TW201444119A - 無電極遮光的發光二極體及其製作方法 - Google Patents

Abstract

一種無電極遮光的發光二極體的製作方法，主要是將第一電極製作於發光區外，並利用將第一電極事先製作出一形成於第一型第一半導體層裸露之表面的延伸電極，因此，製得的發光二極體無習知電極遮光的問題，且當後續欲利用該發光二極體進行封裝時，即可藉由外露之延伸電極進行打線，而可解決習知覆晶封裝時對位不易的問題。此外，本發明還提供一種無電極遮光的發光二極體。

Description

無電極遮光的發光二極體及其製作方法

本發明是有關於一種發光二極體，及其製作方法，特別是指一種無電極遮光的發光二極體及其製作方法。

發光二極體的光電效率是以外部量子效率表示，而外部量子效率又為內部量子效率與光取出率的乘積；其中，光取出率則為自發光層產生的光子與成功離開半導體光電元件內部之光子量的比值。

參閱圖1，圖1是一般發光二極體的結構，具有一個磊晶基板11、一個形成於該磊晶基板11表面的發光單元12、及一個用以提供電能製該發光單元12的電極單元13。該發光層具有一層與該基板的表面連接的第一型半導體層121、一與該第一型半導體層121的部分表面連接的多接面量子井層(MQW)122，及一層與該多接面量子井層122表面連接的第二型半導體層123，且該第二型半導體層123的表面為出光面，該電極單元13具有一個形成於該第一型半導體層121表面的底電極131，及一形成於該第二型半導體層123表面的頂電極132。

目前常用來提升發光二極體光取出率的方法， 有利用改變發光單元的結構/組成以提升發光效率的化學方法、或是利用物理方法，在該發光單元12表面或是磊晶基板11的表面形成規則或不規則形狀的粗化結構14(參閱圖2，圖2中該粗化結構14為形成在該出光面)，以減少光的全反射作用、或是利用減少該頂電極132對該出光面的遮覆，增加出光面積，以提升發光二極體的光取出效率；而如果該磊晶基板11為透光材料，則可進一步利用改變封裝方式，利用覆晶方式封裝LED，改變光的出射方向，以減低一般封裝時，因為該頂電極132的遮覆所造成的電極遮光的問題。

然而，前述以覆晶封裝方式進行LED封裝時，雖然光會經由該磊晶基板11的方向發出，而可避免傳統封裝時該頂電極132會遮覆出光面的問題，但是利用覆晶封裝方式，因為要將該底、頂電極131、132與用於封裝的之基板的電路進行對位，而此，則會因為該底、頂電極131、132被壓覆在最底部而增加製程的困難。此外，一般用於覆晶封裝的封裝基板因為其正極與負極的電路會製作在同一平面，因此，封裝後製得的覆晶結構仍會面臨封裝基板因存在絕緣材料，而影響其散熱能力的問題。

因此，如何降低該頂電極13對發光單元12的影響，減少該發光層12發光區域的浪費以有效提升該發光二極替的出光效率，則為本技術人員努力改善的方向。

因此，本發明之目的，即在提供一種無電極遮 光的發光二極體的製作方法，此一做法不僅可製作出一種無電極遮光而具有高光取出率的發光二極體，且該發光二極體還可解決傳統覆晶製程對位之限制。

於是本發明無電極遮光的發光二極體的製作方法，包含以下6個步驟。

步驟(a)，準備一個基材，具有一個磊晶用的磊晶基板及一發光單元，該發光單元具有一層與該磊晶基板的表面連接的第一型半導體層、一與該第一型半導體層的部分表面連接的多接面量子井層，及一層與該多接面量子井層表面連接的第二型半導體層。

步驟(b)，於該第一型半導體層的表面形成至少一個與該多接面量子井層，及第二型半導體層成一間隙彼此間隔的第一電極。

步驟(c)，形成一層包覆該第一電極裸露之表面的第一絕緣膜。

步驟(d)，形成一層與該發光單元的頂面電連接的第二電極。

步驟(e)，移除該磊晶基板，令該第一型半導體層與該磊晶基板連接的表面裸露出。

步驟(f)，自該第一型半導體層遠離該發光單元的表面朝向對應該第一電極的位置形成一個貫穿該第一型半導體層的第一穿孔，再形成一個與該第一電極電連接並經由該第一穿孔向外延伸的第一延伸電極。

較佳地，其中，該步驟(b)是形成多個與該多 接面量子井層，及第二型半導體層成一間隙彼此間隔的第一電極，該步驟(c)是於該些間隙及該第一電極的頂面形成一絕緣層。

較佳地，其中，該發光單元還具有一層形成於該第二型半導體層表面的反射層。

較佳地，前述該高光取出率發光二極體的製作方法，還包含一實施於該步驟(c)之前的步驟(g)，於該多接面量子井層與第二型半導體層遠離該第一電極的側面形成一層第一絕緣膜，再自該發光單元頂面沿著該第一絕緣膜的表面形成一連接導線，該步驟(f)則是自該背面朝向該第一電極與該連接導線的位置分別形成一個貫穿該第一型半導體層的第一、二穿孔，再分別形成與該第一電極及連接導線電連接，並經由該第一、二穿孔向外延伸的一第一延伸電極及一第二延伸電極。

較佳地，其中，該步驟(e)是以雷射剝離、化學蝕刻或機械研磨方式移除該磊晶基板。

較佳地，其中，該步驟(d)是先於該絕緣層及該發光單元的頂面形成一晶種層，再以電鍍方式自該晶種層表面增厚形成一金屬層，而得到該第二電極。

較佳地，其中，該步驟(d)是先於該絕緣層及該發光單元的頂面形成一晶種層，再以晶圓鍵結方式於該晶種層表面貼合一層導電基板，而得到該第二電極

又，本發明之另一目的，即在提供一種無電極遮光的發光二極體。

於是本發明的發光二極體包含：一發光單元、一第一電極、一絕緣層、一延伸電極，及一第二電極。

該發光單元具有一第一型半導體層、一層形成於該第一型半導體層的部分表面的多接面量子井層，及一層形成於該多接面量子井層表面的第二型半導體層，且該第一型半導體層具有至少一個穿孔。

該第一電極設置於該第一型半導體層的表面，與該多接面量子井層，及第二型半導體層呈一間隙彼此間隔設置，並蓋覆該穿孔位置。

該絕緣層覆蓋該發光單元與該第一電極的頂面。

該延伸電極穿過該穿孔與該第一電極電連接。

該第二電極與該發光單元的頂面電連接。

較佳地，其中，該發光單元還具有一層形成於該第二型半導體層表面的反射層。

此外，本發明之又一目的，即在提供一種無電極遮光的發光二極體。

於是本發明的發光二極體包含：一發光單元、一第一電極、一絕緣層、一連接導線、一延伸電極單元，及一第二電極。

該發光單元具有一第一型半導體層、一層多接面量子井層，及一層第二型半導體層，其中，該第一型半導體層具有一分割槽，及藉由該分割槽彼此隔離的一第一區及一第二區，該第一區具有一個第一穿孔，且該第二區 具有一鄰近該分割槽的第二穿孔，該多接面量子井層形成於該第一區鄰近該分割槽的表面，該第二型半導體層形成於該多接面量子井層表面。

該第一電極，設置於該第一區的表面，與該多接面量子井層，及第二型半導體層呈一間隙彼此間隔設置，並蓋覆該第一區的第一穿孔位置。

該絕緣層，具有一包覆該多接面量子井層，及第二型半導體層鄰近該分割槽的側面的第一絕緣膜，及一包覆該第一電極的表面的第二絕緣膜。

該連接導線自該第二型半導體層的頂面並沿該第一絕緣膜的表面延伸至該第二區，並覆蓋該第二區的第二穿孔位置。

該延伸電極單元具有一穿過該第一穿孔與該第一電極電連接的第一延伸電極，及一穿過該第二穿孔與該連接導線電連接的第二延伸電極。

該第二電極形成於該發光單元的頂面並與該發光單元及連接導線電連接。

本發明之功效在於：利用將該第一電極製作於該發光單元的出光面之外，且事先製作出一形成於該第一型半導體層裸露之表面並與該第一電極電連接的延伸電極，不僅可解決習知LED結構電極遮光的問題，且可解決覆晶封裝時的電極對位問題。

21‧‧‧發光單元

211‧‧‧第一型半導體層

212‧‧‧多接面量子井層

213‧‧‧第二型半導體層

214‧‧‧反射層

215‧‧‧穿孔

22‧‧‧第一電極

23‧‧‧絕緣層

24‧‧‧延伸電極

25‧‧‧第二電極

31‧‧‧步驟

32‧‧‧步驟

33‧‧‧步驟

34‧‧‧步驟

35‧‧‧步驟

36‧‧‧步驟

41‧‧‧發光單元

411‧‧‧第一型半導體層

411a‧‧‧第一區

411b‧‧‧第二區

412‧‧‧多接面量子井層

413‧‧‧第二型半導體層

414‧‧‧反射層

415‧‧‧分割槽

416‧‧‧第一穿孔

417‧‧‧第二穿孔

42‧‧‧第一電極

43‧‧‧絕緣層

431‧‧‧第一絕緣膜

432‧‧‧第二絕緣膜

44‧‧‧連接導線

45‧‧‧延伸電極單元

451‧‧‧第一延伸電極

452‧‧‧第二延伸電極

46‧‧‧第二電極

51‧‧‧步驟

52‧‧‧步驟

53‧‧‧步驟

54‧‧‧步驟

55‧‧‧步驟

56‧‧‧步驟

本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的 較佳實施例詳細說明中清楚地呈現，其中：圖1是一示意圖，說明習知發光二極體；圖2是一示意圖，說明習知發光二極體的另一態樣；圖3是一示意圖，說明本發明發光二極體的第一較佳實施例；圖4是一流程圖，說明本發明該第一較佳實施例的製作方法；圖5是一流程示意圖，輔助說明圖3；圖6是一俯視示意圖，說明該第一較佳實施例之第一電極的另一種分布態樣；圖7是一示意圖，說明本發明發光二極體的第二較佳實施例；圖8是一流程圖，說明本發明該第二較佳實施例的製作方法；圖9是一流程示意圖，輔助說明圖8。

在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

參閱圖3，圖3為本發明發光二極體之第一較佳實施例，其為水平式發光二極體結構。

該發光二極體包含：一發光單元21、一第一電極22、一絕緣層23、一延伸電極24、及一第二電極25。

該發光單元21具有一第一型半導體層211、一層多接面量子井層212、一層第二型半導體層213，及反 射層214。其中，該第一型半導體層211具有一個與該多接面量子井層212及第二型半導體層213間隔設置的穿孔215，其中，要說明的是，該第一、二型半導體層211、213是指經由不同離子摻雜而具有相反電性的半導體膜層，例如當該第一型半導體層211為n型摻雜，則該第二型半導體層213為p型摻雜；當該第一型半導體層211為p型摻雜，則該第二型半導體層213為n型摻雜，由於該發光單元的相關材料為本技術領域所知悉，且非為本發明之重點因此不再多加說明，於本實施例中是以該第一、二型半導體層211、213分別為n型摻雜及p型摻雜的氮化鎵為例作說明。

該第一電極22設置於該第一型半導體層211的表面，與該多接面量子井層212，及第二型半導體層213呈一間隙彼此間隔設置，並蓋覆該第一穿孔215位置。

該絕緣層23覆蓋該發光單元21與該第一電極22的頂面；該絕緣層23的目的是用來隔離該第一電極42與其它導電材料之間不須要的電接觸，因此，只要是絕緣材料均可適用，例如光阻、環氧樹脂等。

該延伸電極24，穿過該穿孔215與該第一電極22電連接。

該第二電極25，與該發光單元21的頂面電連接。其中，該第一電極22、延伸電極24，及第二電極25的目的均是做為電傳導，因此，只要是可導電的材料，例如金屬、合金，或金屬氧化物均可，並無特別限制。當利用該 第一、二電極22、25提供電能至該發光單元21時，該發光單元21即可於接收電能後將其轉換成光能向外發出，且該第一型半導體層211的表面即為該發光二極體的出光面。

本發明利用將該第一電極22形成於該發光單元21的出光面外，不會覆蓋發光區之量子井，因此，可解決習知頂電極132遮覆出光面的問題，有效提升該發光二極體的出光效率；而藉由形成於該第一型半導體層211的穿孔215，令該第一電極22可經由該延伸電極24的延伸而外露於該第一型半導體層211，因此，當後續欲利用該發光二極體進行覆晶封裝時，即可藉由外露之延伸電極24進行打線，而可解決習知發光二極體於覆晶封裝時電路對位不易的問題。

參閱圖4、5本發明該發光二極體之第一較佳實施例的製作方法包含以下6個步驟。

步驟31，準備一個基材，該基材具有一個磊晶用的磊晶基板100及一發光單元21，該發光單元21具有一層與該磊晶基板100的表面連接的第一型半導體層211、一與該第一型半導體層211的部分表面連接的多接面量子井層212、一層與該多接面量子井層212表面連接的第二型半導體層213，及一層形成於該第二型半導體層213表面的反射層214。要說明的是，該發光單元21可以是先於該磊晶基板100的表面依序磊晶形成該第一型半導體層211、多接面量子井層212、第二型半導體層213，及反射層214後，再利用蝕刻方式移除部分形成於該第一型半 導體層211上的多接面量子井層212、第二型半導體層213，及反射層214，令該第一型半導體層211的部份表面露出，即而得到該發光單元21；或是先於該基板100的表面先依序磊晶形成該第一型半導體層211、多接面量子井層212，及第二型半導體層213，之後利用蝕刻方式移除部分形成於該第一型半導體層211上的多接面量子井層212，及第二型半導體層213，令該第一型半導體層211的部份表面露出，再於該第二型半導體層213表面形成該反射層214，而得到該發光單元21。由於該發光單元21的製作及相關材料選擇為本技術領域所周知因此不再多加贅述。

步驟32，於該第一型半導體層211的表面沉積形成一個與該多接面量子井層212、第二型半導體層213，及該反射層214成一間隙彼此間隔的第一電極22。要說明的是，該第一電極22的目的是做為電傳導用，因此選自可導電的材料，例如金屬、合金，或金屬氧化物等即可，並無特別限制，較佳地，為了考量後續封裝的平整及穩定性，該第一電極22的高度與該反射層214的水平高度實質相當。

步驟33，以塗佈方式於該第一電極22的表面形成一絕緣層23，該絕緣層23的目的是用來隔離該第一電極22與其它導電材料、或是與該第一型半導體層211及多接面量子井層212之間不須要的電接觸，因此，只要是絕緣材料均可適用，而為了後續製程的需求，較佳地，該絕緣 層23為包覆該第一電極22裸露的表面並填滿該間隙。

步驟34，形成一層與該發光單元21的頂面電連接的第二電極25。詳細的說，該步驟34可以是先在該發光單元21、及該絕緣層23的頂面形成一層晶種層後，再以電鍍增厚方式於該晶種層上形成一層金屬層，而得到該第二電極25；或也可以利用晶圓鍵結(wafer bonding)方式，先在該發光單元21、及該絕緣層23的頂面形成一層晶種層後，再將一導電基板貼合於該晶種層上，而得到該第二電極25。

步驟35，移除該磊晶基板100。該步驟35可以利用雷射剝離移除(laser lift off)、化學蝕刻、或是機械研磨方式將該磊晶基板100移除，令該第一型半導體層211與該磊晶基板100連接的表面裸露出。

步驟36，以蝕刻方式自該第一型半導體層211遠離該發光單元21的表面朝向對應該第一電極22的位置形成一個貫穿該第一型半導體層的穿孔215，再利用沉積方式形成一與該第一電極22電連接，並經由該穿孔215向外延伸的延伸電極24，即可製得本發明該發光二極體。

此外，參閱圖6，圖6為自該發光二極體的頂面俯視的示意圖，該發光二極體也可具有多個第一電極22，該等第一電極22可以是環繞該發光單元21設置，且不會遮覆發光區之量子井，藉由該等第一電極22可增加該發光二極體對外的電連接點，而增加對外電連接的便利性。

利用將該第一電極22製作於該發光單元21的出 光面之外，並利用形成於該第一型半導體層211的2穿孔215，令該第一電極22可經由該延伸電極24而外露於該第一型半導體層211，因此，不僅可解決習知電極遮光的問題，且當欲利用該發光二極體進行覆晶封裝時，即可藉由外露之延伸電極24進行打線，還可進一步解決習知發光二極體於覆晶封裝時打線不易的問題。

參閱圖7，圖7為本發明發光二極體之第二較佳實施例，其為垂直式發光二極體結構。

該發光二極體包含：一發光單元41、一第一電極42、一絕緣層43、一連接導線44、一延伸電極單元45，及一第二電極46。

該發光單元41具有一第一型半導體層411、一層多接面量子井層412、一層第二型半導體層413，及一反射層414。其中，該第一型半導體層411具有一分割槽415，及藉由該分割槽415彼此隔離的一第一區411a及一第二區411b；該第一區411a具有一個遠離該分割槽415的第一穿孔416，且該第二區411b具有一鄰近該分割槽415的第二穿孔417，該多接面量子井層412形成於該第一區411a鄰近該分割槽415的表面，且該第二型半導體層413形成於該多接面量子井層412表面。其中，該第一、二型半導體層411、413與該第一較佳實施例相同，因此不再多加說明。

該第一電極42設置於該第一區411a的表面，與該多接面量子井層412，及第二型半導體層413呈一間隙 彼此間隔設置，並蓋覆該第一區411a的第一穿孔416位置。

該絕緣層43具有一包覆該多接面量子井層412，及第二型半導體層413鄰近該分割槽415的側面的第一絕緣膜431，及一包覆該第一電極42的表面的第二絕緣膜432，該絕緣層43的目的是用來隔離該第一電極42與其它導電材料、或是該連接導線44與該第一型半導體層411及多接面量子井層412之間不必要的電接觸，因此，只要是絕緣材料均可適用，例如光阻、環氧樹脂等。

該連接導線44自該發光單元41的頂面沿該第一絕緣膜431的表面延伸至該第二區411b，並覆蓋該第二區411b的第二穿孔417位置。

該延伸電極單元45具有一穿過該第一穿孔416與該第一電極42電連接的第一延伸電極451，及一穿過該第二穿孔417與該連接導線44電連接的第二延伸電極452。

該第二電極46形成於該發光單元41的頂面並與該發光單元41及該連接導線44電連接。當利用該第一、二電極42、46提供電能至該發光單元41時，該發光單元41即可於接收電能後將其轉換成光能向外發出，且該第一型半導體層411的第一區411a即為該發光二極體的出光面。

本發明利用將該第一電極42製作於該發光單元41的出光面之外，不會遮蔽發光區之量子井區域，因此，可解決習知LED結構頂電極遮光的問題；並藉由形成於該 第一型半導體層411的第一、二穿孔416、417，令該第一、二電極42、46可分別經由該第一二延伸電極451、452的延伸而外露於該第一型半導體層411，因此，當利用本發明該發光二極體進行覆晶封裝時，可藉由外露之第一、二延伸電極451、452進行打線，而可解決習知發光二極體於覆晶封裝時電路對位不易的問題。

參閱圖8、圖9，茲將本發明該第二較佳實施例的製作方法說明如下。

本發明該發光二極體之第二較佳實施例的製作方法包含以下6個步驟。

步驟51，準備一個基材，該基材具有一個磊晶用的磊晶基板100及一發光單元41，該發光單元41具有一層與該磊晶基板100的表面連接的第一型半導體層411、一與該第一型半導體層411的部分表面連接的多接面量子井層412、一層與該多接面量子井層412表面連接的第二型半導體層413，及一層形成於該第二型半導體層413表面的反射層414。由於該發光單元41的製作方式與該第一較佳實施例相同，因此不再多加贅述。

步驟52，於該第一型半導體層411的表面沉積形成一個與該多接面量子井層412、第二型半導體層413，及該反射層414呈一間隙彼此間隔的第一電極42。要說明的是，該第一電極42是做為電傳導用，因此選自可導電的材料，例如金屬、合金，或金屬氧化物即可，並無特別限制；較佳地，為了考量後續封裝的平整及穩定性，該第 一電極42的高度與該反射層414的水平高度相當實質。

步驟53，以塗佈方式於該多接面量子井層412、第二型半導體層413，及該414反射層遠離該第一電極42的側面形成一第一絕緣膜431，並於該第一電極42的表面形成一第二絕緣膜432。要說明的是，該第一、二絕緣膜431、432的目的是用來隔離該第一電極42與其它導電材料、或是該連接導線44與該第一型半導體層411及多接面量子井層412之間不須要的電接觸，因此，只要是絕緣材料均可適用，而為了後續製程的需求，較佳地，該第二絕緣膜432為包覆該第一電極42裸露的表面並填滿該間隙，且該第一、二絕緣膜431、432的高度實質會在同一水平位置。

步驟54，形成一層與該發光單元41的頂面電連接的第二電極46。詳細的說，該步驟54是先在該發光單元41、及該第一、二絕緣膜431、432的頂面形成一層晶種層後，再以電鍍增厚方式於該晶種層上形成一層金屬層，而得到該第二電極46；或也可以利用晶圓鍵結(wafer bonding)方式，先在該發光單元41、及該絕緣層43的頂面形成一層晶種層後，再將一導電基板貼合於該晶種層上，而得到該第二電極46，由於利用電鍍或是晶圓鍵結方式為本技術領域常用之技術手段，因此不再多加說明。

步驟55，移除該磊晶基板100。該步驟55可以利用雷射剝離移除(laser lift off)、化學蝕刻、或是機械研磨方式將該磊晶基板100移除，而令該第一型半導體層 411與該磊晶基板100連接的表面裸露出。

接著進行步驟56，以蝕刻方式自該第一型半導體層411遠離該發光單元41的表面朝向對應該第一絕緣膜431的位置形成一分割槽415，並於對應該第一電極42與該連接導線44的位置分別形成一個貫穿該第一型半導體層的第一、二穿孔416、417，再利用沉積方式分別形成與該第一電極42及連接導線44電連接，並經由該第一、二穿孔416、417向外延伸的一第一延伸電極451及一第二延伸電極452，即可製得該本發明該發光二極體。

此外，要說明的是，該發光二極體也可具有多個第一電極42，該等第一電極42是環繞該發光單元21設置，不會遮蔽發光區之量子井，藉由該等第一電極42可增加該發光二極體對外的電連接點，更易於後續打線連接，增加對外電連接的便利性。

綜上所述，本發明利用將該第一電極22、42製作於該發光單元21的出光面外，並事先製作出一形成於該第一型半導體層211、411裸露之表面的延伸電極24、45，製得無電極遮光的發光二極體，因此，可解決習知LED頂電極132遮覆出光面的問題，而可有效提升該發光二極體的出光效率；此外，當後續欲利用本發明該無電極遮光的發光二極體進行覆晶封裝時，還可藉由外露之延伸電極24、45進行打線，而可解決習知發光二極體於覆晶封裝時對位不易的問題，惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本 發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

21‧‧‧發光單元

211‧‧‧第一型半導體層

212‧‧‧多接面量子井層

213‧‧‧第二型半導體層

214‧‧‧反射層

215‧‧‧穿孔

22‧‧‧第一電極

23‧‧‧絕緣層

24‧‧‧延伸電極

25‧‧‧第二電極

Claims (11)

1. 一種無電極遮光的發光二極體的製作方法，包含：步驟(a)，準備一個基材，具有一個磊晶用的磊晶基板及一發光單元，該發光單元具有一層與該表面連接的第一型半導體層、一與該第一型半導體層的部分表面連接的多接面量子井層，及一層與該多接面量子井層表面連接的第二型半導體層；步驟(b)，於該第一型半導體層的表面形成至少一個與該多接面量子井層，及第二型半導體層成一間隙彼此間隔的第一電極；步驟(c)，形成一層包覆該第一電極裸露之表面的第二絕緣膜；步驟(d)，形成一層與該發光單元的頂面電連接的第二電極；步驟(e)，移除該磊晶基板，令該第一型半導體層與該磊晶基板連接的表面裸露出；及步驟(f)，自該第一型半導體層遠離該發光單元的表面朝向對應該第一電極的位置形成一個貫穿該第一型半導體層的第一穿孔，再形成一個與該第一電極電連接並經由該第一穿孔向外延伸的第一延伸電極。
2. 如請求項1所述的發光二極體的製作方法，其中，該步驟(b)是形成多個與該多接面量子井層，及第二型半導體層成一間隙彼此間隔的第一電極，該步驟(c)是於該些間隙及該第一電極的頂面形成一絕緣層。
3. 如請求項1所述的發光二極體的製作方法，其中，該發光單元還具有一層形成於該第二型半導體層表面的反射層。
4. 如請求項1所述的發光二極體的製作方法，還包含一實施於該步驟(c)之前的步驟(g)，於該多接面量子井層與第二型半導體層遠離該第一電極的側面形成一層第一絕緣膜，再自該發光單元頂面沿著該第一絕緣膜的表面形成一連接導線，該步驟(f)則是自該第一型半導體層的背面朝向該第一電極與該連接導線的位置分別形成一個貫穿該第一型半導體層的第一、二穿孔，再分別形成與該第一電極及連接導線電連接，並經由該第一、二穿孔向外延伸的一第一延伸電極及一第二延伸電極。
5. 如請求項1所述的發光二極體的製作方法，其中，該步驟(e)是以雷射剝離、機械研磨，或化學蝕刻方式移除該磊晶用的基板。
6. 如請求項1所述的發光二極體的製作方法，其中，該步驟(d)是先於該絕緣層及該發光單元的頂面形成一晶種層，再以電鍍方式自該晶種層表面增厚形成一金屬層，而得到該第二電極。
7. 如請求項1所述的發光二極體的製作方法，其中，該步驟(d)是先於該絕緣層及該發光單元的頂面形成一晶種層，再將一導電基板以晶圓鍵結方式與該晶種層貼合，而得到該第二電極。
8. 一種無電極遮光的發光二極體，包含： 一發光單元，具有一第一型半導體層、一層形成於該第一型半導體層的部分表面的多接面量子井層，及一層形成於該多接面量子井層表面的第二型半導體層，且該第一型半導體層具有至少一個穿孔；一第一電極，設置於該第一型半導體層的表面，與該多接面量子井層，及第二型半導體層呈一間隙彼此間隔設置，並蓋覆該穿孔位置；一絕緣層，覆蓋該發光單元與該第一電極的頂面；一延伸電極，穿過該穿孔與該第一電極電連接；及一第二電極，與該發光單元的頂面電連接。
9. 如請求項8所述的發光二極體，其中，該發光單元還具有一層形成於該第二型半導體層表面的反射層。
10. 一種無電極遮光的發光二極體，包含：一發光單元，具有一第一型半導體層、一層多接面量子井層，及一層第二型半導體層，其中，該第一型半導體層具有一分割槽，及藉由該分割槽彼此隔離的一第一區及一第二區，該第一區具有一個第一穿孔，且該第二區具有一鄰近該分割槽的第二穿孔，該多接面量子井層形成於該第一區鄰近該分割槽的表面，該第二型半導體層形成於該多接面量子井層表面；一第一電極，設置於該第一區的表面，與該多接面量子井層，及第二型半導體層呈一間隙彼此間隔設置，並蓋覆該第一區的第一穿孔位置；一絕緣層，具有一包覆該多接面量子井層，及第二 型半導體層鄰近該分割槽的側面的第一絕緣膜，及一包覆該第一電極的表面的第二絕緣膜；一連接導線，自該第二型半導體層的頂面並沿該第一絕緣膜的表面延伸至該第二區，並覆蓋該第二區的第二穿孔位置；一延伸電極單元，具有一穿過該第一穿孔與該第一電極電連接的第一延伸電極，及一穿過該第二穿孔與該連接導線電連接的第二延伸電極；及一第二電極，形成於該發光單元的頂面並與該發光單元及連接導線電連接。
11. 如請求項10所述的發光二極體，其中，該發光單元還具有一層形成於該第二型半導體層表面的反射層。