b之周圍的周圍區域32c。接觸區域32b係與下述之有機層33接觸且對其注入驅動電流之區域。又，形成有接觸區域32b之區域對應於有機層33之發光區域。
周圍區域32c係將來自周圍之像素P之反射光朝向該周圍之像素P之對向基板50反射之區域。例如，自像素P1出射之光中朝向鄰接之像素P2、P3之光藉由像素P2與像素P3中之陽極32之周圍區域32c而朝向像素P1之對向基板50反射。再者，為便於說明，在下文敍述陽極32之構成與自像素P1出射之光之反射之詳細情況。
圖3係圖2所示之有機電致發光顯示裝置1之III-III切斷線處之概略剖面圖，圖4係圖2所示之有機電致發光顯示裝置1之IV-IV切斷線處之概略剖面圖。
如圖3、4所示，於顯示區域D之基板10上積層有形成有薄膜電晶體11及未圖示之電氣配線之電路層12、平坦化膜13、有機電致發光元件30、密封膜40、填充劑45及對向基板50。
基板10為絕緣性之基板，且係於其上表面10a依序形成電路層12及有機電致發光元件30之構件。
電路層12係形成有薄膜電晶體11、鈍化膜11f及未圖示之電氣配線之層，且係為了驅動有機電致發光元件30而形成。薄膜電晶體11係於基板10上針對每一像素P而設置。具體而言，薄膜電晶體11例如包含多晶矽半導體層11a、閘極絕緣層11b、閘極電極11c、源極/汲極電極11d及第1絕緣膜11e。又，薄膜電晶體11上被鈍化膜11f覆蓋。
平坦化膜13例如以覆蓋於電路層12上之方式形成。平坦化膜13為包含絕緣材料之層，且形成於基板10與有機電致發光元件30之間，藉此，鄰接之薄膜電晶體11間或薄膜電晶體11與有機電致發光元件30之間電氣絕緣。平坦化膜13例如包含SiO2或SiN、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺等具有絕緣性之材料。
於平坦化膜13形成有朝基板10方向凹陷之槽狀之部分即槽部20。槽部20於本實施形態中亦為形成下述接觸孔32a之部位，但並不限於接觸孔32a之部位，只要以沿像素P1與像素P2及像素P3之間之交 界B延伸之方式形成即可。
作為槽部20之內周面之周圍區域形成面20a係形成陽極32之周圍區域32c之區域。周圍區域形成面20a以對向之方式面對形成有該周圍區域形成面20a之側之像素P之周圍之像素P的對向基板50。具體而言，例如圖4所示，像素P1中之周圍區域形成面20a以對向之方式面對像素P1之Y方向上鄰接之像素P2中之對向基板50之G區域。又，如圖5所示，像素P1中之周圍區域形成面20a以對向之方式面對像素P1之X方向上鄰接之像素P3中之對向基板50之G區域。
於平坦化膜13上之與各像素P對應之區域及周圍區域形成面20a，亦可形成有未圖示之反射膜。反射膜係為了將自有機電致發光元件30出射之光朝向對向基板50側反射而設置。反射膜之光反射率越高越佳，例如可使用包含鋁或銀(Ag)等之金屬膜。
於平坦化膜13上例如介隔反射膜而形成有複數個有機電致發光元件30。有機電致發光元件30係於基板10之上表面10a之與顯示區域D對應之區域，呈矩陣狀設置有複數個。
有機電致發光元件30藉由包括陽極32、至少具有發光層之有機層33及以覆蓋於有機層33上之方式形成之陰極34，而作為發光源發揮功能。
陽極32係對有機層33注入驅動電流之電極。陽極32藉由連接於接觸孔32a而與薄膜電晶體11電性連接，自薄膜電晶體11被供給驅動電流。
陽極32包含具有導電性之材料。具體而言，陽極32之材料例如較佳為ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)，但亦可為IZO(Indium Zinc Oxide，銦鋅複合氧化物)、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化鋁複合氧化物等具有透光性及導電性之材料。再者，若反射膜為包含銀等金屬且與陽極32接觸者，則陽極32亦可具有透光性。於此種構成之情 形時，反射膜成為陽極32之一部分。
如上所述，陽極32具有接觸區域32b與周圍區域32c。接觸區域32b係例如介隔反射膜而形成於平坦化膜13上。又，接觸區域32b係以對向之方式面對與形成有該接觸區域32b之像素對應之對向基板50之像素。具體而言，例如圖4所示，像素P1中之接觸區域32b以對向之方式面對像素P1中之對向基板50之區域(圖4中之R區域)。
此處，所謂「像素P1中之接觸區域32b以對向之方式面對像素P1中之對向基板50」，具體而言係指像素P1中之接觸區域32b之法線與像素P1中之對向基板50(R區域)相交。
周圍區域32c例如藉由使陽極32之一部分以沿槽部20之周圍區域形成面20a之方式成膜而構成。周圍區域32c係以對向之方式面對形成有該周圍區域32c之像素P之周圍之其他像素P的對向基板50。具體而言，例如圖4所示，像素P1中之陽極32之周圍區域32c之法線與Y方向上鄰接之像素P2中之對向基板50之區域(圖4中之G區域)相交。又，如圖5所示，像素P1中之陽極32之周圍區域32c之法線與像素P1之X方向上鄰接之像素P3中之對向基板50的G區域相交。
藉由將周圍區域32c以沿槽部20之周圍區域形成面20a之方式形成，可根據槽部20之深度或角度而決定周圍區域32c之構成。因此，與不具有本構成之有機電致發光顯示裝置相比，易於將來自像素P之反射光L朝向周圍之像素P(P2、P3)之對向基板50反射。因此，可實現有機電致發光顯示裝置1之高精細化、高亮度化及混色之防止。
於鄰接之各陽極32彼此之間，例如沿鄰接之像素P彼此之交界B形成有像素隔離膜14。像素隔離膜14具有防止鄰接之陽極32彼此之接觸、及陽極32與陰極34之間之洩漏電流的功能。
像素隔離膜14係於各像素P之間以覆蓋陽極32之至少端部32d之方式形成。又，像素隔離膜14包含絕緣材料，具體而言，例如包含感 光性之樹脂組合物。
作為像素隔離膜14與有機層33之界面的像素隔離膜14之上表面14a較佳為較下述發光層位於更靠基板10側。藉由使像素隔離膜14之上表面14a較發光層位於更靠基板10側，而與不具有本構成之有機電致發光顯示裝置相比，可抑制光於像素隔離膜14之上表面14a、或作為密封膜40與填充劑45之界面的密封膜40之上表面40a反射。因此，即便鄰接之像素P間之距離變短，亦可防止該反射光自周圍鄰接之像素P(P2、P3)中之對向基板50出射。藉此，可實現有機電致發光顯示裝置1之高精細化、高亮度化及混色之防止。
又，藉由使像素隔離膜14之上表面14a較發光層位於更靠基板10側，可於上表面14a吸收因對向基板50之交界B處之彩色濾光片之各區域R、G、B間之階差等向基板10側之凸起而產生的對填充劑45之壓力。因此，可使有機電致發光顯示裝置1之可靠性提高。
有機層33係至少具有發光層且包含有機材料之層，以覆蓋於複數個陽極32上及像素隔離膜14上之方式形成。有機層33亦可以覆蓋顯示區域D之配置有像素P之整個區域之方式形成。有機層33具有發出光之層，其發光可為白色，亦可為其他顏色。
有機層33係例如自陽極32側依序積層未圖示之電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層而成。再者，有機層33之積層構造並不限於此處所列舉者，只要為至少包含發光層者，則並不特定其積層構造。
發光層例如包含藉由電洞與電子結合而發光之有機電致發光物質。作為此種有機電致發光物質，例如可使用通常作為有機發光材料而使用者。再者，發光層較佳為較像素隔離膜14之上表面14a位於更靠對向基板50側。
陰極34係以覆蓋於有機層33上之方式形成。陰極34並不於每一 像素P而獨立，而是以覆蓋顯示區域D之配置有像素P之整個區域之方式形成。陰極34藉由具有此種構成，而與複數個有機電致發光元件30之有機層33共同地接觸。
陰極34包含具有透光性及導電性之材料。具體而言，陰極34之材料例如較佳為ITO，但亦可為於ITO或InZnO等導電性金屬氧化物中混入有銀或鎂等金屬者、或者積層銀或鎂等之金屬薄膜與導電性金屬氧化物而成者。
有機電致發光元件30上即陰極34之上表面34a被密封膜40跨及複數個像素P而覆蓋。密封膜40係防止氧或水分向以有機層33為首之各層滲入之透明之膜。
密封膜40之上表面40a例如介隔填充劑45而被對向基板50覆蓋。對向基板50係例如具有於俯視下較基板10更小之外周之基板，且以與基板10對向之方式配置。作為此種對向基板50，具體而言，例如於有機層33之發光層為發出白色光者之情形時，可使用例如彩色濾光片基板。
對向基板50可藉由沿交界B形成之黑色矩陣BM對應於各像素P而劃分。於對向基板50為彩色濾光片基板之情形時，對向基板50例如具有彩色濾光片48與玻璃基板49。彩色濾光片48例如藉由黑色矩陣BM對應於各像素P(P1、P2、P3)而分別劃分為R區域、B區域、G區域。
本實施形態之有機電致發光顯示裝置1係於陽極32之接觸區域32b之周圍，具有面對周圍之其他像素P之對向基板50的周圍區域32c，藉此如圖3、4所示，自像素P朝向鄰接之像素P之光L朝向對向基板50之與原本之像素P對應之區域反射。具體而言，例如若來自像素P(P1)中之與接觸區域32b接觸之有機層33之發光於像素隔離膜14之上表面14a或密封膜40之上表面40a等各層之界面反射，則該反射光L朝向周圍之像素P(P2、P3)之周圍區域32c。因周圍區域32c面對像素 P(P1)之對向基板50，故該反射光L朝向對向基板50之與原本之像素P(P1)對應之區域(R區域)反射。
因此，即便鄰接之像素間P之距離變短，亦與不具有本構成之有機電致發光顯示裝置相比，可防止該反射光自周圍鄰接之像素P(P2、P3)中之對向基板50出射。藉此，可實現有機電致發光顯示裝置1之高精細化、高亮度化及混色之防止。
以上已對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限於上述實施形態。例如，平坦化膜13與像素隔離膜14之構成亦可與圖3、4所示之構成不同。
例如，關於像素隔離膜14，自基板10至像素隔離膜14之上表面14a之距離亦可與自基板10至陽極32之接觸區域32b之距離大致相同。此處，所謂「大致相同」係包含因製造而產生之誤差之範圍。
藉由具有此種構成，像素隔離膜14之上表面14a成為與接觸區域32b連續之面。因此，與不具有本構成之有機電致發光顯示裝置相比，密封膜40之上表面40a變得平坦。因此，像素P(P1)之於上表面40a之反射光更確實地向鄰接之像素P(P2、P3)之周圍區域32c反射。藉此，可實現有機電致發光顯示裝置1之高精細化、高亮度化及混色之防止。
又，藉由上表面40a變得平坦，可使填充劑45之厚度變薄。因此，可實現有機電致發光顯示裝置1之薄型化。
又，只要自基板10至上表面14a之距離小於自基板10至發光層之距離，則上表面14a亦可為向對向基板50側突起之凸形狀。圖5係於與圖4相同之視野表示本實施形態之有機電致發光顯示裝置1之變化例之概略剖面圖。藉由具有此種構成，可於上表面14a與周圍區域32c所形成之凹處21吸收因對向基板50之交界B處之彩色濾光片之各區域R、G、B間之階差等向基板10側之凸起而產生的對填充劑45之壓力。
又，上表面14a亦可為向基板10側凹陷之凹形狀。圖6係於與圖4相同之視野表示本實施形態之有機電致發光顯示裝置1之變化例之概略剖面圖。具體而言，亦可為相較上表面14a之像素P側之端部14a1，上表面14a之與交界B對應之部分即中央部14a2為距基板10側更近之位置。
藉由具有此種構成，與不具有本構成之有機電致發光顯示裝置相比，槽部20上之有機層33變厚。因此，來自像素P(P1)中之與接觸區域32b接觸之有機層33之發光於密封膜40之上表面40a反射而到達周圍之像素P(P3)之像素隔離膜14之距離變長。藉此，與不具有本構成之有機電致發光顯示裝置相比，可抑制於像素隔離膜14之上表面14a之反射，從而可實現有機電致發光顯示裝置1之混色之防止。
又，像素隔離膜14只要覆蓋槽部20之至少一部分即可。圖7係於與圖4相同之視野表示本實施形態之有機電致發光顯示裝置1之變化例之概略剖面圖。槽部20之被像素隔離膜14覆蓋之區域越小越佳，如圖7所示，像素隔離膜14之端部14a1只要覆蓋陽極32之端部32d即可。
藉由具有此種構成，有機電致發光顯示裝置1與不具有本構成之有機電致發光顯示裝置相比，有機層33之發光區域變大。因此，亮度提高，並且電流密度降低，可提高有機電致發光顯示裝置1之耐久性。又，與不具有本構成之有機電致發光相比，周圍區域32c中被像素隔離膜14覆蓋之區域之面積變小，故而可使周圍區域32c之反射效率提高。因此，可實現混色之防止及亮度提高。
又，如圖7所示，平坦化膜13亦可於每一像素P隔離而形成。具體而言，例如藉由使槽部20貫穿平坦化膜13，而將形成於像素P(P1)之平坦化膜13與形成於X方向上鄰接之像素P(P3)之平坦化膜13隔離。
本實施形態之有機電致發光顯示裝置1藉由具有此種構成，可利用平坦化膜13之厚度調整槽部20之深度。藉此，可使平坦化膜13之厚 度變薄，從而可實現有機電致發光顯示裝置1之薄型化。
又，本實施形態之有機電致發光顯示裝置1亦可為於每一像素P形成有2層以上發出波長區域互不相同之光之發光層。圖8係於與圖4相同之視野表示本實施形態之有機電致發光顯示裝置1之變化例之概略剖面圖。
本實施形態之有機電致發光顯示裝置1藉由具有此種構成，可應用於不具有彩色濾光片基板之有機電致發光顯示裝置，進一步實現薄型化，並且可防止混色。
以上已對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限於上述實施形態。例如，上述實施形態中所說明之構成亦可由實質上相同之構成、可發揮相同之作用效果之構成、或可達成相同之目的之構成替換。
1‧‧‧有機電致發光顯示裝置
10‧‧‧元件基板
11‧‧‧薄膜電晶體
11a‧‧‧多晶矽半導體層
11b‧‧‧閘極絕緣層
11c‧‧‧閘極電極
11d‧‧‧源極/汲極電極
11e‧‧‧第1絕緣膜
11f‧‧‧鈍化膜
12‧‧‧電路層
13‧‧‧平坦化膜
14‧‧‧像素隔離膜
14a‧‧‧上表面
20‧‧‧槽部
20a‧‧‧周圍區域形成面
30‧‧‧有機電致發光元件
32‧‧‧陽極
32a‧‧‧接觸孔
32b‧‧‧接觸區域
32c‧‧‧周圍區域
32d‧‧‧端部
33‧‧‧有機層
34‧‧‧陰極
34a‧‧‧上表面
40‧‧‧密封膜
40a‧‧‧上表面
45‧‧‧填充劑
48‧‧‧彩色濾光片
49‧‧‧玻璃基板
50‧‧‧彩色濾光片基板
B‧‧‧交界
BM‧‧‧黑色矩陣
D‧‧‧顯示區域
L‧‧‧反射光
P、P1、P2‧‧‧像素

Claims (13)

  1. 一種有機電致發光顯示裝置，其特徵在於包括：基板；複數個陽極，其等形成於呈矩陣狀配置在上述基板上之顯示區域之各像素；像素隔離膜，其於上述各像素之間覆蓋上述陽極之至少端部，且包含絕緣材料；有機層，其於上述複數個陽極及上述像素隔離膜上覆蓋上述顯示區域整體，至少具有發光層，且包含有機材料；陰極，其形成於上述有機層上；及對向基板，其以與上述基板對向之方式配置於上述陰極上；且上述陽極包含：接觸區域，其與上述有機層接觸，且面對上述對向基板之對應像素；及周圍區域，其形成於上述接觸區域之周圍，且面對上述對向基板之對應像素周圍之像素。
  2. 如請求項1之有機電致發光顯示裝置，其中上述周圍區域面對上述對向基板之與對應像素鄰接之像素。
  3. 如請求項2之有機電致發光顯示裝置，其進而包括絕緣膜，該絕緣膜配置於上述基板與上述陽極之間，且於上述各像素間具有朝上述基板方向凹陷之槽部，上述周圍區域係藉由在上述槽部成膜而形成。
  4. 如請求項3之有機電致發光顯示裝置，其中上述絕緣膜係於每一上述像素隔離而形成。
  5. 如請求項3之有機電致發光顯示裝置，其中上述像素隔離膜覆蓋 上述槽部之至少一部分。
  6. 如請求項1之有機電致發光顯示裝置，其中上述對向基板為彩色濾光片基板。
  7. 一種有機電致發光顯示裝置，其特徵在於包括：基板；複數個陽極，其等形成於呈矩陣狀配置在上述基板上之顯示區域之各像素；像素隔離膜，其於上述各像素之間覆蓋上述陽極之至少端部，且包含絕緣材料；有機層，其於上述複數個陽極及上述像素隔離膜上覆蓋上述顯示區域整體，至少具有發光層，且包含有機材料；陰極，其形成於上述有機層上；且上述像素隔離膜之距上述基板較遠側之面較上述發光層位於更靠上述基板側。
  8. 如請求項7之有機電致發光顯示裝置，其中上述發光層係於每一上述像素形成有2層以上發出波長區域互不相同之光之發光層。
  9. 如請求項7之有機電致發光顯示裝置，其中上述陽極包含：接觸區域，其與上述有機層接觸，且面對上述對向基板之對應像素；及周圍區域，其形成於上述接觸區域之周圍，且面對上述對向基板之對應像素周圍之像素。
  10. 如請求項9之有機電致發光顯示裝置，其中上述周圍區域以面對之方式朝向上述對向基板之與對應像素鄰接之像素。
  11. 如請求項10之有機電致發光顯示裝置，其進而包括絕緣膜，該絕緣膜配置於上述基板與上述陽極之間，且於上述各像素間具有朝上述基板方向凹陷之槽部， 上述周圍區域係藉由在上述槽部成膜而形成。
  12. 如請求項11之有機電致發光顯示裝置，其中上述絕緣膜係於每一上述像素隔離而形成。
  13. 如請求項11之有機電致發光顯示裝置，其中上述像素隔離膜以覆蓋上述槽部之至少一部分之方式形成。
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