TW201434454A - 在薄膜上提供微像差系統及方法 - Google Patents

Abstract

可被揭露的是用於形成具有微像差之真空形成的孔洞薄膜之系統與方法。例如，可在篩網與滾筒之間的連接點處接收例如模鑄聚合物網的聚合物網，其中篩網具有正像差，滾筒包括具有負壓印的表面。滾筒可具有不大於約5.5英吋的直徑。例如，在每直線英吋(PLI)約1.5至約3.5磅的壓力下，藉由將篩網上的正像差插入滾筒之表面上的負壓印中，可以於聚合物網的平坦處上在連接點處擴展微像差。此外，一或多個孔洞形成於所述聚合物網而與平坦處上的微像差相鄰。

Description

在薄膜上提供微像差系統及方法

相關申請案之交叉參考 本申請案主張2012年12月5日申請、案號為61/733,815的美國臨時申請案之權益，其併入本文作為參考。

吸收裝置典型包括頂層、流體獲得分布層、吸收核心以及背層。頂層與裝置的使用者皮膚接觸，並且將流體滲出物傳輸至捕捉並儲存它的吸收核心。背層是最外層，並且藉由防止洩漏或是傳送儲存於核心中的液體而提供對抗染色與沾汙衣服的液體屏障。背層與頂層二者可由一薄層聚合物薄膜構成。從歷史的角度上來說，「薄」的通常範圍是小於50微米但是大於10微米。 由於拋棄式尿布的出現，其中沒有皺縮噪音的靜音材料是想要的，其已想要對使用於吸收裝置的任何薄聚合物薄膜提供三維外觀。三維突出與/或凹陷的這類圖案典型地對於薄膜層提供一或多個以下貢獻：由於「皺褶」外觀的彎曲柔軟與/或靜音，其降低了對於用以壓縐或彎曲薄膜之機械應力的抵抗；藉由擴散反射的光線而降低色澤或缺少光澤；藉由得自於圖案形式與間隔及陣列而產生對於指尖所欲之「觸覺」壓印所形成之柔軟或柔滑的觸感，尤其是觸覺上的柔軟；於被觸碰時能夠或允許彈性彎曲之細薄；具有花狀、緞帶或其他設計圖案之美學外觀，發現為取悅特定市場區段的消費者等。此外，可在頂層形成一或多個開口或孔洞，其可為真空形成的以供液體通過。 不幸地，給予或提供在用於頂層之薄聚合物薄膜上的現今三維外觀當真空形成時可受限於尺寸(例如小於約60微米高)，由於需要使用高壓以使網狀變形，以及/或避免在真空形成中使用的設備的偏斜與/或變形，以及/或通過頂層的開口或孔洞形成之瓦解。

提供了用於形成具有微像差之真空形成的孔洞薄膜(例如可為三維外觀)的系統與方法。例如，在一個實施例中，可在具有正像差的篩網與包含具有負壓印的表面的滾筒之間的連接點接收例如模鑄聚合物網之聚合物網。負壓印可預先形成於滾筒的表面。滾筒可具有不大於約5.5吋的直徑，且可被定位於真空槽的前緣。 根據一個範例實施例，以介於其間的薄膜或聚合物網，藉由將篩網之正像差插入滾筒之表面上的負壓印中，而可在聚合物網上(例如在聚合物網之平坦處上)，在連接點處擴展微像差。在每直線英吋(per lineal inch，PLI)1.5至3.5磅的壓力下，可將篩網上之正像差插入滾筒之表面上的負壓印中(例如以介於其間的薄膜或聚合物網)。 此外，可藉由將具有微像差的模鑄聚合物網通過真空槽的前緣，而形成通過模鑄聚合物網的一或多個孔洞，使得真空槽可經由壓力差而將部分的聚合物網拉至包含於篩網中的一或多個開口。在一個範例實施例中，微像差可形成於鄰接一或多個孔洞的模鑄聚合物網的平坦處上。 發明內容是以簡化形式來導入概念的選擇而提供，其更進一步詳述於以下之詳細說明中。此發明內容不是意欲確認請求保護的標的之主要特徵或必要特徵，也不是意欲用以限制請求保護的標的之範圍。再者，請求保護的標的並非限於解決在本揭露內容的任何部分中提及的任何或全部缺點的任何限定。

現將參照各種圖式來描述示例實施例的詳細說明。雖然此說明提供可能實施方式的詳細範例，但是應注意所述詳細說明意欲為示例的並非用於限制本申請案之範圍。 揭露了用於在形成之薄膜頂層的平坦處上擴展微像差之系統、方法或製程，因此產生在平坦處上具有微像差之一真空孔洞薄膜。微像差為每平方面積具有高密度的細微尺度篩孔，從每平方公分約5,500至55,000個，以及約30微米或更大的平均高度，例如在一範例實施例中約30微米至約200微米，以及/或約65微米或更大，例如在另一範例實施例中約65微米至約200微米。根據一範例實施例，微像差亦包含可為開放或關閉的一尖端或末端部。 為了形成此種微像差，在形成孔洞之薄膜形成篩網的一或多個平坦處上的正像差以及在連接滾筒上的一匹配的負壓印被提供，並用以擴展或形成微像差的圖案。 已知可使用單一步驟製程，以在薄膜上形成微像差。而後可使用其他的製程或製程步驟，以後續於薄膜中形成孔洞。例如，可在一製程中或是製程的一步驟中，以像差將薄膜進行凸紋化。在此類凸紋化之後，後續可在另一製程或是製程的另一步驟中再加熱薄膜，以形成孔洞(例如大頭針可用以在具有微像差之再加熱的薄膜上穿孔)。因此，目前，可使用多重製程或是多步驟製程，以在聚合物薄膜中形成微像差與孔洞二者。不幸地，再加熱薄膜以形成孔洞易於破壞先前步驟或製程中形成的微像差。 例如，使用真空形成的已知製程於薄聚合物薄膜中製造孔洞包含了例如於美國專利第4,151,240號所述，將在一真空槽上旋轉之形成篩網與薄聚合物網接觸而軟化。亦已知一製程，其將模鑄網引入在一真空槽上旋轉之形成篩網上(例如，如美國專利第4,456,570號所描述)。可惜的是，從這類製程形成的結構無法達到微像差的所欲平均高度(例如，如以下表二所示)。 例如，在美國專利第4,629,643號描述了具孔洞之薄聚合物薄膜中微像差的理想平均高度的範例，其中在軟化的聚合物薄膜上提供約400-800 psig的液壓成型或高壓水流被利用以形成微像差(亦參見例如美國專利第7,521,588號)。 同樣已知用於對聚合物薄膜形成修飾是使用夾持凸紋，例如美國專利第3,950,480號與美國專利第5,229,186號所述。被軟化的薄聚合物薄膜在兩個滾筒之間傳送，在兩個滾筒之間形成夾持(nip)，以及在至少一滾筒上的表面設計被凸紋化至軟化的薄聚合物薄膜中。該凸紋化的夾持亦依賴相對高壓以對聚合物薄膜提供修飾。 未受理論束縛，相信在兩個滾筒之間具有細微篩孔(例如每平方面積從每平方公分約5,500至55,000的密度)之凸紋化薄聚合物薄膜使用相對較高的壓力(PLI)，例如在美國專利第3,950,480號與美國專利第5,229,186號使用的像在50至500 PLI的範圍內，以使滾筒覆蓋變形為微像差之形狀，以於所得薄膜中得到所欲圖案的微像差之平均高度。 其也相信，用於凸紋化微像差之此過量壓力，若應用於真空孔洞形成的薄膜製程中，將造成穿過固定真空封口的摩擦阻力，造成封閉磨損以及早期篩網磨損。過量壓力亦可能造成扭力應力，其可能彎曲且快速斷裂一薄穿孔的孔洞形成薄膜形成篩網，並且偏斜滾筒為將不可能有的微像差的均勻平均高度。在標準的凸紋化技術中，典型是增加滾筒直徑為多達3至6呎的直徑，以減少凸紋化的高PLI需求造成之偏斜。 如本文所述，提供了例如真空形成製程的製程，其中可不需要再加熱而形成微像差與孔洞(例如單一步驟製程)。在此類製程中，可藉由在孔洞薄膜形成篩網上的正像差與滾筒表面或覆蓋上實質對準的負壓印之間導入模鑄聚合物網，以及提供來自直徑不大於5.5英吋之滾筒的每直線英吋(PLI)低磅數壓力(例如約1.5至4.0 PLI)而在孔洞形成薄膜的平坦處上形成微像差。此外，為了形成具有微像差與孔洞的薄膜，滾筒需要被移除或是在真空槽封口的前緣處被整合至製程的模鑄流接觸點，使得滾筒不會阻擋或破壞用以形成孔洞的空氣流。為了達到此目的，滾筒可不有大於約5.5英吋的直徑。 第1圖說明了用於形成具有微像差之孔洞薄膜的製程或方法的範例實施例。如第1圖所示，一突出槽模2導入了模鑄聚合物網10，其被送至連接點40處的形成篩網組合物20與滾筒組合物30。 該形成篩網組合物20包含篩網22與篩網22繞著旋轉的固定歧管24。篩網22包含一或多個正像差(未顯示)，例如在篩網22的一或多個平坦處上用於與匹配的負壓印(未顯示)結合，例如在與滾筒組合物30相關聯的滾筒32表面中，以於聚合物網10中擴展微像差，使得具有一或多個微像差52 (未照比例顯示)的圖案的所形成薄膜頂層(例如真空孔洞形成薄膜) 50如本文所述地製成。此外，將篩網22穿孔，使得篩網22更包含延伸穿過而與具有正像差的平坦處相鄰之開口(未顯示)。開口使得空氣通過篩網22，使得篩網22以及因此定義的開口被用以形成聚合物網10中的孔洞。 如第1圖所示，篩網22繞著旋轉的固定岐管24包含了具有前緣28與後緣29的固定真空槽26。在前緣28與後緣29之間定義的真空槽26包含壓力差的區域，就真空壓力來說，為負壓力差。 滾筒組合物30包含滾筒32。如本文所述，滾筒32表面或覆蓋包含一或多個負壓印(例如，其在滾筒32中預先留下凹痕或是預先形成)。一或多個負壓印與篩網22中在連接點40處的正像差實質地對準(例如，一或多個負壓印與篩網22中的正像差匹配)，使得滾筒32與篩網22被配置以導致形成具有一或多個微像差52 (未依照比例顯示)的圖案之所形成的薄膜頂層50 (例如，真空孔洞形成薄膜)。 於連接點40處形成微像差之後，將具有微像差圖案形成於其上之聚合物網10通過前緣28以及於真空槽26之上。藉由真空槽26中產生的壓力差，懸在篩網22之開口上的鑄模聚合物網10被拉至篩網22的開口中，使得孔洞形成於未受到篩網22平坦處支撐的聚合物網10之區域中。對流冷卻通過新形成孔洞的空氣而後自模鑄網移除足夠的熱，以造成其從熔化相改變為完成相，或是具有結晶結構(例如聚乙烯)的聚烯烴聚合物的結晶相。當完成時，聚合物網10不會損失微像差與孔洞兩者及/或孔洞周圍的平坦處其新形成的形狀或結構。 在一個實施例中，如第1圖所示，滾筒32相對於前緣28處的形成篩網組合物20而被定位，使得當從槽模2被傳送至連接點40之篩網22時，滾筒32實際上同時與聚合物網10接觸。 篩網22旋轉或移動，具有的一或多個孔洞的聚合物網10被平坦處與平坦處上一或多個微像差環繞，並且超過真空槽26的後緣29。於越過真空槽26的後緣29之後，具有受到平坦處環繞之一或多個微像差與一或多個孔洞之聚合物網10離開所形成的篩網22之表面，例如藉由剝皮滾筒(未顯示)而被剝除，以及現成為在頂層50的平坦處上具有一或多個微像差52的永久圖案之真空孔洞形成薄膜頂層50。 根據實施例，具有由平坦處環繞的一或多個孔洞與通過平坦處上一或多個微像差之所形成的薄膜頂層50可進一步被提供或是傳送至其他站或設備，使得所形成的薄膜頂層50被切割為所欲之寬度尺寸，並且被捲纏繞成捲，用於轉換為任何各種吸收裝置的元件及其功能。 第2圖說明了無負壓印(例如132)的大直徑夾持滾筒之一部分習知技藝表面或覆蓋以及一部份滾筒(例如在預先連接位置(例如，在連接處被連接之前，例如第1圖上述之連接點40)中具有正像差(例如122)的鋼鐵圖案化的滾筒)的範例。對於凸紋化滾筒而言，習知技藝的表面或覆蓋部分132為目前可獲得的範例覆蓋或表面。例如，一個典型的覆蓋將由65 Shore A矽橡膠組成。為了本文的比較，如果可以使用凸紋化方法至真空孔洞形成薄膜製程中，則第2圖包括表面或覆蓋部分132的滾筒可被設置以及類似於第1圖上述之滾筒32來定位。同樣地，在一部分的鋼鐵凸紋化滾筒上的像差122是篩網上之像差的範例代表，所述像差是在篩網上(例如上述第1圖之篩網22)。如第2圖所示，範例習知技藝表面或覆蓋部分132包含了平行的水平條紋線134a，作為也不具有負壓印之表面或覆蓋部分132之未改變、非壓縮狀態的圖式代表。 第3圖說明無負壓印(例如132)之大直徑夾持滾筒的習知技藝表面或覆蓋的一部分以及在連接位置具有正像差(例如122)之滾筒的一部分(例如鋼鐵圖案化的滾筒)的範例。如第3圖所示，當施加從約50 PLI上至500 PLI的壓力，以造成表面或覆蓋部分132符合像差122的形狀時，當正像差122被壓縮或壓至連接點處的表面或覆蓋部分132的表面時，表面或覆蓋部分132的條紋線134b被改變(例如，由136所示)。當如第1圖所述之聚合物網(未顯示) (例如聚合物網10)的薄層被設置在表面或覆蓋部分132與像差122之間，以及施加自約50至500 PLI之高壓時，與壓縮區域138相關聯之阻力可造成聚合物網中微像差之變形，其對應於像差122之形狀。在此習知技藝實施例中，低壓(例如，約1.5至約3.5、約1.5至約4.0以及諸如此類的PLI)不會提供足夠壓力迫使表面或覆蓋部分132的表面符合如本文所述之正像差122。 此外，在第3圖的習知技藝實施例中，當而後自表面或覆蓋部分132移開像差122時，與表面或覆蓋部分132相關聯的彈性造成表面或覆蓋部分132回到第2圖所示之其預先連接的形狀，其中條紋線134b已經回到條紋線134a的原始平行位置。 第4圖說明了具有負壓印(例如156)的滾筒的表面或覆蓋部分(例如152)的一部分以及在預先連接位置具有正像差(例如142)的篩網的一部分的範例實施例。滾筒的表面或覆蓋部分152代表第1圖所述之滾筒32，以及篩網的像差142代表在預先連接位置中第1圖所述之篩網22，其用於本製程中以形成具有微像差之薄膜。如第4圖所示，表面或覆蓋部分具有預先形成的凹處或負壓印156。例如，藉由雷射雕刻於滾筒表面預先形成凹處或負壓印156。此外，凹處或負壓印156可具有接近或近似符合像差142的形狀之尺寸，除了例如凹處或負壓印156的平均深度大於像差142之平均高度約至少15%。如第4圖所示，圖形條紋線154a代表在預先連接模式中未改變的狀態。 第5圖說明了具有負壓印(例如156)之滾筒表面或覆蓋部分(例如152)的一部分以及在連接位置具有正像差(例如142)之篩網的一部分的範例實施例。如第5圖所示，像差142貫穿凹處或負壓印156。例如第1圖之聚合物網10的聚合物網被配置在表面或覆蓋152與篩網之像差142之間(例如，在連接點處，例如連接點40)。當施加壓力時，像差142貫穿凹處或負壓印156，以形成微像差(例如，約1.5至3.5的PLI，在一實施例中具有平均高度大於30微米的像差，或是在另一範例實施例中具有平均高度大於約65微米的像差)。根據一實施例，如第5圖所示，可產生節距點(pinch point)158，其中在達到穿透的全部深度之前，像差122可穿透且接觸凹處或負像差156。此外，如第4圖與第5圖所示，圖形條紋線154b在連接位置時實際上保持未壓縮且未改變。 第6圖說明了在第1圖所描述之製程或方法在連接點40後接近像差(例如142)的聚合物網10的實施例。因此，如所示地，在微像差形成之後，聚合物網10仍然接近像差142，直到自像差移除且如第1圖所示地通過真空槽26，以形成孔洞。聚合物網10的尖端或末端20可能已經變薄或是可能已經開啟或是變薄與開啟。 滾筒 滾筒32具有特定尺寸，例如特定長度、直徑等，以確保微像差實質均勻地擴展於聚合物網10之表面上。例如，如果滾筒32具有太大的直徑(例如6英吋或更大)，則滾筒32可阻擋空氣流入真空槽26，使得無法於聚合物網10適當地形成孔洞。滾筒32直徑太大的另一個負面效果是其可能在影響區域中太早於聚合物網10上試圖以太多時間形成微像差，太晚釋出熔化物，使得可能無法在聚合物網10上適當地形成一或多個微像差。因此，滾筒32可具有約2.0英吋至約5.5英吋的直徑。在一實施例中，滾筒32具有約5.5英吋或更小的直徑。 滾筒32亦提供足夠壓力，例如約1.5至3.5 PLI的壓力，以在聚合物網10上擴展微像差，以及因而形成具有微像差52圖案之所形成的薄膜頂層50(例如真空孔洞形成薄膜)，但是並非太大壓力(例如大於3.5 PLI)，使得滾筒32可變形或偏斜，從而造成通過所述網太大的像差高度範圍，其中如表2所示，在此類壓力(例如約1.5至3.5 PLI)下，高度範圍的低點功能上並不夠高，無法提供所需要的效果(例如超過30微米)。太小的壓力(例如小於1.5 PLI)不足以將滾筒32維持在連接位置，使得可能會發生跳進及跳出位置，這會破壞篩網22。同樣地，當跳「出」時，連接是鬆開的且當時沒有微像差形成。 滾筒32覆蓋最典型地是由具有Shore A Shore A硬度測量(例如20至95與/或65至90)的覆膜所製成。在範例中，覆膜可為橡膠覆膜，其由天然與合成橡膠組成，例如具有Shore A硬度35-95的天然橡膠、具有Shore A硬度100的Ebonite^R橡膠、具有Shore A硬度30至95的HNBR、具有Shore A硬度40-95的Hypalon^R橡膠、具有Shore A硬度35-75的矽利康(silicone)橡膠以及在一範例中具有Shore A硬度65的矽利康橡膠、具有Shore A硬度40-95的Neopree橡膠以及諸如此類。其他的覆膜可包含塑膠、縮醛(例如具有Shore A硬度80至95的Delrin)以及熱固性聚合物。如果選擇這些材料，則預先形成的負壓印典型地被雷射雕刻至滾筒覆蓋中。滾筒32的覆蓋之其他選擇可包含具有Shore A硬度30至50的織物層、具有Shore A硬度45至75的硬性發泡體或是具有Shore A硬度20至85的毛氈。如果選擇織物層、硬性發泡體或是毛氈，預先形成的負壓印則典型地藉由固定重複的工具壓力或是具有篩網22像差之相同圖案陣列之其他媒介來機械性地形成。 本文描述之針對織物或硬性發泡體滾筒表面的預先形成的負壓印可於車床上用機器進行，或是藉由運作滾筒32覆蓋至篩網22數次重複以及讓篩網22像差做為機械工具而進行。在此類範例中，達到了負壓印與像差之匹配對準。在實施例中，當在聚合物網10上形成一或多個微像差52時，如本文描述，可在壓力下提供穩定性的任何其他材料可被用於滾筒32覆蓋。 聚合物網 聚合物網10是被保持的模鑄聚合物網，使得微像差從聚合物網10擴張以及於聚合物網10中擴張。真空孔洞形成薄膜(例如可用於本文者)可包括聚烯烴聚合物，例如聚乙烯及其混合物，例如在湯瑪士的美國專利第4,456,570號所述者。聚合物或聚合物混合物是在模鑄相，或是在高於聚合物或聚合物混合物用於聚合物網10的熔化溫度(Tm)的溫度下，例如約為275°F至600°F(135°C - 315°C)的溫度。 篩網在一個範例中，篩網22是例如鎳的金屬材料，或是在本文製程所描述的條件下可保持其形狀與強度的其他合適材料(例如塑膠、橡膠或是非金屬材料)。如上所述，在一個實施例中，篩網22更具有某個形狀與某個圖案的一或多個開口，例如在篩網22的平坦處上，被正像差環繞以及與正像差相鄰。 微像差 微像差52從頂層50的表面延伸並且包含近端51(例如頂層50的表面)以及與相對於近端51的遠端53(例如，或者尖端)。根據範例實施例，微像差52可在近端51被開啟、在遠端53(例如如第1圖所示)被封閉、在遠端53(未顯示)被開啟、在遠端53(未顯示)被開啟且封閉，或是任何其他適合的配置。美國專利公開案第2004/119207號的第[0005]段與第[0059]至[0063]段討論開口遠端與封閉近端的範例實施例。此外，美國專利第6,582,798號第7欄第28-46行以及第9欄第35-67行討論微像差52(例如，稱為微脊(microridges))的範例實施例。 範例 如前所述，被相信的是，使用第3圖的滾筒表面習知技藝，需要施加高PLI以形成所欲之微像差。例如，需要施加超過125的PLI，以形成本文揭露的實施例之所欲之微像差(例如，如以下表2所示)。在凸紋化方法的典型硬體配置中，旋轉鋼鐵圖案滾筒在固定位置旋轉，而習知技藝大直徑夾持滾筒(例如第3圖局部示出者)藉由在習知技藝大直徑夾持滾筒的末端處被附加至軸頭的兩個空氣圓筒而被壓向鋼鐵圖案滾筒(例如如美國專利第3,950,480號所示)。在夾持滾筒與鋼鐵圖案滾筒的接觸點處之PLI力可藉由將空氣壓力(PSI)乘以空氣圓筒的活塞之平方面積，乘以兩個空氣圓筒(施加的總磅數)，除以大直徑夾持滾筒的寬度之直線英吋來計算。由於空氣圓筒推在這類滾筒的每一端上，大直徑夾持滾筒的偏移值計算更為複雜，但普遍。可由供應橡膠夾持滾筒予薄膜及紙張凸紋化工業的橡膠滾筒供應商取得偏斜的工程計算。 如果滾筒32是60英吋(152公分)寬並且具有4.0英吋(10.2公分)的整體直徑，其包含0.5英吋(1.27公分)厚度的彈性橡膠覆蓋，可得到這類偏斜計算。對於滾筒更包括0.5英吋(1.27公分)的覆蓋的計算，其亦具有外部直徑(OD)3.0英吋(7.62公分)的金屬桿，以及0.50英吋(1.27公分)的壁厚度，且因此2.0英吋(5.08公分)的內部直徑(ID)。滾筒因此具有4.0英吋(10.2公分)的整體OD，且在將被連接於篩網上的表面上為60英吋(152公分)長。 對於以下於表1所示的數據，上述的滾筒加上不同的PSI壓力，其中輸入數據為偏斜計算。

類似於第1圖所示的系統，其具有在固定真空密封槽上旋轉的形成篩網以及自槽骰突出的模鑄網，來自表1的數據指出，在一個範例實施例中形成所欲平均高度至少約30微米或是在另一範例實施例中約65微米的微像差將開始失去形成均勻性，這是由於PLI力在或大於3.5時的滾筒偏斜(也參閱以下表2)。目前，在PLI範圍超過3.5時，由於影響滾筒偏斜，平均高度大於100微米的微像差甚至可能無法跨過60英吋寬製程而均勻地形成。無疑地，在用於凸紋化像差的標準50 PLI且大於習知技藝者，真空孔洞形成薄膜製程的小滾筒需求之偏斜是被嚴格禁止的。

根據一個實施例，表2中的比較性範例與範例根據第1圖的製程，使用薄膜、不同的滾筒以及形成篩網(其可包含例如正像差)而產生。在一個範例實施例中，表2使用之篩網(例如，篩網的平坦處)上的正像差實際上是圓形，以等邊60°三角形圖案配置，以中心至中心200微米而間隔，稍微漸減為200微米的平均高度，且當其直徑為其一半高度被除以其高度值時，長寬比為2.9。此外，表2中使用的薄膜可為突出的單層及24.1 gsm (克/平方公尺)基礎重量(wt%)的真空孔洞薄膜，具有LDPE (0.922克/cm³密度)對LLDPE (茂金屬(metallocene) 0.918 g/cm³密度)的比例約2:1以及TiO2 (例如，約3.8 wt%)。 雖然本文描述了系統、方法、製程與/或實施例關於不同材料、技術與設備，這類系統、方法、製程與/或實施例可被應用於其他應用與環境，以及可包含不同於本文揭露的順序之其他材料、設備與製造技術、方法與/或製程。

2．．．突出槽模

10．．．模鑄聚合物網

20．．．形成篩網組合物

22．．．篩網

24．．．固定歧管

26．．．固定真空槽

28．．．前緣

29．．．後緣

30．．．滾筒組合物

32．．．滾筒

40．．．連接點

50．．．頂層

52．．．微像差

51．．．近端

53．．．遠端

122、142．．．像差

132、152．．．表面或覆蓋部分

134a、134b．．．條紋線

138．．．壓縮區域

154a、154b．．．圖形條紋緣

156．．．凹處或負壓印

158．．．節距點(pinch point)

本文揭露的實施例之更詳細理解可由以下說明，經由範例與附圖結合的方式給出而得到。 第1圖說明了用於形成具有微像差之孔洞薄膜的製程或方法的範例實施例。 第2圖說明了範例習知技藝，滾筒之表面或覆蓋無負壓印以及一部分的凸紋滾筒在預先連接位置具有正像差。 第3圖說明了範例習知技藝，滾筒之表面或覆蓋無負壓印以及一部分的凸紋滾筒在連接位置具有正像差。 第4圖說明了滾筒之表面或覆蓋有負壓印以及一部分的篩網在預先連接位置具有正像差的範例實施例，其可用以形成具有微像差的孔洞薄膜。 第5圖說明了滾筒之表面或覆蓋有負壓印以及一部分的篩網在連接位置具有正像差的範例實施例，其可用以形成具有微像差的孔洞薄膜。 第6圖說明了在第1圖的製程或方法的連接點之後，接近可位於篩網上的正像差的聚合物網或薄膜層的範例實施例。

2．．．突出槽模

10．．．模鑄聚合物網

20．．．形成篩網組合物

22．．．篩網

24．．．固定歧管

26．．．固定真空槽

28．．．前緣

29．．．後緣

30．．．滾筒組合物

32．．．滾筒

40．．．連接點

50．．．頂層

52．．．微像差

51．．．近端

53．．．遠端

Claims (20)

1. 一種用於形成具有微像差之一真空形成的孔洞薄膜的方法，該方法包括：     在一篩網與一滾筒之間的一連接點處接收一模鑄聚合物網，其中該篩網具有一正像差以及該滾筒包含具有一負壓印的一表面；以及     藉由在每直線英吋(PLI)不超過約3.5磅的一壓力，以介於其間的該模鑄聚合物網將該篩網上的該正像差插入該滾筒之該表面上的該負壓印中，以於該模鑄聚合物網的一平坦處上在該連接點處擴展一微像差。
2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該負壓印是預先形成於該滾筒的該表面中。
3. 如申請專利範圍第2項所述的方法，其中該負壓印是藉由雷射雕刻該滾筒的一覆蓋而預先形成於該滾筒的該表面中，其中該滾筒的該覆蓋包括橡膠或熱固性聚合物至少其中之一。
4. 如申請專利範圍第2項所述的方法，其中該負壓印是藉由雷射雕刻該滾筒的一覆蓋而預先形成於該滾筒的該表面中，其中該滾筒的該覆蓋包括橡膠或熱固性聚合物至少其中之一。
5. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該微像差包括每平方公分至少約5,500個像差的一細微尺度篩孔以及約30微米或更大的一平均像差高度。
6. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該滾筒包括不超過約5.5英吋之一直徑。
7. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該滾筒位於一真空槽的一前緣且以不小於約1.5 PLI與所形成的篩網連接。
8. 如申請專利範圍第7項所述的方法，其中該篩網包括與該正像差相鄰的一或多個開口。
9. 如申請專利範圍第8項所述的方法，更包括藉由將具有該微像差之該模鑄聚合物網超過該真空槽之該前緣來形成通過該模鑄聚合物網的一或多個孔洞，使得該真空槽被配置以經由一壓力差將部分的該聚合物網拉入該篩網中的該一或多個開口中。
10. 如申請專利範圍第9項所述的方法，其中該微像差在與該一或多個孔洞相鄰的一平坦處上擴張。
11. 一種用於形成具有微像差之一真空形成的孔洞薄膜的方法，該方法包括：     在一篩網與一滾筒之間的一連接點處接收一模鑄聚合物網，該篩網具有一正像差，該滾筒包括具有預先形成於其中的一負壓印的一表面，其中該滾筒包括不大於約5.5英吋的一直徑；      以介於其間的該模鑄聚合物網，藉由將該篩網上的該正像差插入該滾筒之該表面上的該負壓印中，以於該模鑄聚合物網的一平坦處上在該連接點處擴展一微像差，其中該篩網上之該正像差在每直線英吋(PLI)約1.5至約3.5磅的一壓力下被插入該滾筒之該表面上的該負壓印中。
12. 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中該微像差包括每平方公分至少約5,500個像差的一細微尺度篩孔以及約30微米或更大的一平均像差高度。
13. 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中該滾筒位於一真空槽的一前緣且以不小於約1.5 PLI與所形成的篩網連接。
14. 如申請專利範圍第13項所述的方法，更包括藉由將具有該微像差之該模鑄聚合物網超過該真空槽之該前緣來形成通過該模鑄聚合物網的一或多個孔洞，使得該真空槽被配置以經由一壓力差將部分的該聚合物網拉入該篩網中的一或多個開口中。
15. 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中當該正像差被插入在該滾筒之該表面上預先形成的該負壓印中時，該滾筒之該表面還維持不變。
16. 一種用於形成具有微像差之一真空形成的孔洞薄膜的方法，該方法包括：     在一篩網與一滾筒之間的一連接點處接收一模鑄聚合物網，該篩網具有一正像差，該滾筒包括於其中具有一負壓印的一表面，其中該滾筒包括不大於約5.5英吋的一直徑；     以介於其間的該模鑄聚合物網，藉由將該篩網上的該正像差插入該滾筒之該表面上的該負壓印中，以於該模鑄聚合物網的一平坦處上在該連接點處擴展一微像差，其中該篩網上之該正像差在每直線英吋(PLI)約1.5至約3.5磅的一壓力下被插入該滾筒之該表面上的該負壓印中，以及其中該微像差包括每平方公分至少約5,500個像差的一細微尺度篩孔以及約30微米或更大的一平均像差高度。
17. 如申請專利範圍第16項所述的方法，其中該負壓印是藉由雷射雕刻該滾筒之一覆蓋而預先形成於該滾筒的該表面中，其中該滾筒之該覆蓋包括橡膠或熱固性聚合物至少其中之一。
18. 如申請專利範圍第16項所述的方法，其中該負壓印是藉由將一工具之重複機械壓力至該滾筒的一覆蓋中而形成，其中該滾筒的該覆蓋包括一織物、一硬性發泡體或一毛氈至少其中之一。
19. 如申請專利範圍第16項所述的方法，其中該滾筒位於一真空槽的一前緣且以不小於約1.5 PLI與所形成的篩網連接。
20. 如申請專利範圍第19項所述的方法，更包括藉由將具有該微像差之該模鑄聚合物網超過該真空槽之該前緣來形成通過該模鑄聚合物網的一或多個孔洞，使得該真空槽被配置以經由一壓力差將部分的該聚合物網拉入該篩網中的一或多個開口中。