TW201507147A - 有機發光顯示設備及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種有機發光顯示設備。有機發光顯示設備包含基板；形成在基板上且包含第一電極、中間層及第二電極之層疊結構的有機發光單元；形成在有機發光單元上的有機層；形成在有機層上的第一促進黏著層；以及形成在促進黏著層上且包含低溫黏性轉變(LVT)無機材料的第一無機層。

Description

有機發光顯示設備及其製造方法
相關申請之交互參照 本申請案主張於2013年8月5日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2013-0092653號之優先權及效益，其全部內容於此併入作為參考。
本揭露是關於一種有機發光顯示設備及其製造方法。
有機發光顯示設備為具有大視角、良好對比度、快速回應時間、良好亮度以及關於驅動電壓與回應具有良好性質的發光設備。此外，多色的顯示器是可能的。
有機發光顯示設備可包含有機發光單元，該有機發光單元包含下電極、有機層及上電極。因為有機發光單元相對於外部環境如氧氣、濕氣等是脆弱的，所以將有機發光單元密封於外部環境的封裝結構是必要的。
此外，平板有機發光設備及/或可撓性有機發光設備的開發也是需要的。
提供一種包含穩定薄膜封裝結構的有機發光顯示設備及其製造方法。
附加方面將在下列描述中部分闡述並且部分將從描述中顯而易見，或可經由實踐本實施例而習得。
在一方面，有機發光顯示設備包含基板；形成在基板上且包含第一電極、中間層及第二電極之層疊結構的有機發光單元；形成在有機發光單元上的有機層；形成在有機層上的第一促進黏著層(first adhesion promoting layer)；以及形成在第一促進黏著層上且包含低溫黏性轉變(low temperature viscosity transition, LVT)無機材料的第一無機層。
第一促進黏著層可包含金屬氧化物及有機金屬化合物中的至少一個。
有機層亦可形成在基板上。
LVT無機材料可包含氧化錫。
第一促進黏著層及第一無機層亦可形成在基板上。
基板可為可撓性基板。
有機發光顯示設備可進一步包含形成在第一無機層上的第二促進黏著層；以及形成在第二促進黏著層上且包含第二LVT無機材料的第二無機層。
第二促進黏著層以及第二無機層亦可形成在基板上。
有機發光顯示設備可進一步包含在第二無機層上的封裝基板。
根據另一方面，製造有機發光顯示設備的方法包含形成包含第一電極、中間層及第二電極之層疊結構的有機發光單元在基板上；形成有機層在有機發光單元上；形成包含金屬氧化物及有機金屬化合物中的至少一個的第一促進黏著層在有機層上；以及形成包含低溫黏性轉變(LVT)無機材料的第一無機層在第一促進黏著層上。
第一無機層的形成可進一步包含提供LVT無機材料在第一促進黏著層上以形成包含LVT無機材料的第一前置無機(pre-inorganic)層，並且在高於LVT無機材料的黏性轉變溫度的溫度下固化第一前置無機層。
有機層亦可形成在基板上。
第一促進黏著層以及第一無機層亦可形成在基板上。
此方法可進一步包含在第一無機層上形成包含金屬氧化物及有機金屬化合物中的至少一個的第二促進黏著層，以及在第二促進黏著層上形成包含第二LVT無機材料的第二無機層。
此方法可進一步包含在第二無機層上形成封裝基板。
現將詳細參考其範例繪示於附圖中的實施例，其中全文中相同參考符號代表相同元件。在這方面，本實施例可具有不同形式且不應被詮釋為受限制於文中所述之說明描述。因此，本實施例藉由參照圖式於下文中僅描述以用於說明本揭露之態樣。如文中所使用的，用詞「及/或」包含一或多個相關列表項目的任何及所有組合。當表達式如「至少一個」置於一列表元件前時，係修改整個列表的元件而非修改列表中的單一元件。
在下文中，將參照附圖中所示的例示性實施例詳細描述結構及功能。
附圖中元件的尺寸為了方便說明可被放大。換句話說，因為附圖中元件的尺寸及厚度為了方便說明而任意示出，下列實施例不限於此。
將理解的是雖然本文中用詞「第一」、「第二」等可用來描述各種元件，但這些元件不應被這些用詞所限制。這些元件僅用於與另一元件區分。將理解的是當層、區域或構件被稱為「形成在」另一層、區域或構件「上」時，它可直接或間接地形成在另一層、區域或構件上。亦即，例如，可存在中間層、區域或構件。
第1圖至第3圖係根據例示性實施例繪示製造有機發光顯示設備的方法之示意圖。
首先，製備一個基板11。基板11可為一般有機發光顯示設備所使用的基板。基板11可經由使用具有良好機械強度、熱穩定性、表面平滑性、易處理性及防水性的材料形成。
基板11可經由使用剛硬材料形成，並且可為，例如，玻璃基板、塑膠基板、金屬基板以及碳纖維基板之一。當有機發光顯示設備為可撓性顯示設備時，基板11可經由使用可撓性材料形成，並且可為，例如，聚亞醯胺(PI)基板及聚對苯二甲酸二乙酯(PET)之一。
有機發光單元13形成在基板11上。有機發光單元13在基板11上具有第一電極13a、中間層13b以及第二電極13c的層疊結構。
第一電極13a可經由沉積法或濺鍍法在基板11上提供形成第一電極的材料而形成。當第一電極13a為陽極時，選自具高功函數的材料中之低電極形成的材料是為了易於電洞注入。根據形成的有機發光顯示設備的類型，第一電極13a可為反射型電極、半透明型電極或透明型電極。形成第一電極的材料可包含透明及導電材料如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2 )、氧化鋅(ZnO)等。當使用，例如鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)等時，第一電極13a可形成為反射型電極。
第一電極13a可具有單層結構或者二或多層的多層結構。例如，第一電極13a可具有ITO/Ag/ITO的三層結構以得到頂部發光型發光設備。然而，本發明不限於此。
在第一電極13a上，提供了中間層13b。
中間層13b可包含電洞注入層、電洞傳輸層、同時具有電洞注入功能及電洞傳輸功能的功能層、緩衝層、電子阻擋層、發光層、電洞阻擋層、電子傳輸層以及電子注入層中的至少一層。
在中間層13b，例如，可包含下列化合物301、311及321的至少一種： [化學式１][化學式２][化學式３]321
在中間層13b上，提供了第二電極13c。第二電極13c可為陰極，該陰極為電子注入電極。在這種情況下，形成第二電極的材料可包含具低功函數的金屬、合金、導電性化合物，以及其混合物。特別地是可使用例如鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)等形成之薄膜，並且可用作為反射型、半透明型或透明型電極。可施加各種修改。例如，經由使用ITO或IZO可形成透明型電極以得到頂部發光型發光設備。
雖然在第1圖未示出，但有機發光單元13包含用於一個像素的一個像素電路。像素電路可包含至少一個薄膜電晶體(未示出)及電容器(未示出)。第一電極13a可電性連接至薄膜電晶體且可被驅動。
第一電極13a相對於各像素可分別圖案化，且第二電極13c可形成為共用電極以覆蓋所有像素。
在底部發光型發光設備，其中圖像被體現在基板11的方向(亦即光產生的圖像被導向基板11)，第二電極13c的厚度可相對較大以增加在基板11方向的發光效率。
在頂部發光型發光設備，其中圖像被體現在第二電極13c的方向(亦即光產生的圖像被導向第二電極13c)，第二電極13c的厚度可相對較小。在這種情況下，第二電極13c可為半透明型反射層，或除了上述材料外，第二電極13c可經由使用透明導電材料形成。第一電極13a可進一步包含反射層。
在第二電極13c上，形成有機層15。有機層15可為在有機發光單元13上形成薄膜封裝結構的同時防止第二電極13c被損壞的鈍化層。
當有機發光單元13為在第二電極13c方向上發光的頂部發光型時，有機層15可經由使用具高折射率的透明材料形成以實現折射率匹配。有機層15可經由使用，例如，氟化鋰(LiF)、喹啉鋰(8-羥基喹啉鋰，Liq)以及三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3 )的至少一種形成。有機層15可形成在基板11上以及在有機發光單元13上。有機層15可形成均勻的膜以封裝整個有機發光單元13。
有機層15可經由使用電阻加熱沉積法、濺鍍法、真空沉積法、低溫沉積法、電子束塗佈法或離子電鍍法形成。在電阻加熱沉積法中，經由電阻產生的熱施加在沉積源以蒸發沉積源並且將沉積源沉積在目標上。在濺鍍法中，通過濺鍍過程形成薄膜。其他方法為眾所皆知的，並且省略其詳細描述。
如第2圖及第3圖所示，薄膜封裝結構形成在有機層15上以覆蓋有機發光單元13。薄膜封裝結構根據例示性實施例具有促進黏著層17及無機層19的層疊結構。
參照第2圖及第3圖，促進黏著層17形成在有機層15上。
促進黏著層17促進有機層15及無機層19的黏著。有機層15包含有機材料，並且有機層15及無機層19之間的黏著可為有機-無機黏著。因此，有機-無機黏著的黏著性可能比無機-無機黏著弱。
因此，促進黏著層17設置在有機層15及無機層19之間以加強有機層15及無機層19之間的黏著以得到強的薄膜封裝結構。促進黏著層17可包含金屬氧化物及有機金屬化合物中的至少一個。
金屬氧化物可包含，例如，Al2 O3 、SiO2 、Six Ny 、氧化鋅錫(結構包含增加鋅及氧的比率以消除導電性)等。有機金屬化合物可為，例如單核金屬羰基化合物[M(Co)x ]或多核金屬羰基化合物[Mx (CO)y ]。單核金屬羰基化合物可包含，例如Mo(CO)5 、Fe(CO)5 、Cr(CO)6 、W(CO)6 等。多核金屬羰基化合物可包含，例如Mn2 (CO)10 、Co2 (CO)8 、Fe2 (CO)9 等。然而，本發明不限於此。
促進黏著層17可形成如單層或包含多層，該多層包含上述材料。
促進黏著層17可形成在基板11上以及在有機層15上。促進黏著層17可形成為覆蓋整個有機發光單元13的均勻層。由此，有機發光單元13及有機層15可經由促進黏著層17被緊緊地包覆。
促進黏著層17可經由使用電阻加熱沉積法、濺鍍法、真空沉積法、低溫沉積法、電子束塗佈法或離子電鍍法形成。
參照第3圖，無機層19可形成在促進黏著層17上。無機層19可包含，例如，低溫黏性轉變(LVT)無機材料。在下文中，形成無機層19的過程將詳細描述。
首先，LVT無機材料被提供在促進黏著層17上以形成含LVT無機材料的前置無機層(未示出)。
LVT無機材料為具有低黏性轉變溫度的無機材料。
如本文中所使用的，「黏性轉變溫度」不是指導致LVT無機材料從「固態」完全改變成「液態」的溫度，而是指可得到LVT無機材料的流動性的最低溫度。
LVT無機材料的黏性轉變溫度可低於包含在有機發光單元13中材料的轉變溫度。
「包含在有機發光單元13中材料的轉變溫度」指可導致包含在有機發光單元13中材料的化學及/或物理轉變的溫度。例如，「包含在有機發光單元13中材料的轉變溫度」可指包含在有機發光單元13的中間層13b中有機材料的玻璃轉化溫度(glass transition temperature, Tg)。包含在有機發光單元13中材料的 Tg可從使用熱重分析(thermo gravimetric analysis, TGA)及示差掃描熱量分析(differential scanning calorimetry, DSC)的熱分析得到(N2 氣體，溫度範圍：TGA是從室溫至約600°C (10°C/min)、DSC是從室溫至約400°C，秤盤類型：TGA為可棄式Al盤中的Pt盤、DSC為可棄式Al盤)。此過程為所屬技術領域中通常知識者所理解。
包含在有機發光單元13中材料的轉變溫度可超過，例如約130°C；然而，不限於此。包含在有機發光單元13中材料的轉變溫度可通過上述的TGA輕易測量出。
LVT無機材料的黏性轉變溫度可為約80°C或更高，例如，約80°C至約130°C，且不限於此。例如，LVT無機材料的黏性轉變溫度可為約80°C至約120°C，或約100°C至約120°C且不限於此。
LVT無機材料可包含單一化合物或者二或多種化合物的混合物。
LVT無機材料可包含，例如氧化錫(例如SnO或SnO2 )。
當LVT無機材料包含SnO時，SnO的量可從約20 wt%至約100 wt%。
LVT無機材料可包含，例如氧化磷(例如P2 O5 )、磷酸硼(例如BPO4 )、氟化錫(例如SnF2 )、氧化鈮(例如NbO)以及氧化鎢(例如WO3 )中的至少一個，且不限於此。
LVT無機材料可包含，例如下列化合物而且不限於此：        - SnO；        - SnO及P2 O5 ；        - SnO及BPO4 ；        - SnO、SnF2 及P2 O5 ；        - SnO、SnF2 、P2 O5 及NbO；或        - SnO、SnF2 、P2 O5 及WO3 。
LVT無機材料可包含，例如下列化合物而且不限於此：        1)SnO (約100 wt%)；        2)SnO (約80 wt%)及P2 O5 (約20 wt%)；        3)SnO (約90 wt%)及BPO4 (約10 wt%)；        4)SnO (約20-50 wt%)、SnF2 (約30-60 wt%)及P2 O5 (約  10-30 wt%) (其中SnO、SnF2 及P2 O5 的總和約100 wt%)；        5)SnO (約20-50 wt%)、SnF2 (約30-60 wt%)、P2 O5 (約10-30 wt%)及NbO (約1-5 wt%) (其中SnO、SnF2 、P2 O5 及NbO的總和約100 wt%)；或        6)SnO (約20-50 wt%)、SnF2 (約30-60 wt%)、P2 O5 (約10-30 wt%)及WO3 (約1-5 wt%) (其中SnO、SnF2 、P2 O5 及WO3 的總和約100 wt%)。
例如，LVT無機材料可包含SnO (約42.5 wt%)、SnF2 (約40 wt%)、P2 O5 (約15 wt%)及WO3 (約2.5 wt%)且不限於此。
含LVT材料的前置無機層可經由使用電阻加熱沉積法、濺鍍法、真空沉積法、低溫沉積法、電子束塗佈法或離子電鍍法形成。
LVT無機材料可經由電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)法或電漿離子輔助沉積(PIAD)法提供。然而，本方法不限於此。
根據例示性實施例，具有SnO-SnF2 -P2 O5 -WO3 結構的LVT無機材料經由濺鍍法可被提供在促進黏著層17上。在濺鍍法中，可應用雙旋轉靶法或使用直流脈衝電源的對向靶法，以及移動基板11的同時可使用掃描法。在這種情況下，可使用約4 kW至約20 kW以及約0.3 Pa至1.5 Pa的氬氣電漿。經由重複掃描可得到具期望厚度(例如，約1 μm)的前置無機層(未示出)。
前置無機層可能包含如層因子(layer factor)及針孔的缺陷。LVT無機材料層的「層因子」指在層的形成中未參與的LVT無機材料的凝固顆粒，以及「針孔」指未提供LVT無機材料而暴露有機層15的區域。
上述前置無機層的缺陷在儲存及驅動有機發光設備的同時可能使環境物質如濕氣、氧氣等通過，並且可能為形成漸進式暗點的因子，從而降低有機發光設備的壽命。
因此，在形成前置無機層後，可進行用於移除前置無機層的缺陷的固化過程。
固化過程可在高於LVT無機材料的黏性轉變溫度的溫度進行。例如，可經由在LVT無機材料的黏性轉變溫度至包含在有機發光單元13中材料的轉變溫度的溫度範圍中熱處理前置無機層以進行固化過程。「LVT無機材料的黏性轉變溫度」可取決於LVT無機材料的組成，而「包含在有機發光單元13中材料的轉變溫度」可取決於有機發光單元13所使用的材料。所屬技術領域中的通常知識者基於LVT無機材料的組成以及有機發光單元13所使用的材料可輕易地辨識「LVT無機材料的黏性轉變溫度」以及「包含在有機發光單元13中材料的轉變溫度」(例如，從包含在有機發光單元13中材料的TGA分析的結果可估計出Tg)。
固化過程可經由在從約80°C至約130°C進行約1至3小時的熱處理前置無機層(例如，在約110°C下進行2小時)，且不限於此。當固化過程的溫度滿足上述範圍時，LVT無機材料的前置無機層可被流體化，且可防止有機發光單元13的轉變。
固化過程可在紅外線(IR)烤箱中以真空或惰性氣體環境(例如，N2 氣體、Ar氣體等)的情況下進行以防止通過前置無機層的針孔暴露有機發光單元13於外部環境。
通過固化過程，包含在前置無機層中的LVT無機材料可被流體化。流體化的LVT無機材料可具有流動性，亦即，流動的能力。因此，流體化的LVT無機材料可流動以填充前置無機層中的任何針孔，以及任何層因子可被流體化，且這樣流動的層因子可流動以填充針孔，且因此形成層的LVT無機材料具有跨越層的均勻一致性。
然後，可消除前置無機層的缺陷且可形成密集的無機層19。
無機層19的厚度可從約1 µm至約30 µm，例如，從約1 µm至約5 µm。當無機層19的厚度在從約1 µm至約5 µm的範圍時，可製造出具彎曲性的可撓性有機發光設備。
無機層19可形成如上述的薄膜，並且可製造出具彎曲性的可撓性有機發光設備。因此，可得到具有壽命長且可撓性的有機發光設備。
第4圖及第5圖根據例示性實施例繪示用於說明有機發光顯示設備的效果之比較例之示意圖。
在第4圖及第5圖中，無機層19形成在覆蓋有機發光單元13的有機層15上。亦即，薄膜封裝結構可僅使用在覆蓋有機發光單元13的有機層15上的無機層19而形成，無促進黏著層。在無機層19與有機層15接觸的結構中，由於無機層19與有機層15材料的差異可能有弱的黏著性。此外，無機層19與有機層15具有不同的熱膨脹(CTE)係數。由於經由無機層19與有機層15之間不同的膨脹程度產生的應力及由於在有機發光單元13中及環境的溫度變化所產生的熱，在無機層19及有機層15的界面可能產生界面分層，或在密集的無機層19可能產生如裂縫之缺陷，如第4圖所示。在這種情況下，濕氣及氧氣可能滲透有機發光單元13，而且有機發光單元13(OLED)可能會退化。因此，可能降低發光特性，可能在有機光顯示設備中形成暗點，而且可能發生像素收縮。
根據如第3圖的例示性實施例，促進黏著層17設置在有機層15與無機層19之間，因此，可解決上述缺陷。因為促進黏著層17經由使用，例如單核金屬羰基化合物[M(Co)x ]或多核金屬羰基化合物[Mx (CO)y ]形成，有機層15與無機層19之間的應力，其為無機層19的缺陷的最嚴重因素，可明顯減少。
第6圖根據另一例示性實施例繪示製造有機發光顯示設備的方法之示意圖。因為對應至第3圖的例示性實施例的構成元件具有大致相同的功能，所以省略其詳細描述。
根據第6圖的例示性實施例，相較於第3圖的例示性實施例，其中各促進黏著層及無機層形成為單層，第一及第二促進黏著層17a及17b以及第一及第二無機層19a及19b分別依序形成為多層之結構。
一般而言，層的應力與層的厚度成比例。為減少在第6圖中層的應力，經由層疊第一及第二無機層19a及19b得到無機層。為減少第一與第二無機層19a與19b之間的層的應力，第二促進黏著層17b可形成在第一與第二無機層19a與19b之間。形成在有機層15上的促進黏著層為第一促進黏著層17a。
特別地是在第6圖中，第二促進黏著層17b形成在第一無機層19a上。形成第二促進黏著層17b的方法、用於形成第二促進黏著層17b的材料、以及第二促進黏著層17b的形狀可大致與那些參照第1圖至第3圖所述的促進黏著層17相同，並且省略其重複的描述。
然後，第二無機層19b形成在第二促進黏著層17b上。形成第二無機層19b的方法、用於形成第二無機層19b的材料、以及第二無機層19b的形狀可大致與那些相對於第1圖至第3圖所述的無機層19相同，並且省略其重複的描述。
在第6圖的例示性實施例中，第一及第二無機層19a及19b的厚度小於在第3圖中無機層19的厚度。在第3圖中無機層19的厚度可從約1 µm至約30 µm，例如從約1 µm至5 µm。在第6圖中第一無機層19a的厚度可為約1 µm或更少，且第二無機層19b的厚度亦可為約1 µm或更少。亦即如在第3圖中所示，形成具有從約1 µm至約5 µm厚度的一個無機層；然而如在第6圖中所示，形成複數個具有厚度為約1 µm或更少的無機層。通過重複形成薄無機層，可減少層的應力，並且可改善薄膜封裝結構的封裝特性。
在第6圖中，形成了兩層無機層作為例示性實施例。然而，可能形成三或更多層無機層。在這種情況下，為減少無機層之間的應力可在附加的無機層之間設置彈性層。
第7圖根據另一例示性實施例繪示製造有機發光顯示設備方法之示意圖。
根據第7圖的例示性實施例，相較於第6圖的例示性實施例，封裝基板21進一步形成在無機層上最外側的位置。在第7圖中對應於第6圖的構成元件大致上具有如在第6圖中所說明的相同功能，並且省略其詳細描述。
封裝基板21設置在薄膜封裝結構的最外側位置以穩定薄膜封裝結構，且有機發光顯示設備可鈍化來自外部的衝擊。封裝基板21可經由使用與基板11相同的材料形成。當有機發光顯示設備為頂部發光型時，其中光發射在第二電極13c的方向，封裝基板可形成為傳送光的透明基板。
封裝基板21設置在最外側的無機層上。在第7圖中，封裝基板21是設置在第6圖中薄膜封裝結構的第二無機層19b上以作為例示性實施例。然而，本發明不限於此。
在例示性實施例中，封裝基板可進一步形成在第3圖中封裝結構的無機層上，或在第6圖中封裝結構的第二無機層上。經由結合本揭露的例子得到的另一結構可進一步包含在無機層上最外側位置的封裝基板。
應了解的是於此所描述的例示性實施例應僅視為描述性的意義而非限制的目的。各實施例中的特徵及態樣之描述應一般被認為可應用於其他實施例中的其他相似特徵或態樣。
雖然本發明的一或多個實施例已參照圖式描述，然而所屬技術領域具有通常知識者將了解的是，在不脫離包含所附申請專利範圍的本揭露之精神及範疇下，可對其進行形式及細節上之各種變更。
11‧‧‧基板
13‧‧‧有機發光單元
13a‧‧‧第一電極
13b‧‧‧中間層
13c‧‧‧第二電極
15‧‧‧有機層
17‧‧‧促進黏著層
17a‧‧‧第一促進黏著層
17b‧‧‧第二促進黏著層
19‧‧‧無機層
19a‧‧‧第一無機層
19b‧‧‧第二無機層
21‧‧‧封裝基板
這些及/或其他方面從結合附圖的下列實施例描述當中，將變得顯而易見並且更加清楚了解，其中：
第1圖至第3圖係根據例示性實施例依序繪示製造有機發光顯示設備之方法之示意圖；
第4圖及第5圖係根據例示性實施例繪示用於說明有機發光顯示設備的效果之比較例之示意圖；
第6圖係根據另一例示性實施例繪示製造有機發光顯示設備的方法之示意圖；以及
第7圖係根據另一例示性實施例繪示製造有機發光顯示設備方法之示意圖。
11‧‧‧基板
13‧‧‧有機發光單元
13a‧‧‧第一電極
13b‧‧‧中間層
13c‧‧‧第二電極
15‧‧‧有機層
17‧‧‧促進黏著層
19‧‧‧無機層

Claims (10)

  1. 一種有機發光顯示設備，其包括： 一基板； 一有機發光單元，形成在該基板上且包含一第一電極、一中間層及一第二電極之一層疊結構； 一有機層，形成在該有機發光單元上； 一第一促進黏著層，形成在該有機層上；以及 一第一無機層，形成在該第一促進黏著層上且包含一低溫黏性轉變(LVT)無機材料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第一促進黏著層包含金屬氧化物及有機金屬化合物中的至少一個。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該有機層亦形成在該基板上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該LVT無機材料包含氧化錫。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第一促進黏著層及該第一無機層亦形成在該基板上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該基板係為一可撓性基板。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其進一步包括： 一第二促進黏著層，形成在該第一無機層上；以及 一第二無機層，形成在該第二促進黏著層上且包含一第二LVT無機材料。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示設備，其中該第二促進黏著層及該第二無機層亦形成在該基板上。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示設備，其進一步包括在該第二無機層上之一封裝基板。
  10. 一種製造有機發光顯示設備的方法，該方法包括： 形成包含一第一電極、一中間層及一第二電極之一層疊結構的一有機發光單元在一基板上； 形成一有機層在該有機發光單元上； 形成包含金屬氧化物及有機金屬化合物中的至少一個的一第一促進黏著層在該有機層上；以及 形成包含一低溫黏性轉變(LVT)無機材料的一第一無機層在該第一促進黏著層上。
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