TW201503274A - 用於自動學習工具匹配之方法 - Google Patents

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法蘭西斯 瑞奎爾
馬修 曼茲爾
克里斯多夫 李
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Abstract

本發明係關於一種採用一自動學習回饋迴路來更新一關鍵參數程式庫之工具匹配之方法。根據該方法，對一控制晶圓執行量測以收集與正在匹配之處理/分析工具相關聯之一組參數。當偏離參數與一可校正工具條件相關(亦即，一工具匹配事件)時，將該等參數添加至該關鍵參數程式庫。可在一更頻繁基礎上監視此等關鍵或緊要參數以識別極有可能與一可校正工具條件匹配之偏差。該工具匹配方法有利地允許監視一自動更新之關鍵參數清單，而不需每次皆查看自一控制晶圓收集之該整組參數。如此，可在一更頻繁基礎上執行工具匹配。

Description

用於自動學習工具匹配之方法 優先權
本申請案依據35 U.S.C.§ 119(e)主張由Francis Raquel等人於2013年6月4日申請之標題為「METHOD FOR AUTO-LEARNING WAFERLESS TOOL MATCHING」之美國臨時專利申請案第61/831,046號之優先權，該美國臨時專利申請案目前同在申請中，或該美國臨時專利申請案係有權享有該申請日期之權益之目前同在申請中之申請案中之一申請案。以上所參考之臨時專利申請案特此以全文引用之方式併入。
本發明大體而言係關於工具匹配之領域。
在現代半導體製作中，存在用於處理(例如，微影蝕刻)一晶圓、遮罩或其他所製造結構並對其執行分析(例如，計量或檢驗)之各種工具。此等工具可隨時間經歷偏移、碎片積累或損壞。因此，各個工具組件可需要調整、清潔或更換以使處理參數維持在製造規格內。
專業化監視晶圓常常用於工具匹配。此等晶圓必須在一健康工具上經鑑定合格並運出至使用者。週期性地，使用者或可運行一監視晶圓以基於監視晶圓之所量測參數之偏差與一或多個可校正工具條件之間之一相關性來判定必要調整或修復。由於此程序干擾製作程序且需要可需要時常更換之專業化晶圓，因此當前工具匹配程序對使用者 而言係繁重的且可能不按需要頻繁地執行。為避免降級製作品質，此項技術中需要一較不繁重工具匹配程序。
在一項態樣中，本發明係關於一種採用一自動學習回饋迴路來更新一關鍵參數程式庫之工具匹配之方法。可在一更頻繁基礎上監視此等關鍵或緊要參數以識別極有可能與一可校正工具條件匹配之偏差。該方法可至少包含以下各項步驟：在一第一時間處對一控制晶圓執行量測以判定與用於對一或多個晶圓進行處理、檢驗或執行計量之一工具之工具條件相關聯之一第一組參數；比較該所量測第一組參數與一初級組參數臨限值以判定該所量測第一組參數中之一參數是否匹配一可校正工具條件；當該參數匹配一可校正工具條件時判定該參數是否包含在一關鍵參數程式庫中，該關鍵參數程式庫包含係該初級組參數臨限值之一子組之一次級組參數臨限值；當該參數匹配一可校正工具條件且未在該關鍵參數程式庫中表示時將該參數添加至該關鍵參數程式庫；及報告該工具是否受一可校正工具條件影響。
在一實施例中，該方法可由包含具有一整合式計算系統或與一計算系統通信耦合之一量測工具之工具匹配系統表現。該計算系統可包含與一非暫時性信號承載媒體通信之至少一個處理器，其中該非暫時性信號承載媒體包含用於完成該方法之一或多個步驟之所儲存程式指令。舉例而言，該等程式指令可包含一或多個可執行指令集，該一或多個可執行指令集致使一處理器：基於在一第一時間處自一控制晶圓收集之量測而判定與用於對一或多個晶圓進行處理、檢驗或執行計量之一工具之工具條件相關聯之一第一組參數；比較該所量測第一組參數與一初級組參數臨限值以判定該所量測第一組參數中之一參數是否匹配一可校正工具條件；當該參數匹配一可校正工具條件時判定該參數是否包含在一關鍵參數程式庫中，該關鍵參數程式庫包含係該初 級組參數臨限值之一子組之一次級組參數臨限值；當該參數匹配一可校正工具條件且未在該關鍵參數程式庫中表示時將該參數添加至該關鍵參數程式庫；及報告該工具是否受一可校正工具條件影響。來自該工具匹配系統之警示或報告可經由一使用者介面提供及/或經由一通信耦合(諸如，一直接有線/無線通信鏈路或網路)發送至一處理/分析工具(亦即，正在匹配之工具)。
該量測工具可包含此項技術中已知之任何計量系統。在某些實施例中，舉例而言，該量測工具可包含一光學計量系統，該光學計量系統具有經組態以接納一控制晶圓之一載台、經組態以照明該控制晶圓之至少一個照明源、經組態以接收自該控制晶圓反射、散射或輻射之照明之至少一個偵測器及與該至少一個偵測器通信之一計算系統。在基於光學計量之工具匹配系統中，該計算系統可經組態以：基於在一第一時間處自該控制晶圓偵測之照明判定與用於對一或多個晶圓進行處理、檢驗或執行計量之一工具之工具條件相關聯之一第一組參數；比較該所量測第一組參數與一初級組參數臨限值以判定該所量測第一組參數中之一參數是否匹配一可校正工具條件；當該參數匹配一可校正工具條件時判定該參數是否包含在一關鍵參數程式庫中，該關鍵參數程式庫包含係該初級組參數臨限值之一子組之一次級組參數臨限值；當該參數匹配一可校正工具條件且未在該關鍵參數程式庫中表示時將該參數添加至該關鍵參數程式庫；及報告該工具是否受一可校正工具條件影響。
應理解，前述一般說明及以下詳細說明兩者皆僅係例示性及闡釋性的且不必限制本發明。併入說明書中且構成說明書之一部分之隨附圖式圖解說明本發明之標的物。說明與圖式一起用於闡釋本發明之原理。
100‧‧‧工具匹配系統/系統
102‧‧‧工具/處理工具/分析工具/所匹配工具/計量工具/處理/分析工具
104‧‧‧控制晶圓/晶圓
106‧‧‧使用者介面
200‧‧‧量測工具/工具/計量系統/所匹配工具
202‧‧‧載台
204‧‧‧照明源
206‧‧‧光學元件/照明光學器件
208‧‧‧偵測器
210‧‧‧光學元件/偵測光學器件
212‧‧‧計算系統
214‧‧‧非暫時性信號承載載體媒體/載體媒體
216‧‧‧所儲存程式指令/程式指令
熟習此項技術者可藉由參考附圖而較佳理解本發明之眾多優點，在附圖中：圖1係根據本發明之一實施例之圖解說明工具匹配系統之一方塊圖；圖2係根據本發明之一實施例之圖解說明工具匹配系統之一量測工具之一方塊圖；圖3A係根據本發明之一實施例之圖解說明工具匹配之一方法之一流程圖；及圖3B係根據本發明之一實施例之圖解說明工具匹配之一方法之一流程圖。
現在將詳細參考圖解說明於隨附圖式中之所揭示之標的物。一般而言，圖1至圖3B圖解說明用於採用一自動學習回饋迴路來更新一關鍵參數程式庫之工具匹配之一系統及方法之實施例。如在下文進一步詳細論述，在一或多個控制晶圓上之完整參數運行期間識別關鍵或緊要參數並將該等參數添加至程式庫使得可在一更頻繁基礎上監視該等參數以識別極有可能與一可校正工具條件匹配之偏差。因此，工具匹配監視可更頻繁地(例如，每天數次)或作為僅以相對較不頻繁次數(例如，每週1次或2次)或當判定一關鍵參數超出限制時才執行完整運行之一背景程序發生。
圖1圖解說明一工具匹配系統100之一例示性配置。在一實施例中，工具匹配系統100包含用於匹配一處理工具102(例如，微影工具)、一分析工具102(例如，計量或檢驗工具)或諸如此類之一量測工具200。在某些實施例中，量測工具200與所匹配工具102係同一個。舉例而言，一計量工具102可經組態以在經預排程及/或使用者選定之時間處或在發生一或多個指定事件時(例如，在啟動時、在若干次運 行之後)執行工具匹配步驟(以匹配其本身)。另一選擇係，量測工具200可包含在所匹配工具102中或與所匹配工具102通信耦合。在其他實施例中，量測工具200可與所匹配工具102完全分離。此外，預期一個量測工具200可經實現以匹配複數個處理/分析工具102及諸如此類。
量測工具200可包含(參見(例如)圖2)一計算系統212或可與計算系統212通信耦合。計算系統212可包含與一非暫時性信號承載載體媒體214(諸如，一硬碟機(HDD)、固態磁碟(SSD)、快閃磁碟機、光碟機或任何其他儲存裝置)通信之至少一個處理器；其中載體媒體214包含可由處理器執行以執行本文闡述之工具匹配方法之步驟之所儲存程式指令216。舉例而言，計算系統212可經組態以執行工具匹配方法之步驟以判定一工具匹配狀態且可進一步經組態以產生可經由一通信耦合之使用者介面106(例如，一顯示器或音訊源)傳達至一使用者、經由一通信鏈路或網路傳輸至所匹配工具102或回饋至量測工具200中之警示、報告或控制資料。當自控制晶圓104量測之參數匹配一可校正工具條件時，所匹配工具102及/或量測工具200可經組態以根據與可校正工具條件相關聯之一警示、報告或控制信號調整各個工具設定或參數，或使用者可基於經由使用者介面106接收之一警示或報告執行移除可校正工具條件所需之任何步驟。工具102及200兩者可基於匹配狀態及先前條件使用相同晶圓資料資訊來自調整關鍵參數或將該等關鍵參數添加至程式庫。
量測工具200可包含能夠判定一晶圓104或晶圓104之一或多個層之空間參數或實體參數之任何系統或裝置。舉例而言，量測工具可包含一計量系統，諸如一反射計、橢圓偏光計、干擾計或諸如此類。在一實施例中，量測工具200可包含一光學計量系統，如在圖2中所圖解說明。儘管圖2大體而言圖解說明一橢圓偏光計系統，但量測工具200 可包含此項技術中已知之任何計量系統，諸如光譜橢圓偏光量測系統、反射量測系統、角度解析反射量測系統及諸如此類。各項實施例可包含(但不限於)在美國專利第5,607,800號、第5,867,276號、第5,963,329號、第5,739,909號、第5,889,593號、第6,429,943號、第6,819,426號及第6,813,034號中論述之計量工具或系統中之任何者。所有該等美國專利以引用之方式包含在本文中。所量測參數可包含(但不限於)膜厚度、臨界尺寸、溝槽高度、側壁角度、覆蓋率、反射率或表面粗糙度/平滑度。
根據在圖2中圖解說明之實施例，量測工具200可包含經組態以支撐晶圓104之一載台202。在某些實施例中，載台202可進一步經組態以將晶圓104致動至一選定位置。舉例而言，一致動器(諸如，機械地耦合至載台202之一馬達或齒輪)可經組態以使載台202旋轉或平移以定位晶圓104。另一選擇係，一非接觸式致動器(諸如，一磁懸浮機構)可經組態以致動載台202。晶圓104可包含具有已知參數之一控制晶圓。舉例而言，可使一或多個控制晶圓懸浮在一特定處理載台處以使選定參數維持在一組期望範圍內。另一選擇係，透過計量系統200運行之晶圓104可係產品晶圓，其中一回饋迴路使能夠自運行至運行地追蹤參數偏差。
量測工具200可進一步包含至少一個照明源204，照明源204經組態以沿一照射路徑提供照明以照明晶圓104之至少一個部分。照明路徑可包含照明源204與晶圓104之間的一直視線。另一選擇係，照明路徑可由一或多個光學元件106(諸如，延遲器、四分之一波板、聚焦光學器件、相位調變器、偏光器、鏡、分束器、稜鏡、反射器、會聚/發散透鏡及諸如此類)之一配置勾畫。照明光學器件106可經組態以過濾、聚焦、減弱及/或調變沿照明路徑傳送至晶圓104之照明部分之照明。舉例而言，照明光學器件106可包含分別經組態以使遞送至晶 圓104之經照明部分之照明偏光及聚焦之一偏光器及一聚焦透鏡。
量測工具200可進一步包含經組態以接收自晶圓104之照明部分反射、散射或輻射之照明之至少一個偵測器208。可沿著至少一個偵測路徑將自晶圓104反射、散射或輻射之照明引導至偵測器208或一組偵測器。該偵測路徑可包含偵測器208與晶圓104之經照明部分之間的一直視線。另一選擇係，該偵測路徑可由一或多個光學元件210勾畫，如先前關於照明路徑所論述。沿著偵測路徑安置之偵測光學器件210可經組態以濾波、聚焦、減弱及/或調變自晶圓104反射、散射或輻射之照明，舉例而言，偵測光學器件210可包含分別經組態以使遞送至偵測器208之照明偏光及聚焦之一分析器及一遞送透鏡。
出於說明性目的包含上述配置且不應將該等配置解釋為對本發明之限制。預期，量測工具200可包含以此項技術中已知之任何計量組態配置之任何數目個照明源204、偵測器208、光學器件206/210。此外，量測工具200可包含替代性探測/偵測技術(例如，電子束源/偵測器)。可在不背離本發明之範疇之情況下利用現在或此後此項技術中已知之任何量測技術。
如上文所論述，量測工具200可進一步包含通信耦合至一或多個偵測器208(亦即，在圖2中圖解說明之光學偵測器或替代性偵測器，諸如包含電感測器、磁感測器或物理力感測器之彼等偵測器)之至少一個計算系統212。如本文中所使用，術語「通信耦合」可指用於自一或多個偵測器208接收所量測資料之一直接(有線)連接、一無線連接及/或一網路或開關連接。在某些實施例中，計算系統212可與量測工具200分離且替代地經組態以經由一可攜式載體媒體(諸如，一快閃磁碟機或一外部硬碟機)接收所量測資料。在某些實施例中，複數個通信耦合或分離之計算系統可經組態以聯合地執行由本文闡述之「計算系統212」執行之步驟、功能或操作。熟習此項技術者將瞭解可在 不背離本發明之範疇之情況下利用任何數目個及/或配置之計算系統212。
圖3A及圖3B係根據本發明之各項實施例之圖解說明工具匹配之一方法300之流程圖。方法300可由系統100之實施例表現。舉例而言，方法300之各個步驟可經由量測工具200執行及/或經由內嵌於由包含於量測工具200中或與量測工具200通信耦合之計算系統212執行之程式指令216中之一或多個指令集實施。方法300可進一步包含用於執行如上文關於系統100及/或量測工具200之一或多項實施例所闡述之功能或操作中之一或多者之步驟。然而，方法300不受系統100或量測工具200之上述實施例限制。方法300可進一步由經組態以執行以下步驟中之一或多者之任何裝置或裝置之組合表現。
現在看圖3A，方法300包含對至少一個控制晶圓104執行量測以量測一組參數之一步驟302。在於圖2中展示之一實施例中，舉例而言，計算系統212可經組態以基於自晶圓104反射、散射或輻射之所偵測照明來判定該組參數。另一選擇係，計算系統212可經組態以經由一通信鏈路/網路或一可攜式載體媒體自一光學計量工具或任何其他量測工具200接收該所量測組參數。控制晶圓104之所量測參數中之一或多者可與正在匹配之工具102之各個條件相關。舉例而言，參數中之一或多者之偏差可指示一可校正工具條件，諸如該工具之一光學元件或機械組件之一偏移或未對準、一工具表面或接面上之碎片積累、一或多個受損工具組件或諸如此類。
在步驟304處，在該所量測組參數與一初級組參數臨限值之間作出一比較。該初級組參數臨限值可係一完整或全面參數臨限值清單，可利用一回饋或前饋迴路時常更新該清單。舉例而言，可基於在對工具102執行一修復之後(亦即，在移除一相關可校正工具條件並恢復工具健康之後)自控制或產品晶圓收集之量測來調整參數臨限值。在步 驟304處，若所量測參數全部在臨限值極限內且/或存在一臨限值違規但無工具匹配條件，則方法300進行至步驟314，其中將工具匹配狀態報告至工具102及/或經由一使用者介面106報告。舉例而言，當不存在工具匹配條件時，工具匹配狀態可包含關於存在或不存在臨限值/極限違規、不存在任何所需修復及諸如此類之資訊。
若參數中之一或多者違反參數臨限值且一或多個參數臨限值違規與一可校正工具條件匹配，則方法300進行至步驟306。在步驟306處，在所匹配參數與一關鍵參數程式庫之間作出一比較以判定所匹配參數與所識別可校正工具條件之間之工具匹配相關性是否在該程式庫中表示。若該相關性係已知的，則然後方法300進行至步驟310，其中將一警示發送至工具102且/或經由使用者介面106傳達至一使用者。該警示可包含有關可校正工具條件之資訊且在某些實施例中，可進一步包含或可伴有一控制信號(在自動修復之情形中)或用於修復工具以消除可校正工具條件之指令。
若該相關性係未知的，則然後方法300亦在步驟310之前/之後進行至步驟308。在步驟308處，將所匹配參數添加至該關鍵參數程式庫。該關鍵參數程式庫可包含小於該初級組參數臨限值之一次級組參數臨限值。舉例而言，該次級組參數臨限值可僅包含關鍵/緊要參數之臨限值。在執行額外運行時，用新關鍵參數更新該程式庫。因此，自動地學習關鍵參數(亦即，與特定工具條件高度相關之彼等參數)。如在下文進一步詳細地論述，在一更頻繁基礎上監視此等關鍵參數以偵測可令人關注之臨限值違規。
在步驟312處，回應於經由使用者介面106傳達之警示及/或指令由一使用者執行對工具之修復，或回應於傳輸至工具102之警示及/或控制信號由工具102自動地執行修復。在某些實施例中，舉例而言，可回應於警示及/或控制信號藉由控制設定(例如，致動器、照明源及/ 或偵測器設定)之重新組態或(機動)光學元件或組件之重新定位來自動地修復工具102。在其他實施例中，該警示可包含用以更換、清潔或調整工具之至少一個光學元件或機械組件之一或多個指令及/或用以重新組態工具之一致動器、一照明源或一偵測器之至少一個控制設定之指令。方法300可進一步進行至步驟314，其中可將工具匹配狀態報告至工具102、一主機控制器或系統監視器，或經由使用者介面106報告。當已經執行了修復時，工具匹配狀態可包含(舉例而言)關於修復、可校正工具條件、受影響參數及諸如此類之資訊。
如在圖3B中所展示，方法300繼續在經排程、手動選定或事件驅動之時間處監視控制晶圓及/或產品晶圓。在某些實施例中，方法300可繼續在背景中自運行至運行地或在經排程時間處監視產品晶圓。為允許更頻繁或持續監視，在步驟316處，在當前運行時間(以下簡稱「第二時間」)與後續運行時間(以下簡稱「第一時間」)之間作出一比較。當第二時間與第一時間之間之差小於一臨限時間差(或臨限運行次數)時，方法300進行至步驟318，其中在一第二晶圓(亦即，產品或控制晶圓)上量測一第二組參數並與關鍵參數程式庫之該較小次級組參數臨限值進行比較以判定第二晶圓之關鍵參數中之任何者是否超出限制(亦即，違反關鍵參數臨限值)。
若關鍵參數中之任何者皆未超出限制，則方法300進行至步驟314，其中將工具匹配狀態經由使用者介面106報告、報告至工具102及/或報告至一製作主機控制器。此迴路可繼續在背景中或在指定時間處運行。當至少一個關鍵參數超出限制時，方法300進行至步驟320，其中運行一控制晶圓(亦即，相同控制晶圓或一第二控制晶圓)以判定是否存在任何工具匹配條件。在步驟320處，基於對控制晶圓執行之量測收集另一組參數(在下文中稱作「第三組參數」)。在步驟322處，比較第三組參數與初級或第二組參數臨限值以判定是否存在 與一工具匹配條件之一相關性。若不存在與一可校正工具條件之匹配，則該方法進行至步驟314。若存在與一可校正工具條件之匹配，則該方法進行至步驟310、312及314。
該方法可返回至步驟302，其中由於排程、使用者選擇或當自第一運行(T1)及第二運行(T2)已經流逝足夠時間時運行一控制晶圓(亦即，相同控制晶圓或另一控制晶圓)。舉例而言，若在步驟316處，T2與T1之間之差大於臨限時間差，則該方法返回至步驟302，其中利用控制晶圓獲得一第三組參數，且然後該方法取決於是否存在一工具匹配條件而進行步驟304、306、308、310、312及/或314。因此關鍵參數程式庫經更新，且隨著時間推移，學習更多關鍵參數以實現更高效工具匹配及經改良準確性。由於自動學習工具匹配方法可主要地在背景中運行(例如，關鍵參數之運行至運行監視)且/或可由使用者在需要之基礎上進行排程，因此方法300實現更頻繁工具匹配以確保滿足製作規格且對製作程序具有較小破壞。
在進一步實施例中，在步驟302及320處收集之工具匹配參數可不需要對一控制晶圓執行之量測。可經由感測器(諸如，所匹配工具200之位置偵測器、振動/壓力偵測器、光偵測器、電流/電位偵測器及/或任何其他內部量測系統)自動判定或產生工具參數。可僅需控制晶圓用於對工具匹配參數(例如，第一組參數)之一初始判定。為後續參數收集，方法300可越來越少地依賴於使用控制晶圓且更多地依賴於工具參數之自動(亦即，「無晶圓」)偵測以判定何時存在工具匹配條件，尤其何時存在已經在關鍵參數程式庫中表示之所偵測參數與一可校正工具條件之間之已知相關性。
熟習此項技術者將瞭解，存在實現本文中所闡述之程序及/或系統及/或其他技術之各種載具(例如，硬體、軟體及/或韌體)，且較佳載具將隨佈署程序及/或系統及/或其他技術所在之內容脈絡而改變。 在某些實施例中，藉由以下各項中之一或多者執行各個步驟、功能及/或操作：電子電路、邏輯閘、多工器、可程式化邏輯裝置、ASIC、類比或數位控制/開關、微控制器或計算系統。一計算系統可包含(但不限於)一個人計算系統、主機計算系統、工作站、影像電腦、平行處理器或此項技術中已知之任何其他裝置。一般而言，術語「計算系統」經廣泛定義以囊括具有執行來自一載體媒體之指令之一或多個處理器之任何裝置。實施諸如本文中所闡述之彼等方法之方法之程式指令可經由該載體媒體傳輸或儲存於該載體媒體上。一載體媒體可包含一傳輸媒體，諸如一導線、纜線或無線傳輸鏈路。該載體媒體亦可包含諸如一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁碟或光碟或一磁帶之一儲存媒體。
本文中所闡述之所有方法可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存於一儲存媒體中。結果可包含本文中所闡述之結果中之任何者且可以此項技術中已知之任何方式儲存。儲存媒體可包含本文中所闡述之任何儲存媒體或此項技術中已知之任何其他適用儲存媒體。在已儲存結果之後，該等結果可在該儲存媒體中存取且由本文中所闡述之方法或系統實施例中之任何者使用，經格式化以用於向一使用者顯示，由另一軟體模組、方法或系統使用等。此外，可「永久性地」、「半永久性地」、臨時性地或在某一時間週期內儲存結果。舉例而言，儲存媒體可係隨機存取記憶體(RAM)，且結果可不必無限期地存留於該儲存媒體中。
儘管已圖解說明本發明之特定實施例，但應明瞭，熟習此項技術者可在不背離前述揭示內容之範疇及精神之情況下作出本發明之各種修改及實施例。因此，本發明之範疇應僅受隨附申請專利範圍限制。

Claims (20)

  1. 一種工具匹配之方法，其包括：在一第一時間處對一控制晶圓執行量測以判定與用於對一或多個晶圓進行處理、檢驗或執行計量之一工具之工具條件相關聯之一第一組參數；比較該所量測第一組參數與一初級組參數臨限值以判定該所量測第一組參數中之一參數何時匹配一可校正工具條件；當該參數匹配一可校正工具條件時判定該參數在一關鍵參數程式庫中之一存在或一不存在，該關鍵參數程式庫包含係該初級組參數臨限值之一子組之一次級組參數臨限值；當該參數匹配一可校正工具條件且未在該關鍵參數程式庫中表示時將該參數添加至該關鍵參數程式庫；及報告指示一可校正工具條件之一存在或一不存在之一狀態。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包括：在一第二時間處對一第二晶圓執行量測以判定一第二組參數；及當該第一時間與該第二時間之間之一差低於一臨限時間差時，比較該所量測第二組參數與該關鍵參數程式庫之該次級組參數臨限值以判定該所量測第二組參數之一關鍵參數何時超出限制。
  3. 如請求項2之方法，其進一步包括：當判定該所量測第二組參數之一關鍵參數超出限制時，執行對一控制晶圓之量測以判定一第三組參數；及比較該所量測第三組參數與該初級組參數臨限值以判定該所量測第三組參數中之一參數何時匹配一可校正工具條件。
  4. 如請求項2之方法，其進一步包括：當該第一時間與該第二時間之間之一差高於一臨限時間差時，對一控制晶圓執行量測以判定一第三組參數；及比較該所量測第三組參數與該初級組參數臨限值以判定該所量測第三組參數中之一參數何時匹配一可校正工具條件。
  5. 如請求項1之方法，其進一步包括：當判定該工具受一可校正工具條件影響時經由一使用者介面提供一警示。
  6. 如請求項5之方法，其中該警示包含用於修復該可校正工具條件之一或多個指令。
  7. 如請求項6之方法，其中該一或多個指令包含用以更換、清潔或調整該工具之至少一個光學元件或機械組件之指令。
  8. 如請求項6之方法，其中該一或多個指令包含用以重新組態一致動器、一照明源或一偵測器之至少一個控制設定之指令。
  9. 一種用於工具匹配之系統，其包括：一載台，其經組態以接納一控制晶圓；至少一個照明源，其經組態以照明該控制晶圓；至少一個偵測器，其經組態以接收自該控制晶圓反射、散射或輻射之照明；及一計算系統，其與該至少一個偵測器通信，該計算系統經組態以：基於在一第一時間處自該控制晶圓偵測之照明判定與用於對一或多個晶圓進行處理、檢驗或執行計量之一工具之工具條件相關聯之一第一組參數；比較該所量測第一組參數與一初級組參數臨限值以判定該所量測第一組參數中之一參數何時匹配一可校正工具條件； 當該參數匹配一可校正工具條件時判定該參數在一關鍵參數程式庫中之一存在或一不存在，該關鍵參數程式庫包含係該初級組參數臨限值之一子組之一次級組參數臨限值；當該參數匹配一可校正工具條件且未在該關鍵參數程式庫中表示時將該參數添加至該關鍵參數程式庫；及報告指示一可校正工具條件之一存在或一不存在之一狀態。
  10. 如請求項9之系統，其中該計算系統進一步經組態以：基於在一第二時間處自一第二晶圓偵測之照明判定一第二組參數；及當該第一時間與該第二時間之間之一差低於一臨限時間差時，比較該所量測第二組參數與該關鍵參數程式庫之該次級組參數臨限值以判定該所量測第二組參數之一關鍵參數何時超出限制。
  11. 如請求項10之系統，其中該計算系統進一步經組態以：當判定該所量測第二組參數之一關鍵參數超出限制時，基於自一控制晶圓偵測之照明判定一第三組參數；及比較該所量測第三組參數與該初級組參數臨限值以判定該所量測第三組參數中之一參數何時匹配一可校正工具條件。
  12. 如請求項10之系統，其中該計算系統進一步經組態以：當該第一時間與該第二時間之間之該差高於一臨限時間差時，基於自一控制晶圓偵測之照明判定一第三組參數；及比較該所量測第三組參數與該初級組參數臨限值以判定該所量測第三組參數中之一參數何時匹配一可校正工具條件。
  13. 如請求項9之系統，其中該計算系統進一步經組態以：當判定該工具受一可校正工具條件影響時經由一使用者介面提供一警示。
  14. 如請求項13之方法，其中該警示包含用於修復該可校正工具條件之一或多個指令。
  15. 如請求項14之系統，其中該一或多個指令包含用以更換、清潔或調整該工具之至少一個光學元件或機械組件之指令。
  16. 如請求項14之系統，其中該一或多個指令包含用以重新組態該工具之一致動器、一照明源或一偵測器之至少一個控制設定之指令。
  17. 一種其上儲存有程式指令之非暫時性信號承載媒體，該等程式指令包括一或多個指令集，該一或多個指令集經組態以致使一處理器：基於在一第一時間處自一控制晶圓收集之量測判定與用於對一或多個晶圓進行處理、檢驗或執行計量之一工具之工具條件相關聯之一第一組參數；比較該所量測第一組參數與一初級組參數臨限值以判定該所量測第一組參數中之一參數何時匹配一可校正工具條件；當該參數匹配一可校正工具條件時判定該參數在一關鍵參數程式庫中之一存在或一不存在，該關鍵參數程式庫包含係該初級組參數臨限值之一子組之一次級組參數臨限值；當該參數匹配一可校正工具條件且未在該關鍵參數程式庫中表示時將該參數添加至該關鍵參數程式庫；及產生指示一可校正工具條件之一存在或一不存在之一狀態。
  18. 如請求項17之非暫時性信號承載媒體，其中該一或多個指令集進一步經組態以致使一處理器：基於在一第二時間處自一第二晶圓收集之量測判定一第二組參數；及當該第一時間與該第二時間之間之一差低於一臨限時間差 時，比較該所量測第二組參數與該關鍵參數程式庫之該次級組參數臨限值以判定該所量測第二組參數之一關鍵參數何時超出限制。
  19. 如請求項18之非暫時性信號承載媒體，其中該一或多個指令集進一步經組態以致使一處理器：當判定該所量測第二組參數之一關鍵參數超出限制時，基於自一控制晶圓收集之量測判定一第三組參數；及比較該所量測第三組參數與該初級組參數臨限值以判定該所量測第三組參數中之一參數何時匹配一可校正工具條件。
  20. 如請求項18之非暫時性信號承載媒體，其中該一或多個指令集進一步經組態以致使一處理器：當該第一時間與該第二時間之間之該差高於一臨限時間差時，基於自一控制晶圓收集之量測判定一第三組參數；及比較該所量測第三組參數與該初級組參數臨限值以判定該所量測第三組參數中之一參數何時匹配一可校正工具條件。
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