TW201438285A - 發光元件 - Google Patents

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    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Abstract

一種發光元件，包含：一出光區，包含一第一半導體結構、一第二半導體結構圍繞第一半導體結構、及一溝渠位於第一半導體結構與第二半導體結構之間；以及一電極區大致圍繞出光區。

Description

發光元件
本發明係關於一發光元件，且特別係關於一具有一出光區及一電極區大致圍繞出光區的發光元件。
發光二極體(Light Emitting Diode,LED)係為一固態照明元件，其優點為功耗低，產生的熱能低，工作壽命長，防震，體積小，反應速度快和具有良好的光電特性，例如穩定的發光波長。因此發光二極體被廣泛應用於家用電器，設備指示燈，及光電產品等。
發光二極體通常包含一發光疊層和兩個電極，透過兩個電極施加一電流於發光疊層使其發光。在一般情況下，電極可透過設計使電流於發光疊層上擴散開來，使可發光的發光區域與發光疊層的表面積大致相同。然而在其它應用領域上，需要於一有限的發光區域注入一高電流密度的電流以提高發光效率。
本發明係提供一種發光元件，包含一發光疊層具有一側 壁及一主動層可發出一光線；以及一吸光層具有圍繞側壁的一第一部份，第一部份可用以吸收50%射向吸光層的光線。
本發明係提供一種發光元件，包含：一出光區，其中出光區包含一第一半導體結構、一第二半導體結構圍繞第一半導體結構、及一溝渠位於第一半導體結構與第二半導體結構之間；以及一電極區大致圍繞出光區。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10‧‧‧基板
11‧‧‧接合層
12‧‧‧反射層
13‧‧‧發光疊層
131‧‧‧第一型半導體層
132‧‧‧主動層
133‧‧‧第二型半導體層
1331‧‧‧側壁
1332‧‧‧第一區
1333‧‧‧第二區
15‧‧‧歐姆接觸層
16‧‧‧第一電極
161‧‧‧內部
1611、1612‧‧‧次內部
1631‧‧‧第一延伸部
1632‧‧‧第二延伸部
162‧‧‧外部
164‧‧‧凸部
17‧‧‧第二電極
18‧‧‧吸光層
181‧‧‧第一部份
182‧‧‧第二部份
19‧‧‧絕緣層
100、200、300‧‧‧發光元件
20‧‧‧溝渠
22‧‧‧第一半導體結構
221‧‧‧第一延伸電極
222‧‧‧第一歐姆接觸層
223‧‧‧第一連接電極
24‧‧‧第二半導體結構
241‧‧‧第二延伸電極
242‧‧‧第二歐姆接觸層
243‧‧‧第二連接電極
28‧‧‧第一外電極結構
38‧‧‧第二外電極結構
281‧‧‧導電層
33‧‧‧磊晶結構
33S‧‧‧頂面
331‧‧‧第一型半導體層
332‧‧‧主動層
333‧‧‧第二型半導體層
362‧‧‧歐姆接觸層
37‧‧‧下電極
第1圖係本發明第一實施例的一發光元件的上視圖。
第2圖係第1圖的發光元件沿著AA'的剖面圖。
第3圖係本發明第二實施例的一發光元件的上視圖。
第4圖係第3圖的發光元件沿著BB'的剖面圖。
第5A圖係本發明第三實施例的一發光元件的上視圖。
第5B圖係第5A圖的發光元件沿著XX'的剖面圖。
第6圖係本發明第三實施例的一發光元件的上視圖。
第7圖係本發明第三實施例的一發光元件的上視圖。
為了使本發明之敘述更加詳盡與完備，請參照下列實施 例之描述並配合相關圖示。惟，以下所示之實施例係用於例示本發明之發光元件，並非將本發明限定於以下之實施例。又，本說明書記載於實施例中的構成零件之尺寸、材質、形狀、相對配置等在沒有限定之記載下，本發明之範圍並非限定於此，而僅是單純之說明而已。且各圖示所示構件之大小或位置關係等，會由於為了明確說明有加以誇大之情形。更且，於以下之描述中，為了適切省略詳細說明，對於同一或同性質之構件用同一名稱、符號顯示。
第1圖及第2圖係本發明第一實施例的一發光元件100。第1圖係發光元件100的上視圖。第2圖係發光元件100沿著AA'的剖面圖。發光元件100包含一基板10，一發光疊層13位於基板10上，一反射層12位於基板10及發光疊層13之間，以及一接合層11位於反射層12與基板10之間。發光疊層13包含一第一型半導體層131，一第二型半導體層133，及一主動層132位於第一型半導體層131與第二型半導體層133之間。第一型半導體層131與第二型半導體層133提供電子與電洞，電子與電洞於一電流驅動下在主動層132複合以發出一光線。發光疊層13之材料包含Ⅲ-V族半導體材料，例如AlxInyGa(1-x-y)N或AlxInyGa(1-x-y)P，其中0≦x,y≦1；(x+y)≦1。依據主動層132之材料，發光疊層13可發出波長介於610nm及650nm之間的紅光，波長介於530nm及570nm之間的綠光，或是波長介於450nm及490nm之間的藍光。形成發光疊層13的方法沒有特別限制，除了有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD)，亦可使用分子束磊晶(MBE)，氫化物氣相沉積法(HVPE)，蒸鍍法和離子電鍍方法。發光元件100更包含一第一電極16位於第二型半導體層133上，一第二電極17位於基板10上，一吸光層18位於部份第一電極16上，以及一絕緣層19位於吸光層18與第二型半導體層133之間。於本實施例中，第一電極16為一圖案化電極，包含一內部161，一外部162，及複數延伸部163電連接內部161與外部162。如第2圖所示，發光元件100更包含一歐姆接觸層15位於內部161與發光疊層13之間，並分別與內部161及發光疊層13形成一歐姆接觸。歐姆接觸層15之形狀大致與內部161之形狀相同。歐姆接觸層15未形成於外部162與發光疊層13之間。於另一實施例中(圖未示)，歐姆接觸層15形成於外部162與發光疊層13之間，歐姆接觸層15之形狀大致與外部162之形狀相同。內部161與外部162之形狀包含圓形，方形，四邊形或多邊形。當內部161與外部162之形狀為圓形時，內部161與外部162係為一同心圓。
如第2圖所示，發光疊層13的第二型半導體層133具有一側壁1331及一上表面。上表面具有一第一區1332及一第二區1333。第二區1333係由形成於第一區1332上之外部162所定義，使得第一區1332圍繞第二區1333，具體來說，第一區1332上的外部162圍繞第二區1333。內部161位於部份第二區1333上，且內部161未完全覆蓋第二區1333而裸露出部份第二型半導體層133，使得來自於主動層132的光線藉此裸露的部份射出於發光元 件100之外。未被內部161覆蓋的第二區1333表面可藉由蝕刻，例如乾蝕刻或溼蝕刻，進行粗化以改善出光效率。吸光層18包含圍繞側壁1331的一第一部份181，及位於發光疊層13上表面的第一區1332上的一第二部份182。具體而言，絕緣層19及外部162形成並覆蓋於第二型半導體層133上表面的第一區1332上，吸光層18的第二部份182形成並覆蓋於絕緣層19及外部162上。此外，絕緣層19覆蓋於發光疊層13之側壁1331上，第一部份181覆蓋於絕緣層19之側壁上。如第2圖所示，由於歐姆接觸層15僅形成於內部161與發光疊層13之間，來自於內部161下方之主動層132(亦即第二區)的光線會有第一數量(亦即超過90%)透過第二區1333直接射出於發光元件100之外，第二數量(亦即少於10%)則射向吸光層18而被吸光層18吸收。於一實施例中，超過50%第二數量的光線會被吸光層18所吸收。此外，來自於主動層132的光線不會藉由第一區1332及側壁1331而射出於發光元件100之外。第二區1333之面積與發光疊層13上表面之面積的比例介於10%~90%之間，亦即發光面積定義為發光疊層13面積的10%~90%。吸光層18包含單層或複數層，並具有一厚度大於300Å。吸光層18之材料包含鈦(Ti)，鉻(Cr)，鎳(Ni)，或上述之組合。第一電極16包含金屬或金屬合金。金屬包含銅(Cu)，鋁(Al)，金(Au)，鑭(La)，或銀(Ag)。金屬合金包含鍺金(GeAu)，鈹金(BeAu)，鉻金(CrAu)，銀鈦(AgTi)，銅錫(CuSn)，銅鋅(CuZn)，銅鎘(CuCd)，錫鉛銻(Sn-Pb-Sb)，錫鉛鋅(Sn-Pb-Zn)，鎳錫(NiSn)，或鎳鈷(NiCo)。 吸光層18可做為一焊墊(pad)，藉由一引線鍵合(wire bond)與一外部結構(圖未示)，例如封裝基板，於一電流操作下形成電連接。
於本實施例中，反射層12被包覆於接合層11中之位置對應於發光疊層13上表面的第二區1333之位置。當來自於主動層132的光線射向基板10時，光線可被反射層12反射並朝向第二型半導體層133。由於部份光線僅經由第二型半導體層133上表面的第二區1333而射出，反射層12之面積大致與第二型半導體層133上表面的第二區1333之面積相同。於另一實施例中，反射層12之面積可大於第二型半導體層133上表面的第二區1333之面積。
第3圖及第4圖係本發明第二實施例的一發光元件200。第3圖係發光元件200的上視圖。第4圖係發光元件200沿著BB'的剖面圖。發光元件200之結構與第一實施例中發光元件100之結構類似，除了發光元件200之內部161有兩個次內部1611，1612。複數個第一延伸部1631電連接兩個次內部1611，1612與外部162。兩個次內部1611，1612中之任一個藉由複數個第二延伸部1632與外部162電連接。第一延伸部1631與第二延伸部1632係交錯排列。外部162包含複數個凸部164。在此藉由外部162及凸部164定義第二區1333，其中來自於主動層132之光線僅會經由第二區1333射出於發光元件200。如第4圖所示，歐姆接觸層15位於兩個次內部1611，1612與發光疊層13之間以提供歐姆接觸。歐姆接觸層15之形狀大致與內部161之兩個次內部1611， 1612相同。歐姆接觸層15未形成於外部162與發光疊層13之間。於另一實施例中(圖未示)，歐姆接觸層15可形成於外部162與發光疊層13之間，歐姆接觸層15之形狀大致與外部162之形狀相同。內部161的兩個次內部1611，1612及外部162之形狀包含圓形，方形，四邊形或多邊形。當內部161的兩個次內部1611，1612及外部162之形狀為圓形時，其互為同心圓。第二區1333之面積與發光疊層13上表面之面積的比例介於10%~90%之間。內部及外部之數量可隨實施方式而調整，來自於主動層132之光線藉由第二區1333射出發光元件外的第二區1333之面積越大，內部162及外部162之數量越多。
第5A圖及第5B圖係本發明第三實施例的一發光元件300。第5A圖係本發明第三實施例的一發光元件300的上視圖。第5B圖係第5A圖的發光元件300沿著XX'的剖面圖。如第5A圖所示，發光元件300包含一發光區與一電極區大致圍繞發光區，其中發光區大致位於發光元件300之中央，電極區為一吸光區，換言之為一不發光區。發光區於上視圖上的形狀大致為一圓形，但發光區的形狀並不以此為限制，也可以為多邊形，例如三角形或方形。以發光區的形狀為圓形為例，發光區可為直徑介於0.004~0.5mm之間的圓，較佳為直徑介於0.001~0.2mm之間的圓。發光元件300之結構與第一實施例中發光元件100之結構類似，除了發光元件300包含一溝渠20，溝渠20將發光元件300之一磊晶結構33分隔為一第一半導體結構22及一第二半導體結 構24，其中第一半導體結構22於一上視圖上大致為一圓形，第二半導體結構24圍繞第一半導體結構22。第一半導體結構22及第二半導體結構24具有大致相同之磊晶結構33，彼此之材料組成及堆疊結構實質上相同，其中磊晶結構33包含一第一型半導體層331，第二型半導體層333，及一主動層332位於第一型半導體層331與第二型半導體層333之間。溝渠20將第一半導體結構22之主動層332、第二型半導體層333與第二半導體結構24之主動層332、第二型半導體層333分隔開來，但是第一半導體結構22之第一型半導體層331與第二半導體結構24之第一型半導體層331係相連接。第一半導體結構22於一電流操作下，第一半導體結構22之主動層332可發出一具有一第一主波長之第一光線；第二半導體結構24於一電流操作下，第二半導體結構24之主動層332可發出一具有一第二主波長之第二光線，其中第一主波長與第二主波長係位於相同之波長範圍，或是第一光線之主波長與第二光線之主波長實質上相同，例如第一主波長與第二主波長可為波長介於610nm及650nm之間的紅光，波長介於530nm及570nm之間的綠光，或是波長介於450nm及490nm之間的藍光。
為了避免第一半導體結構22之主動層332所發出的第一光線側漏至第二半導體結構24，溝渠20包含一層或多層絕緣層，絕緣層之絕緣材料可吸收第一光線或可反射第一光線。絕緣材料包含有機高分子材料或是無機材料。
發光元件300之一反射層12覆蓋於第一半導體結構22 上之部份與覆蓋於第二半導體結構24上之部份係相連，其中於發光元件300之一俯視圖下，反射層12之位置以對應於出光區位置之方式配置且反射層12之面積可與出光區之面積相同或大於出光區之面積。當來自於主動層332的第一光線及/或第二光線射向基板10時，第一光線及/或第二光線可被反射層12反射並朝向第二型半導體層333，於靠近第二型半導體層333之一側出光，具體而言，第一光線及第二光線實質上全部自發光元件300之一頂面33S發出。於一實施例中，頂面33S可藉由蝕刻或壓印等方式形成一粗化面，以改善發光元件300之出光效率。
如第5A圖所示，電極區包含複數個外電極結構，複數個外電極結構大致圍繞第二半導體結構24。複數個外電極結構包含第一外電極結構28及第二外電極結構38，各外電極結構28，38可做為一焊墊(pad)，藉由一引線鍵合(wire bond)與一外部結構(圖未示)，例如封裝基板，於一電流操作下形成電連接。第一外電極結構28及第二外電極結構38分別包含一絕緣層19及一導電層281，其中絕緣層19位於第二半導體結構24與導電層281之間。導電層281之材料包含金屬或金屬合金。金屬包含鑭(La)，銅(Cu)，鋁(Al)，金(Au)，或銀(Ag)。金屬合金包含鍺金(GeAu)，鈹金(BeAu)，鉻金(CrAu)，銀鈦(AgTi)，銅錫(CuSn)，銅鋅(CuZn)，銅鎘(CuCd)，錫鉛銻(Sn-Pb-Sb)，錫鉛鋅(Sn-Pb-Zn)，鎳錫(NiSn)，或鎳鈷(NiCo)。
如第5A圖所示，第一外電極結構28之數量為一對，第 二外電極結構38之數量為一對，其中一對第一外電極結構28係彼此相對，一對第二外電極結構38係彼此相對，多個第一外電極結構28與多個第二外電極結構38彼此交錯排列，但第一外電極結構28與第二外電極結構38之數量及排列方式並不以上述為限制。
如第5A圖所示，發光元件300包含複數延伸電極位於磊晶結構33上。具體來說，複數延伸電極包含一第一延伸電極221位於第一半導體結構22上及一第二延伸電極241位於第二半導體結構24上，第一延伸電極221或第二延伸電極241之形狀包含環形，但為了達到電流擴散均勻之目的，第一延伸電極221與第二延伸電極241之數量及形狀並不以上述及圖示為限制。
如第5A圖所示，發光元件300包含一第一連接電極223連接第一延伸電極221及第一外電極結構28；以及一第二連接電極243連接第二延伸電極241及第二外電極結構38。
發光元件300可選擇性地包含一歐姆接觸層位於延伸電極，例如第一延伸電極221、第二延伸電極241，與磊晶結構33之間。如第5B圖所示，發光元件300包含一第一歐姆接觸層222位於第一延伸電極221與第二型半導體層333之間；以及一第二歐姆接觸層242位於第二延伸電極241與第二型半導體層333之間。於另一實施例中，發光元件300可包含一歐姆接觸層362位於第一外電極結構28之導電層281與第二導電型半導體層333之間，及/或位於第二外電極結構38之導電層281與第二型半導體層 333之間。歐姆接觸層222，242之形狀大致與延伸電極相同。藉由歐姆接觸層222，242，362，可降低延伸電極與第二型半導體層333之間的接觸電阻，和導電層281與第二型半導體層333之間的接觸電阻。
如第5B圖所示，發光元件300包含一下電極37形成於一基板10上。下電極37可同時電性連接第一半導體結構22之第一型半導體層331與第二半導體結構24之第一型半導體層331，形成一具有垂直式電極之發光元件，基板10為一具有導電性之基板，基板10之材料包含半導體材料或金屬材料。
如第5A圖所示，電極區之第一外電極結構28可做為一第一電極組，用以接收一第一電流值，與下電極37形成一電流通路，驅動第一半導體結構22發出一具有第一亮度之第一光線；第二外電極結構38相異於第一電極組，可做為一第二電極組，用以接收一第二電流值以驅動第二半導體結構24發出一具有第二亮度之第二光線。第一亮度與第二亮度之大小可藉由第一電流值與第二電流值之大小來調整，亦可藉由第一半導體結構22與第二半導體結構24之尺寸，例如第一半導體結構22之主動層332面積與第二半導體結構24之主動層332面積，來調整。例如當第一半導體結構22之主動層332面積小於第二半導體結構24之主動層332面積，且第一電流值等於第二電流值時，則第一亮度會大於第二亮度。當第一半導體結構22之主動層332面積等於第二半導體結構24之主動層332面積，且第一電流值大於第二電流值時，則第 一亮度會大於第二亮度。
第一電極組及第二電極組可單獨或同時接收電流值。如第5A圖所示，當只有第一電極組，亦即第一外電極結構28，單獨接收第一電流值時，僅驅動第一半導體結構22發出第一光線。如第6圖所示，當只有第二電極組，亦即第二外電極結構38，單獨接收第二電流值時，僅驅動第二半導體結構24發出第二光線。如第7圖所示，當第一電極組及第二電極組，亦即第一外電極結構28及第二外電極結構38，分別同時接收第一電流值及第二電流值時，第一半導體結構22及第二半導體結構24會同時發出第一光線及第二光線。
以上各圖式與說明雖僅分別對應特定實施例，然而，各個實施例中所說明或揭露之元件、實施方式、設計準則、及技術原理除在彼此顯相衝突、矛盾、或難以共同實施之外，吾人當可依其所需任意參照、交換、搭配、協調、或合併。
雖然本發明已說明如上，然其並非用以限制本發明之範圍、實施順序、或使用之材料與製程方法。對於本發明所作之各種修飾與變更，皆不脫本發明之精神與範圍。
10‧‧‧基板
11‧‧‧接合層
12‧‧‧反射層
19‧‧‧絕緣層
20‧‧‧溝渠
22‧‧‧第一半導體結構
221‧‧‧第一延伸電極
222‧‧‧第一歐姆接觸層
223‧‧‧第一連接電極
24‧‧‧第二半導體結構
241‧‧‧第二延伸電極
242‧‧‧第二歐姆接觸層
243‧‧‧第二連接電極
28‧‧‧第一外電極結構
281‧‧‧導電層
300‧‧‧發光元件
33‧‧‧磊晶結構
33S‧‧‧頂面
331‧‧‧第一型半導體層
332‧‧‧主動層
333‧‧‧第二型半導體層
362‧‧‧歐姆接觸層
37‧‧‧下電極
38‧‧‧第二外電極結構

Claims (20)

  1. 一種發光元件，包含：一出光區，包含一第一半導體結構、一第二半導體結構圍繞該第一半導體結構、及一溝渠位於該第一半導體結構與該第二半導體結構之間；以及一電極區大致圍繞該出光區。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該出光區大致為一圓形。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該電極區包含複數個外電極結構，各該外電極結構包含一絕緣層及一導電層，其中該絕緣層位於該第二半導體結構與該導電層之間。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的發光元件，更包含一第一延伸電極位於該第一半導體結構上及一第二延伸電極位於該第二半導體結構上，該複數個外電極結構包含一第一焊墊與該第一延伸電極連接，及一第二焊墊與該第二延伸電極連接。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的發光元件，其中該第一延伸電極或該第二延伸電極之形狀包含環形。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，其中該第一半導體結構與該第二半導體結構各具有一磊晶結構，彼此之材料組成及堆疊結構實質上相同。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的發光元件，其中各該磊晶結構包含一第一型半導體層、一第二型半導體層及位於該第一型半 導體層與該第二型半導體層之間的一主動層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的發光元件，其中該溝渠隔開該第一半導體結構之該主動層與該第二半導體結構之該主動層，以及該第一半導體結構之該第一型半導體層與該第二半導體結構之該第一型半導體層係相連接。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件，更包含一基板及一反射層介於該基板與該第一半導體結構及該第二半導體結構之間，其中該反射層之面積與出光區之面積相同或大於出光區之面積。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的發光元件，更包含一下電極同時電性連接該第一半導體結構之該第一型半導體層與該第二半導體結構之該第一型半導體層。
  11. 一種發光元件，包含：一第一半導體結構；一第二半導體結構；一第一電極組，可用以接收一第一電流值以驅動該第一半導體結構發出一具有第一亮度之第一光線；以及一第二電極組相異於該第一電極組，可用以接收一第二電流值以驅動該第二半導體結構發出一具有第二亮度之第二光線。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的發光元件，其中該第一半導體結構之一上視圖大致為一圓形，該第二半導體結構圍繞該第一半導體結構。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的發光元件，其中該第一電極組與該第二電極組彼此交錯排列。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的發光元件，其中該第一電極組及該第二電極組大致圍繞該第二半導體結構。
  15. 如申請專利範圍第11項所述的發光元件，其中該第一半導體結構與該第二半導體結構各具有一磊晶結構包含實質上相同之材料組成及堆疊結構。
  16. 如申請專利範圍第11項所述的發光元件，其中該第一光線之主波長與該第二光線之主波長實質上相同。
  17. 如申請專利範圍第11項所述的發光元件，其中該第一光線及該第二光線實質上全部自該發光元件之一頂面發出。
  18. 如申請專利範圍第11項所述的發光元件，其中該第一電極組單獨接收該第一電流值或該第二電極組單獨接收該第二電流值。
  19. 如申請專利範圍第11項所述的發光元件，其中該第一電極組接收該第一電流值及該第二電極組接收該第二電流值。
  20. 如申請專利範圍第15項所述的發光元件，其中該第一半導體結構之該磊晶結構與該第二半導體結構之該磊晶結構部份相連。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI738766B (zh) * 2016-05-11 2021-09-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112016000731T5 (de) * 2015-02-13 2017-12-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Lichtaussendeelement und leuchtdiode
CN107768501A (zh) * 2017-10-17 2018-03-06 扬州乾照光电有限公司 一种led芯片中led元胞的分选封装方法
CN110459657A (zh) * 2019-07-31 2019-11-15 华南理工大学 一种具有环状类y型电极的微尺寸led器件及制备方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5789273A (en) * 1980-11-25 1982-06-03 Hitachi Ltd Manufacture of light emitting element
JPS57190373A (en) * 1981-05-19 1982-11-22 Nec Corp Light emitting element with photodetector
JPH0281481A (ja) * 1988-09-17 1990-03-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置
CN1185721C (zh) * 2002-06-25 2005-01-19 光磊科技股份有限公司 发光二极管
US8405107B2 (en) * 2002-07-15 2013-03-26 Epistar Corporation Light-emitting element
TW200640045A (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Ind Tech Res Inst Alternating current light-emitting device
TWI398017B (zh) * 2007-07-06 2013-06-01 Huga Optotech Inc 光電元件及其製作方法
KR101007130B1 (ko) * 2009-02-18 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
DE102009035429A1 (de) * 2009-07-31 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
JP2012015139A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Fuji Xerox Co Ltd 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
CN102339923A (zh) * 2010-07-28 2012-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管芯片
KR101739573B1 (ko) * 2010-10-28 2017-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자
CN102479896A (zh) * 2010-11-26 2012-05-30 大连美明外延片科技有限公司 一种发光二极管芯片
KR101799451B1 (ko) * 2011-06-02 2017-11-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US8686429B2 (en) * 2011-06-24 2014-04-01 Cree, Inc. LED structure with enhanced mirror reflectivity
CN102709432A (zh) * 2012-05-10 2012-10-03 施科特光电材料(昆山)有限公司 适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极
CN102856451A (zh) * 2012-05-22 2013-01-02 张涛 半导体外延生长衬底
CN203085624U (zh) * 2012-05-22 2013-07-24 张涛 半导体外延生长衬底
CN204596843U (zh) * 2015-01-15 2015-08-26 大连德豪光电科技有限公司 倒装高压led芯片

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI738766B (zh) * 2016-05-11 2021-09-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法

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