TW201504750A - 用於判定物件上之缺陷位置之系統及方法，座標量測單元及用於座標量測單元之電腦程式 - Google Patents

用於判定物件上之缺陷位置之系統及方法，座標量測單元及用於座標量測單元之電腦程式 Download PDF

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Abstract

本發明揭示用於判定物件上之缺陷位置之一種系統、一種方法及一種座標量測儀。一介面經提供使得來自檢驗裝置之對齊及座標資訊可發送至該座標量測儀。一特殊照明及偵測配置係與複數個光學元件一起使用以自在未圖案化物件上之缺陷獲得一信號。該照明及偵測配置之光源係用於提供一部分同調光束之一雷射光源。一電腦自由該偵測器陣列所提供之資料及來自該檢驗裝置之該物件之該對齊及座標資訊計算在該物件上之該缺陷之一位置。

Description

用於判定物件上之缺陷位置之系統及方法，座標量測單元及用於座標量測單元之電腦程式 [相關申請案之交叉參考]
此專利申請案主張2013年6月14日申請之美國臨時專利申請案第61/834,987號之優先權利，該申請案以引用之方式併入本文中。
本發明係關於用於判定物件上之缺陷位置之一系統。
本發明亦係關於用於判定物件上之缺陷位置之一方法。
另外，本發明係關於用於判定物件上之缺陷位置之一座標量測儀。
此外，本發明係關於用於一座標量測儀以判定物件上之至少一個缺陷之一位置之一電腦程式。
美國專利7,903,259號揭示用於判定物件上之一結構關於一座標系之位置之一裝置。該物件放置於可在一個平面中移動之一測量桌上，其中一塊界定該平面。提供至少一個光學配置用於透射光照明及/或反射光照明。該光學配置包括用於反射光照明及/或透射光照明之一照明設備。
美國專利申請案US 2013/017475 A1號揭示高敏感度偵測存在於一胚料光罩中之一相位缺陷與在製造一圖案化EUV光罩後剩餘之一相位缺陷兩者之一光方法。藉由使用一暗場成像光學系統，使用一中心屏蔽部分屏蔽EUV光且使用一線性屏蔽部分屏蔽寬度小於該中心屏蔽部分之一直徑之該EUV光。不存在量測在一EUV光罩上之一缺陷之位置之揭示。
國際專利申請案WO2010/148293號揭示對EUV圖案化光罩、胚料光罩及由EUV圖案化光罩產生之圖案化晶圓之一檢驗。此需要在影像平面處之一高放大倍率及一大視野。一EUV檢驗系統包含導引至一受檢驗表面之一光源、用於偵測自該受檢驗表面偏轉之光之一偵測器，及用於將該光自該受檢驗表面導引至該偵測器之一光學組態。特定言之，該偵測器可包含複數個感測器模組。另外，該光學組態可包含複數個反射鏡，其等在小於5米長之一光學路徑內提供至少100X之放大倍率。
美國專利申請案US 2011/181868 A1號為包含極小缺陷之表面缺陷提供檢驗方法及用於檢驗物件之系統，諸如極紫外線(EUV)光罩胚料。缺陷可包含各種相位物件，諸如僅具有約1奈米之高度之凸起及凹坑，及小顆粒。在小於約250奈米之波長處執行檢驗，諸如一再組態之深UV檢驗系統。一部分同調西格瑪(sigma)設定於約0.15至0.5之間。可藉由使用一或多個散焦檢驗程序而(例如)在一個正焦深與一個負焦深處發現相位缺陷。在特定實施例中，焦深在約-1至-3及/或+1至+3之間。多個檢驗程序之結果可經結合以區分缺陷類型。檢驗方法可涉及應用匹配過濾器、臨限及/或修正因數以改良一信雜比。
如上文揭示之標準方法係使用一檢驗系統來偵測且定位該等相位缺陷。當前檢驗系統之該限制係該等檢驗系統經設計用於高速應用且不具有次30奈米缺陷定位精確度所需之精確之載台干涉儀及環境控 制。相位缺陷可由最先進之比例光罩檢驗系統(例如，TERON 630；KLA Tencor Corp.之產品)偵測，然而此等系統不能提供足夠精確之位置訊息以使用上文提及之軟體且主要消費者要求較高(小於30奈米)之缺陷位置精確度。
EUV光罩(未圖案化物件)需要製造成零缺陷。然而，EUV光罩製造之難度已迫使產業尋找將接受一些會良率極限(yield limiting)之相位缺陷之折衷解決方案。為緩和此等相位缺陷之效應，各種供應者已開發軟體來避免將關鍵結構放於一相位缺陷之位置處。此軟體僅在以低於30奈米之一精確度熟知所有偵測出之相位缺陷之位置時才係可行的。
本發明之一目標係提供一系統來以極高精確度量測物件(尤其係EUV光罩胚料)上之相位缺陷之位置，其中該精確度應容許具有少於30奈米之一不確定性之該等相位缺陷位置之一判定。
藉由用於判定物件上之缺陷之位置之一系統實現該目標，其包括：˙一設備，其具有用於物件之一座標量測單元及一檢驗單元；及˙一介面，其用於將對齊及座標資訊自該檢驗單元發送至該座標量測單元機。
本發明之一進一步目標係提供用於以極高精確度量測物件(尤其係EUV光罩胚料)上之相位缺陷之位置之一方法，其中該精確度應使得相位缺陷位置之一判定具有少於30奈米之一不確定性。
藉由用於判定物件上之缺陷之位置之一方法實現該目標，其包括下列步驟：˙將由一設備之一檢驗單元取得之至少一個缺陷之對齊及座標 資訊傳送至一設備之一座標量測單元；˙對該座標量測單元產生具有少於約300奈米之一波長之一照明光束；˙根據由一檢驗裝置傳送之該對齊及座標資訊定位該座標量測儀之一量測載台；˙用該照明光束穿過一組光學元件照明該物件；˙沿一Z座標方向設定一量測物鏡之至少各種散焦位置且用一相機之一偵測器陣列在各Z位置處獲得一資料集；˙自在特定散焦位置處之獲得之該資料集判定一相位缺陷，其中該資料集經過濾；且˙藉由透過一長度計以高精確度及高取樣率量測在X座標方向及Y座標方向上之該載台之位置而量測該相位缺陷之位置。
本發明之一額外目標係提供經調適成以極高精確度量測物件(尤其係EUV光罩胚料)上之相位缺陷之位置之一座標量測儀，其中精確度應容許具有少於30奈米之一不確定性之該等相位缺陷位置之一量測。
藉由一座標量測儀實現以上目標，該座標量測儀包括：˙一量測載台，其用於在一X座標方向及一Y座標方向上移動物件且配備有用於藉由以高精確度及高取樣率量測在該X座標方向及該Y座標方向上之該載台之該位置而量測一相位缺陷之位置之一長度計；˙一照明及偵測配置，其具有用於該物件之反射光照明之一光源、一量測物鏡，及經配置用於偵測自該物件反射且由該量測物鏡聚集之光之一強度之一偵測器陣列；˙一移位裝置，其用於沿一Z座標方向移動該量測物鏡以設定不同之焦點位置；及 ˙一電腦，其用於接收來自該偵測器陣列在各種焦點位置處取得之至少一個缺陷之一組影像資料且用於判定來自該等各種焦點位置之該影像資料集，其適用於量測在該X座標方向及該Y座標方向上之該物件上之該缺陷之一位置。
本發明之一額外目標係提供用於一座標量測儀之一電腦程式，其容許以極高精確度量測物件(尤其係EUV光罩胚料)上之相位缺陷之位置，其中該精確度應使得相位缺陷位置之一判定具有少於30奈米之一不確定性。
藉由用於一座標量測儀之一電腦程式實現以上目標，其包括：˙將該量測物鏡設定至相對於一物件之至少一個散焦位置；˙在該至少一個散焦位置處由一偵測器陣列取得至少一個影像，其中各影像係由複數個像素組成，複數個像素之各者在該至少一個散焦位置處提供一強度信號I(x,y,f)；˙應用一過濾器；˙提供該至少一個散焦位置之一經過濾之輸出影像資料集w(X,Y)；˙若|w(X,Y)|超過一預定臨限，則偵測在該物件上之一位置X,Y處之至少一個缺陷；且˙透過一雙程干涉儀構件來量測該至少一個缺陷之一位置，該雙程干涉儀構件與該座標量測儀之一量測載台具有一已知關係。
該座標量測單元必須執行三個步驟。第一，再偵測由該檢驗單元偵測之該缺陷。第二，必須計算該缺陷之一些幾何參數，例如，重心。第三，執行該重心之精確位置之判定。此「匹配過濾器方法」係該較佳之方法。取決於該缺陷信號之性質，亦可採用一過濾器之其他實施例。
缺陷偵測演算法存在另一實施例。該缺陷偵測可基於該缺陷信號之統計資料。在一「訓練」階段期間，一參考物件(EUV光罩胚料)具有若干植入且已知之相位缺陷。在一訓練階段期間，判定該缺陷信號Itraining(x,y,f)之一概率分佈函數(PDF)。使用具有一特定臨限之假設驗證(或其他統計方法)而基於該得知之缺陷PDF而自Imeasurement(x,y,f)資料偵測該缺陷像素或若干像素。
根據一項可能之實施例，該檢驗單元及座標量測單元可併入具有兩個不同成像/偵測模式之相同且單一設備中。足夠快速來覆蓋整個基板(光罩)之一檢驗模式(但用受限制之座標精確度來)偵測該等缺陷。一計量模式用次30奈米之座標精確度來再偵測缺陷之定位或位置。
本發明系統包括具有用於物件之一座標量測單元及一檢驗單元之一設備，該等物件例如係EUV光罩胚料。該座標量測單元及該檢驗單元經由一內部介面共用所獲得之資料，以接收來自該檢驗單元之對齊及座標資訊。檢驗單元係為高速而設計且不具有次30奈米之缺陷位置精確度所需之精確之載台長度計及環境控制。根據一項實施例，該系統具有一個單一設備、一座標量測單元及一檢驗單元。在此情況下，該設備具有一載台，其滿足一座標量測單元及該檢驗單元之精確度需求。該系統經調適以檢驗且判定在圖案化及/或未圖案化物件上之缺陷之重心位置。
根據本發明之一進一步實施例，該設備包括一座標量測單元，其與該檢驗單元局部分離。在此情況下，該檢驗單元不需要具有次30奈米缺陷位置精確度所需之精確之載台長度計及環境控制。因此，該座標量測單元可使用來自該檢驗單元之該對齊及座標資訊，以將該量測載台快速移動至由該檢驗單元偵測之基板上之一缺陷之位置，且執行用於以所需精確度量測該缺陷位置或判定該缺陷之重心位置之程序 步驟。於此描述之該實施例具有一檢驗單元及一座標量測單元，其等依序操作。該資訊受限於自該檢驗單元流至該座標量測單元。該系統經調適以檢驗且判定在圖案化及/或未圖案化物件上之缺陷之重心位置。
不管體現為具有一檢驗單元或兩個局部分離之單元之一單一設備，該座標量測單元皆具有用於在一X座標方向及一Y座標方向上移動物件之一量測載台。該座標量測單元之一照明及偵測配置配備有用於該物件之反射光照明之一光源。一量測物鏡及一偵測器陣列經配置用於偵測自該物件反射且由該量測物鏡聚集之光之一強度。一移位裝置經提供用於沿一Z座標方向移動該量測物鏡以設定不同焦點位置。憑藉該偵測器陣列，每焦點位置擷取至少一個資料集。一電腦經提供用於自該偵測器陣列接收在該物件上之至少一個缺陷在各種焦點位置處之該資料集。另外，該電腦接收來自該檢驗裝置之該對齊及座標資訊。最後，利用該電腦，使用產生之所有該資訊及資料來計算在該物件上之該缺陷之一位置。
該照明及偵測配置之該光源係一雷射光源。該雷射光源提供一光束以用部分同調光照明該物件。熟習此項技術者明白該雷射光可係非偏振的或偏振的。在該雷射光係偏振的情況下，其可係圓形偏振的或線性偏振的。根據一項實施例，該雷射光源係一脈衝雷射光源且該偵測器陣列係用於緩和振動及不當模糊之效應之一CCD感測器。該雷射光源亦可係一連續波雷射光源且該感測器可係一CCD感測器或一TDI感測器。該雷射光源可係一脈衝雷射光源且該感測器亦可係一CCD感測器或一TDI感測器。在該偵測器陣列係一TDI感測器的情況下，一連續積分導致一較高之信雜比。
該照明及偵測配置具有一照明瞳，其提供西格瑪小於0.25之低西格瑪照明設置。該照明及偵測配置包含量測物鏡及管透鏡。有別於檢 驗系統(其中焦點偏移係次要的)，一配準量測系統需要在該物件(光罩)上之各點處獲得精確焦點或散焦資訊。為實現此，該量測物件使用一焦點偏移產生器模組，其容許在不同焦點偏移處將該成像場拆分為一馬賽克影像。該缺陷信號之對比/信雜比可藉由將特殊振幅及/或相位過濾器添加至該照明及/或成像瞳中而增加。以此方式，可增加缺陷位置之精確度及/或減小可偵測缺陷之大小。此外，該照明及偵測配置具有一第一分束器，其將來自該光源之光經由該量測物鏡導引穿過該照明瞳至該物件上。利用一第二分束器，將來自該物件之反射光經由一成像瞳及一管透鏡導引至該偵測器上。
一氣候腔室圍繞至少該座標量測單元以控制環境參數，諸如溫度、壓力及空中擾流。該等環境參數之改變會影響成像條件及載台位置量測，進而污染配準或位置量測。熟習此項技術者明白該量測載台之位置量測可用若干習知長度計方法來執行。一個可能的方法使用一雙程干涉儀。傳統配準量測工具採用一嚴格控制於數毫凱氏度(milli-kelvin)內之腔室來穩定該量測。
該電腦具有經實施用於計算一像素位置之強度值之一演算法。由該量測物鏡沿Z座標方向在各種焦點位置處取得複數個資料集。缺陷訊跡分佈於所有焦平面中。取決於缺陷之形狀及大小，信雜比跨焦點改變。同樣地，過濾大體上係在偵測之前。相位缺陷在各種散焦位置處提供一信號(資料集)，其需要被偵測且被過濾。在各種散焦位置處擷取可對一使用者展示為影像之該資料集會導致信號對雜訊增強，產生對較小(較小SEVD(球形等效體積直徑))缺陷之量測能力。
該座標量測單元具有用於在一X座標方向及一Y座標方向上移動該物件之一量測載台。用一長度計判定該量測載台之準確位置。根據本發明之一項可能之實施例，該長度計可係一雙程干涉儀構件。一可能之長度計之另一實施例可係一玻璃尺。該照明及偵測配置具有用於 該物件之反射光照明之一光源、一量測物鏡，及經配置用於偵測自該物件反射且由該量測物鏡聚集之光之一強度之一偵測器陣列。藉由沿Z座標方向移動該量測物鏡之移位裝置實現不同散焦位置。該座標量測單元之該電腦採用各種函數。該電腦之主要態樣係執行容許在X座標方向及Y座標方向上量測該物件上之至少一個缺陷之一位置之一演算法。該缺陷之位置係指該物件上之一座標系。
該座標量測單元具有與該電腦通信之一介面，其用於接收來自該檢驗單元之對齊及座標資訊。該量測載台提供構件來以可變速度掃描該物件且能夠與雷射脈衝及/或偵測器陣列同步。根據本發明之一項實施例，透過一雙程干涉儀(其中使用一波長修正系統(標準具(Etalon))修正空氣折射率之改變)以高精確度及高取樣率量測該載台之位置。
用一座標量測單元執行本發明方法以判定在圖案化或未圖案化物件(EUV光罩胚料)上之缺陷。至少一個缺陷之對齊及座標資訊自該檢驗裝置傳送至該座標量測儀。產生一光束，其具有小於約300奈米之一波長。該光束經導引穿過一組光學元件至該物件上且自該未圖案化物件至該偵測器陣列。該組光學元件包括在一Z座標方向上可移動用於設定一所需散焦位置之一量測物鏡。該偵測器陣列經配置用於偵測自該物件反射且由該量測物鏡聚集之光之強度。一第一分束器將來自該光源之光經由該量測物鏡導引至該物件上。一第二分束器將來自未圖案化物件之反射光經由一成像瞳及一管透鏡導引至該偵測器陣列上。
本發明方法使用一演算法以自在各種散焦位置處擷取之至少一個資料集計算一重心來再偵測在圖案化或未圖案化基板上之一缺陷。該資料集或影像資料由該偵測器陣列擷取。存在特徵化該缺陷之幾何結構之一額外步驟，例如計算重心。接著用該座標量測單元量測該所 識別之缺陷之位置。該演算法自對於包含該缺陷之一影像之所有像素位置之強度值I(x,y)且自由該偵測器陣列取得之複數個影像而計算，其中對於各影像，該量測物鏡沿Z座標方向定位於一不同焦點位置處。自在該等不同散焦位置處之該等不同資料集或影像堆疊，獲得在各種散焦位置處之該缺陷之至少一個資料集或至少一個影像。該等資料集或影像容許量測該缺陷在該圖案化或未圖案化物件上之位置及尺寸。根據本發明之一較一般之實施例，在該等資料集或影像之焦點堆疊中(3D之匹配過濾器)再偵測缺陷訊跡，其中所有資料集或影像促成該缺陷信號。
該電腦程式亦執行該缺陷之量測程序。在至少一個散焦位置處由該偵測器陣列取得至少一個影像或擷取至少一個資料集。自該複數個資料集或影像，計算一衍生資料集或影像。該衍生影像或衍生資料集係由複數個像素組成，其等之各者在該至少一個散焦位置f處提供一強度信號I(x,y,f)。自該衍生資料集或影像，判定一重心，其用於用該座標量測單元來判定該缺陷之位置。接著一應用函數提供該至少一個散焦位置之一經更改之輸出影像資料集w(X,Y)。該經更改之輸出影像資料集w(X,Y)容許偵測在該物件上之一位置X,Y處之至少一個缺陷。若|w(X,Y)|超過一預定臨限，則偵測一缺陷。一旦偵測該缺陷，即用該座標量測儀量測該缺陷之位置。在該座標量測單元之該座標系、該量測載台之該座標系與該物件之該座標系之間存在一界定之關係。利用此關係，可以所需之精確度獲得該缺陷在該物件上之位置。
根據本發明之一項實施例，該函數係一過濾器。
在該電腦程式之一替代實施例中，該函數係一概率分佈函數。在具有若干植入且已知之相位缺陷之一參考物件之一訓練階段時期，判定該概率分佈函數。基於該所得概率分佈函數，用一統計方法在一待被檢驗之物件上偵測該物件上之缺陷。該統計方法可係一假設驗 證。
本文描述之新穎位置量測方法可用於判定物件(尤其係EUV光罩胚料)及其他半導體組件上之缺陷之位置。在一特定實例中，使用一經特定組態之深紫外(DUV)光罩量測系統來量測一多層EUV光罩胚料之相位缺陷(諸如凸起及凹坑)之位置。換言之，此等技術滿足22奈米及半間距(hp)節點之下之量測目標且可以一較佳產量而執行。一座標量測儀經組態具有在約0.15至0.5之間之一部分同調西格瑪。反射光可用一偵測器擷取且傳至一電腦系統用於分析。一信雜比(SNR)可藉由應用專門設計之過濾器、臨限及修正因數而改良。
本發明方法之一個優點係可在EUV光罩胚料上以相對於一給定座標系之10至30奈米範圍中精確量測相位缺陷之一位置。本發明之一重要態樣係相位缺陷之遍焦(through focus)掃描及影像之後續過濾以實現適於量測缺陷位置之在一座標量測儀上之一信號。此外，需要在一座標量測儀上之一經修改之照明(低西格瑪)，其可能包含在照明及成像瞳中之特殊振幅/相位過濾器。最後，其包含用於遍焦掃描顯微鏡之一演算法之開發來偵測相位缺陷。
1‧‧‧座標量測單元
2‧‧‧檢驗單元
3‧‧‧缺陷
5‧‧‧反射光束路徑
9‧‧‧量測物鏡
10‧‧‧相機
11‧‧‧偵測器陣列
12‧‧‧解耦裝置
14‧‧‧光源(反射光)
15‧‧‧移位裝置
16‧‧‧電腦
18‧‧‧焦點偏移產生器模組
20‧‧‧量測載台
21‧‧‧軸承
23‧‧‧量測光束
24‧‧‧長度計
25‧‧‧塊
25a‧‧‧平面
26‧‧‧振動吸收器
40‧‧‧介面
50‧‧‧照明及偵測配置
51‧‧‧來自光源之光
52‧‧‧照明瞳
53‧‧‧第一分束器
54‧‧‧第二分束器
55‧‧‧瞳
56‧‧‧反射光
58‧‧‧成像瞳
59‧‧‧管透鏡
60‧‧‧氣候腔室
62‧‧‧顯示器
64‧‧‧輸入單元
65‧‧‧裝載埠
100‧‧‧未圖案化物件/EUV光罩胚料
102‧‧‧基板
104‧‧‧多個層
106‧‧‧覆蓋層
112‧‧‧表面缺陷/凹坑
112S‧‧‧基板上之凹坑
114‧‧‧表面缺陷/凸起
114S‧‧‧基板上之凸起
116‧‧‧表面缺陷/顆粒
200‧‧‧系統
202‧‧‧平坦部分
204‧‧‧凹坑
206‧‧‧凸起
210‧‧‧來自凹坑之反射光
211‧‧‧來自凸起之反射光
212‧‧‧來自平坦部分之反射光
D‧‧‧深度
H‧‧‧高度
W‧‧‧寬度
X‧‧‧X座標方向
Y‧‧‧Y座標方向
Z‧‧‧Z座標方向
現在將在本發明之下列實施方式以及隨附圖式中更完整描述本發明之操作之性質及模式，其中：圖1係例示在表面上之各種類型之缺陷之一EUV光罩胚料之一側視示意性圖示；圖1A係一EUV光罩胚料之一側視示意性圖示，其中基板具有一凸起；圖1B係一EUV光罩胚料之一側視示意性圖示，其中基板具有一凹坑；圖2係根據特定實施例例示兩個類型之相位缺陷之偵測之一光罩 胚料之一表面之一側視示意說明圖；圖3繪示在一焦點及一特定散焦點處且展示為一同相中心點及非同相90度環之光學系統點展開函數之四個模擬影像；圖4係對於兩個類型之相位缺陷之以焦點位置為一函數之一繪示性對比圖；圖5係包括一座標量測儀及一檢驗裝置之一系統之一示意性圖示；圖6係用於該座標量測儀之一氣候腔室之一示意性圖示；圖7係一座標量測儀之一示意性圖示，利用該座標量測儀執行在一EUV光罩胚料上之缺陷位置之量測；圖8係在用於判定在EUV光罩上之缺陷位置之座標量測儀中使用之照明系統之一示意性圖示；圖9係用於判定在一物件上之一缺陷位置之本發明方法之一流程圖。
在下列描述中，提出數種具體細節以提供本發明之一全面理解。可在無此等具體細節之一些或全部的情況下實踐本發明。在其他例項中，未詳細描述已熟知之程序操作以免不必要地使本發明模糊。雖然將結合該等特定實施例來描述本發明，但應理解其不意欲將本發明限制於該等實施例。
貫穿各種圖，相同元件符號係指相同元件。此外，僅在圖中展示描述各自圖示所必需之元件符號。展示之實施例僅代表如何執行本發明之實例。此不應被視為限制本發明。
圖1係一未圖案化物件100之一側視示意性圖示，未圖案化物件100係一EUV光罩胚料。一EUV光罩胚料100通常包含一基板102，諸如一低熱膨脹(LTE)玻璃板。基板用多個材料層104覆蓋以在EUV波長 處提供良好反射率用於進行微影曝光。在特定實施例中，多個層104包含經配置具有約7奈米間距之鉬(Mo)及矽(Si)層之30至40個反覆對。多個層104可包含一覆蓋層106。在其他實施例中，一樣品可包含石英、抗反射塗層(ARC)及其他特徵部。
EUV光罩胚料100及其他樣品有時具有表面缺陷112、114或116。缺陷112、114或116大體上特徵為相位缺陷，諸如凹坑112及凸起114，及顆粒116。此等凸起及凹坑通常自在基板102處之缺陷引起。因此，層104通常亦變形。雖然凸起114及凹坑112幾乎完全係光學相位物件，但顆粒116具有振幅及相位特性兩者。兩個類型之缺陷可係非常有害於EUV微影且需要仔細篩檢。舉例而言，由1奈米凸起造成之一相位移位足以產生一可印刷之缺陷。
圖1A係一EUV光罩胚料100之一側視示意性圖示，其中基板102具有一凸起114S。在基板102以及凸起114S之頂部上沈積複數個層104。在層104之頂部上，形成一覆蓋層106。在基板上102上之凸起114S導致在覆蓋層106之表面上之一凸起114。在覆蓋層106之表面上之凸起114具有一高度H及一寬度W，其大於在基板102上之凸起114S之寬度。
圖1B係一EUV光罩胚料100之一側視示意性圖示，其中基板102具有一凹坑112S。在基板102以及凹坑112S之頂部上沈積複數個層104。在層104之頂部上形成一覆蓋層106。在基板上102上之凹坑112S導致在覆蓋層106之表面上之一凹坑112。在覆蓋層106之表面上之凹坑112具有一深度D及一寬度W，其小於在基板102上之凹坑112S之寬度。
光化(例如，13.5奈米)檢驗工具可用於檢驗此等缺陷，但不期望此等工具可以適於非學術性使用之高產量組態使用若干年。當前可用之系統具有產量或敏感性之限制。舉例而言，由在日本橫濱之 LaserTec供應之多束共焦顯微鏡藉由監測反射信號而偵測表面擾動。然而，此等顯微鏡具有一欠佳敏感性且大體上不適於檢驗EUV光罩胚料缺陷。較高照明功率可改良敏感性但其等常有害於EUV光罩胚料。已提議暗場13.5奈米顯微鏡用於EUV光罩胚料檢驗，但此等暗場系統可係極慢且可能不適於產品使用。
已發現一DUV檢驗系統可經組態用於檢驗在EUV光罩胚料及其他類似樣品上之小表面缺陷。根據一特定實施例，自加利福尼亞州Milpitas之KLA Tencor可得之Teron 600檢驗系統已經再組態用於檢驗在典型EUV光罩胚料上之小至1奈米高及80奈米FWHM之相位缺陷。檢驗結果與自加利福尼亞州Berkeley之Lawrence Berkeley National Laboratory之一光化高級檢驗工具獲得之檢驗結果相比較，且該結果在兩個檢驗系統間被認為係一致的。下面更詳細描述一些實驗結果。亦已發現DUV系統亦可經組態用於檢驗顆粒缺陷。
現在簡略解釋光學檢驗原理以為本文提議之各種缺陷偵測技術提供一背景內容。暗場偵測涉及自表面聚集及分析散射輻射。此技術對於小型缺陷敏感，諸如顆粒及銳利邊緣。但一些表面構形(諸如大型淺缺陷)及一些結晶缺陷(諸如滑線及堆疊缺陷)可能無法有效地散射光。亮場偵測係指自表面聚集及分析反射輻射。此技術對在檢驗表面上方之變化(例如斜率)敏感。在亮場偵測中之反射光之各種態樣可揭露關於表面之有用資訊。舉例而言，反射光之一強度可揭露表面材料資訊。另一方面反射光之一相位及方向亦可揭露表面構形及材料資訊。
圖2係根據特定實施例例示兩個類型之相位缺陷之一檢驗之一EUV光罩胚料表面之一側視示意說明圖。檢驗表面之一實質上平坦部分202展示為繪示在自凹坑204及凸起206反射之光束中之相移差之一參考。應注意一表面粗糙度產生一些額外之相位波動，其等變為總背 景雜訊之一部分。一表面粗糙度跨包含平坦部分(諸如元件202)以及缺陷(諸如元件204及206)兩者之整個樣品表面係大體上一致的。如此，可藉由應用一專門設計之過濾器至少部分補償一粗糙度。此過濾器可實質上增加一信雜比。
當檢驗凹坑204時，反射光210具有與自平坦部分202之反射光212相同之振幅。然而，當與自平坦表面之反射光212比較時，自凹坑204之反射光210具有一負相位差。同樣地，當檢驗凸起206時，自凸起206之反射光211具有相同振幅，但當與自平坦表面之反射光212比較時，其立刻具有一正相位差。在特定實施例中，檢驗表面之一部分或整個表面可用作一相位值參考以判定相位移位。
側向小缺陷之一光學振幅D可用下列公式表示：
一相位對應於在一點展開函數上積分之平均缺陷相位。平坦周圍環境之一光學振幅S設定為1。可藉由使用一點展開函數來混合多個光學振幅而實現一影像對比。因此，缺陷強度對比可用下列公式表示：
對於小相位值，正弦函數可近似於一線性函數。
然而，對於淺缺陷，一對比值係相對小的。為增加對比，一照明光束可經散焦以移位平坦周圍環境S及缺陷D之相對相位。在一焦點處(焦點深度(DOF)約等於0)，點展開函數僅具有一實部。然而，在散焦之條件下(DOF小於0或DOF大於0)，點展開函數具有對應於一環形之一虛部。此現象在圖3中繪示，其在一焦點及一特定散焦點處具有光學點展開函數之四個模擬影像。影像經擷取為一同相中心點及一非同相(90度)環兩者。換言之，藉由混合一中心點及一環(其等相對於 彼此係90度非同相)而實現影像對比。如此，對比可用下列公式表示：
在此最後之對比表示中，對於小相位值，對比值係與相位值成線性比例。凸起及凹坑將具有相反之對比記號，且對比記號當自正散焦值切換至負散焦值時將翻轉。圖4繪示對於兩個類型之相位缺陷以一焦點位置(即，散焦值)為一函數之一對比圖。一個缺陷係延伸於表面上方之一凸起且另一缺陷係凸出表面下方之一凹坑。兩個類型之缺陷經展示具有相同尺寸(例如1奈米之高度及約70奈米之FWHM)且使用相同系統(例如一DUV檢驗系統)來檢驗。一對比在焦點處幾乎為零(即，散焦值約等於0)。因此，使用一或多個散焦位置(散焦值小於0或散焦值大於0)來檢驗相位缺陷。當執行多個檢驗程序及/或多個束用於相同程序中時，可使用多個散焦設定。舉例而言，可使用正及負散焦值之一組合。在相同或其他實施例中，可使用散焦(散焦值小於0或散焦值大於0)及聚焦位置(散焦值約等於0)之一組合。舉例而言，如在下文進一步解釋，可使用聚焦位置來偵測顆粒。
有別於相位缺陷，顆粒具有不同光學性質。顆粒將較多光散射至成像孔隙之外部且被認為係振幅與相位物件兩者。此外，顆粒大體上大於典型相位缺陷或(更特定言之)大於EUV光罩胚料相位缺陷之一典型高度。因此，顆粒偵測比相位缺陷偵測常常更需要不同散焦值。更特定言之，主要作為「振幅物件」，顆粒最佳靠近焦點(散焦值約等於0)而被偵測。然而，甚至在散焦條件下，顆粒仍可提供明顯之調變。
圖5係具有一座標量測單元1及一檢驗單元2之系統200之一示意性圖示。經由一介面40，座標量測單元1接收來自檢驗單元2之對齊及 座標資訊。檢驗單元2用於獲得關於在未圖案化物件100上之缺陷之對齊及座標資訊之一粗略綜述(見圖1及圖7)。於此展示之實施例描述作為一座標量測儀之一座標量測單元1及作為一檢驗裝置之檢驗單元2。於此展示之本發明之實施例係用一個單一設備實現座標量測單元1及檢驗單元2。圍繞座標量測單元1及檢驗單元2之虛線強調座標量測單元1及檢驗單元2係一單一設備。介面40使得在座標量測單元1與檢驗單元2之間能夠進行資料通信。根據本發明之另一實施例，座標量測單元1及檢驗單元2係局部分離之設備，其等經由介面40通信。
圖6係用於座標量測單元1或座標量測儀之一氣候腔室60之一示意性圖示。環境參數(諸如溫度、壓力及空中擾流)之改變會影響成像條件及量測載台20之位置量測(見圖7)。總的來說，配準(位置)量測係受污染的。一座標量測單元1通常採用一嚴格控制於數毫凱氏度內之氣候腔室60以穩定在一未圖案化基板上之一缺陷之位置之量測。在氣候腔室60之外側上，提供至少一顯示器62及一輸入單元64。經由顯示器62，使用者接收來自座標量測單元1之視覺資訊。另外，使用者可經由輸入單元64將輸入資訊提供至座標量測單元1且經由顯示器62控制輸入。較佳地，輸入單元64係一電腦鍵盤。氣候腔室60具有用於將EUV光罩胚料裝載至氣候腔室60中之裝載埠65。
如在依據根據本發明之方法中使用，圖7示意性展示一座標量測儀1。座標量測儀1具有一量測載台20，其承載圖案化或一未圖案化物件(EUV光罩胚料100)。同樣地，量測載台20可承載一可插入一光罩固持件(未展示)中之EUV光罩胚料100。假使一雷射干涉儀系統24係用於判定量測載台20之位置，則量測載台20係一反射鏡元件。經由一長度計判定量測載台20之位置，長度計可係雷射干涉儀系統24或一玻璃尺。量測載台20可以X及Y方向在軸承21上移動。在一較佳實施例中，軸承21係作為空氣軸承。量測載台20支撐於一塊25上，其界定一 平面25a。塊25係較佳由花崗岩製成。藉由雷射干涉儀系統24判定量測載台20在X座標方向X上之位置。為此目的，雷射干涉儀系統24發射一量測光束23。塊25定位於振動吸收器26上。熟習此項技術者明白提供之平面25a(其中可移動量測載台20)可由任何其他材料製成。由花崗岩製成之塊25不應被視為限制本發明。
EUV光罩胚料100可具有各種類型之缺陷3(見圖1之描述)，其之位置將參考一座標系而量測。一光源14經提供用於反射光照明。用於反射光照明之光源14發射光至一反射光束路徑5中。來自用於反射光照明之光源14之光經由一量測物鏡9到達EUV光罩胚料100。
用於反射光照明之光源14係一脈衝雷射源或連續光波，其中所使用雷射光源之類型係基於應用之掃描架構。來自雷射光源之光發射一光束以用部分同調光照明EUV光罩胚料100。在反射光中之一低西格瑪(小於0.25)照明設置係需要的。
座標量測單元1之量測物鏡9可在一Z座標方向Z上利用一移位裝置15移動以設定各種焦點位置。在反射光束路徑5中，提供一解耦裝置12，其將自EUV光罩2發射且由物鏡9聚集之光導引至一相機10上，其中上述相機10具有一偵測器11。偵測器11係與一電腦16連接，其自各缺陷3之一強度影像判定在EUV光罩胚料100之座標系中之缺陷3之X/Y位置。在本發明之一實施例中，座標量測單元之光源14、照明光學元件、聚集/量測物鏡9、管透鏡及偵測器11由檢驗單元共用。
偵測器11係一偵測器陣列，其中該類型之偵測器11經判定與包含雷射光源之其他子系統有關。偵測器陣列11可係基於TDI或CCD之偵測器陣列11。TDI具有連續積分之優點，因此在經受模糊之時建立一較高SNR。結合一脈衝雷射器之CCD偵測器陣列利用產量與SNR之間之取捨來緩和振動及不當模糊之效應。具有一適應性雷射重複率之一可變速度量測載台20確保足夠SNR在遍焦資料集處積分。
圖8係結合用於判定在EUV光罩胚料100上之缺陷3之位置之座標量測儀1使用之一照明及偵測配置50之另一實施例之一示意性圖示。照明及偵測配置50包含量測物鏡9及管透鏡59。不同於檢驗裝置(其中焦點偏移係次要的)，座標量測儀1需要在EUV光罩胚料100上之各點處獲得精確焦點(散焦)資訊。為實現此，本發明之物件使用一焦點偏移產生器模組，其容許在不同焦點偏移處將成像場拆分為一馬賽克影像。可將特殊振幅及/或相位過濾器添加至一照明瞳52及/或一成像瞳58中而增加缺陷信號之對比/信雜比。以此方式，可增加缺陷位置之精確度及/或減小可偵測缺陷之大小。
照明及偵測配置50具有一第一分束器53，其將來自光源14之光51導引穿過照明瞳52且經由量測物鏡9至物件100上。照明及偵測配置50之一第二分束器54將來自物件100之反射光56經由一成像瞳58及管透鏡59導引至偵測器陣列11上。在第一分束器53與量測物鏡9之間提供一瞳55。一振幅過濾器(未展示)及/或一相位過濾器(未展示)經添加至照明瞳及/或成像瞳以增加由偵測器陣列11產生之一缺陷信號之對比或信雜比。顯然照明及偵測配置50可經配置使得僅一個分束器係必要的。
電腦16(見圖7)實施一演算法，其使用來自座標量測儀1之偵測器11之資料及來自檢驗裝置2之資料(經由介面40提供)。相位缺陷3在特定散焦位置處經由偵測器陣列11提供一信號。由作用於量測物鏡9上之移位裝置15設定散焦位置。各信號需要被偵測及過濾。在各種散焦位置處取得缺陷3之影像可導致信號對雜訊增強，產生對較小(較小SEVD(球形等效體積直徑))缺陷3之量測能力。
圖9係判定在一物件100上之一缺陷之位置之本發明方法之一流程圖。如上文提及，一光束穿過照明及偵測配置50之光學元件組至物件100上。利用所傳送之對齊及座標資訊，量測載台20可移動至在未 圖案化物件100上之缺陷之位置。量測載台20之快速定位使得缺陷3(其之位置或定位需要以所需之精確度量測)定位於偵測器陣列11之一成像窗內。一旦缺陷定位於偵測器陣列11之一成像窗內，量測物鏡9即沿Z座標方向移動至一組位置以在不同散焦位置處獲得一堆疊資料集或影像。偵測器陣列11在散焦位置之各者處擷取一資料集或一影像。各資料集或影像由I(x,y,f)代表，其係在像素位置(x,y)及散焦位置f處之影像強度。
自在各種散焦位置處之影像，計算一影像資料集，其容許以所需精確度量測缺陷位置。應用根據下面等式計算匹配過濾器g之一輸出w(x,y)一演算法：
總和x',y'係對匹配過濾器之像素所求。外總和係對獲得影像處之離散焦點值所求。在一項實施例中，僅在一個散焦值處獲得影像且放棄對焦點值所求之外總和。若|w(x,y)|超過一預定臨限，則在位置(x,y)處偵測一缺陷。根據下面等式自在一校正階段期間獲得之影像計算匹配過濾器：g=(Cov[I noDefect])# I defect
在上面等式中，I defect係自影像I defect(x,y,f)形成之行向量。像素及焦點索引映射至行索引。影像I defect(x,y,f)係所關注之一缺陷之影像。所關注之缺陷係有意製造或其係在一比例光罩上自然發生之缺陷。一缺陷可由在一基板上蝕刻一凹坑或沈積一顆粒而製造。支撐蝕刻之凹坑或沈積之顆粒之基板接著由一EUV多層反射器覆蓋。Cov[I noDefect]係行向量I noDefect之協方差矩陣。在已知非係無缺陷之位置處獲得I noDefect(x,y,f)之樣本。符號(.)#指示廣義逆元。
一旦由演算法定位一缺陷，座標量測儀1即開始準確量測缺陷位 置。在完成量測實際缺陷後，量測載台移動至下一缺陷。繼續此程序直到量測在物件中之最後缺陷之位置。
已參考特定實施例描述本發明。然而熟習此項技術者明白可在不脫離後續申請專利範圍之範疇的情況下做出更改及修改。
1‧‧‧座標量測單元
3‧‧‧缺陷
5‧‧‧反射光束路徑
9‧‧‧量測物鏡
10‧‧‧相機
11‧‧‧偵測器陣列
12‧‧‧解耦裝置
14‧‧‧光源(反射光)
15‧‧‧移位裝置
16‧‧‧電腦
20‧‧‧量測台
21‧‧‧軸承
23‧‧‧量測光束
24‧‧‧長度計
25‧‧‧塊
25a‧‧‧平面
26‧‧‧振動吸收器
50‧‧‧照明及偵測配置
100‧‧‧未圖案化物件/EUV光罩胚料
X‧‧‧X座標方向
Y‧‧‧Y座標方向
Z‧‧‧Z座標方向

Claims (41)

  1. 一種用於判定物件上之缺陷之位置之系統，其包括：一設備，其具有用於物件之座標量測單元及一檢驗單元；及一介面，其用於將對齊及座標資訊自該檢驗單元發送至該座標量測單元。
  2. 如請求項1之系統，其中該座標量測單元及該檢驗單元係局部分離之單元，其等藉由該介面鏈接。
  3. 如請求項1之系統，其中該座標量測單元包括：一量測載台，其用於在一X座標方向及一Y座標方向移動該物件；一照明及偵測配置，其具有用於該物件之反射光照明之一光源、一量測物鏡以及經配置用於偵測自該物件反射且由該量測物鏡聚集之光之一強度之一偵測器陣列；一移位裝置，其用於沿一Z座標方向移動該量測物鏡以設定不同焦點位置；及一電腦，其自該偵測器陣列接收該物件上之至少一個缺陷在各種焦點位置處之一資料集並自該檢驗單元接收該物件之該對齊及座標資訊，該電腦經調適以計算在該物件上之該缺陷之一位置。
  4. 如請求項3之系統，其中該照明及偵測配置之該光源係用於提供一光束以用部分同調光照明該物件之一雷射光源。
  5. 如請求項4之系統，其中該雷射光源係一脈衝雷射光源，且該偵測器陣列係用於緩和振動及不當模糊之效應之一CCD感測器或容許具有一較高信雜比之連續積分之一TDI感測器。
  6. 如請求項4之系統，其中該雷射光源係一連續波雷射光源，且該 偵測器陣列係用於緩和振動及不當模糊之效應之一CCD感測器或容許具有一較高信雜比之連續積分之一TDI感測器。
  7. 如請求項3之系統，其中該照明及偵測配置具有一照明瞳，其提供小於0.25之低西格瑪照明設置。
  8. 如請求項3之系統，其中一分束器將來自該光源之光導引穿過該照明瞳經由該量測物鏡至該物件上，且其中來自物件之反射光經由一成像瞳及一管透鏡到達該偵測器。
  9. 如請求項7之系統，其中一振幅過濾器及/或一相位過濾器經添加至該照明瞳及/或該成像瞳以增加由該偵測器陣列產生之一缺陷信號之對比或信雜比。
  10. 如請求項3之系統，其中一氣候腔室圍繞至少該座標量測單元以控制環境參數，諸如溫度、壓力及空中擾流可影響成像條件及用於載台位置量測之一長度計。
  11. 如請求項3之系統，其中該電腦具有一演算法，其經實施用於自沿該Z座標方向在各種焦點位置處由該量測物鏡取得之複數個資料集或影像而計算一像素位置I(x,y)之強度值。
  12. 一種用於判定物件上之缺陷之位置之方法，其包括下列步驟：將由一檢驗單元取得之至少一個缺陷之對齊及座標資訊傳送至一座標量測單元；產生具有小於約250奈米之一波長之一照明光束；根據由該檢驗單元傳送之該對齊及座標資訊定位該座標量測單元之一量測載台；用該照明光束穿過一組光學元件而照明該物件；沿一Z座標方向設定一量測物鏡之各種散焦位置且用一相機之一偵測器陣列在各Z位置處獲得一資料集或影像；自在特定散焦位置處擷取之複數個資料集或影像判定一相位 缺陷，其中產生一衍生資料集或一衍生影像且過濾該衍生資料集或該衍生影像集；及藉由透過一長度計以高精確度及高取樣率在X座標方向及Y座標方向上量測該載台之位置而量測該相位缺陷之位置。
  13. 如請求項12之方法，其中亦經由自該衍生資料集或該衍生影像集計算出之一重心判定該相位缺陷之該位置之該量測。
  14. 如請求項12之方法，其中自一雷射光源產生該照明光束以用於用部分同調光照明該物件。
  15. 如請求項14之方法，其中該雷射光源係一脈衝雷射光源。
  16. 如請求項14之方法，其中該雷射光源係一連續波雷射光源。
  17. 如請求項12之方法，其中用於照明該物件之該組光學元件提供小於0.25之低西格瑪照明設置用於反射光照明。
  18. 如請求項12之方法，其中該組光學元件包括：可在一Z座標方向上移動之一量測物鏡；一偵測器陣列，其經配置用於偵測自該物件反射且由該量測物鏡聚集之光之強度；至少一分束器，其用於將來自該光源之光經由該量測物鏡導引至該物件上且用於將來自該物件之反射光經由一成像瞳及一管透鏡導引至該偵測器陣列上。
  19. 如請求項12之方法，其中一氣候腔室圍繞至少該座標量測單元以控制環境參數，諸如溫度、壓力及空中擾流影響在該偵測器陣列上之該缺陷之成像條件及量測載台位置量測。
  20. 如請求項12之方法，其中一演算法經實施於一電腦中，用於自對於一資料集之所有像素位置及對於由該感測器陣列利用將該量測物鏡沿該Z座標方向定位於各種焦點位置處所取得之複數個影像之強度值I(x,y)來計算該缺陷在一特定散焦位置處之一影像，該影像容許量測該缺陷在該物件上之該位置及尺寸。
  21. 如請求項20之方法，其中物件係一EUV光罩胚料。
  22. 一種座標量測單元，其包括：一量測載台，其用於在一X座標方向及一Y座標方向上移動物件且配備有至少一個長度計，該長度計係用於藉由以高精確度及高取樣率在該X座標方向及該Y座標方向上量測該載台之位置而量測一相位缺陷之位置；一照明及偵測配置，其具有用於該物件之反射光照明之一光源、一量測物鏡以及經配置用於偵測自該物件反射且由該量測物鏡聚集之光之一強度之一偵測器陣列；一移位裝置，其用於沿一Z座標方向移動該量測物鏡以設定不同散焦位置；及一電腦，其自該偵測器陣列接收在各種焦點位置處取得之至少一個缺陷之複數個資料集且用於判定適於量測該物件上之該缺陷在該X座標方向及該Y座標方向上之一位置之來自該等各種焦點位置之一資料集。
  23. 如請求項22之座標量測單元，其中一介面經提供具有用於自一檢驗單元接收對齊及座標資訊之該座標量測單元之該電腦。
  24. 如請求項22之座標量測單元，其中該照明及偵測配置之該光源係用於提供一光束以用部分同調光照明該物件之一雷射光源。
  25. 如請求項24之座標量測單元，其中該雷射光源係一脈衝雷射光源。
  26. 如請求項24之座標量測單元，其中該雷射光源係一連續波雷射光源。
  27. 如請求項22之座標量測單元，其中該照明及偵測配置之該光源具有配置於該光源之下游之一照明瞳，且至少一個分束器經配置使得來自該光源之光經由該量測物鏡到達該物件，且其中來 自物件之反射光經由一成像瞳及一管透鏡到達該偵測器陣列上。
  28. 如請求項27之座標量測單元，其中該照明及偵測配置之照明瞳提供小於0.25之低西格瑪照明設置。
  29. 如請求項27之座標量測單元，其中一振幅過濾器及/或一相位過濾器經添加至該照明瞳及/或至該成像瞳以增加由該偵測器陣列產生之一缺陷信號之對比或信雜比。
  30. 如請求項27之座標量測單元，其中一氣候腔室圍繞該座標量測儀以控制環境參數，諸如溫度、壓力及空中擾流可影響成像條件及一干涉儀載台位置量測。
  31. 一種用於座標量測單元之電腦程式，其包括：將量測物鏡設定至相對於一物件之至少一個散焦位置；在該至少一個散焦位置處由一偵測器陣列取得至少一個資料集或影像，其中各資料集或影像係由複數個像素組成，其等之各者在該至少一個散焦位置處提供一強度信號I(x,y,f)；應用一函數；提供該至少一個散焦位置之一經更改之輸出影像資料集w(X,Y)；若|w(X,Y)|超過一預定臨限，則偵測在該物件上之一位置X,Y處之至少一個缺陷；及透過與該座標量測單元之一量測載台有關之一長度計構件量測該至少一個缺陷之一位置。
  32. 如請求項31之電腦程式，其中該函數係一過濾器。
  33. 如請求項32之電腦程式，其中各自在一不同散焦位置處由該偵測器陣列取得複數個資料集或影像，將該過濾器應用至各資料集且自該複數個經更改之輸出資料集判定該至少一個缺陷。
  34. 如請求項32之電腦程式，其中自該複數個資料集或影像計算一衍生資料集或影像，且自該衍生資料集或影像判定一重心，該重心係用於利用該座標量測單元來判定該缺陷之該位置。
  35. 如請求項31之電腦程式，其中根據以下計算該經更改之資料集w(X,Y)： ，其中內總和X’Y’係對匹配 過濾器之像素所求且外總和係對離散散焦值f所求。
  36. 如請求項31之電腦程式，其中根據以下計算一匹配過濾器：g=(Cov[I noDefect ])# I Defect ，其中I Defect 係自影像I defect =(X,Y,f)形成之一行向量。
  37. 如請求項35之電腦程式，其中像素索引X,Y及焦點索引f映射至行索引。
  38. 如請求項35之電腦程式，其中係行向量之一協方差矩陣。
  39. 如請求項31之電腦程式，其中該函數係一概率分佈函數，其係在具有若干植入且已知之相位缺陷之一參考物件之一訓練階段期間所判定。
  40. 如請求項39之電腦程式，其中利用基於該得知之概率分佈函數之一統計方法在該物件上偵測缺陷。
  41. 如請求項40之電腦程式，其中該統計方法係一假設驗證。
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