CN112823427B - 一种半导体发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体发光元件，包含半导体外延叠层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；第一电极和第二电极，位于半导体外延叠层的第一表面之上，分别与第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层进行电连接；绝缘层：位于第一电极和半导体外延叠层之间及第二电极和半导体外延叠层之间；其特征在于：还包括防顶针缓冲层，其位于绝缘层和第二导电类型半导体层之间。本发明通过防顶针缓冲层的设计，可避免封装过程中顶针顶伤半导体发光元件，有效地保护半导体发光元件，提升半导体发光元件的产品良率。

Description

一种半导体发光元件
技术领域
本发明涉及一种半导体发光元件，属于半导体光电子器件与技术领域。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。与传统的电气照明方式相比，LED照明具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一，在照明、信号显示、背光源、车灯和大屏幕显示等领域得到广泛的应用。
芯片是LED的核心组件，分为正装结构、倒装结构和垂直结构三种。由于倒装结构具有提升发光效率、提升散热性能、提升封装可靠性及良率的优势，倒装技术成为一种重要的芯片技术。倒装芯片在封装过程中，需要使用金属顶针作用在芯片正面的中心区域，以将芯片顶起进行固晶。
芯片正面设置的是芯片工艺层(包括外延层、反射层和钝化层等芯片工艺中在制作焊盘之前形成的所有结构)，金属顶针作用在芯片正面，很容易造成芯片工艺层破裂，对芯片的后续使用造成隐患。为了避免金属顶针对芯片工艺层的破坏，通常会在金属顶针的作用区域采用二氧化硅、氮化硅等绝缘材料设置厚度在0.5μm以上的防顶针层。由于绝缘材料的延展性较差，无法有效释放金属顶针的作用力，因此金属顶针作用在芯片正面可能还是会造成芯片工艺层的破裂。为了增强绝缘材料的防顶针的效果，需要加厚绝缘层，绝缘层材料会有吸光效应，从而导致半导体发光元件的发光亮度的降低。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出一种半导体发光元件，所述半导体发光元件包含半导体外延叠层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；第一电极和第二电极，位于半导体外延叠层的第一表面之上，分别与第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层进行电连接；绝缘层，位于第一电极和半导体外延叠层之间及第二电极和半导体外延叠层之间；其特征在于：还包括防顶针缓冲层，其位于绝缘层和第二导电类型半导体层之间。
优选的，还包含一透明衬底，位于半导体外延叠层的第二表面之上。
优选的，还包含一透明键合层，位于透明衬底和半导体外延叠层之间。
优选的，所述透明键合层的折射率n1的范围为1.6＜n1＜3。
在一些实施例中，优选所述透明键合层为复合层结构，可由透明导电层和透明非导电层组成。
优选的，所述透明非导电层为Al2O3、SiO2、SiNx、MgF2或者TiO2。
在一些实施例中，优选所述透明键合层为单层或者多层结构，具有一透明导电层。
优选的，出光面为所述透明衬底远离半导体外延叠层的表面。
优选的，所述透明衬底为蓝宝石、SiC、GaP衬底或者透明玻璃材料。
优选的，所述防顶针缓冲层为导电层或非导电层。
优选的，所述防顶针缓冲层为透明的或非透明的。
在一些实施例中，优选所述防顶针缓冲层为一透明导电层。
优选的，所述透明导电层为含有选自Zn、In、Sn、Mg中的至少一种的氧化物。
更优选的，所述透明导电层为ZnO、In2O3、SnO2、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、GZO(Gallium-doped Zinc Oxide)或者其任意组合之一。
优选的，还包含一接触结构，位于透明导电层和第二导电型半导体层之间。
优选的，所述接触结构为BeAu合金、GeAu合金、GeAuNi合金、铟锡氧化物或者银。
在一些实施例中，优选所述接触结构为金属薄层，金属薄层的厚度小于100埃。
在一些实施例中，优选所述接触结构为复数个点状电极以二维阵列分布。
优选的，所述透明键合层和防顶针缓冲层的厚度比为2:1~10:1。
优选的，所述防顶针缓冲层的厚度为0.1 ~1μm。
优选的，所述绝缘层的厚度范围为0.1~1.4μm。
作为本发明的另外一个方面，本发明还提出一种发光二极管封装体，包括安装基板和安装在所述安装基板上的至少一个半导体发光元件，其特征在于，所述半导体发光元件至少一个或多个或全部为前述任一项所述的半导体发光元件。
本发明提出的半导体发光元件，具有以下的有益效果：
通过防顶针缓冲层的设计，可避免封装过程中顶针顶伤半导体发光元件，有效地保护半导体发光元件，提升半导体发光元件的产品良率。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
虽然在下文中将结合一些示例性实施及使用方法来描述本发明，但本领域技术人员应当理解，并不旨在将本发明限制于这些实施例。反之，旨在覆盖包含在所附的权利要求书所定义的本发明的精神与范围内的所有替代品、修正及等效物。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1为实施例1中所提到的半导体发光元件的剖面示意图。
图2为实施例2中所提到的半导体发光元件的剖面示意图。
图3为实施例3中所提到的半导体发光元件的剖面示意图。
图4为实施例4中所提到的半导体发光元件的剖面示意图。
图5为实施例5中所提到的封装体的剖面示意图。
图中元件标号说明：101：透明衬底；102：透明键合层；103：第一导电类型半导体层；104：活性层；105：第二导电类型半导体层；106：接触结构；107：防顶针缓冲层；108：绝缘层；109：第一电极；110：第二电极；1a：半导体外延叠层的第一表面；1b：半导体外延叠层的第二表面；10：半导体发光元件；30：安装基板；301：第一封装电极；302：第二封装电极；303：第一结合部；304：第二结合部；305：密封树脂。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。
实施例1
图1是根据本发明实施例1的一种半导体发光元件的剖面示意图。所述半导体发光元件包括：101：透明衬底；102：透明键合层；1：半导体外延叠层；103：第一导电类型半导体层；104：活性层；105：第二导电类型半导体层；106：接触结构；107：防顶针缓冲层；108：绝缘层；109：第一电极；110：第二电极。
下面针对各结构堆叠层进行详细描述。
半导体外延叠层1具有第一表面1a和相对于第一表面1a的第二表面1b。半导体外延叠层1包含第一导电类型半导体层103，第二导电类型半导体层105和位于第一导电类型半导体层103及第二导电类型半导体层105之间的活性层104，其中第一表面1a为第二导电类型半导体层105的表面，第二表面1b为第一导电类型半导体层103的表面。
第一导电类型半导体层103和第二导电类型半导体层105具有不同的导电型态、电性、极性或依掺杂的元素以提供电子或空穴。当第一导电类型半导体层103为n型时，第二导电类型半导体层为P型；反之亦然。活性层104形成在第一导电类型半导体层103和第二导电类型半导体层105之间，活性层104将电能转换成光能。通过改变半导体外延叠层1其中一层或多层的物理及化学组成，调整发出的光波长。常用的材料为磷化铝镓铟(aluminumgallium indium phosphide ,AlGaInP)系列、氮化铝镓铟(aluminum gallium indiumnitride ,AlGaInN)系列、氧化锌系列 (zincoxide ,ZnO)。活性层104可为单异质结构(single heterostructure ,SH) ，双异质结构( double heterostructure, DH)，双侧双异质结构(double-sided double heterostructure,DDH)，多层量子阱结构(multi-quantum well ,MQW)。具体来说，活性层104可为中性、p型或n型电性的半导体。施以电流通过半导体外延叠层1时，活性层104会发光。当活性层104以磷化铝铟镓(AlGaInP)系列的材料为基础时，会发出红、橙、黄光的琥珀色系的光；当以氮化铝镓铟(AlGaInN)系列的材料为基础时，会发出蓝或绿光。本实施例中，半导体外延叠层1为磷化铝镓铟 (aluminumgallium indium phosphide ,AlGaInP)系列的材料为基础。
透明衬底101通过透明键合层102设置在半导体外延叠层1的第二表面1b之上。透明衬底101具有足以机械性地支撑半导体外延叠层1的强度，并且能透过从半导体外延叠层1射出的光，由相对于来自活性层104的发光波长在光学上透明的材料构成。另外，优选耐湿性优异的化学上稳定的材质，例如优选采用不含有容易腐蚀的Al等的材质。透明衬底101为热膨胀系数与半导体外延叠层1接近、耐湿性性能优异的基板，优选导热性能良好的GaP、SiC、蓝宝石衬底或者透明玻璃。为了能够以充分的机械强度支撑半导体外延叠层1，透明衬底101的厚度优选为50μm以上。另外，为了便于在向半导体外延叠层1键合后对透明衬底101的机械加工，优选为厚度不超过300μm的厚度。本实施例中，优选透明衬底101为蓝宝石基板。
透明键合层102覆盖在半导体外延叠层1的第二表面1b之上，透明衬底101通过透明键合层102贴合形成于第二表面1b上，活性层104所发出的光可穿透透明键合层102和透明衬底101。所述半导体发光元件的出光面为所述透明衬底远离半导体外延叠层的表面。在一些实施例中，半导体外延叠层1的第二表面1b可为一粗糙表面，当活性层发出的光线通过透明键合层与第二表面1b时，可减少全反射情况的发生。透明键合层102的折射率优选介于第一导电类型半导体层103的折射率和透明衬底101的折射率，透明衬底101的折射率优选小于透明键合层102的折射率。透明键合层的折射率范围为1.2~3。本实施例中，透明键合层102的折射率介于1.6~3之间。二氧化硅是应用较为成熟的透明键合层，其键合强度高、良率好，但其缺点在于，折射率较低，限制了半导体外延叠层内光的提取，从而也限制了蓝宝石基板作为透光窗口的作用。本实施例中优选透明键合层102为透明导电层，透明导电层的材料为含有选自Zn、In、Sn、Mg中的至少一种的氧化物。更优选的，所述透明导电层为ZnO、In2O3、SnO2、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、GZO(Gallium-doped ZincOxide)或者其任意组合之一。透明导电层作为透明键合层102，其折射率高于SiO2，其可以减小半导体外延叠层发出的光线在半导体外延叠层和透明键合层间界面的反射，提升发光亮度；同时，透明导电层作为透明键合层，与第一导电类型半导体层接触，可起电流扩展层的作用，改善电流扩展的效果，提升电流分布的均匀性。
为了将后述的第一电极109及第二电极110配置于所述第一导电类型半导体层103及第二导电类型半导体层105的同一面侧，可以以第一导电类型半导体层103的一部分露出的方式将第二导电类型半导体层105层积于第一导电类型半导体层103上，或者以第二导电类型半导体层105的一部分露出的方式将第一导电类型半导体层103层积于第二导电类型半导体层105上。半导体外延叠层1可包括至少局部地贯通活性层104及第二导电类型半导体层105而露出第一导电类型半导体层103的至少一个孔。孔使第一导电类型半导体层103局部地露出，孔的侧面可由活性层104及第二导电类型半导体层105包围。或者，半导体外延叠层1可包括一个或者数个台面，所述台面包括活性层104及第二导电型半导体层105。台面位于第一导电型半导体层103的部分表面上。在本实施例中，优选半导体外延叠层1包括一个台面，台面包括活性层104和第二导电型半导体层105。
第一电极109及第二电极110为了向第一导电类型半导体层103及第二导电类型半导体层105分别供给电流而与第一导电类型半导体层103及第二导电类型半导体层105直接或间接地电连接。在第一导电类型半导体层103为n型的情况下，第一电极109是指n侧电极；在第一导电类型半导体层103为p型的情况下，第一电极109是指p侧电极。第二电极与第一电极相反。本实施例中，优选第一电极109为n侧电极，第二电极110为p侧电极。
第一电极109及第二电极110为焊盘电极，该焊盘电极主要为了向半导体发光元件供给电流而与外部电极或外部端子等进行电连接。第一电极109及第二电极110分别偏向半导体外延叠层1的相对的一对边侧设置。焊盘电极的俯视形状可根据半导体发光元件的大小、电极的配置等适当调整，例如可设为圆形、正多边形等形状。其中，考虑到导线接合的容易度等，优选为圆形或接近圆形的形状。另外，第一电极焊盘电极及第二电极焊盘电极的大小可根据半导体发光元件的大小、电极的配置等适当调整。例如可设为直径30μm～150μm程度的大致圆形。第一电极焊盘电极及第二电极焊盘电极的形状及大小可以相同，也可以互不相同。
为了避免封装过程中金属顶针顶伤半导体发光元件的芯片工艺层，本发明提出在绝缘层108和第二类型半导体层105之间插入防顶针缓冲层107，所述防顶针缓冲层107可为导电层或非导电层。所述防顶针缓冲层107可为透明或非透明的。本实施例中，优选防顶针缓冲层107为透明导电层，透明导电层的材料为含有选自Zn、In、Sn、Mg中的至少一种的氧化物。更优选的，所述透明导电层为ZnO、In2O3、SnO2、ITO(Indium Tin Oxide )、IZO(IndiumZinc Oxide)、GZO(Gallium-doped Zinc Oxide)或者其任意组合之一。透明导电层作为防顶针缓冲层，兼有电流扩展层的作用，可改善电流扩展的效果，提升电流分布的均匀性。透明导电层可透光，半导体外延叠层1发出的光线可透过透明导电层，减少光线的吸收，提高发光亮度。优选的，所述防顶针缓冲层的厚度为0.1~1μm。防顶针缓冲层厚度过薄，无法有效起到的防止顶针顶伤半导体发光元件的作用；防顶针缓冲层过厚，由于使用蒸镀工艺方法形成，需要较长的时间成膜，会增加半导体发光元件的制作成本，同时透明导电层过厚对光线也会有一定的吸收。在一些实施例中，优选防顶针缓冲层的厚度为0.5~1μm，在此厚度范围内，可以有效的防止顶针顶伤半导体发光元件，提升半导体发光元件的产品良率。
绝缘层108位于第一电极109和半导体外延叠层1之间及第二电极110和半导体外延叠层1之间。绝缘层可保护半导体发光元件，防止封装过程中锡膏接触半导体发光元件材料造成短路。绝缘层的厚度范围为0.1~1.4μm。由于半导体发光元件中加入防顶针缓冲层，可避免顶针顶伤半导体发光元件，有效地保护半导体发光元件，故绝缘层的厚度可适当的减薄，从而减少绝缘层材料的吸光。在一些实施例中，所述绝缘层材料还可以包含DBR材料，可将半导体外延叠层发出的光线经DBR材料反射至出光面出射。
防顶针缓冲层107和第二导电类型半导体层105之间还包含接触结构106，该接触结构106可与第二导电类型半导体层105形成欧姆接触。所述接触结构为BeAu合金、GeAu合金、GeAuNi合金、铟锡氧化物或者银。本实施例中，优选接触结构106为金属薄层，所述金属薄层的厚度小于100埃，可保证金属薄层与第二导电类型半导体层形成良好的欧姆接触，同时可保证半导体外延叠层1发出的光可从金属薄层中穿透出去。
本发明中，通过在绝缘层108和第二导电类型半导体层105中插入防顶针缓冲层107，可避免顶针顶伤半导体发光元件，有效地保护半导体发光元件，提升半导体发光元件的产品良率。
在一些实施例中，透明键合层102和防顶针缓冲层107兼为透明导电层，通过调整透明键合层和防顶针缓冲层的厚度比例，可调整第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层侧的电导率，使电流分布较为均匀，可提升发光亮度。本实施例中，优选透明键合层和防顶针缓冲层的厚度比为2:1~10:1。
实施例2
本实施例中，同实施例1的区别在于，实施例1中接触结构为金属薄层，金属薄层厚度小于100埃，本实施例中接触结构106为复数个点状电极以二维阵列分布，如图2所示。该复数个点状电极可与第二导电类型半导体层105实现欧姆接触，同时可减小金属电极的遮光效应。本实施例中使用透明导电层为防顶针缓冲层，防顶针缓冲层和第二导电类型半导体层之间通过复数个点状电极实现欧姆接触，可减少金属电极的遮光效应，同时可避免顶针顶伤半导体发光元件，有效保护半导体发光元件，提升半导体发光元件的产品良率。
实施例3
本实施例中，同实施例1的区别在于，实施例1中透明键合层102为透明导电层组成，本实施例中透明键合层102为复合层结构，如图3所示，靠近半导体外延叠层的一侧102a为透明导电层，靠近衬底的一侧的透明键合层102b为透明非导电层，透明非导电层的材料优选为Al2O3、SiO2、SiNx、MgF2或者TiO2。透明导电层102a的厚度为0.1μm ~1μm，透明非导电层102b的厚度为0.1~1.4μm。本实施例中使用复合结构为透明键合层，透明导电层可作为第一导电类型半导体层的电流扩展层，同时搭配透明非导体层可实现良好的键合良率。
本实施例中使用透明导电层为防顶针缓冲层，防顶针缓冲层和第二导电类型半导体层之间通过薄金属层实现欧姆接触，可减少金属电极的遮光效应，同时可避免顶针顶伤半导体发光元件，有效保护半导体发光元件，提升半导体发光元件的产品良率。
实施例4
本实施例中，同实施例2的区别在于，实施例2中透明键合层102为透明导电层组成，本实施例中透明键合层102为复合层结构，如图4所示，靠近半导体外延叠层的一侧102a为透明导电层，靠近衬底的一侧的透明键合层102b为透明非导电材料组成，透明非导电材料优选为Al2O3、SiO2、SiNx、MgF2或者TiO2。透明导电层102a的厚度为0.1μm~1μm，透明非导电层102b的厚度为0.1~1.4μm。本实施例中使用复合结构为透明键合层，透明导电层可作为第一导电类型半导体层的电流扩展层，同时搭配透明非导体层可实现良好的键合良率。
本实施例中使用透明导电层为防顶针缓冲层，防顶针缓冲层和第二导电类型半导体层之间通过复数个点状电极实现欧姆接触，可减少金属电极的遮光效应，同时可避免顶针顶伤半导体发光元件，有效保护半导体发光元件，提升半导体发光元件的产品良率。
上述各实施例均提供了一种具有透明衬底的半导体发光元件。在另一些实施例中，该半导体发光元件的衬底可以被减薄或者移除，从而形成薄型发光元件，例如尺寸为100μm以下的微型发光元件。在该种薄型发光元件中，可以通过在半导体外延叠层与绝缘层之间设置具有一定厚度的透明导电层，一方面可以改善电流扩展从而降低元件的电压，另一方面为半导体叠层提供物理支撑，保护半导体外延叠层。
实施例5
本实施例中，本发明提供的半导体发光元件可以广泛运用于显示或背光的封装体或应用上，尤其可以满足背光产品的高亮度需求。
具体地，本实施例提供如图5所示的封装体，所述封装体包含安装基板30，半导体发光元件10和密封树脂305。至少实施例1中的一个半导体发光元件10安装到安装基板30上，安装基板30为绝缘性基板，如RGB显示屏用的封装模组基板或背光显示用的模组基板，安装基板30的一表面具有电隔离的第一封装 电极301和第二封装 电极302。半导体发光元件10位于安装基板30的一表面上，半导体发光元件的第一电极109和第二电极110分别通过第一结合部303和第二结合部304与第一封装 电极301和第二封装 电极302连接。第一结合部303和第二结合部304包括但不限于是焊料，如共晶焊或回流焊料。半导体发光元件封装体发射具有红光或者混合颜色（例如，白色）的光。例如半导体发光元件10发射红光波段的光，例如峰值波长为630nm的光，封装体包括用于对半导体发光元件10进行保护的透明的密封树脂305，也提供相应红光波段的光辐射。或者封装体为了发射白色的光，可以包括用于对从半导体发光元件发射的光进行波长转换的荧光转换材料。荧光转换材料可以设置在密封树脂305中。密封树脂305可通过点胶或贴膜的方式覆盖在半导体发光元件芯片的至少一侧，但不限于此。荧光转换材料可以是蓝色与绿色组合的荧光转换材料，或者红黄绿组合的荧光转换材料。
封装过程中，需要使用金属顶针作用在芯片正面的中心区域，以将芯片顶起进行固晶。本发明的半导体发光元件中加入防顶针缓冲层，可避免顶针顶伤半导体发光元件，有效保护半导体发光元件，从而提升半导体发光元件的产品良率。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (14)

1.一种半导体发光元件，包含
半导体外延叠层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；
一透明衬底，位于半导体外延叠层的第二表面之上；
一透明键合层，位于所述透明衬底和所述半导体外延叠层之间；
第一电极和第二电极，位于半导体外延叠层的第一表面之上，分别与第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层进行电连接；
绝缘层，位于第一电极和半导体外延叠层之间及第二电极和半导体外延叠层之间；
其特征在于：还包括防顶针缓冲层，其位于绝缘层和第二导电类型半导体层之间；所述防顶针缓冲层为透明导电层；
还包含接触结构，其位于防顶针缓冲层和第二导电类型半导体层之间；
所述透明键合层和防顶针缓冲层的厚度比例为2:1~10: 1。
2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述透明键合层的折射率n1的范围为1.6＜n1＜3。
3.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述透明键合层为复合层结构，可由透明导电层和透明非导电层组成。
4.根据权利要求3所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述透明非导电层为Al2O3、SiO2、SiNx、MgF2或者TiO2。
5.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述透明导电层为含有选自Zn、In、Sn、Mg中的至少一种的氧化物。
6.根据权利要求5所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述透明导电层为ZnO、In2O3、SnO2、ITO(Indium Tin Oxide)、 IZO(Indium Zinc Oxide)、GZO(Gallium-dopedZinc Oxide)或者其任意组合之一。
7.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述接触结构为BeAu合金、GeAu合金、GeAuNi合金、铟锡氧化物或者银。
8.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述接触结构为金属薄层，金属薄层的厚度小于100埃。
9.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述接触结构为复数个点状电极以二维阵列分布。
10.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述防顶针缓冲层的厚度为0.1 ~1μm。
11.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述绝缘层的厚度范围为0.1~1.4μm 。
12.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述绝缘层还包含DBR反射层。
13.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述半导体外延叠层为磷化铝镓铟系列的材料。
14.一种发光二极管封装体，包括安装基板和安装在所述安装基板上的至少一个半导体发光元件，其特征在于，所述半导体发光元件至少一个为权利要求1-13中任一项所述的半导体发光元件。
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