CN203085624U - 半导体外延生长衬底 - Google Patents

Abstract

本实用新型揭示一种划分成子区域的生长衬底，包括：生长衬底，形成在生长衬底第一主表面上的沟槽，氧化覆盖物或氮化覆盖物形成在沟槽中，沟槽把生长衬底分隔成至少两个子区域。沟槽的俯视形状包括，直线形状、圆弧形、曲线形、不规则形状。子区域的形状包括，三角形、正方形、长方形、平行四边形、五边形、六边形、八边形、圆形、环形、不规则形状、不规则环形状，以及上述形状的组合。沟槽的宽度大于等于2倍的预计的后续生长的外延层的厚度。生长衬底进一步包括边缘沟槽，边缘沟槽形成在生长衬底的圆周的边缘。边缘沟槽的形状包括圆环形状和不规则形状。

Description

半导体外延生长衬底

技术领域

本实用新型涉及一种半导体外延生长的生长衬底。 

背景技术

为了降低生产成本，使得LED进入通用照明领域，LED行业正在经历采用大尺寸的生长衬底的发展过程。生长衬底的尺寸越大，均匀性问题越重要，只有解决了大尺寸生长衬底的外延生长的均匀性问题，采用大尺寸生长衬底以便降低成本的优势才能充分表现出来。 

在外延生长时，生长衬底的第二主表面接触加热的石墨盘，温度较高；生长衬底的第一主表面散热，并接触气体，温度较低，两个主表面之间的温度差使得生长衬底翘曲。另外，外延层与生长衬底的热涨系数不同，每个生长衬底的内部应力、厚度及厚度均匀性等各不相同，因此，每片生长衬底在外延生长过程中，会发生翘曲，而且，翘曲的形状和程度各不相同，这就使得每片生长衬底的温度场的分布不同，导致外延片上的每个芯片的性能不同。只是单纯改进设备，很难完全解决同一外延片上的芯片的性能的均匀性问题。 

需要改进生长衬底。在这个方向，已经有一些努力。 

因此，需要一种新的划分成子区域的生长衬底，即具有划分成子区域的生长衬底的优点，又具有生长衬底没有被污染和损伤以及减小生长衬底的翘曲等优点，使得划分成子区域的生长衬底成为可以量产的产品。 

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种划分成子区域的生长衬底，以减少生长衬底翘曲，改进生长衬底内部的温度场分布不均匀性的现象，从而使同一个外延片上的芯片的性能均匀，并且改善芯片的性能，因此，使得这一种划分成子区域的生长衬底可以应用于大批量、低成本的生产。 

本实用新型提供一种新的划分成子区域的生长衬底，即，通过刻蚀在生长衬底的第一主表面(顶面)上形成沟槽，并且在沟槽的底面上形成氧化物覆盖层或氮化物覆盖层，沟槽把生长衬底分成全少两个个子区域，最后进行生长衬底制造工艺的抛光工艺过程。生长衬底的第二主表面(底面)在外延生长时接触石墨盘。 

这样制造的生长衬底的原理和优势在于， 

(1)最后进行的抛光工艺过程消除了在生长衬底上形成沟槽和形成氧化物覆盖层或氮化物覆盖层时造成的对子区域的表面的污染和对子区域的表面的晶体的损伤，因此，后续生长的外延层的性能得到保证和提高，因而可以 量产。 

(2)氧化物覆盖层或氮化物覆盖层的导热系数远小于生长衬底(包括氮化镓生长衬底、蓝宝石生长衬底、硅生长衬底、石墨生长衬底、氧化铝陶瓷生长衬底、氮化铝陶瓷生长衬底、氧化锌生长衬底)的导热系数，使得沟槽的底面与生长衬底的底面的温度差小于子区域的顶面和子区域的底面的温度差，每个子区域的顶面和底面之间的温度差造成的翘曲力量与相邻的子区域的顶面和底面之间的温度差造成的翘曲力量将至少部分抵消。 

(3)与整个生长衬底相比较，每个子区域的尺寸比较小，因此，由于每个子区域的顶面和底面之间的温度差造成的每个子区域的翘曲程度较小。 

(4)每个子区域上的外延层对其下面的生长衬底的拉伸或挤压作用与相邻的子区域上的外延层对其下面的生长衬底的拉伸或挤压作用相互抵消。 

(5)与整个生长衬底相比较，每个子区域的尺寸比较小，因此，由于每个子区域的外延层与生长衬底的热涨系数的失配造成的每个子区域的翘曲程度较小。 

因此，上述的原理和优势不但提高外延片上不同位置的芯片的性能，而且使得在外延生长过程中生长衬底的翘曲程度降低，提高生长衬底内部的温度场分布的均匀性；提高生长衬底内部的温度场分布的均匀性，减小了外延层内的应力，进而提高了芯片性能的均匀性，达到提高外延片上不同位置的芯片的性能的均匀性，提高大批量生产的良品率。 

下述的描述适用于本实用新型的所有实施实例。 

(1)一种划分成子区域的生长衬底，包括：生长衬底，生长衬底的第一主表面具有沟槽，在沟槽中具有氧化物覆盖层或氮化物覆盖层，氧化物覆盖层或氮化物覆盖层覆盖沟槽的底面。 

(2)沟槽把生长衬底分隔成至少两个子区域，在每个子区域，生长衬底的第一主表面暴露，外延层不在沟槽的底面上生长。 

(3)子区域包括边缘子区域和中心子区域，边缘子区域的一个边与其他子区域不相连接，而是生长衬底的边缘。中心子区域的所有的边与其他子区域连接。 

(4)氧化物覆盖层或氮化物覆盖层包括，二氧化硅覆盖层，氮化硅覆盖层。 

(5)沟槽的宽度大于等于2倍的预计的后续生长的外延层的厚度。 

(6)子区域的形状包括，多边形、圆形、环形、不规则形状、不规则环形状，以及多边形、圆形、环形、不规则形、不规则环形状的组合。子区域的多边形状包括，三角形、正方形、长方形、平行四边形、五边形、六边形、八边形，等。子区域的形状的组合包括，至少两个相同形状的子区域，或者，至少两个不相同形状的子区域。 

(7)沟槽的俯视形状包括，直线形状、圆弧形状、曲线形状、不规则形状，以及直线形状、圆弧形状、曲线形状、不规则形状的组合。直线形状沟槽包括，与平边平行的直线、与平边垂直的直线、与平边成非90度非0度的角度的斜线。 

(8)沟槽的俯视形状由下述的至少一个元素组成，元素包括：与平边平行的直线、与平边垂直的直线、与平边成非90度非0度的角度的斜线、圆弧、曲线，以及与平边平行的直线元素、与平边垂直的直线元素、与平边成非90度非0度的角度的斜线元素、圆弧元素、曲线元素的组合。沟槽的俯视形状的组合包括，至少两个相同俯视形状的沟槽，或者，至少个不相同俯视形状的沟槽。 

(9)圆形沟槽由多个首尾相连的圆弧形状沟槽组成。 

(10)多边形沟槽由多个首尾相连的直线形状沟槽组成。 

(11)任何一条斜线形状沟槽、圆弧形状沟槽、曲线形状沟槽、不规则形状沟槽都可以用多个较短的平行于平边2的直线形状沟槽和多个较短的垂直于平边2的直线形状沟槽代替。一个实施实例：较短的平行于平边2的直线形状沟槽的长度等于一个预计后续制造的芯片的平行于平边2的边的边长加切割道的宽度，较短的垂直于平边2的直线形状沟槽的长度等于同一个芯片的垂直于平边2的边的边长加切割道的宽度。 

(12)生长衬底进一步包括边缘沟槽，边缘沟槽形成在生长衬底的圆周的边缘。边缘沟槽的俯视形状包括圆形和不规则形状。 

(13)边缘沟槽中形成氧化物覆盖层或氮化物覆盖层，氧化物覆盖层或氮化物覆盖层覆盖边缘沟槽的底面。 

(14)生长衬底包括，氮化镓生长衬底(GaN)、碳化硅生长衬底(SiC)、蓝宝石生长衬底、硅生长衬底(Si)、石墨生长衬底、氧化铝陶瓷生长衬底、氮化铝陶瓷生长衬底、玻璃生长衬底、氧化镓生长衬底、氧化锌生长衬底。 

(15)制造划分成子区域的生长衬底的方法的一个实施实例：先进行切割工艺步骤、再进行磨薄工艺步骤、然后进行形成沟槽和氧化物覆盖层或氮化物覆盖层工艺步骤、最后进行抛光工艺步骤。 

(16)制造划分成子区域的生长衬底的方法的一个实施实例：先进行切割工艺步骤、再进行形成沟槽和氧化物覆盖层或氮化物覆盖层工艺步骤、然后进行磨薄工艺步骤、最后进行抛光工艺步骤。 

(17)本实用新型的区域生长技术，可以应用于LED行业的外延生长，也可以应用于其他行业的外延生长，例如，激光，硅半导体，等。 

附图说明

图1a和图1b分别展示在先的生长衬底的结构的实施实例。 

图2a至图2k，图2m，图2n，图2p至图2t分别展示本实用新型的具有不同形状的沟槽和不同形状的子区域的生长衬底的实施实例的俯视图和截面图。 

图3a至图3c展示本实用新型的生长衬底上沟槽的截面形状及制造工艺的一个实施实例的截面图。 

图4a和图4c展示本实用新型的生长衬底上沟槽的截面形状及制造工艺的一个实施实例的截面图。 

图5a和图5c展示本实用新型的生长衬底上沟槽的截面形状及制造工艺的一个实施实例的截面图。 

图中的数字符号代表的含义如下： 

1表示生长衬底， 

101a和101b表示两个相邻的阱， 

102表示把两个相邻的阱分开的阱壁， 

103a和103b表示两个相邻子区域中的外延层作用在阱壁上的力， 

104表示外延层， 

105表示沟槽， 

106表示生长在沟槽中的外延层， 

107表示台面， 

108表示生长在台面上的外延层， 

111至133表示不同形状的子区域， 

2表示生长衬底的平边(flat)， 

3表示沟槽的横截面， 

311至318表示不同形状的沟槽， 

41表示形成在生长衬底的子区域的第一主表面上的氧化物覆盖层或氮化物覆盖层， 

42表示形成在沟槽的侧壁上的氧化物覆盖层或氮化物覆盖层， 

43表示形成在沟槽的底部的氧化物覆盖层或氮化物覆盖层。 

具体实施方式

为使本实用新型的实施实例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将 结合本实用新型的实施实例中的附图，对本实用新型的实施实例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施实例是本实用新型的一部分实施实例，而不是全部的实施实例。基于本实用新型中的实施实例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施实例，都属于本实用新型保护的范围。 

注意，在下面所有的实施实例中，生长衬底上的沟槽的底部都有一层氧化物覆盖层或氮化物覆盖层，有两种情况：(1)氧化物覆盖层或氮化物覆盖层的表面与生长衬底的第一主表面相平；(2)氧化物覆盖层或氮化物覆盖层的表面比生长衬底的第一主表面低，从而形成一个浅沟槽。无论是哪种情况，对于后续的外延生长的影响都基本上相同，因此，在下面的描述中，统称为沟槽，不加以区分。 

图1a展示在先的生长衬底的结构的一个实施实例。在生长衬底1上形成阱，图中展示相邻的两个阱101a和101b，中间由阱壁102隔开。外延层首先在阱中生长，然后，生长到覆盖整个生长衬底。在阱101a和101b中的外延层对生长衬底1的作用103a和103b相互抵消。 

其缺点是：(1)在形成阱的过程中造成对生长衬底表面的污染和损伤没有消除；(2)这种阱结构不能消除生长衬底本身的上、下表面的温度差造成的生长衬底的翘曲。(3)在阱和阱壁上方的外延层对生长衬底1的作用仍然存在。(4)外延片的不均匀性仍然比较大，不能批量生产。 

图1b展示在先的生长衬底的结构的一个实施实例。在生长衬底1上形成互相间隔的沟槽105和台面107。沟槽105的深度要大于后续生长的外延层的厚度。外延层106在沟槽105中生长。外延层108在台面107上生长。沟槽中的外延层和台面上的外延层互不相连。优点是：解决了外延生长过程中，硅衬底的裂纹问题。 

其缺点是：(1)在形成沟槽105和台面107的过程中造成对生长衬底表面的污染和损伤没有完全消除；(2)这种结构不能消除生长衬底本 身的上、下表面的温度差造成的生长衬底的翘曲；(3)边缘效应使得外延层性能降低。(4)外延片的不均匀性仍然比较大，因此，大批量生产的良品率较低。 

图2a展示本实用新型的被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。生长衬底1具有平边2(flat)，生长衬底1的第一主表面上形成2条平行于平边2的直线形状的沟槽311和2条垂直于平边2的直线形状的沟槽312，沟槽311和312把生长衬底1分隔成9个子区域：8个不规则形状的边缘子区域112和1个正方形或四边形的中心子区域111。 

图2b展示图2a的实施实例的AA截面图。生长衬底1的第一主表面上形成沟槽3，并且在沟槽中形成氧化物覆盖层或氮化物覆盖层43。 

一个实施实例：氧化物覆盖层或氮化物覆盖层43的上表面与生长衬底的子区域的第一主表面处于同一平面。 

一个实施实例：氧化物覆盖层或氮化物覆盖层43的上表面低于生长衬底的子区域的第一主表面。 

图2c展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。生长衬底1具有平边2，生长衬底1的第一主表面上形成一条平行于平边2的直线形状的沟槽311和一条垂直于平边2的直线形状的沟槽312，互相垂直的沟槽311和312把生长衬底1分隔成4个不规则形状的边缘子区域113。 

一个实施实例：一个生长衬底具有多于两条直线形状的沟槽。 

图2d展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。一个圆形沟槽313把生长衬底1分成一个圆环形状的边缘子区域114和圆形的中心子区域115。 

注意：一个圆形沟槽由多个首尾相连的圆弧形状沟槽组成。 

图2e展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。两个圆形沟槽313a和313b把生长衬底1分成一个圆环形状的边缘子区域 114、一个圆环形状的中心子区域116和一个圆形的中心子区域115。 

一个实施实例：一个生长衬底具有多于两个的圆形沟槽。 

图2f展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例俯视图。一个八边形沟槽314把生长衬底1分成一个不规则形状的边缘子区域117和一个八边形状的中心子区域118。八边形沟槽314由两条平行于平边2的直线形状的沟槽、两条垂直于平边2的直线形状的沟槽、四条斜线形状的沟槽首尾相连组成的。 

图2g展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。不规则形状沟槽315把生长衬底1分成一个不规则形状的边缘子区域119和一个不规则形状的中心子区域120。沟槽315由两条平行于平边2的直线形状沟槽315e和315f、两条垂直于平边2的直线形状沟槽315g和315h、两条斜线形状沟槽315a和315b以及与两条斜线边315a和315b相对应的分别由多个较短的平行于平边2的直线形状沟槽315d和多个较短的垂直于平边2的直线形状沟槽315c组成。 

注意：任何一条斜线形状沟槽、圆弧形状沟槽、曲线形状沟槽都可以用多个较短的平行于平边2的直线形状沟槽和多个较短的垂直于平边2的直线形状沟槽代替。 

图2h展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例俯视图。两个八边形沟槽314a和314b把生长衬底1分成一个不规则形状的边缘子区域117、一个不规则环形状的中心子区域121和一个八边形的中心子区域118。八边形沟槽314a和314b的各两个边分别平行于平边2。 

一个实施实例：一个生长衬底具有多于两个八边形沟槽。 

图2i展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。六边形沟槽316把生长衬底1分成一个不规则形状的边缘子区域122和一个六边形状的中心子区域123。六边形沟槽316的两个边平行于平边2。 

图2j展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。 两个六边形沟槽316a和316b把生长衬底1分成一个不规则形状的边缘子区域122、一个不规则环形状的中心子区域124和一个六边形的中心子区域123。六边形沟槽316a和316b的各两个边分别平行于平边2。 

六边形沟槽可以认为是直线形状沟槽和斜线形状沟槽的组合。 

一个实施实例：一个生长衬底具有多于两个六边形沟槽。 

图2k展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。四边形沟槽317把生长衬底1分成一个不规则形状的边缘子区域125和一个四边形状的中心子区域126。四边形沟槽317的两个边平行于平边2。 

图2m展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。两个四边形沟槽317a和317b把生长衬底1分成一个不规则形状的边缘子区域125、一个不规则环形状的中心子区域127和一个四边形的中心子区域126。四边形沟槽317a和317b的各两个边分别平行于平边2。 

四边形沟槽可以认为是直线形状沟槽的组合。 

一个实施实例：一个生长衬底具有多于两个四边形沟槽。 

图2n展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。一个圆形沟槽313、两条平行于平边2的直线形状的沟槽311和2条垂直于平边2的直线形状的沟槽312把生长衬底1分成一个圆环形状的边缘子区域114、一个四边形状的中心子区域111和八个不规则形状的中心子区域128。图2n展示圆形沟槽和直线形状的沟槽的组合，其中，圆形沟槽可以认为是多个首尾相连的圆弧形状沟槽的组合。 

图2p展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。一个八边形沟槽314、两条平行于平边2的直线形状的沟槽311和2条垂直于平边2的直线形状的沟槽312把生长衬底1分成一个不规则形状的边缘子区域117、五个四边形状的中心子区域111和四个三角形状的中心子区域129。图2p展示八边形沟槽和直线形状沟槽的组合，其中，八边形沟槽可以认为是直线形状沟槽和斜线形状沟槽的组合。 

图2q展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。一个八边形沟槽314和一个圆形沟槽313把生长衬底1分成一个圆环形状的边缘子区域114、一个八边形状的中心子区域118和一个不规则环形的中心子区域130。八边形沟槽314的两个边平行于平边2。图2q展示八边形沟槽和圆形沟槽的组合，其中，八边形沟槽可以认为是直线形状沟槽和斜线形状沟槽的组合，圆形沟槽可以认为是多个首尾相连的圆弧形状沟槽的组合。 

图2r展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。一个八边形沟槽314、两条斜线形状的沟槽315a和315b、一个圆形沟槽313把生长衬底1分成一个圆形的中心子区域115、两个不规则形状的中心子区域132和两个不规则形状的边缘子区域131。八边形沟槽314的两个边平行于平边2。图2r展示八边形沟槽、斜线形状沟槽和圆形沟槽的组合，其中，八边形沟槽可以认为是直线形状沟槽和斜线形状沟槽的组合，圆形沟槽可以认为是多个首尾相连的圆弧形状沟槽的组合。 

图2s展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。一个圆形沟槽313和两个不连接的圆弧形状沟槽318a和318b把生长衬底1分成一个圆环形的边缘子区域114、一个不规则形状的中心子区域133。图2s展示圆形沟槽和圆弧形状沟槽的组合，其中，圆形沟槽可以认为是多个首尾相连的圆弧形状沟槽的组合。 

注意：沟槽的俯视形状的组合还包括直线形状、圆弧形状、曲线形状、不规则形状的其他组合，不限于上述列举的实施实例。 

图2t展示被沟槽分成子区域的生长衬底的一个实施实例的俯视图。一个圆形沟槽313把生长衬底1分成一个圆环形的边缘子区域114和一个圆形状的中心子区域115。生长衬底1的边缘上形成边缘沟槽，边缘沟槽由圆弧沟槽318和直线沟槽311组成。 

一个实施实例：不规则边缘沟槽是由多条较短的平行于平边2的直线 形状的沟槽和多条较短的垂直于平边2的直线形状的沟槽首尾相连、环绕生长衬底的边缘形成的。 

图3a至图3c展示本实用新型的生长衬底上沟槽的截面形状及制造工艺的一个实施实例的截面图。图3a展示，在生长衬底1上形成沟槽3，形成氧化物覆盖层或氮化物覆盖层，覆盖层43覆盖沟槽3的底部，覆盖层42覆盖沟槽3的侧壁，覆盖层41覆盖子区域的第一主表面。图3b展示，通过湿法或干法刻蚀，去除子区域的第一主表面上的覆盖层41，覆盖层43的顶部低于子区域的第一主表面。图3c展示，通过磨薄、然后进行抛光工艺步骤，或者直接进行抛光工艺步骤，使得子区域的第一主表面达到图3a和图3b中的BB线的厚度，覆盖层43的顶部低于子区域的第一主表面，形成一个浅沟槽。 

图4a至图4c展示本实用新型的生长衬底上沟槽的截面形状及制造工艺的一个实施实例的截面图。图4a展示，在生长衬底1上形成沟槽3，形成氧化物覆盖层或氮化物覆盖层，覆盖层43覆盖沟槽3的底部，覆盖层42覆盖沟槽3的侧壁，覆盖层41覆盖子区域的第一主表面。图4b展示，通过湿法或干法刻蚀，去除子区域的第一主表面上的覆盖层41，覆盖层43的顶部低于子区域的第一主表面。图4c展示，通过磨薄、然后进行抛光工艺步骤，或者直接进行抛光工艺步骤，使得子区域的第一主表面达到图4a中的BB线的厚度，覆盖层43的顶部与子区域的第一主表面处于同一平面。 

图5a至图5c展示本实用新型生长衬底上沟槽的截面形状及制造工艺的一个实施实例的截面图。图5a展示，在生长衬底1上形成沟槽3，形成氧化物覆盖层或氮化物覆盖层，覆盖层43覆盖沟槽3的底部，覆盖层41覆盖子区域的第一主表面。图5b展示，通过湿法或干法刻蚀，去除子区域的第一主表面上的覆盖层41，覆盖层43的顶部高于子区域的第一主表面。图5c展示，通过磨薄、然后进行抛光工艺，或者直接进行抛光工艺， 使得子区域的第一主表面达到图5a中的BB线的厚度，覆盖层43的顶部与子区域的第一主表面处于同一平面。 

最后应说明的是：以上实施实例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施实例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施实例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施实例技术方案的精神和范围。 

Claims (6)

1.一种半导体外延生长衬底，包括：生长衬底，所述的生长衬底的第一主表面具有沟槽，在所述的沟槽中具有氧化物覆盖层或氮化物覆盖层，所述的氧化物覆盖层或氮化物覆盖层覆盖所述的沟槽的底面，所述的沟槽把所述的生长衬底分隔成至少两个子区域，在每个所述的子区域，所述的生长衬底的第一主表面暴露。 

2.根据权利要求1的半导体外延生长衬底，其特征在于，所述的沟槽的宽度大于等于2倍的预计的后续生长的外延层的厚度。 

3.根据权利要求1的半导体外延生长衬底，其特征在于，所述的子区域的形状包括，多边形、圆形、环形，以及所述的多边形、所述的圆形、所述的环形的组合。 

4.根据权利要求3的半导体外延生长衬底，其特征在于，所述的子区域的多边形状包括，三角形、正方形、长方形、平行四边形、五边形、六边形或八边形。 

5.根据权利要求1的半导体外延生长衬底，其特征在于，所述的沟槽的俯视形状包括，直线形状、圆弧形状、曲线形状，以及所述的直线形状、所述的圆弧形状、所述的曲线形状的组合；所述的沟槽的俯视形状的组合包括，至少两个相同形状的所述的沟槽，或者，至少两个不相同形状的所述的沟槽。 

6.根据权利要求1的半导体外延生长衬底，其特征在于，所述的生长衬底具有一个平边；所述的沟槽的俯视形状由下述的至少一个元素组成，所述的元素包括：与所述的平边平行的直线、与所述的平边垂直的直线、与所述的平边成非90度非0度的角度的斜线、圆弧、曲线，以及所述的与所述的平边平行的直线、所述的与所述的平边垂直的直线、所述的斜线、所述的圆弧、所述的曲线的组合。 

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