TWM468017U - 帶光反射層之半導體發光晶片 - Google Patents

Description

帶光反射層之半導體發光晶片

    本創作涉及一種半導體發光晶片，進一步涉及一種帶光反射層之半導體發光晶片。

    隨著半導體發光晶片發光效率的提升和製造成本的下降，半導體發光晶片已被廣泛應用於背光、顯示和照明等領域。

    習知之半導體發光晶片包括襯底、n型導電層、發光層、p型導電層、n型電極、p型電極、導電線、絕緣層及焊盤等，n型導電層、發光層與p型導電層共同組成半導體疊層設置在襯底上，n型電極與p型電極分別導電連接n型導電層與p型導電層。半導體發光晶片發光時，除出光表面外，光還會從半導體發光晶片的其它表面和側面射出，使得其發的光不能被充分之利用，不僅降低了由半導體發光晶片製成的發光器件之發光效率，也會影響到發光器件的光形，不適用於製造如需要小發射角度的投射型光源和器件。

    本創作要解決之技術問題在於，針對現有技術之上述缺陷，提供一種提高發光效率和出光光形之半導體發光晶片。

    為解決上述技術問題，本創作提供一種帶光反射層之半導體發光晶片，包括半導體疊層，所述半導體疊層至少包括依次疊設之n型導電層、發光層和p型導電層；所述半導體疊層上設有至少一與所述n型導電層導電連接之n型電極和至少一與所述p型導電層導電連接之p型電極；在所述半導體疊層表面至少有一裸露出部份n型導電層之n型電極凹陷，所述n型電極設在所述n型電極凹陷內；所述半導體發光晶片至少有一表面和/或側面為出光表面，除所述出光表面外，所述半導體發光晶片的其它表面和側面被至少一光反射層所包裹。

    優選地，所述光反射層包括非金屬基光反射層和金屬基光反射層中之一種或多種組合。

    優選地，所述半導體發光晶片還包括具有第一表面和第二表面之襯底；所述半導體疊層以所述n型導電層朝向所述襯底設在所述襯底之第一表面上。

    優選地，所述半導體疊層表面為出光表面，所述光反射層包裹在所述襯底之第二表面和所述半導體發光晶片之四周側面上，所述半導體發光晶片之四周側面包括所述襯底之四周側面和所述半導體疊層之四周側面；或，在所述半導體發光晶片四周有一內凹；所述內凹位於所述半導體疊層一側，所述內凹之底面位於所述n型導電層表面、所述n型導電層內、所述襯底第一表面或所述襯底內；所述半導體疊層表面為出光表面，所述光反射層包裹在所述襯底之第二表面和所述半導體發光晶片之四周側面上，所述半導體發光晶片之四周側面包括所述襯底之四周側面、所述半導體疊層之四周側面和所述內凹形成之側面。

    優選地，所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部與所述光反射層之間有至少一絕緣保護層；或，所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部及所述內凹之底面的部份或全部與所述光反射層之間有至少一絕緣保護層；或，所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部、所述內凹之底面的部份或全部及所述襯底第二表面的部份或全部與所述光反射層之間有至少一絕緣保護層。

    優選地，所述p型導電層表面的部份或全部設有至少一p型電流擴展層，至少有一所述p型電極與所述p型電流擴展層導電連接；和/或，所述n型導電層表面的部份或全部設有至少一n型電流擴展層，至少有一所述n型電極與所述n型電流擴展層導電連接。

    優選地，所述半導體疊層表面上設有至少一透光絕緣層，所述p型電極和所述n型電極裸露出所述透光絕緣層表面。

    優選地，所述襯底之第二表面為出光表面，所述出光表面還包括所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部，所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部包括所述襯底之四周側面的部份或全部、所述半導體疊層之四周側面的部份或全部中之一種或多種組合；所述光反射層包裹在所述半導體疊層表面和除所述出光表面外之所述半導體發光晶片之四周側面上，所述p型電極和所述n型電極裸露出所述光反射層表面；或，在所述半導體發光晶片四周有一內凹；所述內凹位於所述半導體疊層一側，所述內凹之底面位於所述n型導電層表面、所述n型導電層內、所述襯底第一表面或所述襯底內；所述襯底之第二表面為出光表面，所述出光表面還包括所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部及所述內凹底面的部份或全部，所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部包括所述襯底之四周側面的部份或全部、所述半導體疊層之四周側面的部份或全部、所述內凹之側面的部份或全部中之一種或多種組合；所述光反射層包裹在所述半導體疊層表面和除所述出光表面外之所述半導體發光晶片之四周側面及所述內凹底面上，所述p型電極和所述n型電極裸露出所述光反射層表面。

    優選地，所述光反射層與所述p型電極和/或n型電極絕緣。

    優選地，所述光反射層內形成有n型電極互連層，所述n型電極互連層與至少一所述n型電極導電連接；和/或，所述光反射層形成有p型電極互連層，所述p型電極互連層與至少一所述p型電極導電連接；所述n型電極互連層和p型電極互連層彼此絕緣。

    優選地，所述p型導電層表面的部份或全部設有至少一p型電流擴展層，至少有一所述p型電極與所述p型電流擴展層導電連接；所述光反射層包裹部份或全部所述p型電流擴展層；和/或，所述n型導電層表面的部份或全部設有至少一n型電流擴展層，至少有一所述n型電極與所述n型電流擴展層導電連接；所述光反射層包裹部份或全部所述n型電流擴展層。

    優選地，所述光反射層與所述p型電流擴展層和/或n型電流擴展層之間設有至少一透光絕緣層。

    優選地，所述半導體疊層上還設有與所述p型電極導電連接之p型焊墊和/或與所述n型電極導電連接之n型焊墊；所述p型焊墊和/或n型焊墊設置在所述光反射層上；或，所述光反射層上設有至少一絕緣保護層，所述p型電極和n型電極裸露出所述絕緣保護層，所述p型焊墊和/或n型焊墊設置在所述絕緣保護層上。

    優選地，在所述絕緣保護層內，設有至少一n型電極互連層，所述n型電極互連層與至少一位於所述n型電極互連層下方之n型電極導電連接，與至少一位於所述n型電極互連層上方之所述n電極導電連接；和/或，在所述絕緣保護層內，設有至少一p型電極互連層，所述p型電極互連層與至少一位於所述p型電極互連層下方之p型電極導電連接，與至少一位於所述p型電極互連層上方之所述p電極導電連接，所述第一和第二p型電極組成所述之p型電極；所述n型電極互連層和p型電極互連層彼此絕緣。

    優選地，所述p型電流擴展層包括p型透光電流擴展層和p型金屬基電流擴展反射層中之一種或多種組合；所述p型透光電流擴展層包括ZnO、ITO、重摻p型導電層中之一種或多種組合，所述p型金屬基電流擴展反射層包括p型金屬擴散阻擋層、p型導電擴展層、p型光反射層、p型接觸層中之一種或多種組合；所述n型電流擴展層包括n型透光電流擴展層和n型金屬基電流擴展反射層中之一種或多種組合；所述n型透光電流擴展層包括ZnO、ITO、重摻n型導電層中之一種或多種組合，所述n型金屬基電流擴展反射層包括n型金屬擴散阻擋層、p型導電擴展層、p型光反射層、p型接觸層中之一種或多種組合。

    優選地，所述n型電極凹陷包括n型電極臺階、n型電極凹槽及n型電極凹孔中之一種或多種。

    實施本創作具有以下有益效果：本創作之半導體發光晶片結構簡單，製造方便，通過在其非出光表面設置光反射層，提高發光效率和出光光形；還可通過在非出光表面設置p型焊墊、n型焊墊，使半導體發光晶片適用於採用回流焊進行固晶焊線。

12、22、32、42、52、62、72、82、92‧‧‧半導體疊層
12a、22a、32a、42a、52a、62a、72a、82a、92a‧‧‧n型導電層
12b、22b、32b、42b、52b、62b、72b、82b、92b‧‧‧發光層
12c、22c、32c、42c、52c、62c、72c、82c、92c‧‧‧p型導電層
12d、22d、32d、42d、52d、62d、72d、82d、92d‧‧‧n型電極凹陷
13、23、33、43、53、63、73、83、93‧‧‧n型電極
14、24、34、44、54、64、74、84、94‧‧‧p型電極
53a、93a‧‧‧第一n型電極
53b、93b‧‧‧第二n型電極
94a‧‧‧第一p型電極
94b‧‧‧第二p型電極
15、25、35、45、55、65、75、85、95‧‧‧光反射層
451、751、‧‧‧非金屬基光反射層
452、752、‧‧‧金屬基光反射層
11、21、31、41、51、61、71、81、91‧‧‧襯底
16、26、67、87、97‧‧‧透光絕緣層
27、46、56、66、76、86、96‧‧‧絕緣保護層
141、241、341、441、541、‧‧‧p型電流擴展層
331、431、631、731、831、931‧‧‧n型電流擴展層
22e、32e、42e、52e、62e、72e、‧‧‧內凹
332、432、532、632、732、832、932‧‧‧n型焊墊
342、442、542、642、742、842、942‧‧‧p型焊墊
533、933‧‧‧n型電極互連層
943‧‧‧p型電極互連層

第一圖係本創作帶光反射層之半導體發光晶片第一實施例之結構示意圖；
第二圖係本創作帶光反射層之半導體發光晶片第二實施例之結構示意圖；
第三圖係本創作帶光反射層之半導體發光晶片第三實施例之結構示意圖；
第四圖係本創作帶光反射層之半導體發光晶片第四實施例之結構示意圖；
第五圖係本創作帶光反射層之半導體發光晶片第五實施例之結構示意圖；
第六圖係本創作帶光反射層之半導體發光晶片第六實施例之結構示意圖；
第七圖係本創作帶光反射層之半導體發光晶片第七實施例之結構示意圖；
第八圖係本創作帶光反射層之半導體發光晶片第八實施例之結構示意圖；
第九圖係本創作帶光反射層之半導體發光晶片第九實施例之結構示意圖。

    如第一圖所示，係本創作第一實施例之帶光反射層之半導體發光晶片，包括半導體疊層12、至少一n型電極13及至少一p型電極14。該半導體疊層12至少包括依次疊設之n型導電層12a、發光層12b及p型導電層12c，n型電極13設於半導體疊層12上並與n型導電層12a導電連接，p型電極14設於半導體疊層12上並與所述p型導電層12c導電連接。在半導體疊層12表面至少有一裸露出部份n型導電層12a之n型電極凹陷12d，n型電極13設在n型電極凹陷12d內。該半導體發光晶片至少有一表面和/或側面為出光表面，除出光表面外，半導體發光晶片的其它表面和側面被至少一光反射層15所包裹。

    光反射層15包括但不限於非金屬基光反射層和金屬基光反射層中之一種或多種組合。其中，非金屬基光反射層不具導電性，其包括但不限於布拉格反射層（DBR）、全反射層（ODR）中之一種或多種組合；金屬基光反射層具導電性，其包括但不限於Cu、Sn、Au、Pb、Al、Ag、Ni、Ti、W、Pt、Pd、及其合金中之一種或多種組合。

    優選地，該半導體發光晶片還包括襯底11，該襯底11具有第一表面和第二表面，半導體疊層12以n型導電層12a朝向襯底11設在第一表面上。

    在本實施例中，半導體疊層12表面（即p型導電層12c背向襯底11之表面）為出光表面，除出光表面外，光反射層15包裹在襯底11之第二表面和半導體發光晶片之四周側面上，該半導體發光晶片之四周側面包括襯底11之四周側面和半導體疊層12之四周側面。

    n型電極凹陷12d之底面位於n型導電層12a內或表面。該n型電極凹陷12d包括n型電極臺階、n型電極凹槽、n型電極凹孔中之一種或多種。其中n型電極凹槽可為長條狀之槽，槽之相對兩端可以係閉合或敞開之；n型電極凹孔可為圓形、方形等形狀之孔。為最大限度地減少發光層12b面積之減少，製作之n型電極凹陷12d面積應該儘量之小。在本實施例中，n型電極凹陷12d為n型電極臺階，n型電極設在n型電極臺階上而與n型導電層12a導電連接。

    為了可以使電流均勻分佈到整個半導體發光晶片，使發光層12b均勻發光，可以在p型導電層12c表面的部份或全部設至少一p型電流擴展層，至少有一p型電極14與p型電流擴展層導電連接；或，在n型導電層12a表面（即n型電極凹陷12d表面）的部份或全部設至少一n型電流擴展層，至少有一n型電極13與n型電流擴展層導電連接；或，p型電流擴展層和n型電流擴展層同時設置。未被p型電流擴展層覆蓋之p型導電層12c表面或未被n型電流擴展層覆蓋之n型導電層12a表面上可設透光絕緣層。

    其中，p型電流擴展層包括p型透光電流擴展層和p型金屬基電流擴展反射層中之一種或多種組合；p型透光電流擴展層包括ZnO、ITO、重摻p型導電層中之一種或多種組合，p型金屬基電流擴展反射層包括p型金屬擴散阻擋層、p型導電擴展層、p型光反射層15、p型接觸層中之一種或多種組合。p型金屬擴散阻擋層使用之材料包括但不限於難熔金屬、難熔金屬氮化物、難熔金屬碳化物和難熔金屬三元合金中之一種或多種，難熔金屬包括但不限於W、Ti、Mo、Ta、TiW之一種或多種；p型導電擴展層使用之材料包括但不限於ITO、Ag、Au、Al、Cr、Ti、Pt、Pd、Ni、W、ZnO中之一種或多種；p型光反射層15使用之材料包括但不限於Cu、Sn、Au、Pb、Al、Ag、Ni、Ti、W、Pt、Pd、及其合金中之一種或多種；p型接觸層使用之材料包括但不限於ITO、Al、Cr、Ti、Pt、Pd、Ni、NiO、ZnO、重摻低阻p型導電層中之一種或多種。

    n型電流擴展層包括n型透光電流擴展層和n型金屬基電流擴展反射層中之一種或多種組合； n型透光電流擴展層包括ZnO、ITO、重摻n型導電層中之一種或多種組合， n型金屬基電流擴展反射層包括n型金屬擴散阻擋層、p型導電擴展層、p型光反射層15、p型接觸層中之一種或多種組合。n型金屬擴散阻擋層使用之材料包括但不限於難熔金屬、難熔金屬氮化物、難熔金屬碳化物和難熔金屬三元合金中之一種或多種，難熔金屬包括但不限於W、Ti、Mo、Ta、TiW之一種或多種；n型導電擴展層使用之材料包括但不限於ITO、Ag、Au、Al、Cr、Ti、Pt、Pd、Ni、W、ZnO中之一種或多種；n型光反射層15使用之材料包括但不限於Cu、Sn、Au、Pb、Al、Ag、Ni、Ti、W、Pt、Pd、及其合金中之一種或多種；n型接觸層使用之材料包括但不限於ITO、Al、Cr、Ti、Pt、Pd、Ni、NiO、ZnO、重摻低阻n型導電層中之一種或多種。

    在本實施例中，如第一圖所示，在p型導電層12c上設有p型電流擴展層141。p型電極14貫穿p型電流擴展層141與p型導電層12c直接接觸形成導電連接。可以理解之，p型電極14也可以設置在p型電流擴展層141上，通過p型電流擴展層141與p型導電層12c導電連接。

    半導體疊層12表面（即出光表面）上設有至少一透光絕緣層16，p型電極14和n型電極13裸露出透光絕緣層16表面，可通過導電線將n型電極13和p型電極14分別與封裝支架上之n型焊盤和p型焊盤連接。在本實施例中，透光絕緣層16還將p型電流擴展層141覆蓋。透光絕緣層16可使用之材料包括但不限於氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、玻璃、透光陶瓷、樹脂、矽橡膠中之一種多種組合。

    此外，在透光絕緣層16內，還可設有至少一n型電極互連層（未圖示）和/或p型電極互連層（未圖示），所述電極互連層可為具有導電性能之金屬或合金材料製成之導電金屬層，且可為單層結構或多層結構，形狀不限定，例如可為矩形、圓形等。n型電極13和p型電極14可多層設置。n型電極互連層與至少一位於n型電極互連層下方之n型電極導電連接，與至少一位於n型電極互連層上方之n電極導電連接；p型電極互連層與至少一位於p型電極互連層下方之p型電極導電連接，與至少一位於p型電極互連層上方之p電極導電連接。n型電極互連層和p型電極互連層同時設有時，n型電極互連層和p型電極互連層彼此絕緣。

    半導體發光晶片之四周側面的部份或全部與光反射層15之間可有至少一絕緣保護層（未圖示），其可為透光絕緣保護層或非透光絕緣保護層。該透光絕緣保護層可與出光表面上之透光絕緣層採用相同或不同材料，可包括但不限於氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、玻璃、透光陶瓷、樹脂、矽橡膠中之一種多種組合。當光反射層15為非金屬基光反射層時，其不具導電性時，光反射層15與半導體發光晶片之間絕緣，可不設絕緣保護層。當光反射層15為金屬基光反射層時，光反射層15可與半導體發光晶片導通，可在光反射層15與半導體發光晶片之間絕緣保護層，使得光反射層15不與半導體發光晶片導通。

    如第二圖所示，係本創作第二實施例之帶光反射層之半導體發光晶片，包括半導體疊層22、至少一n型電極23及至少一p型電極24。該半導體疊層22至少包括依次疊設之n型導電層22a、發光層22b及p型導電層22c， n型電極23設於半導體疊層22上並與n型導電層22a導電連接，p型電極24設於半導體疊層22上並與p型導電層22c導電連接。在半導體疊層22表面至少有一裸露出部份n型導電層22a之n型電極凹陷22d，n型電極23設在n型電極凹陷22d內。該半導體發光晶片至少有一表面和/或側面為出光表面，除出光表面外，半導體發光晶片的其它表面和側面被至少一光反射層25所包裹。

    優選地，該半導體發光晶片還包括襯底21，該襯底21具有第一表面和第二表面，半導體疊層22以n型導電層22a朝向襯底21設在第一表面上。

    與第一實施例相同，在該實施例中，半導體疊層22表面（即出光表面）上有至少一透光絕緣層26，p型電極24和n型電極23裸露出透光絕緣層26表面，且透光絕緣層26還將p型電流擴展層241覆蓋。參照第一實施例，在透光絕緣層26內，還可設有至少一n型電極互連層（未圖示）和/或p型電極互連層（未圖示）。

    該實施例與第一實施例不同之處在於：半導體發光晶片四周有一內凹22e，該內凹22e位於半導體疊層22一側，內凹22e之底面位於n型導電層22a表面、n型導電層22a內、襯底21第一表面或襯底21內。半導體疊層22表面為出光表面，光反射層25包裹在襯底21之第二表面和半導體發光晶片之四周側面上，該半導體發光晶片之四周側面包括襯底21之四周側面、半導體疊層22之四周側面和內凹22e形成之側面。

    半導體發光晶片之四周側面的部份或全部、內凹22e之底面的部份或全部，或及襯底21第二表面的部份或全部與光反射層25之間有至少一絕緣保護層27，其可為透光絕緣保護層或非透光絕緣保護層。該透光絕緣保護層可與出光表面上之透光絕緣層採用相同或不同材料，可包括但不限於氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、玻璃、透光陶瓷、樹脂、矽橡膠中之一種多種組合。

    在本實施例中，絕緣保護層27設在內凹22e內，與出光表面上透光絕緣層26連接在一起。當採用與出光表面上透光絕緣層26相同材料製成時，兩者可一體設置。

    如第三圖所示，係本創作第三實施例之帶光反射層之半導體發光晶片，包括半導體疊層32、至少一n型電極33及至少一p型電極34。該半導體疊層32至少包括依次疊設之n型導電層32a、發光層32b及p型導電層32c， n型電極33設於半導體疊層32上並與n型導電層32a導電連接，p型電極34設於半導體疊層32上並與p型導電層32c導電連接。在半導體疊層32表面至少有一裸露出部份n型導電層32a之n型電極凹陷32d，n型電極33設在n型電極凹陷32d內。該半導體發光晶片至少有一表面和/或側面為出光表面，除出光表面外，半導體發光晶片的其它表面和側面被至少一光反射層35所包裹。

    n型電極凹陷32d之底面位於n型導電層32a內或表面。該n型電極凹陷包括n型電極臺階、n型電極凹槽、n型電極凹孔中之一種或多種。在本實施例中，n型電極凹陷32d為n型電極凹槽，該凹槽之橫截面呈梯形。

    優選地，該半導體發光晶片還包括襯底31，該襯底31具有第一表面和第二表面，半導體疊層32以n型導電層32a朝向襯底31設在第一表面上。

    該實施例與第一和第二實施例不同之處在於：襯底31之第二表面為出光表面；出光表面還可包括半導體發光晶片之四周側面的部份或全部，該半導體發光晶片之四周側面的部份或全部包括襯底31之四周側面的部份或全部、半導體疊層32之四周側面的部份或全部中之一種或多種組合。光反射層35包裹在半導體疊層32表面和除出光表面外之半導體發光晶片之四周側面上，p型電極34和n型電極33裸露出光反射層35表面。

    如第三圖所示，在本實施例中，除襯底31之第二表面外，出光表面還包括襯底31之四周側面部份。而半導體疊層32表面和側面為非出光表面，半導體疊層32表面和側面和襯底31之四周側面之其餘部份均被光反射層35所包裹。該襯底31可在該半導體發光晶片製成之後剝除，剝除後半導體疊層32朝向襯底32之n型導電層32a表面形成出光表面。

    光反射層35包括但不限於非金屬基光反射層和金屬基光反射層中之一種或多種組合。其中，非金屬基光反射層不具導電性，其包括但不限於布拉格反射層（DBR）、全反射層（ODR）中之一種或多種組合；金屬基光反射層具導電性，其包括但不限於Cu、Sn、Au、Pb、Al、Ag、Ni、Ti、W、Pt、Pd、及其合金中之一種或多種組合。

    當光反射層35為非金屬基光反射層時，其與半導體疊層32之表面不導電，該光反射層35包裹半導體疊層32的部份或全部而不會導致短路。當光反射層35為金屬基光反射層時，其與與半導體疊層32之表面會導電，因此優選地，該光反射層與p型電極34和/或n型電極33絕緣，防止光反射層35同時與p型電極34和n型電極33導電導致短路。

    為了可以使電流均勻分佈到整個半導體發光晶片，使發光層32b均勻發光，可以在p型導電層32c表面的部份或全部設至少一p型電流擴展層341，至少有一p型電極34與p型電流擴展層341導電連接；或，在n型導電層32a表面（即n型電極凹陷32d表面）的部份或全部設至少一n型電流擴展層331，至少有一n型電極33與n型電流擴展層331導電連接；或，p型電流擴展層341和n型電流擴展層331同時設置。

    其中，p型電流擴展層341包括p型透光電流擴展層和p型金屬基電流擴展反射層中之一種或多種組合；p型透光電流擴展層包括ZnO、ITO、重摻p型導電層32c中之一種或多種組合，p型金屬基電流擴展反射層包括p型金屬擴散阻擋層、p型導電擴展層、p型光反射層、p型接觸層中之一種或多種組合。p型金屬擴散阻擋層使用之材料包括但不限於難熔金屬、難熔金屬氮化物、難熔金屬碳化物和難熔金屬三元合金中之一種或多種，難熔金屬包括但不限於W、Ti、Mo、Ta、TiW之一種或多種；p型導電擴展層使用之材料包括但不限於ITO、Ag、Au、Al、Cr、Ti、Pt、Pd、Ni、W、ZnO中之一種或多種；p型光反射層使用之材料包括但不限於Cu、Sn、Au、Pb、Al、Ag、Ni、Ti、W、Pt、Pd、及其合金中之一種或多種；p型接觸層使用之材料包括但不限於ITO、Al、Cr、Ti、Pt、Pd、Ni、NiO、ZnO、重摻低阻p型導電層32c中之一種或多種。

    n型電流擴展層331包括n型透光電流擴展層和n型金屬基電流擴展反射層中之一種或多種組合；n型透光電流擴展層包括ZnO、ITO、重摻n型導電層32a中之一種或多種組合，n型金屬基電流擴展反射層包括n型金屬擴散阻擋層、p型導電擴展層、p型光反射層、p型接觸層中之一種或多種組合。n型金屬擴散阻擋層使用之材料包括但不限於難熔金屬、難熔金屬氮化物、難熔金屬碳化物和難熔金屬三元合金中之一種或多種，難熔金屬包括但不限於W、Ti、Mo、Ta、TiW之一種或多種；n型導電擴展層使用之材料包括但不限於ITO、Ag、Au、Al、Cr、Ti、Pt、Pd、Ni、W、ZnO中之一種或多種；n型光反射層使用之材料包括但不限於Cu、Sn、Au、Pb、Al、Ag、Ni、Ti、W、Pt、Pd、及其合金中之一種或多種；n型接觸層使用之材料包括但不限於ITO、Al、Cr、Ti、Pt、Pd、Ni、NiO、ZnO、重摻低阻n型導電層32a中之一種或多種。

    在本實施例中，光反射層35為非金屬基光反射層，p型導電層32c表面和n型導電層32a表面分別設有p型電流擴展層341和n型電流擴展層331，至少一p型電極34和n型電極33分別與p型電流擴展層341和n型電流擴展層331導電連接。p型電極34貫穿p型電流擴展層341與p型導電層32c直接接觸形成導電連接，n型電極33貫穿n型電流擴展層331與n型導電層32a直接接觸形成導電連接。可以理解之，p型電極34和n型電極33也可以分別設置在p型電流擴展層341和n型電流擴展層331上。該光反射層35直接包裹在p型電流擴展層341的部份或全部和/或n型電流擴展層331的部份或全部上。可以理解，光反射層35也可不包裹所述電流擴展層。

    進一步地，在半導體發光晶片四周可有一內凹32e，內凹32e位於半導體疊層32一側。該內凹32e之底面位於n型導電層32a表面、n型導電層32a內、襯底31第一表面或襯底31內。在本實施例中，光反射層35還包裹內凹32e之側面和底面。

    進一步地，半導體疊層32上還設有與p型電極34導電連接之p型焊墊342和/或與n型電極33導電連接之n型焊墊332。p型焊墊342和/或n型焊墊332設置在光反射層35上；或，光反射層35上設有至少一絕緣保護層，p型電極34和n型電極33裸露出絕緣保護層，p型焊墊342和/或n型焊墊332設置在絕緣保護層上。在本實施例中，由於光反射層35為非金屬基光反射層，因此，p型焊墊342和/或n型焊墊332可直接設置在光反射層35上。所述之焊墊表面積大於所對應之電極截面積，且所述焊墊間有足夠之間隙，使得可以採用錫膏加回流焊工藝，實現半導體發光晶片在其它基板上之固定和與外界之導電連接。

    此外，當光反射層35為非金屬基光反射層時，該光反射層35內還可設有至少一n型電極互連層（未圖示）和/或p型電極互連層（未圖示），所述之電極互連層可為具有導電性能之金屬或合金材料製成之導電金屬層，且可為單層結構或多層結構，形狀不限定，例如可為矩形、圓形等。n型電極33和p型電極34可多層設置。n型電極互連層與至少一位於n型電極互連層下方之n型電極導電連接，與至少一位於n型電極互連層上方之n電極導電連接；p型電極互連層與至少一位於p型電極互連層下方之p型電極導電連接，與至少一位於p型電極互連層上方之p電極導電連接。n型電極互連層和p型電極互連層同時設有時，n型電極互連層和p型電極互連層彼此絕緣。或，光反射層35為包括非金屬基光反射層和金屬基光反射層之多層結構時，金屬基光反射層位於非金屬基光反射層之間，從而該金屬基光反射層可形成n型電極互連層和/或p型電極互連層，從而可省去通常之n型電極互連層和/或p型電極互連層之製作，簡化工藝。

    如第四圖所示，係本創作第四實施例之帶光反射層之半導體發光晶片，包括半導體疊層42、至少一n型電極43及至少一p型電極44。該半導體疊層42至少包括依次疊設之n型導電層42a、發光層42b及p型導電層42c， n型電極43設於半導體疊層42上並與n型導電層42a導電連接，p型電極44設於半導體疊層42上並與p型導電層42c導電連接。在半導體疊層42表面至少有一裸露出部份n型導電層42a之n型電極凹陷42d，n型電極43設在n型電極凹陷42d內。該半導體發光晶片至少有一表面和/或側面為出光表面，除出光表面外，半導體發光晶片的其它表面和側面被至少一光反射層45所包裹。

    光反射層45包括但不限於非金屬基光反射層和金屬基光反射層中之一種或多種組合。其中，非金屬基光反射層不具導電性，其包括但不限於布拉格反射層（DBR）、全反射層（ODR）中之一種或多種組合；金屬基光反射層具導電性，其包括但不限於Cu、Sn、Au、Pb、Al、Ag、Ni、Ti、W、Pt、Pd、及其合金中之一種或多種組合。

    n型電極凹陷42d之底面位於n型導電層42a內或表面。該n型電極凹陷42d包括n型電極臺階n型電極凹槽、n型電極凹孔中之一種或多種。在本實施例中，n型電極凹陷42d為n型電極凹槽，該凹槽之橫截面呈梯形。p型焊墊442和/或n型焊墊432設置在光反射層45上，p型焊墊442與p型電極44導電連接，n型焊墊432與n型電極43導電連接。

    該半導體發光晶片還包括襯底41，該襯底41具有第一表面和第二表面，半導體疊層42以n型導電層42a朝向襯底31設在第一表面上。

    襯底41之第二表面為出光表面；出光表面還可包括半導體發光晶片之四周側面的部份或全部，該半導體發光晶片之四周側面的部份或全部包括襯底41之四周側面的部份或全部、半導體疊層42之四周側面的部份或全部中之一種或多種組合。光反射層45包裹在半導體疊層42表面和除出光表面外之半導體發光晶片之四周側面上，p型電極44和n型電極43裸露出光反射層45表面。

    進一步地，在半導體發光晶片四周可有一內凹42e，內凹42e位於半導體疊層42一側。該內凹42e之底面位於n型導電層42a表面、n型導電層42a內、襯底41第一表面或襯底41內。本實施例中，除襯底41之第二表面外，出光表面還包括襯底41之四周側面部份。而半導體疊層42表面和側面為非出光表面，光反射層45包裹半導體疊層42表面和側面、襯底41之四周側面之其餘部份，還包裹內凹42e之側面和底面。

    該實施例與第三實施例不同之處在於：光反射層45包括非金屬基光反射層451和金屬基光反射層452。其中，非金屬基光反射層451包裹在半導體疊層42表面上及p型電流擴展層441的部份或全部和/或n型電流擴展層431的部份或全部上。而金屬基光反射層452位於非金屬基光反射層451上，從而避免了該金屬基光反射層452直接與半導體疊層42直接接觸導電。該金屬基光反射層452可以把可能穿透非金屬基光反射層451之光反射回去，特別係在半導體發光晶片之側面處，非金屬基光反射層451如布拉格反射層（DBR）和全反射層（ODR）之反射率會比較低，使用金屬基光反射層452可以提高光反射層45之總體反射率。

    且，在光反射層45與p型焊墊442和/或n型焊墊432之間設有至少一絕緣保護層46。即，該絕緣保護層46位於金屬基光反射層452上，而p型焊墊442和/或n型焊墊432設置在絕緣保護層46上。

    另外，非金屬基光反射層451也可以被至少一透光絕緣層所代替，將反射光之功能都由金屬基光反射層452來完成，可以簡化結構，減少工藝環節。而金屬基光反射層452與p型電極44和n型電極43不導通（絕緣），或者只與p型電極44或n型電極43導通，以避免p型電極44與n型電極43之間導電而短路。

    如第五圖所示，係本創作第五實施例之帶光反射層之半導體發光晶片，包括半導體疊層52、至少一n型電極53及至少一p型電極54。該半導體疊層52至少包括依次疊設之n型導電層52a、發光層52b及p型導電層52c， n型電極53設於半導體疊層52上並與n型導電層52a導電連接，p型電極55設於半導體疊層52上並與p型導電層52c導電連接。在半導體疊層52表面至少有一裸露出部份n型導電層52a之n型電極凹陷52d，n型電極53設在n型電極凹陷52d內。該半導體發光晶片至少有一表面和/或側面為出光表面，除出光表面外，半導體發光晶片的其它表面和側面被至少一光反射層55所包裹。

    n型電極凹陷52d之底面位於n型導電層52a內或表面。該n型電極凹陷52d包括n型電極臺階、n型電極凹槽、n型電極凹孔中之一種或多種。p型焊墊542和/或n型焊墊532設置在光反射層55上，p型焊墊542與p型電極54導電連接，n型焊墊532與n型電極53導電連接。

    該半導體發光晶片還包括襯底51，該襯底51具有第一表面和第二表面，半導體疊層52以n型導電層52a朝向襯底51設在第一表面上。

    該實施例與第三、四實施例不同之處在於：n型電極凹陷52d為n型電極凹孔，該凹孔之橫截面呈梯形。製作n型電極凹孔所消耗之發光層面積通常少於製作n型電極臺階或n型電極凹槽之面積，使得製作之半導體發光晶片之發光效率相對較高。另外，n型電極凹孔可以更加均勻地排布，使得電流之分配更加均勻，發光層52b出光也更加均勻。由於不存在電流集中區，該半導體發光晶片之抗衰減性能會更加出色。

    本實施例中，光反射層55為非金屬基光反射層，包裹在半導體疊層52表面和側面上以及內凹52e之側面和底面上。非金屬基光反射層不具導電性，其包括但不限於布拉格反射層（DBR）、全反射層（ODR）中之一種或多種組合。本實施例中，光反射層55還包裹p型電流擴展層541的部份或全部，而半導體疊層52上不設有n型電流擴展層。當然，也可設置n型電流擴展層，光反射層55還可包裹在n型電流擴展層的部份或全部上。

    該實施例與第三、四實施例不同之處還在於：在該光反射層55表面的部份或全部設置有至少一n型電極互連層533。n電極互連層533與至少一n型電極53導電連接，並與p型電極54絕緣。該n型電極53可包括與n型電極互連層533導電連接之至少一第一n型電極53a和至少一第二n型電極53b。第一n型電極53a位於n型電極互連層533下方，貫穿光反射層55設置在n型電極凹陷52d上；第二n型電極53b位於n型電極互連層533上方，通過n型電極互連層533與第一n型電極53a和n型導電層52a導電連接。可以理解，在該光反射層55表面的部份或全部還可設置有至少一p型電極互連層（未圖示）與p型電極54導電連接。

    本實施例中，在光反射層55上方還設有至少一絕緣保護層56，n型電極互連層533位於絕緣保護層56與光反射層55之間。該絕緣保護層56覆蓋n型電極互連層533和未被n型電極互連層533覆蓋之光反射層55。p型電極54和n型電極53分別貫穿該絕緣保護層56而裸露出來。n型焊墊532和p型焊墊541設置在該絕緣保護層56上而分別與n型電極53和p型電極54導電連接。

    另外，光反射層55也可包括非金屬基反射層和金屬基反射層，其中之非金屬基光反射層包裹在半導體疊層52表面上、p型電流擴展層541的部份或全部和/或n型電流擴展層的部份或全部上以及內凹52e之側面和底面上。金屬基光反射層位於非金屬基光反射層與n型電極互連層533之間。或，在光反射層55內形成有n型電極互連層533和/或p型電極互連層，該n型電極互連層533和/或p型電極互連層主要可由金屬基光反射層形成，從而可省去通常之n型電極互連層和/或p型電極互連層之製作，簡化工藝。其中，金屬基光反射層具導電性，其包括但不限於Cu、Sn、Au、Pb、Al、Ag、Ni、Ti、W、Pt、Pd、及其合金中之一種或多種組合。

    或，光反射層55也可為金屬基反射層，在該光反射層55與半導體疊層52之間設置透光絕緣層。

    如第六圖所示，係本創作第六實施例之帶光反射層之半導體發光晶片，包括半導體疊層62、至少一n型電極63及至少一p型電極64。該半導體疊層62至少包括依次疊設之n型導電層62a、發光層62b及p型導電層62c， n型電極63設於半導體疊層62上並與n型導電層62a導電連接，p型電極64設於半導體疊層62上並與p型導電層62c導電連接。在半導體疊層62表面至少有一裸露出部份n型導電層62a之n型電極凹陷62d，n型電極63設在n型電極凹陷62d內。該半導體發光晶片至少有一表面和/或側面為出光表面，除出光表面外，半導體發光晶片的其它表面和側面被至少一光反射層65所包裹。

    光反射層65包括但不限於非金屬基光反射層和金屬基光反射層中之一種或多種組合。其中，非金屬基光反射層不具導電性，其包括但不限於布拉格反射層（DBR）、全反射層（ODR）中之一種或多種組合；金屬基光反射層具導電性，其包括但不限於Cu、Sn、Au、Pb、Al、Ag、Ni、Ti、W、Pt、Pd、及其合金中之一種或多種組合。

    n型電極凹陷62d之底面位於n型導電層62a內或表面。該n型電極凹陷62d包括n型電極臺階、n型電極凹槽、n型電極凹孔中之一種或多種。光反射層65包裹在半導體疊層62表面和側面上、p型電流擴展層的部份或全部和/或n型電流擴展層的部份或全部上以及內凹62e之側面和底面上。p型焊墊642和/或n型焊墊632設置在光反射層65上，p型焊墊642與p型電極64導電連接，n型焊墊632與n型電極63導電連接。

    該半導體發光晶片還可包括襯底61，該襯底61具有第一表面和第二表面，半導體疊層62以n型導電層62a朝向襯底61設在第一表面上。

    本實施例中，光反射層65係金屬基光反射層。

    該實施例與第五實施例不同之處在於：在光反射層65與半導體疊層62表面、p型電流擴展層和/或n型電流擴展層之間設有至少一透光絕緣層67。透光絕緣層67包裹半導體疊層62表面的部份或全部上，未被透光絕緣層67覆蓋之半導體疊層表面可直接與光反射層65接觸。為了防止p型導電層62c、發光層62b、n型導電層62a之間之短路，與光反射層65直接接觸係p型導電層62c表面的部份或全部或n型導電層62a表面的部份或全部，對應之其餘之發光層62b表面和n型導電層62a表面或發光層表面和p型導電層62c表面則包裹有透光絕緣層67。

    本實施例中，n型導電層62a上設有n型電流擴展層631，而p型導電層62c上不設有p型電流擴展層。可以理解，也可以不設n型電流擴展層，或兩者同時設置。

    進一步地，在光反射層65上還設有絕緣保護層66。p型電極64和n型電極63分別貫穿該絕緣保護層66而裸露出來。該絕緣保護層66覆蓋光反射層65表面的部份或全部，其主要保護光反射層65，避免光反射層65與其它導體接觸時發生短路。n型焊墊632設置在該絕緣保護層66上而與n型電極63導電連接，p型焊墊642設置在該絕緣保護層66上而與p型電極64導電連接。

    在光反射層65與p型導電層62c之間的部份或全部可以有一透光導電擴展層（未圖示），改善光反射層65與p型導電層62c之間之粘著性，以及電流在p型導電層62c表面之擴展能力。p型電極64貫穿絕緣保護層66與光反射層65、透光導電擴展層、p型導電層62c中之一個或多個導電連接。

    此外，在透光絕緣層67與n型導電層62a之間可以設有至少一n型電流擴展層（未圖示），以提升電流在n型導電層表面之擴展能力。n型電極63貫穿光反射層65和透光絕緣層67與n型電流擴展層導電連接。

    如第七圖所示，係本創作第七實施例之帶光反射層之半導體發光晶片，包括半導體疊層72、至少一n型電極73及至少一p型電極74。該半導體疊層72至少包括依次疊設之n型導電層72a、發光層72b及p型導電層72c， n型電極73設於半導體疊層72上並與n型導電層72a導電連接，p型電極77設於半導體疊層72上並與p型導電層72c導電連接。在半導體疊層72表面至少有一裸露出部份n型導電層72a之n型電極凹陷72d，n型電極73設在n型電極凹陷72d內。該半導體發光晶片至少有一表面和/或側面為出光表面，除出光表面外，半導體發光晶片的其它表面和側面被至少一光反射層75所包裹。

    光反射層75包括但不限於非金屬基光反射層和金屬基光反射層中之一種或多種組合。其中，非金屬基光反射層不具導電性，其包括但不限於布拉格反射層（DBR）、全反射層（ODR）中之一種或多種組合；金屬基光反射層具導電性，其包括但不限於Cu、Sn、Au、Pb、Al、Ag、Ni、Ti、W、Pt、Pd、及其合金中之一種或多種組合。

    n型電極凹陷72d之底面位於n型導電層72a內或表面。該n型電極凹陷72d包括n型電極臺階、n型電極凹槽、n型電極凹孔中之一種或多種。

    該半導體發光晶片還可包括襯底71，該襯底71具有第一表面和第二表面，半導體疊層72以n型導電層72a朝向襯底31設在第一表面上。

    該實施例與第六實施例不同之處在於：光反射層75包括有非金屬基光反射層751和金屬基光反射層752，其中金屬基光反射層752包裹p型導電層72c的部份或全部，半導體疊層72表面其餘部份的部份或全部和側面均被非金屬基光反射層751所包裹，非金屬基光反射層751還包裹內凹72e之側面和底面上。絕緣保護層76覆蓋在光反射層75上，n型焊墊732和p型焊墊742設置在絕緣保護層76上，n型電極73和p型電極74貫穿絕緣保護層76分別與n型焊墊732和p型焊墊742導電連接。

    在本實施例中，n型導電層72a上設有n型電流擴展層731，至少一n型電極73與 n型電流擴展層731導電連接，而p型導電層72c上不設有p型電流擴展層。

    如第八圖所示，係本創作第八實施例之帶光反射層之半導體發光晶片，包括半導體疊層82、至少一n型電極83及至少一p型電極84。該半導體疊層82至少包括依次疊設之n型導電層82a、發光層82b及p型導電層82c， n型電極83設於半導體疊層82上並與n型導電層82a導電連接，p型電極88設於半導體疊層82上並與p型導電層82c導電連接。在半導體疊層82表面至少有一裸露出部份n型導電層82a之n型電極凹陷82d，n型電極83設在n型電極凹陷82d內。該半導體發光晶片至少有一表面和/或側面為出光表面，除出光表面外，半導體發光晶片的其它表面和側面被至少一光反射層85所包裹。

    光反射層85包括但不限於非金屬基光反射層和金屬基光反射層中之一種或多種組合。其中，非金屬基光反射層不具導電性，其包括但不限於布拉格反射層（DBR）、全反射層（ODR）中之一種或多種組合；金屬基光反射層具導電性，其包括但不限於Cu、Sn、Au、Pb、Al、Ag、Ni、Ti、W、Pt、Pd、及其合金中之一種或多種組合。

    n型電極凹陷82d之底面位於n型導電層82a內或表面。該n型電極凹陷82d包括n型電極臺階、n型電極凹槽、n型電極凹孔中之一種或多種。在本實施例中，n型電極凹陷82d係n型電極凹槽或n型電極凹孔，其橫截面呈矩形。

    該半導體發光晶片還可包括襯底81，該襯底81具有第一表面和第二表面，半導體疊層82以n型導電層82a朝向襯底81設在第一表面上。

    該實施例與第六實施例不同之處在於：除襯底81之第二表面外，出光表面還包括襯底81之四周側面部份和半導體疊層82之側面。光反射層85包裹在半導體疊層82之表面。

    此外，半導體發光晶片四周不設有內凹。

    光反射層85係金屬基光反射層，其包裹p型導電層82c表面的部份或全部或n型導電層82a表面的部份或全部，對應之其餘之發光層82b表面和n型導電層82a表面或發光層82b表面和p型導電層82a表面則包裹有透光絕緣層87，防止p型導電層82c、發光層82b、n型導電層82a之間通過光反射層85導電短路。

    在本實施例中，n型導電層82a上設有n型電流擴展層831，至少一n型電極83與 n型電流擴展層831導電連接，而p型導電層82c上不設有p型電流擴展層。在本實施例中，光反射層85包裹半導體疊層82整個表面，透光絕緣層87則於光反射層85和半導體疊層82之間包裹在n型導電層82a表面、發光層82b表面和n型電流擴展層831上。可以理解，也可以不設n型電流擴展層831。

    進一步地，在光反射層85上還設有絕緣保護層86。p型電極84和n型電極83分別貫穿該絕緣保護層86而裸露出來。該絕緣保護層86覆蓋光反射層85表面的部份或全部，其主要保護光反射層85，避免光反射層85與其它導體接觸時發生短路。n型焊墊832設置在該絕緣保護層86上而與n型電極83導電連接，p型焊墊842設置在該絕緣保護層86上而與p型電極84導電連接。

    如第九圖所示，係本創作第九實施例之帶光反射層之半導體發光晶片，包括半導體疊層92、至少一n型電極93及至少一p型電極94。該半導體疊層92至少包括依次疊設之n型導電層92a、發光層92b及p型導電層92c，n型電極93設於半導體疊層92上並與n型導電層92a導電連接，p型電極99設於半導體疊層92上並與p型導電層92c導電連接。在半導體疊層92表面至少有一裸露出部份n型導電層92a之n型電極凹陷92d，n型電極93設在n型電極凹陷92d內。該半導體發光晶片至少有一表面和/或側面為出光表面，除出光表面外，半導體發光晶片的其它表面和側面被至少一光反射層95所包裹。

    光反射層95包括但不限於非金屬基光反射層和金屬基光反射層中之一種或多種組合。其中，非金屬基光反射層不具導電性，其包括但不限於布拉格反射層（DBR）、全反射層（ODR）中之一種或多種組合；金屬基光反射層具導電性，其包括但不限於Cu、Sn、Au、Pb、Al、Ag、Ni、Ti、W、Pt、Pd、及其合金中之一種或多種組合。

    n型電極凹陷92d之底面位於n型導電層92a內或表面。該n型電極凹陷92d包括n型電極臺階、n型電極凹槽、n型電極凹孔中之一種或多種。在本實施例中，n型電極凹陷92d係n型電極凹槽或n型電極凹孔，其橫截面呈矩形。

    該半導體發光晶片還可包括襯底91，該襯底91具有第一表面和第二表面，半導體疊層92以n型導電層92a朝向襯底91設在第一表面上。

    除襯底91之第二表面外，出光表面還包括襯底91之四周側面部份和半導體疊層92之側面。光反射層95包裹在半導體疊層92之表面。光反射層95為金屬基光反射層，其包裹p型導電層92c表面的部份或全部或n型導電層92a表面的部份或全部，對應之其餘之發光層92b表面和n型導電層92a表面或發光層92b表面和p型導電層92c表面則包裹有透光絕緣層97，防止p型導電層92c、發光層92b、n型導電層92a之間通過光反射層95導電短路。本實施例中，n型導電層92a上設有n型電流擴展層931，至少一n型電極93與 n型電流擴展層931導電連接，而p型導電層92c上不設有p型電流擴展層。光反射層95包裹半導體疊層92整個表面，透光絕緣層97則於光反射層95和半導體疊層92之間包裹在n型導電層92a表面、發光層92b表面和n型電流擴展層931上。可以理解，也可以不設n型電流擴展層931。

    光反射層95上設有絕緣保護層96。p型電極94和n型電極93分別貫穿該絕緣保護層96而裸露出來。n型焊墊932設置在該絕緣保護層96上而與n型電極93導電連接，p型焊墊942設置在該絕緣保護層96上而與p型電極94導電連接。

    該實施例與第八實施例不同之處在於：在絕緣保護層96內設有至少一n型電極互連層933和至少一p型電極互連層943。n型電極互連層933與至少一位於n型電極互連層933下方之n型電極93導電連接，與至少一位於n型電極互連層933上方之所述n電極93導電連接；p型電極互連層943與至少一位於p型電極互連層943下方之p型電極94導電連接，與至少一位於p型電極互連層943上方之p電極94導電連接。該n型電極互連層933和p型電極互連層943也可只設置其中任意一個。

    具體地，在本實施例中，同時設有n型電極互連層933和p型電極互連層943，絕緣保護層96分為多層製作而將n型電極互連層933和p型電極互連層943設置其中。n型電極93可包括至少一第一n型電極93a和至少一第二n型電極93b，第一n型電極93a位於n型電極互連層933下方，貫穿n型電極互連層933下方之絕緣保護層96而設置在n型電極凹陷92d上；第二n型電極93b位於n型電極互連層933上方貫穿n型電極互連層933上方之絕緣保護層96而與n型焊墊932導電連接。p型電極94可包括至少一第一p型電極94a和至少一第二p型電極94b，第一p型電極94a位於p型電極互連層943下方，貫穿p型電極互連層943下方之絕緣保護層96而設置在p型導電層92c上；第二p型電極94b位於p型電極互連層943上方貫穿p型電極互連層943上方之絕緣保護層96而與p型焊墊942導電連接。該n型電極互連層933和p型電極互連層943彼此絕緣。

    在上述實施例中，為提高出光效率，可對襯底第一表面和/或第二表面進行粗糙化或結構化。結構化包括但不限於形成有規則或無規則之凹凸表面，例如圓錐狀、金字塔狀、球狀中之一種或多種組合等。

    在上述實施例中，半導體疊層側面為與襯底第一表面垂直或成一定斜角的平面、粗糙化表面及結構化表面中之一種或多種組合，結構化包括但不限於凹凸狀、鋸齒狀、圓弧狀中之一種或多種組合。上述第三實施例到第九實施例的半導體發光晶片，可適用作倒裝的半導體發光晶片，使用時將襯底剝除即可，襯底剝除後，半導體疊層的下表面（即n型導電層背對p型導電層表面）為出光表面。

    可以理解之，上述各技術特徵可以任意組合使用而不受限制。

    以上所述僅為本創作之實施例，並非因此限制本創作之專利範圍，凡係利用本創作說明書及附圖內容所作之等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關之技術領域，均同理包括在本創作之專利保護範圍內。

12‧‧‧半導體疊層

12a‧‧‧n型導電層

12b‧‧‧發光層

12c‧‧‧p型導電層

12d‧‧‧n型電極凹陷

13‧‧‧n型電極

14‧‧‧p型電極

15‧‧‧光反射層

11‧‧‧襯底

16‧‧‧透光絕緣層

141‧‧‧p型電流擴展層

Claims (16)

1. 一種帶光反射層之半導體發光晶片，其係包括：一半導體疊層，所述半導體疊層至少包括依次疊設之一n型導電層、一發光層和一p型導電層；所述半導體疊層上設有至少一與所述n型導電層導電連接之n型電極和至少一與所述p型導電層導電連接之p型電極；在所述半導體疊層表面至少有一裸露出部份n型導電層之n型電極凹陷，所述n型電極設在所述n型電極凹陷內；其中，所述半導體發光晶片至少有一表面或側面為出光表面，除所述出光表面外，所述半導體發光晶片的其它表面和側面被至少一光反射層所包裹。
2. 如申請專利範圍第1項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述光反射層係選自於一非金屬基光反射層和一金屬基光反射層所組成之群組中至少之一者。
3. 如申請專利範圍第1項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述半導體發光晶片還包括具有第一表面和第二表面之一襯底；所述半導體疊層以所述n型導電層朝向所述襯底設在所述襯底之第一表面上。
4. 如申請專利範圍第3項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述半導體疊層表面為出光表面，所述光反射層包裹在所述襯底之第二表面和所述半導體發光晶片之四周側面上，所述半導體發光晶片之四周側面包括所述襯底之四周側面和所述半導體疊層之四周側面；或，在所述半導體發光晶片四周有一内凹；所述内凹位於所述半導體疊層一側，所述内凹之底面位於所述n型導電層表面、所述n型導電層內、所述襯底第一表面或所述襯底内；所述半導體疊層表面為出光表面，所述光反射層包裹在所述襯底之第二表面和所述半導體發光晶片之四周側面上，所述半導體發光晶片之四周側面包括所述襯底之四周側面、所述半導體疊層之四周側面以及所述內凹形成之側面。
5. 如申請專利範圍第4項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部與所述光反射層之間有至少一絕緣保護層；或，
   所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部及所述內凹之底面的部份或全部與所述光反射層之間有至少一絕緣保護層；或，
   所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部、所述內凹之底面的部份或全部及所述襯底第二表面的部份或全部與所述光反射層之間有至少一絕緣保護層。
6. 如申請專利範圍第4項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述p型導電層表面的部份或全部設有至少一p型電流擴展層，至少有一所述p型電極與所述p型電流擴展層導電連接；或，
   所述n型導電層表面的部份或全部設有至少一n型電流擴展層，至少有一所述n型電極與所述n型電流擴展層導電連接。
7. 如申請專利範圍第4項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述半導體疊層表面上設有至少一透光絕緣層，所述p型電極和所述n型電極裸露出所述透光絕緣層表面。
8. 如申請專利範圍第3項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述襯底之第二表面為出光表面，所述出光表面還包括所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部，所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部包括所述襯底之四周側面的部份或全部、所述半導體疊層之四周側面的部份或全部中之一種或多種組合；所述光反射層包裹在所述半導體疊層表面和除所述出光表面外之所述半導體發光晶片之四周側面上，所述p型電極和所述n型電極裸露出所述光反射層表面；或，
   在所述半導體發光晶片四周有一内凹；所述内凹位於所述半導體疊層一側，所述内凹之底面位於所述n型導電層表面、所述n型導電層內、所述襯底第一表面或所述襯底内；所述襯底之第二表面為出光表面，所述出光表面還包括所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部及所述內凹底面的部份或全部，所述半導體發光晶片之四周側面的部份或全部包括所述襯底之四周側面的部份或全部、所述半導體疊層之四周側面的部份或全部、所述内凹之側面的部份或全部中之一種或多種組合；所述光反射層包裹在所述半導體疊層表面和除所述出光表面外之所述半導體發光晶片之四周側面及所述內凹底面上；以及所述p型電極和所述n型電極裸露出所述光反射層表面。
9. 如申請專利範圍第8項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述光反射層與選自於所述p型電極以及所述n型電極所組成之群組其中至少之一者絕緣。
10. 如申請專利範圍第8項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述光反射層內形成有一n型電極互連層，所述n型電極互連層與至少一所述n型電極導電連接；或，所述光反射層內形成有p型電極互連層，所述p型電極互連層與至少一所述p型電極導電連接；或
    所述n型電極互連層和p型電極互連層彼此絕緣。
11. 如申請專利範圍第8項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中， 所述p型導電層表面的部份或全部設有至少一p型電流擴展層，至少有一所述p型電極與所述p型電流擴展層導電連接；以及所述光反射層包裹部份或全部所述p型電流擴展層；或，
    所述n型導電層表面的部份或全部設有至少一n型電流擴展層，至少有一所述n型電極與所述n型電流擴展層導電連接；以及所述光反射層包裹部份或全部所述n型電流擴展層。
12. 如申請專利範圍第11項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述光反射層與所述p型電流擴展層或n型電流擴展層之間設有至少一透光絕緣層。
13. 如申請專利範圍第8項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述半導體疊層上還設有與所述p型電極導電連接之p型焊墊或與所述n型電極導電連接之n型焊墊；
    所述p型焊墊或n型焊墊設置在所述光反射層上；或，所述光反射層上設有至少一絕緣保護層，所述p型電極和n型電極裸露出所述絕緣保護層，所述p型焊墊和/或n型焊墊設置在所述絕緣保護層上。
14. 如申請專利範圍第13項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，在所述絕緣保護層內，設有至少一n型電極互連層，所述n型電極互連層與至少一位於所述n型電極互連層下方之n型電極導電連接，以及與至少一位於所述n型電極互連層上方之所述n電極導電連接；或，
    在所述絕緣保護層內，設有至少一p型電極互連層，所述p型電極互連層與至少一位於所述p型電極互連層下方之p型電極導電連接，以及與至少一位於所述p型電極互連層上方之所述p電極導電連接；以及
    所述n型電極互連層和p型電極互連層彼此絕緣。
15. 如申請專利範圍第6或11項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述p型電流擴展層包括p型透光電流擴展層和p型金屬基電流擴展反射層中之一種或多種組合；所述p型透光電流擴展層係選自於ZnO、ITO以及重摻p型導電層所組成之群組中至少之一者，所述p型金屬基電流擴展反射層係選自於p型金属擴散阻擋層、p型導電擴展層、p型光反射層以及p型接觸層所組成之群組中至少之一者；
    所述n型電流擴展層包括n型透光電流擴展層和n型金屬基電流擴展反射層中之一種或多種組合；所述n型透光電流擴展層係選自於ZnO、ITO以及重摻n型導電層所組成之群組中至少之一者，所述n型金屬基電流擴展反射層係選自於n型金属擴散阻擋層、p型導電擴展層、p型光反射層以及p型接觸層所組成之群組中至少之一者。
16. 如申請專利範圍第1項所述之帶光反射層之半導體發光晶片，其中，所述n型電極凹陷係選自於n型電極臺階、n型電極凹槽以及n型電極凹孔所組成之群組中至少之一者。