TW201500221A - 薄玻璃在支承基底上的黏結製品、製備方法和其用途 - Google Patents

Abstract

本發明涉及製造黏結製品的方法，其中在外部壓力輔助下通過靜電黏附工藝，在無任何中間層存在下將薄玻璃基底黏結至支承基底，通過使用工具例如輥子或輪子或具有其他彎曲表面的可移動裝置，在黏附工藝期間連續地或逐步地施加壓力。所述黏結製品在黏結介面中沒有例如氣泡或包含物的缺陷，這有利於所述薄玻璃基底的運輸及其後加工。還公開了這樣的無缺陷黏結製品。通過兩個構件例如基底構件和支承構件的靜電荷黏附引發的壓力支持的靜電黏附，能夠最小化、防止和排除黏附表面之間的缺陷、畸變。

Description

薄玻璃在支承基底上的黏結製品、製備方法和其用途

總的來說，本發明涉及層壓製件，特別地，本發明涉及由基底構件和支承構件組成的層壓製件，更特別地，本發明涉及在不存在任何中間層的情況下通過靜電力和機械壓力黏結的基底構件和支承構件的層壓製品。另外，本發明涉及所述層壓製件的製備方法及其在OLED顯示、OLED照明、薄膜電池、PCB/CCL、電容器、電子紙或MEMS/MOEMS中的用途。

厚度小於0.1mm的薄玻璃基底由於其厚度薄和輕質而可能應用於許多領域中，這樣的領域例如是但不限於OLED顯示、OLED照明、薄膜電池、PCB/CCL、電容器、電子紙、MEMS/MOEMS。在這樣的部件或器件的製造期間，薄玻璃基底必須經歷一系列後處理，例如，被塗覆不同的功能層。

薄玻璃基底需要精確地進行配置以便於另外的加工，例如塗覆、光刻等，同時它由於其薄性質而難以處理和後加工。薄玻璃基底在外力下易於彎曲或破裂，這非常影響塗層品質和生產能力兩者。因此，薄玻璃基底的處理和加工對當前的工業設施構成了巨大的挑戰，由此嚴重限制了薄玻璃基底的應用。

一種在加工期間解決所述技術問題的可能的方法是層壓薄玻璃基底與較厚的支承基底。該支承基底可為薄玻璃基底提供保護，並且可防止任何變形，甚至防止在升高溫度或高溫下塗覆期間破裂。

所述支承基底通常可為任何種類的剛性基底，包括金屬基底、聚合物基底、玻璃基底、陶瓷基底等。然而，由於在加工條件下溫度的變化，所述支承基底應具有與薄玻璃基底匹配的熱膨脹係數(CTE)。

通常，一方面，通過合適的黏附力將薄玻璃基底黏結至支承基底，這確保層壓製件在加工期間的剛性。另一方面，加工的薄玻璃基底應容易地從支承基底分離，而在薄玻璃基底表面上無殘留和薄玻璃基底不破裂。另外，對於這樣的黏結和剝離過程，較低的成本是必須的考慮。

通常，通過在薄玻璃基底和支承基底之間施加黏合劑而獲得所述黏結。黏合劑通常是基於聚合物的材料，例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂或聚矽氧烷。薄玻璃基底和支承基底之間的黏附可通過在高溫下在UV光下聚合物中間層的固化或硬化而實現。該聚合物中間層可提供可調節的黏附和透明外觀，這例如公開在US 2002/0090509、WO 2004/033197、US 2005/001201和US 2011/0026236中。

所述聚合物中間層具有如下的缺點：影響其在高溫下的加工且其操作需要高精度：

1.高溫不穩定性：常規黏合劑，例如丙烯酸和環氧樹脂，不能經受200℃的溫度，並且甚至抗熱聚矽氧烷黏合劑對於250℃的溫度也僅能經受數分鐘。高溫不穩定性嚴重限制了薄玻璃基底的高溫加工性能，這是薄玻璃基底相對於聚合物薄膜的重要缺點。

2.在從支承基底分離後留下殘留物：對於大部分應用在加工期間需要支承基底，並且加工的薄玻璃基底需要從支承基底除去以進一步處理。例如，對於一些丙烯酸樹脂，當經受高溫處理時，黏附力相對容易降低，因為丙烯酸樹脂的最高使用溫度低於200℃，而對於抗高溫的聚矽氧烷，難以通過成本效益好的方式降低黏附力。因此，薄玻璃基底的應用例如在具有氧化銦錫(ITO)的 薄玻璃基底上形成高溫塗層嚴重受限。

3.收縮：在黏合劑硬化期間，在薄玻璃基底上將由於其收縮而產生張應力、壓縮應力或剪切應力。在進一步的加工中，該薄玻璃在外應力和內應力、壓縮應力或剪切應力的作用下將變得易碎。

4.表面波度：通過塗覆、印刷、刷塗等將所述黏合劑施加至支承基底。黏合劑的波度通常比薄玻璃基底自身的波度大得多。因此，可能不適用高精度光刻。

5.失配：聚合物和玻璃之間的CTE失配可能導致薄玻璃基底和支承基底的預料不到的分離或薄玻璃基底破裂風險的增大。

除了聚合物黏合劑之外，還可使用具有特定性質的其他中間層黏結薄玻璃基底和支承基底，例如，US 2005001201已經公開了可用於其間以進行這樣的黏結的彈性體。儘管彈性體可方便地黏結和剝離薄玻璃基底，但具有特定硬度和表面粗糙度的彈性體的成本相當高。在後加工期間可能的排氣可能引起一些問題，例如，薄玻璃基底的局部膨脹和加工室的污染。

通過在薄玻璃基底和支承基底之間不使用任何中間層的黏結，可克服使用中間層的那些黏結製品遇到的問題。一種方法是原位製造，另一種方法是靜電黏附。對於原位製造，經由分別具有薄玻璃基底和支承基底的不同組成的兩種熔體批料，可得到黏結的製品。當熔體冷卻下來時，在它們之間形成無缺陷的介面，如US 2011/111194中所公開的。當後加工結束時，支承玻璃基底可通過在酸中溶解或通過拋光而被除去。然而，該製造非常複雜並且不易於進行大量生產。

對於在之間無任何中間層的情況下黏結薄玻璃基底和支承基底，靜電黏附是理想選項，其還具有其他優點，例如設備簡單、成本低和易於大量生產，如US 6,735,982和WO 2004/033197中所公開的。薄玻璃基底和支承基底可在表面上以相反電荷靜電充 電，然後通過靜電黏附而黏結。遺憾的是，和使用中間層的黏結不同，通過靜電黏附，尤其是例如氣泡的缺陷總是存在於薄玻璃基底和支承基底的黏結介面中，即使在超清潔環境中實施該黏結工藝也是如此，在相關參考文獻中沒有對此進行解釋。事實上，通過考慮薄玻璃基底的性質可很好地理解這種現象。如圖1中所示例的，在靜電黏附之前，薄玻璃基底由於其厚度小和柔性性質而總是存在表面波動。一在支承基底和/或薄玻璃基底的表面上施加靜電充電，就由於表面波動而在黏結期間薄玻璃基底的一些凹進部分將在其他凸起部分之前被黏附至支承基底，導致空氣被捕獲在這些區域中，由此形成氣泡。

黏結介面中的氣泡對薄玻璃基底的後加工非常有害。例如，在高溫塗覆工藝期間，氣泡將膨脹，並且在冷卻之後，由於收縮而所述塗層在含有氣泡的那些位置處具有較低的品質。另外，在高真空下，薄玻璃基底破裂的可能性增大。在一些情況下，例如在清潔或層壓工藝期間，如果施加外部壓力，則在黏結介面中存在的氣泡還將引起薄玻璃基底破裂，這使得連續的工藝生成甚至更加困難。

在為解決上述缺點進行長期努力以後，發明人已經發現了一種方法，所述缺點是如下的缺陷，即，在具有或不具有中間層的情況下通過黏結或僅使用靜電力而在黏結介面中例如存在的氣泡或包含物，和玻璃在支承基底上與作為中間層的聚合物或其他有機黏合劑臨時黏結，由於聚合物的溫度穩定性低而應用受限，和由於應用所述中間層而引起的表面畸變。

在本發明中，公開了一種新的方法，通過以獨特黏結方法組合的靜電黏附和外部壓力兩者在沒有缺陷的情況下生產薄玻璃基底和支承基底的黏結製品。本發明還公開了一種薄玻璃基底和支承基底的黏結製品，其中在薄玻璃基底和支承基底之間無中間 層，並且在薄玻璃基底和支承基底間無缺陷。

在本發明的第一方面，公開了一種製造黏結製品的方法，所述方法包括：提供具有第一表面(1a)和第二表面(1b)的支承構件(1)，提供具有第一表面(2a)和第二表面(2b)的柔性基底構件(2)，將所述柔性基底構件(2)纏繞至輥子(3)上，和對所述支承構件(1)和/或所述柔性基底構件(2)充電，通過由所述輥子施加的靜電力和機械壓力，在所述輥子旋轉和移動下，將所述支承構件的第一和第二表面之一逐漸黏結至所述基底構件的第一和第二表面之一。

在一種實施方式中，所述支承構件和所述基底構件的至少一個表面被靜電充電。

在另一種實施方式中，通過施加極化電壓而產生靜電荷。

在又另一種實施方式中，施加至少±5kV且不超過±100kV的電壓。

在再另一種實施方式中，靜電棒和所述支承基底的黏結表面之間的距離小於20cm，小於10cm，小於5cm，或小於1cm。

在一種另外的實施方式中，充電時間持續小於1分鐘、小於30秒、小於20秒或小於10秒的時間段。

在一種又再另外的實施方式中，所述機械壓力不小於0.1MPa且不大於10MPa。

在一些其他的實施方式中，以0.05rps至5rps的速度施加所述機械壓力。

在一種特定的實施方式中，使用至少一個輥子通過輥壓法施加所述機械壓力。

在其他的實施方式中，至少所述輥子的表面包含金屬、塑膠或橡膠。

在另一種實施方式中，在所述黏結工藝之前將所述薄玻璃基 底黏附至具有彎曲表面的裝置。

在另一種實施方式中，通過移動具有彎曲表面的裝置來施加所述機械壓力。

在本發明的又另一個方面，通過水、乙醇、有機膜或黏合劑將所述基底構件纏繞至所述輥子或所述裝置的表面上，其中所述黏合劑的黏性比通過靜電黏附引入的黏結力低。

在本發明的又另一個方面，通過真空將所述基底構件黏附至所述輥子或所述裝置的表面。

在又另一種實施方式中，在具有或不具有通孔或孔隙的情況下在其上設置所述支承基底。

在一種實施方式中，通過從所述輥子的旋轉和所述基底構件或所述支承構件的移動施加的外部壓力實現所述黏結。

在本發明中，還公開了如下的製品，該製品由以下構件組成：具有第一表面(1a)和第二表面(1b)的支承構件(1)，具有第一表面(2a)和第二表面(2b)的柔性基底構件(2)，其中通過根據前述請求項中的任一項所要求保護的方法，將所述支承構件的第一和第二表面之一黏結至所述基底構件的第一和第二表面之一，其中通過殘留的靜電力黏結所述基底構件和所述支承構件，其中在所述黏結表面之間不存在肉眼可見的明顯缺陷，其中黏結的所述支承構件和所述柔性基底構件的總厚度是至少0.4mm。

在一種實施方式中，所述缺陷是氣泡或包含物。

在一種另外的實施方式中，無大於10μm的缺陷。

在又另一種實施方式中，所述缺陷密度小於5/m²。

在一種實施方式中，所述製品中的靜電壓不高於100kV、不高於10kV、或不高於1kV，但不小於1V。

在再另一種實施方式中，所述基底構件的厚度小於0.5mm、 小於0.2mm、小於0.1mm、小於70微米、小於50微米、小於30微米，但不小於0.01微米。在再又另一種實施方式中，所述基底構件包含玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷之一。

在一種實施方式中，所述基底構件可以是化學鋼化玻璃。

在本發明的一種另外的方面中，所述基底構件是如下的基底構件，該基底構件選自通過下拉法、浮法、微浮法、狹縫拉制法或熔融拉制法生產的硼矽酸鹽、鋁矽酸鹽和鈉鈣玻璃。

在本發明的另一個方面中，所述支承構件是一種如下的構件，其選自玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、金屬或塑膠。

在本發明的又另一個方面中，在具有或不具有通孔或孔隙的情況下在其上設置所述支承基底。

在一種實施方式中，當被加熱至最高達550℃、最高達450℃、最高達350℃或最高達250℃時，所述黏結製品不失去所述黏附。

在另一種實施方式中，所述黏結製品可塗覆有ITO層或OLED功能層。

在本發明中，通過上文所述方法製造的所述黏結製品或所述製品被用於薄基底的處理和運輸，尤其是薄基底的後處理，例如塗覆、光刻、圖案化或結構化。

在本發明中，通過上文所述方法製造的所述黏結製品或所述製品被用於如下應用中：OLED顯示，OLED照明，薄膜電池，PCB/CCL，電容器，電子紙或MEMS/MOEMS，和其中使用薄玻璃基底或包覆層的任何其他應用。

另外在本發明中，還記載了剝離所述黏結製品的方法，其中在使用或不使用電離器(5)中和靜電荷的情況下，可通過帶(4)牽引將所述基底構件從所述支承構件剝離。

在一種另外的實施方式中，通過經由所述支承構件的通孔或孔隙從壓縮水或氣體產生的壓力，可將所述基底構件從所述支承構件剝離。

在所述薄玻璃基底和所述支承基底之間無另外的黏合劑或中間層。

無缺陷黏結製品的優點有利於所述薄玻璃基底的後加工。如果之間存在小氣泡或包含物，則將嚴重影響機械加工精度，並且非常可能在相應位置上將形成無用的功能點或缺陷，導致產品品質下降。例如，當在高溫下實施塗覆時，氣泡的尺寸將變大，並且薄玻璃基底上相應位置對於精確光刻工藝不夠平坦。另外，容易發生破裂，尤其是當在另外的外力作用下應用層壓工藝時情況如此。

薄玻璃基底的玻璃表面上的粉塵和表面波動是導致在黏結期間形成氣泡的兩個主要原因。前者可通過在清潔環境中進行黏結而避免。後者可通過如下方式而克服：在靜電黏附工藝期間，以獨特方式施加適當的壓力，如本發明中所證實的。只有以這種方式才能夠實現無缺陷的黏結製品。

1‧‧‧支承構件

2‧‧‧柔性基底構件

3‧‧‧輥子

4‧‧‧帶

5‧‧‧電離器

1’‧‧‧鑽孔玻璃

1”‧‧‧孔陶瓷

1a‧‧‧第一表面

1b‧‧‧第二表面

2a‧‧‧第一表面

2b‧‧‧第二表面

圖1顯示在黏結製品中形成氣泡。

圖2顯示所述薄玻璃基底和所述支承基底。

圖3顯示在所述支承基底的表面上靜電充電。

圖4顯示所述“壓力支援的靜電黏附”的橫截面視圖。

圖5顯示所述“壓力支援的靜電黏附”的側視圖。

圖6顯示黏結製品。

圖7顯示通過帶牽引和電離器中和而剝離薄玻璃基底。

圖8顯示通過經由所述支承基底上的孔引入氣體或液體和敲擊所述黏結介面而剝離薄玻璃基底。

圖9顯示通過經由多孔陶瓷內部的孔隙引入氣體或液體和敲擊所述黏結介面而剝離薄玻璃基底。

圖10顯示薄玻璃基底和支承基底的經由層壓工藝的“壓力支持的靜電黏附”。

圖11顯示通過常規靜電黏附和所述“壓力支持的靜電黏附”生產的最終產品的差異比較。

對於通過降低厚度和重量來小型化電子產品，所述薄玻璃基底已受到關注。當所述玻璃厚度被降低至0.3mm、尤其0.1mm時，常規加工設定不起作用，而且包括切割、邊緣處理、清潔和塗覆的加工也受到挑戰。在這種情況下，可通過將所述薄玻璃基底黏結至剛性支承基底來解決這種問題，其中可通過靜電力產生所述薄玻璃基底和所述支承基底之間的初步黏附。

清楚地看到，與通過使用中間層或黏合劑得到的黏結製品相比，通過靜電力形成的黏結製品可經受高溫處理。另外，所述黏結製品能夠在無殘留物的情況下容易地剝離。

所述薄玻璃基底或所述支承基底的表面上的殘留粉塵可能在黏結期間影響空氣的去除，導致在所述黏結製品的薄玻璃基底和支承基底之間形成氣泡。因此，所述玻璃和支承基底需要清潔，並且應當在清潔室中實施整個加工。

在黏結介面中存在氣泡將嚴重地並且消極地影響黏結製品的後續加工。例如，當該黏結製品經歷高溫ITO塗覆時，氣泡將膨脹，形成在冷卻時甚至破裂的低品質塗層。另外，氣泡將使得更難以清潔黏結製品。

為了獲得無缺陷的黏結製品，以下三個步驟是必須的：清潔所述薄玻璃基底和所述支承基底兩者，對所述支承基底和/或所述薄玻璃基底的黏結表面靜電充電，和將所述薄玻璃基底壓力支持地靜電黏附至所述支承基底上。

為了獲得無缺陷的製品，所述支承基底和所述薄玻璃基底之間的CTE差應低於20%、10%或甚至5%。

所述支承基底的厚度小於5mm、小於3mm、小於1mm、小於0.7mm、小於0.6mm或小於0.5mm。

所述支承基底的邊緣在切割之後可以是倒稜的、研磨的或蝕刻的。

清潔和乾燥所述薄玻璃基底和所述支承基底，如圖2中所示的。

在清潔和乾燥之後，通過靜電發生器對所述黏結表面充電。在一種實施方式中，所述支承基底的黏結表面被充負電荷(標記為“-”)或正電荷(標記為“+”)，如圖3中所例示的。在另一種實施方式中，所述薄玻璃基底的表面被充負電荷或正電荷。在一種另外的實施方式中，所述支承基底和所述薄玻璃基底的兩個表面都被充相反電荷以進一步黏結。

充電用靜電壓高於5kV、高於10kV、高於20kV、高於30kV、高於40kV或高於50kV。

靜電棒和所述支承基底的黏結表面之間的距離小於20cm，小於10cm，小於5cm或小於1cm，且充電時間持續小於1分鐘、小於30秒、小於20秒或小於10秒。當施加更高的電壓時，應採用更大的距離和更短的充電時間。

在靜電充電之後，經由具有靜電黏附和外部壓力二者的協同作用的“壓力支持的靜電黏附”工藝，將所述薄玻璃基底和所述支承基底黏結在一起，如圖4和圖5中所示的。在黏結之前，將所述薄玻璃基底纏繞至輥子(通過彎曲箭頭標記旋轉方向)上以避免任何表面波動，其中在所述薄玻璃基底和所述輥子之間施加低黏度中間體。所述中間體和所述薄玻璃基底之間的黏附力應低於通過靜電黏附引入的黏結力，以方便之後的黏結工藝。所述輥子可由不銹鋼、銅、鋁合金或橡膠製成。所述輥子的半徑可大於3cm、大於5cm、大於10cm、大於20cm、大於50cm、大於100cm，只要所述輥子的半徑適當即可，以避免所述薄玻璃基底的任何破裂。

在一種實施方式中，將所述薄玻璃基底纏繞至具有彎曲表面 的可移動裝置上，而不是纏繞至輥子上。所述裝置可例如是拱形的、扇形的、橢圓形的或具有彎曲表面的任何其他形狀。其還應具有適當的曲率半徑以促進所述薄玻璃基底的黏附。

在一種實施方式中，使用水以將所述薄玻璃基底纏繞至所述輥子上。在另一種實施方式中，使用乙醇以將所述薄玻璃基底纏繞至所述輥子上。在又另一種實施方式中，使用有機薄膜，例如PET膜，以將所述薄玻璃基底纏繞至所述輥子上。需要指出的是，所述輥子的半徑應適當，以避免所述薄玻璃基底破裂。

在另一種實施方式中，通過真空將薄玻璃基底黏附至所述輥子。

“壓力支持的靜電黏附”是指，在靜電黏附期間，同時經由旋轉輥在薄玻璃基底上從一邊緣向相對的另一邊緣逐漸施加另外的力，以使得所述薄玻璃基底接觸所述支承基底並黏結至其表面，直至完成該黏結工藝。

當應用“壓力支持的靜電黏附”時，通過來自所述支承基底和/或所述薄玻璃基底的表面的靜電黏附和來自所述輥子的壓力兩者，首先將所述薄玻璃基底一個邊緣黏結至所述支承基底。利用所述輥子的旋轉和移動，將所述薄玻璃基底從一個邊緣至另一個邊緣逐漸黏結至所述支承基底。如圖4和圖5中所示例的，在被黏結狀態的薄玻璃基底總是僅有一條直線，這使得空氣被容易地從所述黏結介面壓出，以在整個黏結工藝期間實現無空氣的黏結製品。

在一種實施方式中，所述輥子不僅旋轉而且移動，使得經由“壓力支持的靜電黏附”過程將所述薄玻璃基底逐漸黏結至所述支承基底的表面。

在另一種實施方式中，所述輥子僅僅旋轉，而所述支承基底僅僅以與上述情況不同的方向移動，同樣使得經由“壓力支持的靜電黏附”過程將所述薄玻璃基底逐漸黏結至所述支承基底的表 面。

圖6中示出是所述黏結製品的示意圖。在靜電場強儀上測量所述黏結製品中的靜電壓，該靜電壓對於黏結原樣製品可高達100kV，並在數天之後逐漸降低。然而，殘留的靜電場仍能夠緊密保持所述薄玻璃基底和所述支承基底。例如，在磁控濺射的情況下，所述黏結製品中的殘留靜電壓非常有助於保持黏結，因為在濺射期間存在的磁粒子和真空易於使所述黏結製品分離。

在一種實施方式中，在真空中實施所述黏結工藝。

在另一種實施方式中，在清潔和乾燥之後，為了黏結，在所述支承基底表面上的靜電充電和施加至所述薄玻璃基底的壓力還可同時實施。

通過靜電黏附和外部壓力的協同效應，已經實現了在黏結製品中不存在任何氣泡的預料不到的技術效果，僅通過靜電黏附不能實現這種技術效果，這是因為，由於薄玻璃基底的厚度小和柔性性質，薄玻璃基底存在表面波動。一將靜電充電施加至所述支承基底和/或所述薄玻璃基底的表面，所述薄玻璃基底的凹進區域將在凸起區域之前被黏附至所述支承基底，導致空氣被捕獲在這些區域中，從而形成氣泡。施加壓力的方式對於避免氣泡形成至關重要。所述“壓力支援的靜電黏附”提供了有效並可靠的方法以製造無缺陷黏結製品，其中空氣可被容易地從所述黏結表面清除。

在這種情況下，無缺陷製品的標準是，不能肉眼觀察到任何氣泡、粉塵或其他缺陷。

所述薄玻璃基底的光滑表面將有助於黏結。所述薄玻璃基底的粗糙度小於10nm、小於5nm或小於2nm。

對於黏結施加的壓力高於0.1MPa、高於0.5MPa、高於1MPa或高於5MPa。

所述薄玻璃基底的厚度不高於0.5mm，不高於0.1mm,，不 高於70微米，不高於50微米或不高於30微米，並且所述的總厚度為0.5mm至5mm，0.5mm至3mm，0.5mm至2mm，0.5mm至1mm或0.5mm至0.7mm。

所述薄玻璃基底是通過下拉法、浮法、微浮法、狹縫拉制法或熔融拉制法生產的硼矽酸鹽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃。

取決於不同的應用，所述支承基底可為玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、金屬或塑膠。例如，當所述薄玻璃基底要經受高溫加工時，優選選擇與所述支承基底相同類型的玻璃，從而避免由於所述薄玻璃基底和所述支承基底之間的CTE差而導致所述薄玻璃基底從所述支承基底剝離。

當完成所述黏結製品的後加工時，具有功能層的薄玻璃基底需要從所述支承基底剝落。在一種實施方式中，在所述薄玻璃基底的一個角部上黏貼了帶(4)，從所述支承基底緩慢地牽引所述薄玻璃基底。在該過程中，電離器(5)在所述黏結表面上吹風以中和電荷，從而促進該剝離過程，如圖7中所示的。所述帶的牽引力大於0.1N、大於0.5N、大於1N、大於5N或大於10N。

所述具有孔或孔隙的支承基底還可有助於容易地剝離。在一種實施方式中，鑽孔玻璃(1’)或多孔陶瓷(1”)可被用作黏結用支承基底。在完成所述黏結製品的後加工之後，從這些孔或孔隙引入氣體或液體，以向所述薄玻璃基底施加力並迫使其從所述支承基底剝離，如圖8和圖9中所示的。所述孔的直徑小於1mm、小於0.5mm、小於0.1mm或小於0.05mm。所述多孔陶瓷的孔隙率高於30%、高於50%、高於70%、或高於80%。

實施例1

對厚度為0.05mm的鋁-硼矽酸鹽薄玻璃基底AF32實施ITO塗覆工藝以將其用作OLED顯示和照明的基底。為了促進處理和塗覆工藝兩者，通過“壓力支持的靜電黏附”工藝，將所述薄玻璃基底黏結至所述的厚度為0.5mm的鋁-硼矽酸鹽玻璃AF32。

在清潔所述薄玻璃基底和所述支承基底兩者之後，在-20kV的靜電壓下對後者充電。靜電棒和所述充電表面之間的距離是2cm，並且充電持續20秒。通過在輥子表面上的水黏附，首先將所述薄玻璃基底AF32纏繞至半徑是125mm的上輥子上。然後，通過層壓工藝實施“壓力支持的靜電黏附”，其中施加1MPa的壓力，如圖10中所示的。在一對輥子的旋轉下，所述支承基底從右向左移動，並且將所述薄玻璃基底AF32逐漸載入並從一邊緣至另一邊緣黏附至所述支承基底的表面。在整個黏結工藝期間，處於正被黏結狀態中的薄玻璃基底上總是僅存在一條直線，其結果是在該黏結製品中不存在氣泡。在黏結原樣製品中的靜電壓是2kV，並在3天之後降低至200V，其仍將所述薄玻璃基底緊密保持在所述支承基底上。所述薄玻璃基底的後加工涉及250℃溫度下的ITO塗覆工藝和OLED功能層的沉積。已經發現，所述黏結製品正好滿足塗覆的要求。在完成所有工藝之後，通過以10N的力從一個角部牽引帶，使所述薄玻璃基底從所述支承基底剝落。之後，獲得由薄玻璃、電極和功能層構成的OLED單元。

實施例2

薄玻璃基底D263T被用作一些光學感測器的包覆層和基底，其要求在該薄玻璃基底上形成感應層。在該實施例中，分別選擇厚度是0.05mm的D263T和厚度是0.5mm的多孔陶瓷氮化硼作為所述薄玻璃基底和所述支承基底。所述支承基底具有50-70%的孔隙率，並且所述孔隙是開孔的並且互相連接，以促進所述剝離工藝。在清潔所述薄玻璃基底D263T和所述多孔BN支承基底兩者之後，在30kV的靜電壓下對後者充電。靜電棒和所述充電表面之間的距離是5cm，並且充電持續10秒。然後，通過在橡膠輥子表面上的PET膜黏附，將所述薄玻璃基底D263T纏繞至半徑是100mm的輥子上。然後，實施“壓力支持的靜電黏附”，其中所述輥子旋轉並且還移動。在靜電黏附和輥子壓力的協同作用下， 將所述薄玻璃基底D263T逐漸黏結至所述多孔BN支承基底的表面中，其中沒有氣泡。之後，對所述黏結製品實施塗覆工藝以在所述薄玻璃基底D263T上形成感應層。之後，實施剝離工藝。將壓縮的空氣引入所述多孔BN支承基底中，並因此通過空氣壓力使所述薄玻璃基底D263T從所述支承基底剝離，而不對所述薄玻璃基底和其上的功能層造成損害。

實施例3

將所述薄玻璃基底AF32黏結至所述具有通孔的支承基底AF32。這些孔具有0.5mm的直徑，並且以互相之間10mm的間隔均勻地分佈在所述支承基底AF32上。在清潔和乾燥所述薄玻璃基底和所述支承基底兩者之後，在-30kV的靜電壓下對後者充電。靜電棒和所述充電表面之間的距離是10cm，並且充電持續40秒。然後，通過在所述輥子表面上的乙醇黏附將所述薄玻璃基底AF32纏繞至半徑是100mm的輥子上。在所述“壓力支持的靜電黏附”工藝期間，所述輥子的旋轉和移動使得所述薄玻璃基底AF32被逐漸黏結至所述鑽孔支承基底玻璃的充電表面上，其中在所述黏結介面中無任何氣泡。之後，對所述黏結製品實施CVD工藝以在所述薄玻璃基底AF32上製造導電塗層。然後實施剝離工藝。剝落來自於經由所述孔的空氣或液體的敲擊或機械作用，而不對所述薄玻璃基底和其上的功能層造成損害。

實施例4

對於光學透鏡的應用，首先將厚度是0.1mm的薄玻璃基底D263T在400℃下化學鋼化3小時，然後將其黏結至厚度是0.4mm的較厚D263T玻璃上以促進其後加工，例如塗覆或光刻。在清潔和乾燥化學鋼化的薄玻璃基底和所述支承基底兩者之後，經由靜電發生器在20kV的靜電壓下對所述支承基底的一個表面充電。靜電棒和所述充電表面之間的距離是8cm，並且充電持續50秒。然後通過低黏性黏合劑將所述化學鋼化的薄玻璃基底纏繞至一種 裝置上，並且該裝置具有曲率半徑40cm的拱形表面。然後，實施“壓力支持的靜電黏附”。利用所述裝置的旋轉，在所述靜電黏附和來自所述移動裝置的壓力的協同作用下，將所述化學鋼化的薄玻璃基底逐漸黏結至所述支承基底的充電表面上。在最終黏結製品的黏結介面中未觀察到缺陷。在塗覆光學膜之後，通過從一邊緣以15N的力牽引帶將所述化學鋼化的薄玻璃基底從所述支承基底剝離。因此，獲得用於光學透鏡的化學鋼化和塗覆的薄玻璃包覆層。

對比例

圖11中例示了常規靜電黏附和本發明“壓力支援的靜電黏附”的對比。通過常規靜電黏附將所述薄玻璃基底AF32黏結至所述支承基底AF32，導致在所述黏結介面中形成氣泡，如圖11a中所示出的。通常，粉塵的存在可能導致形成氣泡。然而，即使在潔淨環境下，通過常規靜電黏附仍可能形成內部無粉塵的氣泡。正是所述薄玻璃基底的表面波動會導致形成氣泡。如用光學顯微鏡所觀察的，即使未發現氣泡中的粉塵，但由於氣泡的存在，而在所述黏結製品中產生干涉圖樣，如圖11a中所示出的。通過對比，經由“壓力支持的靜電黏附”工藝可實現無缺陷的黏結製品，其確保通過靜電黏附和外部壓力的協同作用可將空氣從所述黏結介面中壓出。在圖11b中示出了一種實例。在反射或透射光下，表明通過所要求保護的獨特方法製造的黏結製品中不存在氣泡。另外，施加壓力的方式非常重要，並且僅剛性黏結能夠避免在黏結期間形成氣泡。這正是通過所謂的本發明“壓力支持的靜電黏附”而產生的技術效果。

1‧‧‧支承構件

2‧‧‧柔性基底構件

3‧‧‧輥子

Claims (30)

1. 一種製造黏結製品的方法，所述方法包括提供具有第一表面(1a)和第二表面(1b)的支承構件(1)，提供具有第一表面(2a)和第二表面(2b)的柔性基底構件(2)，將所述柔性基底構件(2)纏繞至輥子(3)或具有彎曲表面的裝置上，對所述支承構件(1)和/或所述柔性基底構件(2)充電，和通過由所述輥子或所述具有彎曲表面的裝置施加的靜電力和機械壓力兩者，在所述輥子(3)或所述具有彎曲表面的裝置旋轉和移動下，將所述支承構件的第一和第二表面之一逐漸黏結至所述柔性基底構件的第一和第二表面之一。
2. 根據請求項1所述的方法，其中所述支承構件和所述基底構件的至少一個表面被靜電充電。
3. 根據請求項1或2所述的方法，其中通過施加極化電壓而產生靜電荷。
4. 根據前述請求項中的任一項所述的方法，其中施加至少±5kV且不超過±100kV的電壓。
5. 根據前述請求項中的任一項所述的方法，其中靜電棒和所述支承基底的黏結表面之間的距離小於20cm，小於10cm，小於5cm，或小於1cm。
6. 根據前述請求項中的任一項所述的方法，其中充電時間持續小於1分鐘、小於30秒、小於20秒或小於10秒的時間段。
7. 根據前述請求項中的任一項所述的方法，其中所述機械壓力不小於0.1MPa且不大於10MPa。
8. 根據前述請求項中的任一項所述的方法，其中以0.05rps至5rps的速度施加所述機械壓力。
9. 根據前述請求項中的任一項所述的方法，其中使用至少一個輥子通過輥壓法施加所述機械壓力。
10. 根據前述請求項中的任一項所述的方法，其中至少所述輥子的表面包含金屬、塑膠或橡膠。
11. 根據前述請求項中的任一項所述的方法，其中通過水、乙醇、有機膜或具有低黏性的黏合劑將所述基底構件纏繞至所述輥子或所述具有彎曲表面的裝置的表面上。
12. 根據前述請求項中的任一項所述的方法，其中在具有或不具有通孔或孔隙的情況下在其上設置所述支承基底。
13. 根據前述請求項中的任一項所述的方法，其中通過從所述輥子的旋轉和所述柔性基底構件或所述支承構件的移動產生的外部壓力實現所述黏結。
14. 一種製品，其由以下構件組成：具有第一表面(1a)和第二表面(1b)的支承構件(1)，具有第一表面(2a)和第二表面(2b)的柔性基底構件(2)，其中通過根據前述請求項1-13中的任一項所述的方法，將所述支承構件的第一和第二表面之一黏結至所述柔性基底構件的第 一和第二表面之一，其中通過殘留的靜電力黏結所述基底構件和所述支承構件，其中在所述黏結表面之間不存在肉眼可見的明顯缺陷，並且其中黏結的所述支承構件和所述柔性基底構件的總厚度是至少0.4mm。
15. 根據請求項14所述的製品，其中所述缺陷是氣泡或包含物。
16. 根據請求項14或15所述的製品，其中無大於10μm的缺陷。
17. 根據前述請求項14-16中的任一項所述的製品，其中所述缺陷密度小於5/m²。
18. 根據前述請求項14-17中的任一項所述的製品，其中所述製品中的靜電壓小於100kV、小於10kV、或小於1kV，但不小於1V。
19. 根據前述請求項14-18中的任一項所述的製品，其中所述柔性基底構件的厚度小於0.5mm、小於0.2mm、小於0，1mm、小於70μm、小於50μm或小於30μm，但不小於0.01μm。
20. 根據前述請求項14-19中的任一項所述的製品，其中所述柔性基底構件包含玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷。
21. 根據請求項19所述的製品，其中所述柔性基底構件是玻璃，並且該玻璃可以是化學鋼化玻璃。
22. 根據請求項21所述的製品，其中所述柔性基底構件是如下的玻璃，該玻璃選自通過下拉法、浮法、微浮法、狹縫拉制法或熔融拉制法生產的硼矽酸鹽、鋁矽酸鹽和鈉鈣玻璃。
23. 根據前述請求項14-22中的任一項所述的製品，其中所述支承構件是一種如下的構件，其選自玻璃、玻璃陶瓷、陶瓷、金屬或塑膠。
24. 根據前述請求項14-23中的任一項所述的製品，其中在具有或不具有通孔或孔隙的情況下在其上設置所述支承基底。
25. 根據前述請求項14-24中的任一項所述的製品，其中當被加熱至最高達550℃、最高達450℃、最高達350℃或甚至最高達250℃時，所述黏結製品不失去所述黏附。
26. 根據前述請求項14-25中的任一項所述的製品，其中所述黏結製品可被另外塗覆ITO功能層或OLED功能層。
27. 根據前述請求項14-26中的任一項所述的黏結製品或通過根據前述請求項1-13中的任一項所述的方法製造的製品的如下用途：用於薄柔性基底的處理和運輸，尤其是薄柔性基底的後處理，例如塗覆、光刻、圖案化或結構化。
28. 根據前述請求項14-26中的任一項所述的黏結製品或通過根據前述請求項1-13中的任一項所述的方法製造的製品用於如下應用的用途：OLED顯示，OLED照明，薄膜電池，PCB/CCL，電容器，電子紙或MEMS/MOEMS，和其中使用薄玻璃基底或包 覆層的任何其他應用。
29. 用於剝離根據前述請求項14-26中的任一項所述的黏結製品或通過根據前述請求項1-13中的任一項所述的方法製造的製品的方法，其中在使用或不使用電離器中和靜電荷的情況下，可通過帶牽引將所述柔性基底構件從所述支承構件剝離。
30. 用於剝離根據前述請求項14-26中的任一項所述的黏結製品或通過根據前述請求項1-13中的任一項所述的方法製造的製品的方法，其中通過經由所述支承構件的通孔或孔隙從壓縮水或氣體產生的壓力，可將所述基底構件從所述支承構件剝離。