CN112599704B - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括阵列基板、位于该阵列基板上的发光器件层、位于该发光器件层上的封装层以及位于该封装层与该发光器件层之间的保护粘结层;其中,该保护粘结层的材料包括巯基或羟基,该保护粘结层中的巯基或羟基与该发光器件层或/和该封装层中的材料形成准离子键。本申请通过在发光器件层上设置包括巯基或羟基的保护粘结层,在保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间形成准离子键,增加了保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间的粘附力,延长了显示面板的使用寿命。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
近些年,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光半导体)显示面板迅速占领着中小尺寸以及大尺寸显示市场。
目前,OLED显示面板在阻隔水氧的封装层制作之前,会在发光器件层上形成一无机材料的过渡层,以防止在化学沉积封装层中的等离子气体或紫外光线破坏显示面板,该过渡层与发光器件层由于界面性的区别,容易导致过渡层与发光器件层分离,降低了显示面板的使用寿命。
因此,亟需一种显示面板及其制作方法以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制作方法,以解决目前过渡层与发光器件层由于界面性的区别,容易导致过渡层与发光器件层分离,降低了显示面板的使用寿命的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
一种显示面板,包括阵列基板、位于所述阵列基板上的发光器件层、位于所述发光器件层上的封装层以及位于所述封装层与所述发光器件层之间的保护粘结层;
其中,所述保护粘结层的材料包括巯基或羟基,所述保护粘结层中的巯基或羟基与所述发光器件层或/和所述封装层中的材料形成准离子键。
在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括位于所述发光器件层与所述保护粘结层之间的光耦合输出层,所述光耦合输出层包括银或/和镁;
其中,所述光耦合输出层中的银或/和镁与所述保护粘结层中的巯基或羟基形成准离子键。
在本申请的显示面板中,所述光耦合输出层中的镁的含量大于所述光耦合输出层中的银的含量。
在本申请的显示面板中,在所述发光器件层至所述保护粘结层的方向上,所述光耦合输出层中的银或/和镁的含量逐渐升高。
在本申请的显示面板中,所述光耦合输出层中的镁的含量大于所述光耦合输出层中的银的含量。
在本申请的显示面板中,所述封装层至少包括一无机层,所述无机层与所述保护粘结层接触设置,所述无机层的材料包括硅氧化合物或/和硅氮化合物;
在靠近所述保护粘结层的方向上,所述无机层中的硅元素化合价逐渐降低。
在本申请的显示面板中,在所述保护粘结层的中心至所述保护粘结层的边缘的方向上,所述保护粘结层中的巯基或羟基的含量逐渐升高。
在本申请的显示面板中,所述显示面板包括发光区及围绕所述发光区的非发光区,所述非发光区内的所述保护粘结层中的巯基或羟基的含量大于所述发光区内的所述保护粘结层中的巯基或羟基的含量。所述发光器件层包括靠近所述保护粘结层一侧的阴极层,所述阴极层包括银及镁,在所述阴极层的中心至所述阴极层的边缘的方向上,所述阴极中的银形成的准离子键的分布密度逐渐降低,所述阴极中的镁形成的准离子键的分布密度逐渐升高。
在本申请的显示面板中,所述保护粘结层的材料包括季戊四醇四巯基乙酸酯或/和季戊四醇四(2-巯基乙酸)酯;
或者,所述保护粘结层的材料包括季戊四醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷中的任意一种或多种的组合。
本申请还提供了一种显示面板的制作方法,所述显示面板的制作方法包括:
在阵列基板上形成发光器件层;
在所述发光器件层上形成包括巯基或羟基的保护粘结层;
在所述保护粘结层上形成至少包括一无机层的封装层;
其中,所述保护粘结层中的巯基或羟基与所述发光器件层或/和所述封装层中的所述无机层形成准离子键。
在本申请的显示面板的制作方法中,在所述发光器件层上形成包括巯基或羟基的保护粘结层之前,所述显示面板的制作方法还包括:
在所述发光器件层上形成包括银或/和镁的光耦合输出层;
其中,所述光耦合输出层中的银或/和镁与所述保护粘结层中的巯基或羟基形成准离子键。
有益效果:本申请通过在发光器件层上设置包括巯基或羟基的保护粘结层,在保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间形成准离子键,增加了保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间的粘附力,延长了显示面板的使用寿命。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请显示面板的第一种结构的结构示意图;
图2为本申请显示面板的第二种结构的结构示意图;
图3为本申请显示面板的第三种结构的结构示意图;
图4为本申请显示面板的第四种结构的结构示意图;
图5为本申请显示面板的第一种局部效果示意图;
图6为本申请显示面板的第二种局部效果示意图;
图7为本申请显示面板的第三种局部效果示意图;
图8为本申请显示面板的第四种局部效果示意图;
图9为本申请显示面板的第五种局部效果示意图;
图10为本申请显示面板的第六种局部效果示意图;
图11为本申请显示面板的制作方法的步骤流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
目前,OLED显示面板在阻隔水氧的封装层制作之前,会在发光器件层上形成一无机材料的过渡层,以防止在化学沉积封装层中的等离子气体或紫外光线破坏显示面板,该过渡层与发光器件层由于界面性的区别,容易导致过渡层与发光器件层分离,造成封装失效。
请参阅图1~图10,本申请公开了一种显示面板100,所述显示面板100包括阵列基板200、位于所述阵列基板200上的发光器件层300、位于所述发光器件层300上的封装层600以及位于所述封装层600与所述发光器件层300之间的保护粘结层400;
其中,所述保护粘结层400的材料包括巯基或羟基,所述保护粘结层400中的巯基或羟基与所述发光器件层300或/和所述封装层600中的材料形成准离子键。
本申请通过在发光器件层上设置包括巯基或羟基的保护粘结层,在保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间形成准离子键,增加了保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间的粘附力,延长了显示面板的使用寿命。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
所述显示面板100包括阵列基板200、位于所述阵列基板200上的发光器件层300、位于所述发光器件层300上的封装层600以及位于所述封装层600与所述发光器件层300之间的保护粘结层400。其中,所述保护粘结层400的材料包括巯基或羟基,所述保护粘结层400中的巯基或羟基与所述发光器件层300或/和所述封装层600中的材料形成准离子键,具体请参阅图1、图5。
本实施例中,所述发光器件层300包括位于所述阵列基板200上的阳极层310、位于所述阳极层310上的空穴注入层、位于所述空穴注入层上的空穴传输层、位于所述空穴传输层上的电子阻挡层、位于所述电子阻挡层上的单色发光层、位于所述单色发光层上的空穴阻挡层、位于所述空穴阻挡层上的电子传输层、位于所述电子传输层上的电子注入层以及位于所述电子注入层上的阴极层330。形成所述发光器件层300的工艺可以为蒸镀或者喷墨打印技术。所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子阻挡层、所述单色发光层、所述空穴阻挡层、所述电子传输层以及所述电子注入层构成发光材料层320,具体请参阅图2。
本实施例中,所述保护粘结层400的厚度为20埃米~1000埃米,以应对不同制程工艺的需要。
本实施例中,形成所述保护粘结层400的工艺可以为蒸镀或者喷墨打印技术。
本实施例中,所述保护粘结层400的材料包括季戊四醇四巯基乙酸酯或/和季戊四醇四(2-巯基乙酸)酯。多元的巯基可以进一步增加所述保护粘结层400与所述阴极层330中的银或/和镁之间形成的准离子键数量,从而增加所述保护粘结层400与所述阴极层330之间的粘附力,可以更有效地避免膜层之间脱落。
本实施例中,所述保护粘结层400的材料包括季戊四醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷中的任意一种或多种的组合。多元醇可以进一步增加所述保护粘结层400与所述阴极层330中的银或/和镁之间形成的准离子键数量,从而增加所述保护粘结层400与所述阴极层330之间的粘附力,可以更有效地避免膜层之间脱落。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述发光器件层300与所述保护粘结层400之间的光耦合输出层500,所述光耦合输出层500包括银或/和镁。所述光耦合输出层500可以配合微腔效应发挥的作用巨大,能够提高器件出光效率,同时能够减薄材料的厚度,达到节约材料降低成本的目的,所述光耦合输出层500一般为有机材料,在所述光耦合输出层500中添加银或/和镁,可以在所述保护粘结层400中的巯基或羟基与所述光耦合输出层500中的银或/和镁之间形成准离子键,从而增加所述保护粘结层400与所述光耦合输出层500之间的粘附力,可以更有效地避免膜层之间脱落,具体请参阅图3、图7。
本实施例中,在所述发光器件层300至所述保护粘结层400的方向上,所述光耦合输出层500中的银或/和镁的含量逐渐升高。在靠近所述保护粘结层400与所述光耦合输出层500的之间的接触面方向,将银或/和镁主要集中在靠近所述保护粘结层400一侧,可以提供更多的准离子键的形成机会,从而增加膜层的粘附力,所述光耦合输出层500中的银或/和镁的含量增多,可以进一步增加所述保护粘结层400与所述光耦合输出层500中的银或/和镁之间形成的准离子键数量,从而增加所述保护粘结层400与所述光耦合输出层500之间的粘附力,可以更有效地避免膜层之间脱落。
本实施例中,所述光耦合输出层500中的镁的含量大于所述光耦合输出层500中的银的含量,所述光耦合输出层500中的镁形成的准离子键大于所述光耦合输出层500中的银形成的准离子键,具体请参阅图8。镁相比于银金属性更强,镁与巯基或羟基形成的准离子键较强,可以提供更强的粘附力。
本实施例中,所述光耦合输出层500可以不包括银或/和镁,所述光耦合输出层500包括有机材料,同样可与所述保护粘结层400有粘附力,具体请参阅图3、图6。
本实施例中,所述光耦合输出层500的主体材料可以为一般现有的有机材料,其分子结构式如下所示:
式中,R1和R2独立的表示为具有高单线态能级和高三线态能级的芳香基团,即R1和R2为吸收光波段较窄的芳香基团,有利于降低所述光耦合输出层500材料对光的吸收,从而增大可见光在所述光耦合输出层500材料上的透过率。具体的,R1和R2独立的表示为咔唑基或其衍生物、二苯胺基或其衍生物、吩噻嗪基或其衍生物、吩恶嗪基或其衍生物、吖啶基或其衍生物、具有一个或多个选自N、O、S及Si的杂原子的五元或六元杂环芳香基。所述光耦合输出层500的主体材料可以为一种材料或者多种材料的组合,在此只做举例不做限制。
本实施例中,形成所述光耦合输出层500的工艺可以为蒸镀或者喷墨打印技术。
本实施例中,在不设置所述光耦合输出层500时,所述保护粘结层400可以在一定程度上起到光耦合传输的作用。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述保护粘结层400上的封装层600,所述封装层600至少包括一无机层,所述无机层与所述保护粘结层400接触设置。所述无机层的材料包括硅氧化合物或/和硅氮化合物,所述保护粘结层400中的巯基或羟基可以与硅原子形成准离子键,具体请参阅图5~图10,准离子键可以理解为电子的偏移而形成的,可以提高分子间作用力,增加了保护粘结层400与封装层600之间的粘附力,形成的准离子键是普通物理吸附强度的3倍到10倍,可以有效地避免膜层之间脱落。
本实施例中,在靠近所述保护粘结层400的方向上,所述无机层中的硅元素化合价逐渐降低,具体请参阅图9。以硅氧化物为例,氧化硅中的硅化合价比二氧化硅中的硅化合价低,氧化硅中的硅更容易与巯基或羟基形成准离子键,同时形成的准离子键也更强,从而增加所述保护粘结层400与所述封装层600之间的粘附力,可以更有效地避免膜层之间脱落。
本实施例中,在靠近所述保护粘结层400的方向上,所述无机层中的第一化合价的硅元素的分布密度大于所述无机层中的第二化合价的硅元素的分布密度,所述第一化合价大于所述第二化合价。将较高化合价的硅元素靠近保护粘结层400,粘附力较小,将较低化合价的硅元素靠近保护粘结层400,粘附力较大,从而使各点位的粘附力趋于平衡,有利于粘附力分布的均一,避免粘附力不均造成凹陷或撕裂。
本实施例中,所述封装层600包括第一无机层、位于所述第一无机层上的第一有机层以及位于所述第一有机层上的第二无机层。所述第一无机层与所述保护粘结层400接触设置。采用无机-有机-无机的封装方式,可以进一步增加阻隔水氧的效果,保护显示面板100。
本实施例中,所述保护粘结层400以及所述发光器件层300在所述阵列基板200上的正投影位于所述阵列基板200之内,所述封装层600完全覆盖所述保护粘结层400以及所述发光器件层300,所述封装层600与所述阵列基板200搭接,具体请参阅图4。
本实施例中,形成所述封装层600的工艺可以为化学沉积、原子层沉积、喷墨打印中的任意一种,在此不做限定。
本实施例中,所述发光器件层300包括靠近所述保护粘结层400一侧的阴极层330,所述阴极层330的材料为银或/和镁,具体请参阅图5。所述保护粘结层400中的巯基或羟基可以与所述阴极层330中的银或/和镁原子之间形成准离子键,增加了保护粘结层400与阴极层330之间的粘附力,形成的准离子键是普通物理吸附强度的3倍到10倍,可以有效地避免膜层之间脱落。
本实施例中,所述阴极层330包括银及镁,在所述阴极层330的中心至所述阴极层330的边缘的方向上,所述阴极中的银形成的准离子键的分布密度逐渐降低,所述阴极中的镁形成的准离子键的分布密度逐渐升高,具体请参阅图10。镁相比于银金属性更强,镁与巯基或羟基形成的准离子键较强,可以提供更强的粘附力,而银相对于镁,导电性更强,在所述阴极层330的中心至所述阴极层330的边缘的方向上,银的分布密度逐渐减小,镁的分布密度逐渐增大,实现所述阴极层330中心的电阻率更小,同时实现显示均匀。
本实施例中,所述空穴注入层可以由聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐制成,所述空穴传输层可以由聚(4-丁基苯基-二苯基胺)(聚TPD)制成。所述电子传输层可以由基于二唑的、基于三唑的、基于苯并唑的、基于苯并噻唑的、基于苯并咪唑的或基于三嗪的有机化合物制成,例如,可以由2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(PBD)制成,所述电子传输层可以为一种材料或者多种材料的组合,在此只做举例不做限制。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述阳极层310与所述空穴注入层之间的像素定义层。所述像素定义层包括多个第一开口,所述第一开口使所述阳极层310裸露,以使所述阳极层310与所述空穴注入层电连接。
本实施例中,所述阵列基板200包括衬底、位于所述衬底上的缓冲层以及位于所述缓冲层上的驱动电路层。
本实施例中,所述驱动电路层包括有源层、栅极层以及源漏极层。
本申请通过在发光器件层上设置包括巯基或羟基的保护粘结层,在保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间形成准离子键,增加了保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间的粘附力,延长了显示面板的使用寿命。
请参阅图1~图11,本申请还公开了一种显示面板100的制作方法,包括:
S100、在阵列基板200上形成发光器件层300。
S200、在所述发光器件层300上形成包括巯基或羟基的保护粘结层400。
S300、在所述保护粘结层400上形成至少包括一无机层的封装层600。
其中,所述保护粘结层400中的巯基或羟基与所述发光器件层300或/和所述封装层600中的所述无机层形成准离子键。
本申请通过在发光器件层上设置包括巯基或羟基的保护粘结层,在保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间形成准离子键,增加了保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间的粘附力,延长了显示面板的使用寿命。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
所述显示面板100的制作方法包括:
S100、在阵列基板200上形成发光器件层300。
本实施例中,步骤S100包括:
S110、提供一阵列基板200。
本实施例中,步骤S110包括:
S111、在衬底上形成缓冲层。
S112、在所述缓冲层上形成驱动电路层,以形成阵列基板200。
本实施例中,所述驱动电路层包括有源层、栅极层以及源漏极层。
S120、在所述阵列基板200上形成发光器件层300。
本实施例中,步骤S120包括:
S121、在所述阵列基板200上形成阳极层310。
S122、在所述阳极层310上形成空穴注入层。
S123、在所述空穴注入层上形成空穴传输层。
S124、在所述空穴传输层上形成电子阻挡层。
S125、在所述电子阻挡层上形成单色发光层。
S126、在所述单色发光层上形成空穴阻挡层。
S127、在所述空穴阻挡层上形成电子传输层。
S128、在所述电子传输层上形成电子注入层。
S129、在所述电子注入层上形成阴极层330,以形成发光器件层300。
本实施例中,所述空穴注入层可以由聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐制成,所述空穴传输层可以由聚(4-丁基苯基-二苯基胺)(聚TPD)制成。所述电子传输层可以由基于二唑的、基于三唑的、基于苯并唑的、基于苯并噻唑的、基于苯并咪唑的或基于三嗪的有机化合物制成,例如,可以由2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(PBD)制成,所述电子传输层可以为一种材料或者多种材料的组合,在此只做举例不做限制。
本实施例中,所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子阻挡层、所述单色发光层、所述空穴阻挡层、所述电子传输层以及所述电子注入层构成发光材料层320,具体请参阅图2。
本实施例中,在步骤S121还包括:
S121a、在所述阳极层310以及所述阵列基板200上形成包括多个第一开口的像素定义层。
本实施例中,所述第一开口使所述阳极层310裸露,以使所述阳极层310与所述空穴注入层电连接。
S200、在所述发光器件层300上形成包括巯基或羟基的保护粘结层400。
本实施例中,所述发光器件层300包括靠近所述保护粘结层400一侧的阴极层330,所述阴极层330的材料为银或/和镁,具体请参阅图5。所述保护粘结层400中的巯基或羟基可以与所述阴极层330中的银或/和镁之间形成准离子键,增加了保护粘结层400与阴极层330之间的粘附力,形成的准离子键是普通物理吸附强度的3倍到10倍,可以有效地避免膜层之间脱落。
本实施例中,所述阴极层330包括银及镁,在所述阴极层330的中心至所述阴极层330的边缘的方向上,所述阴极中的银形成的准离子键的分布密度逐渐降低,所述阴极中的镁形成的准离子键的分布密度逐渐升高,具体请参阅图10。镁相比于银金属性更强,镁与巯基或羟基形成的准离子键较强,可以提供更强的粘附力,而银相对于镁,导电性更强,在所述阴极层330的中心至所述阴极层330的边缘的方向上,银的分布密度逐渐减小,镁的分布密度逐渐增大,实现所述阴极层330中心的电阻率更小,同时实现显示均匀。
本实施例中,所述保护粘结层400的厚度为20埃米~1000埃米,以应对不同制程工艺的需要。
本实施例中,形成所述保护粘结层400的工艺可以为蒸镀或者喷墨打印技术。
本实施例中,所述保护粘结层400的材料包括季戊四醇四巯基乙酸酯或/和季戊四醇四(2-巯基乙酸)酯。多元的巯基可以进一步增加所述保护粘结层400与所述阴极层330中的银或/和镁之间形成的准离子键数量,从而增加所述保护粘结层400与所述阴极层330之间的粘附力,可以更有效地避免膜层之间脱落。
本实施例中,所述保护粘结层400的材料包括季戊四醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷中的任意一种或多种的组合。多元醇可以进一步增加所述保护粘结层400与所述阴极层330中的银或/和镁之间形成的准离子键数量,从而增加所述保护粘结层400与所述阴极层330之间的粘附力,可以更有效地避免膜层之间脱落。
本实施例中,在步骤S200之前还包括:
S130、在所述发光器件层300上形成光耦合输出层500,所述光耦合输出层500包括银或/和镁。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述发光器件层300与所述保护粘结层400之间的光耦合输出层500,所述光耦合输出层500包括银或/和镁,具体请参阅图3、图7。所述光耦合输出层500可以配合微腔效应发挥的作用巨大,能够提高器件出光效率,同时能够减薄材料的厚度,达到节约材料降低成本的目的,所述光耦合输出层500一般为有机材料,在所述光耦合输出层500中添加银或/和镁,可以在所述保护粘结层400中的巯基或羟基与所述光耦合输出层500中的银或/和镁之间形成准离子键,从而增加所述保护粘结层400与所述光耦合输出层500之间的粘附力,可以更有效地避免膜层之间脱落。
本实施例中,在所述发光器件层300至所述保护粘结层400的方向上,所述光耦合输出层500中的银或/和镁的含量逐渐升高。在靠近所述保护粘结层400与所述光耦合输出层500的之间的接触面方向,所述光耦合输出层500中的银或/和镁的含量增多,可以进一步增加所述保护粘结层400与所述光耦合输出层500中的银或/和镁之间形成的准离子键数量,从而增加所述保护粘结层400与所述光耦合输出层500之间的粘附力,可以更有效地避免膜层之间脱落。
本实施例中,所述光耦合输出层500中的镁的含量大于所述光耦合输出层500中的银的含量,所述光耦合输出层500中的镁形成的准离子键大于所述光耦合输出层500中的银形成的准离子键,具体请参阅图8。镁相比于银金属性更强,镁与巯基或羟基形成的准离子键较强,可以提供更强的粘附力。
本实施例中,所述光耦合输出层500可以不包括银或/和镁,所述光耦合输出层500包括有机材料,同样可与所述保护粘结层400有粘附力,具体请参阅图3、图6。
本实施例中,形成所述光耦合输出层500的工艺可以为蒸镀或者喷墨打印技术。
本实施例中,在不设置所述光耦合输出层500时,所述保护粘结层400可以在一定程度上起到光耦合传输的作用。
本实施例中,所述光耦合输出层500的主体材料可以为现有的有机材料,其分子结构式如下所示:
式中,R1和R2独立的表示为具有高单线态能级和高三线态能级的芳香基团,即R1和R2为吸收光波段较窄的芳香基团,有利于降低所述光耦合输出层500材料对光的吸收,从而增大可见光在所述光耦合输出层500材料上的透过率。具体的,R1和R2独立的表示为咔唑基或其衍生物、二苯胺基或其衍生物、吩噻嗪基或其衍生物、吩恶嗪基或其衍生物、吖啶基或其衍生物、具有一个或多个选自N、O、S及Si的杂原子的五元或六元杂环芳香基。所述光耦合输出层500的主体材料可以为一种材料或者多种材料的组合,在此只做举例不做限制。
本实施例中,所述显示面板100的制作方法还包括:
S300、在所述保护粘结层400上形成至少包括一无机层的封装层600。
本实施例中,所述保护粘结层400中的巯基或羟基与所述发光器件层300或/和所述封装层600中的所述无机层形成准离子键。
本实施例中,所述无机层的材料包括硅氧化合物或/和硅氮化合物,所述保护粘结层400中的巯基或羟基可以与硅原子形成准离子键,增加了保护粘结层400与封装层600之间的粘附力,形成的准离子键是普通物理吸附强度的3倍到10倍,可以有效地避免膜层之间脱落,具体请参阅图1、图5~图10。
本实施例中,在靠近所述保护粘结层400的方向上,所述无机层中的硅元素化合价逐渐降低,具体请参阅图9。以硅氧化物为例,氧化硅中的硅化合价比二氧化硅中的硅化合价低,氧化硅中的硅更容易与巯基或羟基形成准离子键,同时形成的准离子键也更强,从而增加所述保护粘结层400与所述封装层600之间的粘附力,可以更有效地避免膜层之间脱落。
本实施例中,在靠近所述保护粘结层400的方向上,所述无机层中的第一化合价的硅元素的分布密度大于所述无机层中的第二化合价的硅元素的分布密度,所述第一化合价大于所述第二化合价。将较高化合价的硅元素靠近保护粘结层400,粘附力较小,将较低化合价的硅元素靠近保护粘结层400,粘附力较大,从而使各点位的粘附力趋于平衡,有利于粘附力分布的均一,避免粘附力不均造成凹陷或撕裂。
本实施例中,步骤S300包括:
S310、在所述保护粘结层400上形成第一无机层。
S320、在所述第一无机层上形成第一有机层。
S330、在所述第一有机层上形成第二无机层。
本实施例中,所述封装层600采用无机-有机-无机的封装方式,所述第一无机层与所述保护粘结层400接触设置,可以进一步增加阻隔水氧的效果,保护显示面板100。
本实施例中,所述保护粘结层400以及所述发光器件层300在所述阵列基板200上的正投影位于所述阵列基板200之内,所述封装层600完全覆盖所述保护粘结层400以及所述发光器件层300,所述封装层600与所述阵列基板200搭接,具体请参阅图4。
本实施例中,形成所述封装层600的工艺可以为化学沉积、原子层沉积、喷墨打印中的任意一种,在此不做限定。
本申请通过在发光器件层上设置包括巯基或羟基的保护粘结层,在保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间形成准离子键,增加了保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间的粘附力,延长了显示面板的使用寿命。
本申请还公开了一种显示装置,所述显示装置包括如任一上述的显示面板100。
所述显示面板100的具体结构请参阅任一上述显示面板100的实施例以及附图。
所述显示装置还包括位于所述显示面板100上的盖板层。
本申请通过在发光器件层上设置包括巯基或羟基的保护粘结层,在保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间形成准离子键,增加了保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间的粘附力,延长了显示面板的使用寿命。
本申请公开了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括阵列基板、位于该阵列基板上的发光器件层、位于该发光器件层上的封装层以及位于该封装层与该发光器件层之间的保护粘结层;其中,该保护粘结层的材料包括巯基或羟基,该保护粘结层中的巯基或羟基与该发光器件层或/和该封装层中的材料形成准离子键。本申请通过在发光器件层上设置包括巯基或羟基的保护粘结层,在保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间形成准离子键,增加了保护粘结层与发光器件层或/和封装层之间的粘附力,延长了显示面板的使用寿命。
以上对本申请实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (8)
1.一种显示面板,其特征在于,包括阵列基板、位于所述阵列基板上的发光器件层、位于所述发光器件层上的封装层以及位于所述封装层与所述发光器件层之间的保护粘结层;
其中,所述保护粘结层的材料包括巯基或羟基,所述保护粘结层中的巯基或羟基与所述发光器件层或/和所述封装层中的材料形成准离子键,所述显示面板还包括位于所述发光器件层与所述保护粘结层之间的光耦合输出层,所述光耦合输出层包括银或/和镁,所述光耦合输出层中的银或/和镁与所述保护粘结层中的巯基或羟基形成准离子键。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光耦合输出层中的镁的含量大于所述光耦合输出层中的银的含量。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述发光器件层至所述保护粘结层的方向上,所述光耦合输出层中的银或/和镁的含量逐渐升高。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述封装层至少包括一无机层,所述无机层与所述保护粘结层接触设置,所述无机层的材料包括硅氧化合物或/和硅氮化合物;
在靠近所述保护粘结层的方向上,所述无机层中的硅元素化合价逐渐降低。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在所述保护粘结层的中心至所述保护粘结层的边缘的方向上,所述保护粘结层中的巯基或羟基的含量逐渐升高。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光器件层包括靠近所述保护粘结层一侧的阴极层,所述阴极层包括银及镁,在所述阴极层的中心至所述阴极层的边缘的方向上,所述阴极中的银形成的准离子键的分布密度逐渐降低,所述阴极中的镁形成的准离子键的分布密度逐渐升高。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保护粘结层的材料包括季戊四醇四巯基乙酸酯或/和季戊四醇四(2-巯基乙酸)酯;
或者,所述保护粘结层的材料包括季戊四醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷中的任意一种或多种的组合。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板的制作方法包括:
在阵列基板上形成发光器件层;
在所述发光器件层上形成包括巯基或羟基的保护粘结层;
在所述保护粘结层上形成至少包括一无机层的封装层;
其中,在所述发光器件层上形成包括巯基或羟基的保护粘结层之前,所述显示面板的制作方法还包括:
在所述发光器件层上形成包括银或/和镁的光耦合输出层;
其中,所述保护粘结层中的巯基或羟基与所述发光器件层或/和所述封装层中的所述无机层形成准离子键,所述光耦合输出层中的银或/和镁与所述保护粘结层中的巯基或羟基形成准离子键。
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