TW201438133A - 基板處理系統及基板處理方法 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及處理基板,詳言之,涉及包括一個以上的搬運模組及一個以上的製程模組,執行基板處理的基板處理系統及利用該系統的基板處理方法。本發明公開作為基板與以一方向移送的生產線連接以執行基板處理的基板處理系統,包括:多個搬運模組,按順序配置包括與生產線連接的第一搬運模組;一個以上的製程模組,在多個搬運模組中至少連接一個,執行基板處理;多個緩衝模組,相互連接多個搬運模組之間。多個搬運模組及多個緩衝模組,接收從生產線傳遞的基板,執行基板處理後,為了使完成基板處理的基板返回至生產線,以構成的單一封閉曲線的線路進行配置。
Description
本發明涉及基板處理,詳言之,涉及包括一個以上搬運模組及一個以上的製程模組,執行基板處理的基板處理系統及利用該系統的基板處理方法。
基板處理系統是指,在半導體、用於LCD面板的基板、OLED基板、太陽能電子基板等基板的基板處理面,執行沉積、蝕刻等規定的基板處理的系統。
還有,一般來說基板處理系統的構成,包括:一個以上的製程模組,為了執行基板處理;搬運模組,向製程模組內導入基板或提取基板。在一個搬運模組,具有:集群(cluster)類型,結合多個製程模組;與直線(in-line)類型,按順序結合裝載鎖定模組、製程模組及卸載鎖定模組。
另一方面,基板處理系統與以單一的製程構成相比,根據生產線移送基板的同時按順序構成多個製程,且正在頻繁地進行根據基板的大型化、導入新技術的一部產線的變更(製程變更)、製程增加等。
尤其是,變更製程或追加製程時,應變更已設置的生產線或設置新的生產線。
但是,與新規格生產線的設置不同,在現有的生產線要追加設置製程系統的情況,在已設置的生產線的周邊設置多個柱等,在追加設置製程系統上存在受到各種限制的問題。
尤其是,已設置生產線的情況,根據較佳地設置在工廠內,因此追加設置製程系統時,柱子的存在與鄰接的生產線干涉問題等,存在限制空間的問題。
另外,根據製程種類,為了反復執行熱處理後的再沉積等一系列的製程,基板處理系統構成直線構造的情況,根據固定基板移送方向,
以一系列製程的反復次數設置裝置,當然存在增加設置系統費用的問題,還存在增加為了執行基板處理的設置空間的問題。
為了解決如上所述的問題,本發明提供基板處理系統及基板處理方法的目的在於,具有構成系統的模組與基板以一方向移送的生產線連接,接收從生產線傳遞的基板,執行基板處理後,重新將基板傳遞至生產線構成單一封閉曲線的線路配置,進而可解決為了設置系統的空間性限制。
另外,本發明提供基板處理系統及基板處理方法的其他目的在於,在具有構成系統的模組與基板以一方向移送的生產線連接,接收從生產線傳遞的基板,執行基板處理後,重新將基板傳遞至生產線以構成單一封閉曲線的線路配置基板處理系統,根據執行製程的特性,可運營多樣形態的基板移送,因此可進行多樣的基板處理。
本發明作為為達成如上所述的本發明的目的所提出,本發明公開了基板處理系統,作為基板與以一方向移送的生產線連接,以執行基板處理的基板處理系統的特徵在於,包括:多個搬運模組,按順序配置,包括與所述生產線連接的第一搬運模組;一個以上的製程模組,至少連接在所述多個搬運模組中的一個,執行基板處理;多個緩衝模組,相互連接所述多個搬運模組之間。所述多個搬運模組及所述多個緩衝模組,接收從所述生產線傳遞的基板,執行基板處理後,為了使完成基板處理的基板返回至所述生產線,以構成單一封閉曲線的線路進行配置。
還包括基板交換模組,設置在所述生產線與所述第一搬運模組之間,進行與所述生產線的基板交換,及與所述第一搬運模組的基板交換。
所述基板交換模組,可包括:盒部(cassette),以基板形成層次搭載多個;上下移動部,使所述盒部上下移動。
所述基板交換模組,可追加設置基板排序部,排序搭載的基板的水平位置。
所述搬運模組,可包括搬運機器人,包括:基板安裝部,安
裝基板;線形移動部,使基板安裝部線形移動;和旋轉移動部,使所述線形移動部旋轉。
所述多個搬運模組,包括:所述第一搬運模組及按順序配置的第二搬運模組、第三搬運模組、第四搬運模組及第五搬運模組。所述多個緩衝模組,可包括:第一緩衝模組,連接所述第一搬運模組及所述第二搬運模組;第二緩衝模組,連接所述第二搬運模組及所述第三搬運模組;第三緩衝模組,連接所述第三搬運模組及所述第四搬運模組;第四緩衝模組,連接所述第四搬運模組及所述第五搬運模組;第五緩衝模組,連接所述第五搬運模組及所述第一搬運模組。
所述第二至第五搬運模組中至少任意一個,可結合執行基板處理的一個以上的製程模組。
所述第一至第五緩衝模組中的一部分,可以是第一翻轉模組,翻轉使基板處理面向下側;和第二翻轉模組,使其與所述第一翻轉模組跟進的進行配置,根據所述翻轉模組,使基板處理面向下側翻轉的基板面向上側再反轉。
所述第一翻轉模組可以是所述第一緩衝模組,所述第二翻轉模組可以是所述第三緩衝模組。
所述第三搬運模組,結合一個以上的製程模組,並且在所述第三搬運模組設置的第三搬運機器人,從所述第二翻轉模組提取基板傳遞至所述製程模組,並且可將從所述製程模組基板處理的基板傳遞至所述第二翻轉模組。
從所述第一搬運模組至所述第二至第三搬運模組中的任意一個維持第一壓力,並且剩餘搬運模組維持與所述第一壓力不同的第二壓力,並且連接維持所述第一壓力的搬運模組及維持所述第二壓力的搬運模組的緩衝模組,可在第一壓力及第二壓力之間進行壓力變換。
所述第一搬運模組及與其按順序配置的一個以上的搬運模組維持第一壓力,剩餘搬運模組維持與所述第一壓力不同的第二壓力,並且連接維持所述第一壓力的搬運模組及維持所述第二壓力的搬運模組的緩衝模組,可在第一壓力及第二壓力之間進行壓力變換。
所述緩衝模組的至少一部分、腔室與所述搬運模組結合的水
平結合方向,對根據所述搬運模組的搬運機器人的基板線路移送路徑形成傾斜,可與所述搬運模組結合。
所述多個緩衝模組中的一部分,可以是基板水平旋轉模組,以導入基板時為基準,為了使其後端面向其他搬運模組導入,使基板水平旋轉。
另外,本發明作為利用具有如上所述構成的基板處理系統的基板處理方法,公開了基板處理方法,其特徵在於,根據以單一封閉曲線線路配置多個搬運模組及多個緩衝模組,基板至少以順時針方向及逆時針方向中的一種方向移送。
另外,本發明作為利用具有如上所述構成的基板處理系統的基板處理方法,公開了基板處理方法,其特徵在於,根據以單一封閉曲線線上配置多個搬運模組及多個緩衝模組,在基板以順時針方向移送的第一基板處理及基板以逆時針方向移送的第二基板處理中,選擇性的執行任意一種或執行全部。
另外,本發明作為利用具有如上所述構成的基板處理系統的基板處理方法,公開了基板處理方法,其特徵在於,根據以單一封閉曲線線路配置多個搬運模組及多個緩衝模組,至少以順時針方向及逆時針方向中的一種方向移送基板。
以所述第一搬運模組為起點,經過所述單一封閉曲線線路配置,可一次或多次反復基板重新到達第一搬運模組的週期。
包括相同或類似的第一製程,及在所述第一製程間執行的一個以上的第二製程,並且按順序配置,執行所述第一製程之一個以上的第一製程模組結合的第一製程搬運模組,及執行所述第二製程之一個以上的第二製程模組結合的第二製程搬運模組,並且在所述第一製程模組執行所述第一製程,將執行所述第一製程的基板,經過所述第一製程搬運模組及所述第二製程搬運模組,傳遞至所述第二製程模組執行所述第二製程,將完成所述第二製程的基板,經過所述第二製程搬運模組及所述第一製程搬運模組,傳遞至所述第一製程模組可執行所述第一製程。
按順序執行第一製程、第二製程及第三製程,並且按順序配置,分別執行所述第一製程及所述第三製程的第一製程模組,及結合第三
製程模組的第一製程搬運模組,及執行所述第二製程之一個以上的第二製程模組結合的第二製程搬運模組,並且在所述第一製程模組執行所述第一製程,將執行所述第一製程的基板,經過所述第一製程搬運模組及所述第二製程搬運模組,傳遞至所述第二製程模組執行所述第二製程,將完成所述第二製程的基板,經過所述第二製程搬運模組及所述第一製程搬運模組,傳遞至所述第三製程模組,可執行所述第三製程。
在第一壓力下執行所述第一製程及所述第三製程,並且在與所述第一壓力不同的第二壓力下可執行所述第二製程。
所述第一壓力為真空壓,並且所述第二壓力可以是大氣壓。
所述第一至第三製程可執行兩次以上。
所述第一製程及第三製程可以是沉積製程。
根據本發明的基板處理系統及基板處理方法,具有構成系統的模組,尤其是搬運模組及緩衝模組,與基板以一方向移送的生產線連接,接收從生產線傳遞的基板,執行基板處理後重新將基板傳遞至生產線的單一封閉曲線線路進行配置,進而具有可解決為了設置系統的空間性限制的優點。
另外,根據本發明的基板處理系統及基板處理方法,根據搬運機器人線路配置移送基板的多個搬運模組,及連接搬運模組之間的多個緩衝模組,為了使緩衝模組中的一部分具有翻轉及再翻轉、基板的水平旋轉、壓力變換等多樣的功能,進而具有可執行多樣的基板處理的優點。
另外,根據本發明的基板處理系統及基板處理方法,在構成系統的模組,尤其是搬運模組及緩衝模組,與基板以一方向移送的生產線連接,接收從生產線傳遞的基板,執行基板處理後重新將基板傳遞至生產線的單一封閉曲線線路配置的基板處理系統,根據執行製程的特性,可運作多樣形態的基板移送,可多樣性的處理基板的優點。
具體地說,根據本發明的基板處理系統及基板處理方法,在處理要求反復數次一連串製程的基板時,使在具有單一封閉曲線線路配置的基板處理系統的搬運模組中的一部分,結合執行該製程的製程模組,構成使一連串的製程執行,根據其配置以順時針方向或逆時針方向旋轉數次,使一連串製程反復數次,進而具有更加有效處理基板功能的優點。
另外,根據本發明的基板處理系統及基板處理方法,包括根據基板處理系統的處理基板相同或類似的第一製程,及在其之間執行的第二製程的情況,按順序配置執行第一製程之一個以上的製程模組結合的第一製程搬運模組,與執行第二製程之一個以上的製程模組結合的第二製程搬運模組,對執行第一製程的基板執行第二製程後,從第二製程搬運模組重新傳遞至第一製程搬運模組執行第一製程,進而將為了處理基板的製程模組及搬運模組的數量最小化,具有可將基板處理系統的製造費用及設置空間最小化的優點。
10‧‧‧生產線
20‧‧‧基板
30‧‧‧支撐單元
101‧‧‧搬運腔室
102‧‧‧搬運機器人
102a‧‧‧基板安裝部
102b‧‧‧線形移動部
102c‧‧‧旋轉移動部
110、120、130、140、150‧‧‧搬運模組
210、220、230、240、250‧‧‧緩衝模組
310、320、330、340‧‧‧製程模組
410‧‧‧護罩模組
420‧‧‧基板變換模組
第1圖是顯示根據本發明的基板處理系統一實施例的平面圖;第2a圖至第2c圖是顯示在第1圖的基板處理系統的搬運模組,移送基板過程的示意圖;以及第3圖是顯示在第1圖的基板處理系統,搬運模組與基板水平旋轉模組構成傾斜結合的實施例一部分的示意圖。
以下,關於根據本發明的基板處理系統及基板處理方法,參照附圖如下進行詳細說明。
根據本發明的基板處理系統,如第1圖至第2c圖所示,作為基板20與以一方向移送的生產線10連接,執行處理基板的基板處理系統,包括:多個搬運模組110、120、130、140、150,按順序配置,包括與生產線10連接的第一搬運模組110;一個以上的製程模組310、320、330、340,至少連接多個搬運模組中的一個,執行基板處理;多個緩衝模組210、220、230、240、250,相互連接多個搬運模組110、120、130、140、150之間。
還有,其特徵在於,所述多個搬運模組110、120、130、140、150及多個緩衝模組210、220、230、240、250,接收從生產線10傳遞的基板20,執行基板處理後,使完成基板處理的基板20返回至生產線10的以構成單一封閉曲線的線路進行配置。
由一實施例,所述多個搬運模組110、120、130、140、150及多個緩衝模組210、220、230、240、250,整體可以如同五角形的形態配置。
所述搬運模組110、120、130、140、150,如第2a圖至第2c圖所示,設置在形成封閉的內部空間的搬運腔室101,與設置在搬運腔室101內從其他模組提取基板20,或設置在將基板20傳遞至其他模組內的搬運機器人102內部。
所述搬運腔室101,如果是與形成設置搬運機器人102的封閉的內部空間一起,可形成通過基板的兩個以上的門(未圖示)的構成,任何構成都可以。
所述搬運機器人102,作為設置在搬運腔室101內,從其他模組提取基板20,或將基板20傳遞至其他模組內的構成,根據基板20的移送方式可多樣的構成。
由一實施例,所述搬運機器人102如第2a圖至第2c圖所示,可包括:基板安裝部102a,安裝基板;線形移動部102b,使基板安裝部102a線形移動;旋轉移動部102c,使線形移動部102b旋轉,進而使基板安裝部102a旋轉移動。
具有如上所述構成的搬運模組110、120、130、140、150,如第2a圖至第2c圖所示,提取結合搬運機器人102的模組內的基板20,將基板20傳遞至其他模組內。
這時,根據搬運模組110、120、130、140、150移送的基板20,如第1圖及第2c圖所示,前端會換為後端(在圖面以'‧'顯示前端)。
另一方面,所述多個搬運模組110、120、130、140、150,根據製程模組的數量、處理基板的數量、模組間的配置可多樣的配置。由一實施例,如第1圖所示,可包括按順序配置的第一至第五搬運模組110、120、130、140、150。
另外,所述多個搬運模組110、120、130、140、150中至少任意一個,可結合一個以上的製程模組310、320、330、340。
由一實施例,多個搬運模組110、120、130、140、150包括第一至第五搬運模組110、120、130、140、150的情況,第二至第五搬運模組120、130、140、150中的至少任意一個,可結合一個以上的製程模組310、320、330、340。
詳言之,所述第二搬運模組120,根據蒸發在OLED基板可結
合形成電極的一個以上的製程模組310。在這裏,在第二搬運模組120臨時保管在處理基板時待使用的護罩(mask),或為了維護護罩可追加結合為了向外部搬出的護罩模組410。
還有,形成所述電極後,為了執行後續製程,在第三搬運模組130,可設置一個以上的製程模組320、330,在第四搬運模組340可設置一個製程模組340。
所述製程模組310、320、330、340,根據基板處理的種類可多樣的構成。
由一實施例,處理基板在執行根據蒸發源蒸發的沉積製程的情況,製程模組310可包括:製程腔室,形成可通過基板的門,並且形成封閉的處理空間;和蒸發源,設置在製程腔室內蒸發沉積物質。
另外,製程模組根據加熱、冷卻、濺射、CVD、PVD等基板處理種類,包括:製程腔室,形成封閉的處理空間;和氣體噴射部,將氣體噴射至處理空間內等,可多樣的構成。
另一方面,所述製程模組在與搬運模組的結合中,為了避免與柱子等周邊設施間的干涉,腔室與所述搬運模組結合的水平結合方向,對根據所述搬運模組的搬運機器人的基板直線移送路徑形成傾斜,腔室可與所述搬運模組結合。
所述多個緩衝模組210、220、230、240、250,作為分別在搬運模組110、120、130、140、150之間,使搬運模組連接設置的構成,可多樣的構成,並且可包括:緩衝腔室,形成與連接的搬運模組連通的門;基板安裝部,設置在緩衝腔室內安裝基板。
還有,所述多個緩衝模組210、220、230、240、250具有對應搬運模組數量的數量。由一實施例,在配置第一至第五搬運模組110、120、130、140、150時,可包括:第一緩衝模組210,連接第一搬運模組110及第二搬運模組120;第二緩衝模組220,連接第二運模組120及第三搬運模組130;第三緩衝模組230,連接第三搬運模組130及第四搬運模組140;第四緩衝模組240,連接第四搬運模組140及第五搬運模組150;第五緩衝模組250,連接第五搬運模組150及第一搬運模組110。
在這裏,第一至第五緩衝模組210、220、230、240、250,根
據連接的搬運模組及連接在搬運模組的製程模組,可具有如同變換壓力、翻轉基板、基板的水平旋轉、加熱或冷卻的溫度調節等多樣的功能。
另一方面,根據基板處理種類在一部分基板處理中,在基板處理面向下的狀態要求執行基板處理,為此第一至第五緩衝模組210、220、230、240、250中的一部分,構成包括:第一翻轉模組,使基板處理面向下側翻轉;第二翻轉模組,使其與第一翻轉模組跟進的進行配置,根據翻轉模組使基板處理面向下翻轉的基板向上側再翻轉。
所述第一翻轉模組及第二翻轉模組,作為將基板處理面向上側或向下側的構成,可包括:翻轉腔室,形成封閉的內部空間;和翻轉部,設置在翻轉腔室內,在拾取基板的狀態使基板處裏面向上側或向下側。
所述翻轉部,作為設置在翻轉腔室內在提取基板的狀態,使基板處理面向上側或向下側的構成,可多樣的構成。
這時,所述翻轉部在翻轉基板中,以與基板的移動方向構成平行的旋轉軸(X軸)為中心使其翻轉,或以與基板移動方向構成垂直的旋轉軸(Y軸)為中心使其翻轉。
尤其是,所述翻轉部以與基板移動方向構成垂直的旋轉軸(Y軸)為中心使其翻轉的情況,會更換基板的前端。
另一方面,所述第一翻轉模組及所述第二翻轉模組,需位於在需翻轉基板處理面的製程模組310的前後。由一實施例,第一翻轉模組為第一緩衝模組210,第二翻轉模組為第三緩衝模組230。
還有,所述緩衝模組的一部分為第一翻轉模組及第二翻轉模組的情況,設置在第三搬運模組130的第三搬運機器人,從第二翻轉模組提取基板20傳遞至製程模組,並且可將從製程模組基板處理的基板傳遞至第二翻轉模組。
尤其是,對再翻轉的基板20的處理基板的數量變多,且限制在第四搬運模組140結合製程模組情況,如上所述將移送基板的一部分逆向移送,進而具有在限制的空間內可執行多樣的基板處理的優點。
另外,根據處理基板的種類在真空壓下執行處理基板,或在低真空壓或大氣壓下執行處理基板等,存在於基板移送路徑中需要變換壓力的情況。
就此,根據本發明的基板處理系統,以第一壓力維持從第一搬運模組110按順序配置的一個以上的搬運模組,以與第一壓力不同的第二壓力維持剩餘的搬運模組,並且連接維持第一壓力的搬運模組及維持第二壓力的搬運模組的緩衝模組,可在第一壓力及第二壓力之間進行壓力變換。
具體地說,根據本發明的基板處理系統,直到第一搬運模組110及第二至第三搬運模組120、130中任意一個維持第一壓力,例如,維持真空壓,並且剩餘的搬運模組140、150維持與第一壓力不同的第二壓力,例如,大氣壓,並且連接維持第一壓力的搬運模組及維持第二壓力的搬運模組的緩衝模組220、250,可在第一壓力及第二壓力之間進行壓力變換。
這時,變換壓力的緩衝模組220、250,為了在變換壓力時將壓力變換時間最小化,較佳為使用內部空間最小化的腔室。
另一方面,根據本發明的基板處理系統的特徵為,根據搬運機器人移送基板的多個搬運模組,經過緩衝模組移動。如第2a圖至第2c圖所示,分別經過搬運模組的同時,以基板20的移送方向為基準,會更換基板20的前端及後端。
還有,後續製程根據變更具有對基板20前端及後端的方向性的基板系統的一部分,更換基板20的前端及後端的情況,由於應變更為了已設置的後續製程的基板處理模組,因此存在對變更基板處理系統的限制,變更時追加費用的需求等問題。
因此,根據本發明的基板處理系統,第一至第五緩衝模組210~250中的一部分,較佳為任意一個,更佳為如第3圖所示,第四緩衝模組240可構成基板水平旋轉模組,以從搬運模組,例如從第四搬運模組140向緩衝腔室內導入基板20時為基準,為了向使其後端不同的搬運模組,例如第五搬運模組150導入,使基板20水平旋轉。
所述基板水平旋轉模組,作為連接兩個搬運模組,即,第四搬運模組140及第五搬運模組150的同時,將基板20從第四搬運模組140傳遞至第五搬運模組150中,使基板20以水平方向旋轉的構成,可包括:基板支撐單元30,支撐緩衝腔室,和通過緩衝腔室導入的基板20;及旋轉單元,以基板的導入方向為基準,使基板的後端向第五搬運模組140,以水平方向使基板支撐單元30旋轉。
根據如上所述的構成,根據本發明的基板處理系統,經過搬運模組的同時矯正更換的基板的前端及後端,可防止由於更換基板的前端及後端影響後續製程。
另一方面,所述緩衝模組,例如第四緩衝模組240,如第3圖所示,至少一部分與搬運模組結合,為了避免與柱子等周邊設施的干涉,與搬運模組結合的水平結合方向D,與根據移送基板20的搬運機器人的基板直線移送路徑L形成傾斜,可與搬運模組結合。
具體地說,第四緩衝模組240為了避免與柱子等周邊設施的干涉,結合在第四搬運機器人140結合的水平結合方向D,與根據移送基板20的第四搬運機器人的基板20的直線移送路徑L構成傾斜θ,可結合在第四搬運模組140。在這裏,水平結合方向D可定義為,結合在第四搬運模組140的水平結合方向。
這時,第四緩衝模組240為基板水平旋轉模組的情況,根據第四緩衝模組240的旋轉單元的驅動,使基板支撐單元30旋轉,進而基板支撐單元30的水平中心線C,在位於與根據第四搬運機器人的基板20的直線移送路徑L平行的狀態,基板20可穩定地安裝在基板支撐單元30。在這裏,基板支撐單元30的水平中心線C,當基板支撐單元30具有直四角形的平面形態時,可定義為向第四搬運模組140的水平中心線。
另外,第三搬運模組130以後直到第一搬運模組110,可設置結合在生產線側的附加模組,較佳為使其與生產線維持間隔的配置。
為此,所述基板處理系統,如第1圖所示,還可包括基板交換模組420,設置在生產線10與第一搬運模組110之間,進行與生產線10的基板交換及與第一搬運模組110的基板交換。
所述基板交換模組420,作為為了與生產線10的基板交換,及與第一搬運模組110的基板交換的構成,可多樣的構成,並且由一實施例,可包括:盒部(未圖示),以基板20形成層次搭載多個;和上下移動部,使盒部上下移動。
還有,所述基板交換模組420可包括外殼,基板20的移送環境在真空進行的情況,為了維持真空狀態,形成卡式等設置在內部的封閉的內部空間。
另一方面,所述基板交換模組420,為了更加穩定的傳遞基板,可追加設置基板排序部,排序搭載在盒部的基板水平位置。
所述基板排序部,作為為了排序基板水平狀態的構成,加壓角落部分水平移動基板,進而可執行為了穩定的移送基板的水平排序基板。
具有如上所述構成的基板處理系統,如上所述的搬運模組110、120、130、140、150及緩衝模組210、220、230、240、250,以構成單一封閉曲線的線路進行配置,進而不變更現有的生產線,在現有的生產線追加新的製程,或為了使變更的製程執行,可追加在現有的生產線。
另一方面,在發明的實施例,雖然舉例說明了在所述基板處理系統的搬運模組110、120、130、140、150的配置,根據順時針方向移送基板20,但是也可根據以逆時針方向移送等多樣的方式移送基板20,當然根據此可多樣的處理基板。
即,具有如上所述構成的基板處理系統,根據配置多個搬運模組110、120、130、140、150及多個緩衝模組210、220、230、240、250,及至少結合在搬運模組110、120、130、140、150中一個製程模組310、320、330、340的種類,可多樣的執行基板處理。
由一實施例,根據本發明的基板處理方法,根據單一封閉曲線線路配置多個搬運模組110、120、130、140、150及多個緩衝模組210、220、230、240、250,至少可以順時針方向及逆時針方向中的一個方向移送基板20。
更加詳細地說,根據單一封閉曲線線路配置多個搬運模組110、120、130、140、150及多個緩衝模組210、220、230、240、250,至少可以順時針方向及逆時針方向中的一個方向移送基板20。
另外,根據本發明的基板處理方法,根據單一封閉曲線線路配置多個搬運模組110、120、130、140、150及多個緩衝模組210、220、230、240、250,在以順時針方向移送基板20的第一基板處理,及以逆時針方向移送基板20的第二基板處理中,可選擇性的執行任意一個或執行全部。
還有,根據本發明的基板處理方法,以第一搬運模組110為起點,經過構成單一封閉曲線的線路配置,可反復一次或數次基板20到達至第一搬運模組110的週期。
具體地說,根據本發明的基板處理方法,需要反復一次或數次執行相同的沉積及熱處理等的後續處理的情況,使執行沉積製程的製程模組結合在第二搬運模組120,在後續配置的第三搬運模組130,結合並配置執行熱處理等的後續處理製程的製程模組,根據製程條件可執行一次或數次週期,即基板20以第一搬運模組110為起點,經過第二搬運模組120及第三搬運模組130,重新到達第一搬運模組110。
在這裏,所述第一搬運模組110、第二搬運模組120及第三搬運模組130,根據需要當然也可以順時針方向以外的逆時針方向配置。
另一方面,根據本發明的基板處理方法,可包括相同或類似第一製程及在第一製程之間執行的一個以上的第二製程。這時,基板處理系統,可按順序配置執行第一製程之一個以上的第一製程模組結合的第一製程搬運模組120,及執行第二製程之一個以上的第二製程模組結合的第二搬運模組130。
還有,根據本發明的基板處理方法,根據如上所述基板處理系統的構成,在第一製程模組執行第一製程,將執行第一製程的基板20,經過第一製程搬運模組120及第二製程搬運模組130,傳遞至第二製程模組執行第二製程,將完成第二製程的基板,經過第二製程搬運模組130及第一製程搬運模組120,傳遞至第一製程模組執行第一製程。
另外,根據本發明的基板處理方法,按順序執行第一製程、第二製程及第三製程,這時基板處理系統,可按順序配置分別執行第一製程及所述第三製程的第一製程模組,及結合第三製程模組的第一製程搬運模組120,及執行第二製程的一個以上的第二製程模組結合的第二製程搬運模組130。
還有,根據本發明的基板處理方法,根據如上所述的基板處理系統的構成,在第一製程模組執行第一製程,將執行第一製程的基板,經過第一製程搬運模組120及第二製程搬運模組130,傳遞至第二製程模組,執行第二製程,將完成第二製程的基板,經過第二製程搬運模組130及第一製程搬運模組110,傳遞至第三製程模組,執行第三製程。
在這裏,在第一壓力下執行所述第一製程及第三製程,在與所述第一壓力不同的第二壓力下執行第二製程等,根據壓力可區分製程。
尤其是,所述第一壓力為真空壓,所述第二壓力為大氣壓。
另外,所述第一製程及第三製程為,利用之前說明的根據蒸發物質蒸發的沉積、電漿的沉積等的沉積製程,第二沉積製程為,在熱處理等沉積製程的執行前或執行後要求的製程。
另一方面,所述第一至第三製程可執行兩次以上。
以上,不過是說明關於根據本發明實現的較佳實施例的一部分,因此與主旨相同本發明範圍不應解釋為限定在以上實施例,並且在以上說明的本發明技術思想,及與其根本一起的技術思想,應解釋為包括在本發明的範圍。
10‧‧‧生產線
20‧‧‧基板
110、120、130、140、150‧‧‧搬運模組
210、220、230、240、250‧‧‧緩衝模組
310、320、330、340‧‧‧製程模組
410‧‧‧護罩模組
420‧‧‧基板變換模組
Claims (23)
- 一種基板處理系統,作為基板與以一方向移送的生產線連接以執行基板處理的基板處理系統,其特徵在於,包括:多個搬運模組,按順序配置,包括與所述生產線連接的第一搬運模組;一個以上的製程模組,至少連接在所述多個搬運模組中的一個,執行基板處理;多個緩衝模組,相互連接所述多個搬運模組之間;所述多個搬運模組及所述多個緩衝模組,接收從所述生產線傳遞的基板,執行基板處理後,為了使完成基板處理的基板返回至所述生產線,以構成單一封閉曲線的線路進行配置。
- 根據申請專利範圍第1項所述的基板處理系統,其中,還包括:基板交換模組,設置在所述生產線與所述第一搬運模組之間,構成與所述生產線的基板交換,及與所述第一搬運模組的基板交換。
- 根據申請專利範圍第2項所述的基板處理系統,其中,所述基板交換模組,包括:盒部,以所述基板形成層次搭載多個;上下移動部,使所述盒部上下移動。
- 根據申請專利範圍第2項所述的基板處理系統,其中,所述基板交換模組,追加設置基板排序部,排序搭載的基板的水平位置。
- 根據申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的基板處理系統,其中,所述搬運模組,包括:搬運機器人,包括:基板安裝部,安裝基板;線形移動部,使基板安裝部線形移動;和旋轉移動部,使所述線形移動部旋轉。
- 根據申請專利範圍第5項所述的基板處理系統,其中,所述多個搬運模組,包括: 所述第一搬運模組及按順序配置的第二搬運模組、第三搬運模組、第四搬運模組及第五搬運模組;所述多個緩衝模組,包括:第一緩衝模組,連接所述第一搬運模組及所述第二搬運模組;第二緩衝模組,連接所述第二搬運模組及所述第三搬運模組;第三緩衝模組,連接所述第三搬運模組及所述第四搬運模組;第四緩衝模組,連接所述第四搬運模組及所述第五搬運模組;第五緩衝模組,連接所述第五搬運模組及所述第一搬運模組。
- 根據申請專利範圍第6項所述的基板處理系統,其中,所述第二至第五搬運模組中至少任意一個,結合執行基板處理的一個以上的製程模組。
- 根據申請專利範圍第6項所述的基板處理系統,其中,所述第一至第五緩衝模組中的一部分為,第一翻轉模組,翻轉使基板處理面向下側;和第二翻轉模組,使其與所述第一翻轉模組跟進的配置,根據所述翻轉模組,使基板處理面向下側翻轉的基板面向上側進行再反轉。
- 根據申請專利範圍第8項所述的基板處理系統,其中,所述第一翻轉模組為所述第一緩衝模組,所述第二翻轉模組為所述第三緩衝模組。
- 根據申請專利範圍第9項所述的基板處理系統,其中,所述第三搬運模組,結合一個以上的製程模組;在所述第三搬運模組設置的第三搬運機器人,從所述第二翻轉模組提取基板傳遞至所述製程模組,將從所述製程模組處理的基板傳遞至所述第二翻轉模組。
- 根據申請專利範圍第6項所述的基板處理系統,其中,從所述第一搬運模組至所述第二至第三搬運模組中的任意一個維持第一壓力,剩餘搬運模組維持與所述第一壓力不同的第二壓力;連接維持所述第一壓力的搬運模組及維持所述第二壓力的搬運模組的緩衝模組,在所述第一壓力及第二壓力之間進行壓力變換。
- 根據申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的基板處理系統,其中,所述第一搬運模組及與其按順序配置的一個以上的搬運模組維持第一壓力,剩餘搬運模組維持與所述第一壓力不同的第二壓力;連接維持所述第一壓力的搬運模組及維持所述第二壓力的搬運模組的緩衝模組,在所述第一壓力及第二壓力之間進行壓力變換。
- 根據申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的基板處理系統,其中,所述緩衝模組的至少一部分、腔室與所述搬運模組結合的水平結合方向,對根據所述搬運模組的搬運機器人的基板直線移送路徑形成傾斜,與所述搬運模組結合。
- 根據申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的基板處理系統,其中,所述多個緩衝模組中的一部分為,以導入基板時為基準,為了使其後端向其他搬運模組導入,使基板水平旋轉的基板水平旋轉模組。
- 一種基板處理方法,係利用根據申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的基板處理系統,其特徵在於:根據以單一封閉曲線線路配置所述多個搬運模組及所述多個緩衝模組,基板以順時針方向移送的第一基板處理及基板以逆時針方向移送的第二基板處理中,選擇性的執行任意一個或全部執行。
- 一種基板處理方法,係利用根據申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的基板處理系統,其特徵在於:根據以單一封閉曲線線路配置所述多個搬運模組及所述多個緩衝模組,基板至少以順時針方向及逆時針方向中的一個方向移送。
- 根據申請專利範圍第16項所述的基板處理方法,其中,以所述第一搬運模組為起點,經過所述單一封閉曲線線路配置,一次或多次反復基板重新到達所述第一搬運模組的週期。
- 根據申請專利範圍第16項所述的基板處理方法,其中,包括在相同或類似的第一製程,及在所述第一製程間執行的一個以上的第二製程,按順序配置:執行所述第一製程之一個以上的第一製程模組結合的第一製程搬運模組,及執行所述第二製程之一個以上的第二製程模組結合的第二製程搬運模組;在所述第一製程模組執行所述第一製程;將執行所述第一製程的基板,經過所述第一製程搬運模組及所述第二製程搬運模組,傳遞至所述第二製程模組執行所述第二製程;將完成所述第二製程的基板,經過所述第二製程搬運模組及所述第一製程搬運模組,傳遞至所述第一製程模組執行所述第一製程。
- 根據申請專利範圍第16項所述的基板處理方法,其中,按順序執行第一製程、第二製程及第三製程;按順序配置:分別執行所述第一製程及所述第三製程的第一製程模組,及結合第三製程模組的第一製程搬運模組,及執行所述第二製程之一個以上的第二製程模組結合的第二製程搬運模組;在所述第一製程模組執行所述第一製程;將執行所述第一製程的基板,經過所述第一製程搬運模組及所述第二製程搬運模組,傳遞至所述第二製程模組執行所述第二製程;將完成所述第二製程的基板,經過所述第二製程搬運模組及所述第一製程搬運模組,傳遞至所述第三製程模組模組,執行所述第三製程。
- 根據申請專利範圍第19項所述的基板處理方法,其中,所述第一製程及所述第三製程在第一壓力下執行,所述第二製程在與所述第一壓力不同的第二壓力下執行。
- 根據申請專利範圍第20項所述的基板處理方法,其中,所述第一壓力為真空壓,並且所述第二壓力為大氣壓。
- 根據申請專利範圍第19項所述的基板處理方法,其中,所述第一至第三製程執行兩次以上。
- 根據申請專利範圍第19項所述的基板處理方法,其中,所述第一製程及第三製程為沉積製程。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20130033432 | 2013-03-28 | ||
KR1020140017034A KR102034706B1 (ko) | 2013-03-28 | 2014-02-14 | 기판처리시스템 및 기판처리방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201438133A true TW201438133A (zh) | 2014-10-01 |
Family
ID=51991491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103111112A TW201438133A (zh) | 2013-03-28 | 2014-03-25 | 基板處理系統及基板處理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102034706B1 (zh) |
TW (1) | TW201438133A (zh) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007101228A2 (en) * | 2006-02-27 | 2007-09-07 | Blueshift Technologies, Inc. | Semiconductor wafer handling and transport |
KR100924944B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2009-11-05 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법 |
KR101400157B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2014-05-30 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치, 기판처리설비 및 기판처리방법 |
-
2014
- 2014-02-14 KR KR1020140017034A patent/KR102034706B1/ko active IP Right Grant
- 2014-03-25 TW TW103111112A patent/TW201438133A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140118723A (ko) | 2014-10-08 |
KR102034706B1 (ko) | 2019-10-21 |
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