TW201433224A - 多層線路板以及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種多層線路板，包括線路基板、絕緣基板、第二孔洞、第一奈米銀導電柱、第二奈米銀導電柱、第一銀漿層、第二銀漿層、第一保護層以及第二保護層。線路基板包括基板層以及貼附於基板層上的金屬圖案層。絕緣基板位於金屬圖案層上，並包括黏著層、絕緣層以及第一孔洞。第一孔洞貫穿絕緣基板並暴露出金屬圖案層。第二孔洞位於基板層，並且暴露出金屬圖案層。第一奈米銀導電柱填入第一孔洞中，第二奈米銀導電柱填入第二孔洞中。第一銀漿層覆蓋在絕緣層上，第二銀漿層覆蓋在基板層上。第一保護層覆蓋第一銀漿層，第二保護層覆蓋第二銀漿層。

Description

多層線路板以及其製造方法

本發明有關一種線路板以及其製程方法，且特別是有關於一種多層線路板以及其製造方法。

一般而言，多層線路板的製造過程包括，先將單層板或雙層板進行堆疊黏合以形成多層板。再對多層板進行蝕刻製程以形成多層線路板。單層板的結構包括一金屬層、一絕緣層以及一黏著層，而雙層板的結構包括兩金屬層、一絕緣層以及一黏著層。然而，利用單層板與雙層板堆疊黏合所形成的多層板會具有較大的厚度，使得所形成的多層線路板無法具有薄型化的特性。

本發明提供一種多層線路板，其可以達到產品薄型化的需求。

本發明提供一種多層線路板的製造方法，其用來製造上述多層線路板。

本發明提供一種多層線路板，此多層線路板包括線路基板、絕緣基板、第二孔洞、第一奈米銀導電柱、第二奈米銀導電柱、第一銀漿層、第二銀漿層、第一保護層以及第二保護層。線路基板包括基板層以及貼附於基板層上的金屬圖案層。絕緣基板位於金屬圖案層上，並包括黏著層、絕緣層以及第一孔洞。黏著層貼附於金屬圖案層上，而絕緣層貼附於黏著層上。第一孔洞貫穿絕緣基板並暴露出金屬圖案層。而第一孔洞的孔徑是從第一孔洞的開口向金屬 圖案層遞減。第二孔洞位於基板層，並且暴露出金屬圖案層。第二孔洞的孔徑是從第二孔洞的開口向金屬圖案層遞減。第一奈米銀導電柱填入第一孔洞之中，而第二奈米銀導電柱填入第二孔洞之中。第一銀漿層覆蓋絕緣層以及第一奈米銀導電柱，而第二銀漿層覆蓋基板層以及第二奈米銀導電柱。第一保護層覆蓋第一銀漿層，而第二保護層覆蓋第二銀漿層。

本發明提供一種多層線路板的製造方法。首先，提供一線路基板，其包括一基板層以及一貼附於基板層上的金屬層。圖案化金屬層以形成一金屬圖案層。形成一絕緣基板於金屬圖案層上，其包括一黏著層、一絕緣層以及至少一第一孔洞。黏著層貼附於金屬圖案層上，絕緣層貼附於黏著層上。而第一孔洞貫穿絕緣基板，並暴露出金屬圖案層。之後，形成一第二孔洞於基板層，第二孔洞暴露出金屬圖案層。再來，形成第一奈米銀導電柱於第一孔洞之中，並形成第二奈米銀導電柱於第二孔洞之中。形成第一銀漿層於絕緣層之上，並形成第二銀漿層於基板層上。形成第一保護層於第一銀漿層上，並形成第二保護層於第二銀漿層上。

綜上所述，本發明提供了一種多層線路板以及其製造方法，此多層線路板包含一線路基板、一第一奈米銀導電柱、一第二奈米銀導電柱、一第一銀漿層以及一第二銀漿層。線路基板包括基板層以及金屬圖案層，第一銀漿層透過第一奈米銀導電柱電性連接金屬圖案層。而第二銀漿層透過第二奈米銀導電柱電性連接金屬圖案層。第一銀漿層以及第二銀漿層可以用來取代單層板以及雙層板的結構， 以形成多層線路板的結構。如此可以降低多層板的層數，進而減少多層板的厚度，以達到產品薄型化的目的。

為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅係用來說明本發明，而非對本發明的權利範圍作任何的限制。

圖1為本發明一實施例之多層線路板1的剖面示意圖。請參閱圖1，多層線路板1包括一線路基板100、一絕緣基板200’、一第二孔洞160、一第一奈米銀導電柱422、一第二奈米銀導電柱442、一第一銀漿層520、一第二銀漿層540、一第一保護層620以及一第二保護層640。

線路基板100包括一基板層120’以及一金屬圖案層140’。金屬圖案層140’貼附在基板層120’之上，並做為多層線路板1的線路層。絕緣基板200’位於金屬圖案層140’之上，包括一黏著層220’、一絕緣層240’以及一第一孔洞260。而黏著層220’貼附於金屬圖案層140’上，絕緣層240’則貼附於黏著層220’上。第一孔洞260貫穿絕緣基板200’，且此第一孔洞260暴露出位於絕緣基板200’下方的金屬圖案層140’。

須說明的是，如圖1所示，第一孔洞260的孔徑是從第一孔洞260的開口向金屬圖案層140’遞減。也就是說，第一孔洞260的最大孔徑位在絕緣層240’的上表面，而第一孔洞260的最小孔徑位在黏著層220’的下表面。詳細而言，在本實施例中，第一孔洞260的最大孔徑為0.2mm，最小孔徑為0.1mm。然而本發明不限定第一孔洞260的形 狀以及孔徑大小。

另外，基板層120’的材質可以是聚醯亞胺(Polyimide,PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、液晶高分子(Liquid Crystal polyester,LCP)，或者是丙酮酸羧化酶(Pyruvate Carboxylase,PC)。金屬圖案層140’的材質包括銅、鋁或是錫。而黏著層220’的材料包括環氧樹脂(Epoxy)、聚酯樹脂(Polyester)或者是壓克力樹脂(Acrylic)。此外，基板層120’的厚度為12μm。絕緣基板200’的厚度為27μm，其中黏著層220’的厚度為15μm，絕緣層240’的厚度為12μm。

請再次參閱圖1，第二孔洞160貫穿基板層120’，並且暴露出位於基板層120’上方的金屬圖案層140’。而第二孔洞160的孔徑是從第二孔洞160的開口向金屬圖案層140’遞減。也就是說，第二孔洞160的最大孔徑位在基板層120’的下表面上，而第二孔洞160的最小孔徑位在基板層120’的上表面上。詳細而言，在本實施例中，第二孔洞160的最大孔徑為0.2mm，最小孔徑為0.1mm。然而本發明不限定第二孔洞160的形狀以及孔徑大小，在其他實施例中，第二孔洞160也可以只有單一孔徑，而孔徑大小可以是0.15-0.35mm。

如圖1所示，第一奈米銀導電柱422填入第一孔洞260之中，並電性連接金屬圖案層140’。而第二奈米銀導電柱442填入第二孔洞160之中，並電性連接金屬圖案層140’。第一銀漿層520位於絕緣層240’以及第一奈米銀導電柱422之上，並覆蓋絕緣層240’以及第一奈米銀導電柱422。而第一銀漿層520的厚度為4-12μm。第二銀漿層540位於 基板層120’以及第二奈米銀導電柱442之上，並覆蓋基板層120’以及第二奈米銀導電柱442。而第二銀漿層540的厚度為4-12μm。須說明的是，第一銀漿層520以及第二銀漿層540可以取代一般多層線路板中的雙層線路板以及單層線路板，如此可以降低多層線路板1的厚度，以達到產品薄型化的需求。

承上述，第一銀漿層520藉由第一奈米銀導電柱422電性連接金屬圖案層140’，而第二銀漿層540藉由第二奈米銀導電柱442電性連接金屬圖案層140’。也就是說，第一銀漿層520、第二銀漿層540以及金屬圖案層140’彼此電性導通。在本實施例中，第一銀漿層520以及第二銀漿層540可以不具線路圖案，以做為多層線路板1的接地層。然而在其他實施例中，第一銀漿層520以及第二銀漿層540也可以是線路圖案層。也就是說，多層線路板1具有三層線路圖案，且彼此之間可以透過第一奈米銀導電柱422以及第二奈米銀導電柱442電性連接。

請再次參閱圖1，第一保護層620位於第一銀漿層520上，並覆蓋第一銀漿層520。而第二保護層640位於第二銀漿層540上，並覆蓋第二銀漿層540，也就是說第二銀漿層540會位於第二保護層640以及基板層120之間。第一保護層620以及第二保護層640的材料可以是聚酯類或聚醯亞胺，其可保護第一銀漿層520以及第二銀漿層540避免刮傷，並且可以避免第一銀漿層520以及第二銀漿層540和其他電子元件或者是其他多層線路板電性導通。

以上所述為本發明一實施例之多層線路板1的結構。接下來要介紹此多層線路板1的製造方法。圖1A至圖1G 為本發明一實施例之多層線路板1的製造流程剖面示意圖。

請參閱圖1A，首先提供一線路基板100，線路基板100包括一基板層120以及一金屬層140。金屬層140貼附在基板層120之上。請參閱圖1B，之後依照使用者的需求圖案化金屬層140以形成金屬圖案層140’。圖案化金屬層140的方法包括利用影像轉移搭配化學藥液的方式，在金屬層140上形成線路圖案。請參閱圖1B以及圖1C，接下來，形成一絕緣基板200’於金屬圖案層140’上。絕緣基板200’包括一黏著層220’、一絕緣層240’以及一第一孔洞260。第一孔洞260會貫穿黏著層220’以及絕緣層240’，並且暴露出位於黏著層220’下方的金屬圖案層140’。

詳細而言，形成一絕緣基板200’於金屬圖案層140’的方法包括，提供一絕緣基板200，此絕緣基板200包括一黏著層220以及一絕緣層240，而絕緣層240貼附於黏著層220之上。之後，可以利用例如是熱壓合的方法將絕緣基板200貼附於金屬圖案層140’之上，而黏著層220貼附於金屬圖案層140’上。黏著層220的厚度為15μm，絕緣層240的厚度為12μm，也就是說絕緣基板200的厚度為27μm。

另外，基板層120的材質可以是聚醯亞胺(Polyimide,PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、液晶高分子(Liquid Crystal polyester,LCP)，或者是丙酮酸羧化酶(Pyruvate Carboxylase,PC)。金屬層140的材質包括銅、鋁或是錫。而黏著層220的材料包括環氧樹脂(Epoxy)、聚酯樹脂(Polyester)或者是壓克力樹脂 (Acrylic)。

如圖1B所示，之後在金屬圖案層140’上欲形成孔洞的位置上，利用雷射L對絕緣基板200進行鑽孔，以形成第一孔洞260於絕緣基板200'。如圖1C所示，第一孔洞260的孔徑是從第一孔洞260的開口往金屬圖案層140’遞減。也就是說，第一孔洞260的孔徑是從絕緣層240’的上表面向黏著層220’的下表面遞減(如圖1C所示)，其最小孔徑為0.1mm，而最大孔徑為0.2mm。也就是說，在本實施例中，可以先將絕緣基板200貼附於金屬圖案層140’上，之後根據金屬圖案層140’欲導通的位置在絕緣基板200上形成一第一孔洞260。利用上述方法形成絕緣基板200’於金屬圖案層140’可以使得第一孔洞260落在比較精準的位置上。

請參閱圖1C以及圖1D，之後在金屬圖案層140’上欲鑽孔的位置上，利用雷射L對基板層120進行鑽孔，以形成第二孔洞160於基板層120’。第二孔洞160會貫穿基板層120’，並暴露出位於基板層120’上方的金屬圖案層140’。而第二孔洞160的孔徑是從第二孔洞160的開口往的金屬圖案層140’遞減(如圖1D所示)。也就是說，第二孔洞160的孔徑是從基板層120’的上表面向基板層120’的下表面遞減。而第二孔洞160的最小孔徑為0.1mm，而最大孔徑為0.2mm。

須說明的是，在本實施例中，形成第一孔洞260以及第二孔洞160之後會進行清孔以及檢查的步驟。清孔的步驟可以去除殘留在第一孔洞260底部的部分絕緣基板200’以及在第二孔洞160底部的部分基板層120’。而清孔的步 驟可包括化學藥液或電漿。而檢查的步驟可以確保第一孔洞260以及第二孔洞160清孔完全。如此可以維持或提升後續形成的第一奈米銀導電柱422以及第二奈米銀導電柱442對於金屬圖案層140’電性連接的品質。

請參閱圖1E，接下來，分別形成第一奈米銀導電柱422以及第二奈米銀導電柱442於第一孔洞260以及第二孔洞160之中。形成第一奈米銀導電柱422的方法包括，設置一第一遮罩板320於絕緣層240’以及第一孔洞260之上。第一遮罩板320具有一個第一簍空處322，且此簍空處322的面積會大於第一孔洞260的開口面積。也就是說，簍空處322會暴露出第一孔洞260。須說明的是，本發明不限定第一孔洞260的數量。在其他實施例中，多層線路板1也可以具有多個第一孔洞260，而第一簍空處322會對應第一孔洞260的數量。

接著，如圖1E所示，塗佈一第一奈米銀材料420於第一遮罩板板320上，使得第一奈米銀材料420填滿第一孔洞260。最後，移除遮罩板320並且固化第一奈米銀材料420，以形成第一奈米銀導電柱422於第一孔洞260中。固化第一奈米銀材料420的方法包括以130-140℃的溫度加熱第一奈米銀材料420大約30分鐘。另外，也可以是以UV光照射第一奈米銀材料420。而此第一奈米銀導電柱422的電阻值≦20mΩ/square/mil。

如圖1E所示，形成第二奈米銀導電柱442的方法包括，設置第二遮罩板340於基板層120’以及第二孔洞160之上。第二遮罩板340包括第二簍空處342，且此第二簍空處342的面積會大於第二孔洞160的開口面積。也就是 說第二簍空處342會暴露出位於第二遮罩板340下方的第二孔洞160。之後，塗佈一第二奈米銀材料440於第二遮罩板340上(如圖1E所示)，使得第二奈米銀材料440填滿第二孔洞160。再來，移除第二遮罩板340，並且固化第二奈米銀材料440以形成第二奈米銀導電柱442。固化第二奈米銀材料440的方法包括以130-140℃的溫度加熱第二奈米銀材料440大約30分鐘。另外，也可以是以UV光照射第二奈米銀材料440。而此第二奈米銀導電柱442的電阻值≦20mΩ/square/mil。在其他實施例中，多層線路板1也可以具有多個第二孔洞160，而第二簍空處342會對應第二孔洞160的數量。

須說明的是，本發明不限定所述第一孔洞260、第二孔洞160、第一奈米銀導電柱422以及第二奈米銀導電柱442的數量，在其他實施例中，使用者可依照實際需求以及走線設計決定第一孔洞260、第二孔洞160、第一奈米銀導電柱422以及第二奈米銀導電柱442的數量。

另外，第一孔洞260以及第二孔洞160的孔徑、深度以及形狀皆會影響第一奈米銀材料420以及第二奈米銀材料440填入的難易度以及填充的均勻度。在本實施例中，第一孔洞260的深度即為基板層120’的厚度，也就是12μm。而第二孔洞160的深度即為黏著層220’以及絕緣層240’的厚度總合，也就是27μm。另外，第一孔洞260的開口是向金屬圖案層140’遞減，其最小孔徑為0.1mm，而最大孔徑為0.2mm。第二孔洞160的開口也是向金屬圖案層140’遞減，其最小孔徑為0.1mm，而最大孔徑為0.2mm。

以上所述第一孔洞260以及第二孔洞160的孔徑、深 度以及形狀會使得第一奈米銀材料420以及第二奈米銀材料440可以較輕易的填滿第一孔洞260以及第二孔洞160。然而本發明不以此為限。

接下來，請參閱圖1F，形成一第一銀漿層520於絕緣層240'以及第一奈米銀導電柱422之上。而第一銀漿層520的厚度為4-12μm。形成第一銀漿層520的方法包括利用塗佈的方式將第一銀漿材料塗佈於絕緣層240’以及第一奈米銀導電柱422之上。之後，固化第一銀漿材料，以形成第一銀漿層520。固化第一銀漿材料的方式包括加熱第一銀漿材料或者是利用UV照射第一銀漿材料。另外，第一銀將層520會電性連接第一奈米銀導電柱422以及金屬圖案層140’。

之後，形成第二銀漿層540於基板層120’以及第二奈米銀導電柱442之上。形成第二銀漿層540的方法和形成第一銀漿層520的方法相同，在此不多做贅述。而第二銀將層540的厚度為4-12μm。另外第二銀將層540會電性連接第二奈米銀導電柱442以及金屬圖案層140’。須說明的是，第一銀漿層520以及第二銀漿層540可以取代一般多層線路板中的雙層線路板以及單層線路板，如此可以降低多層線路板1的厚度，以達到產品薄型化的需求。

在本實施例中，第一銀漿層520以及第二銀漿層540為多層線路板1的接地層。然而，在其他實施例中，可以再對第一銀漿層520以及第二銀漿層540進行圖案化的步驟以形成第一線路圖案層以及第二線路圖案層。而多層線路板1為一三層線路板的結構。在此，本發明不限定第一銀漿層520以及第二銀漿層540的功用。

另外，第一銀漿層520以及第二銀漿層540的材料可以是金屬銀與樹脂所混合而成的黏稠狀漿料。而第一奈米銀材料420以及第二奈米銀材料440的材料是奈米金屬銀與樹脂所混合而成的黏稠狀漿料，且此奈米金屬銀為小於100nm的金屬銀，且總固體含量為82±3%。由於第一奈米銀材料420以及第二奈米銀材料440為小於100nm的金屬銀，因此第一奈米銀材料420以及第二奈米銀材料440可以較輕易的填入第一孔洞260以及第二孔洞160。

值得說明的是，由於第一奈米銀導電柱422與第一銀漿層520以及第二奈米銀導電柱442與第二銀漿層540的主成分皆為銀，因此當形成第一銀漿層520於第一奈米銀導電柱422以及形成第二銀漿層540於第二奈米銀導電柱442時，較不會因為材料的差異而產生電性連接或者是爆板等問題。

另外，在本實施例中，是先形成絕緣基板200’於線路基板100上，再利用雷射切割形成第一孔洞260於絕緣基板200’上。這樣的作法可以使得第一孔洞260落在比較精準的位置上。因此所形成的第一奈米銀導電柱422會較準確的落在金屬圖案層140’上欲電性導通的位置上。特別是針對金屬圖案層140’之線路分佈較密集的情況下，這樣的做法可以更準確的電性連接金屬圖案層140’以及第一銀漿層520。

請參閱圖1G，接下來，形成第一保護層620於第一銀漿層520之上，並形成第二保護層640於第二銀漿層540之上，也就是說第二銀漿層540會位於第二保護層640以及基板120之間。第一保護層620以及第二保護層640的 材料可以是聚酯類樹脂或聚醯亞胺，其介電係數為3.5，而絕緣阻抗為10¹¹Ω。此外，第一保護層620以及第二保護層640可保護第一銀漿層520以及第二銀漿層540避免刮傷，並且可以避免第一銀漿層520以及第二銀漿層540和其他電子元件或者是其他多層線路板電性導通。

圖2A至2B為本發明另一實施例之多層線路板的製造流程剖面示意圖。請參閱圖2A，和前一實施例不同的是，本實施例形成絕緣基板200”於金屬圖案層140’的方法包括，提供一絕緣基板200”。此絕緣基板200”包括黏著層220”以及絕緣層240”，而絕緣層240”貼附於黏著層220”之上。之後，根據金屬圖案層140’所欲形成孔洞的位置，利用雷射L在絕緣基板200”上形成一第一孔洞260’。此第一孔洞260’會貫穿絕緣基板200”，並暴露出金屬圖案層140’。

將絕緣基板200”貼附於金屬圖案層140’上，使得第一孔洞260’對應到金屬圖案層140’所欲形成孔洞的位置。而絕緣基板200”貼附的方式可以是利用熱壓合的方式。之後，利用雷射L對於基板層120'進行鑽孔，以形成第二孔洞160於基板層120’。而多層線路板的其他步驟以及結構大致上和前一實施例相同，在此不多做贅述。值得說明的是，在本實施例中，是先形成第一孔洞260’於絕緣基板200”上，再將絕緣基板200”貼附於線路基板100上。

綜上所述，本發明提供了一種多層線路板以及其製造方法，此多層線路板包含一線路基板、一第一奈米銀導電柱、一第二奈米銀導電柱、一第一銀漿層以及一第二銀漿層。線路基板包括基板層以及金屬圖案層，第一銀漿層、 金屬圖案層以及第二銀漿層之間會透過第一奈米銀導電柱以及第二奈米銀導電柱電性連接。而第一銀漿層以及第二銀漿層可以取代單層板以及雙層板，以形成多層線路板的結構。如此可降低多層板的層數，進而減少多層板的厚度，以達到產品薄型化的目的。

以上所述僅為本發明的實施例，其並非用以限定本發明的專利保護範圍。任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明的精神與範圍內，所作的更動及潤飾的等效替換，仍為本發明的專利保護範圍內。

1‧‧‧多層線路板

100‧‧‧線路基板

120、120’‧‧‧基板層

140‧‧‧金屬層

140’‧‧‧金屬圖案層

160‧‧‧第二孔洞

200、200’、200”‧‧‧絕緣基板

220、220’、220”‧‧‧黏著層

240、240’、240”‧‧‧絕緣層

260、260’‧‧‧第一孔洞

320‧‧‧第一遮罩板

322‧‧‧第一簍空處

340‧‧‧第二遮罩板

342‧‧‧第二簍空處

420‧‧‧第一奈米銀材料

422‧‧‧第一奈米銀導電柱

440‧‧‧第二奈米銀材料

442‧‧‧第二奈米銀導電柱

520‧‧‧第一銀漿層

540‧‧‧第二銀漿層

620‧‧‧第一保護層

640‧‧‧第二保護層

L‧‧‧雷射

圖1為本發明一實施例之多層線路板的剖面示意圖。

圖1A至圖1G為本發明一實施例之多層線路板的製造流程剖面示意圖。

圖2A至圖2B為本發明另一實施例之多層線路板的製造流程剖面示意圖。

1‧‧‧多層線路板

100‧‧‧線路基板

120’‧‧‧基板層

140’‧‧‧金屬圖案層

160‧‧‧第二孔洞

200’‧‧‧絕緣基板

220’‧‧‧黏著層

240’‧‧‧絕緣層

260‧‧‧第一孔洞

422‧‧‧第一奈米銀導電柱

442‧‧‧第二奈米銀導電柱

520‧‧‧第一銀漿層

540‧‧‧第二銀漿層

620‧‧‧第一保護層

640‧‧‧第二保護層

Claims (15)

1. 一種多層線路板，包括：一線路基板，包括：一基板層；一金屬圖案層，貼附於該基板層上；一絕緣基板，位於該金屬圖案層上，其具有：一黏著層，貼附於該金屬圖案層上；一絕緣層，貼附於該黏著層上；至少一第一孔洞，貫穿該絕緣基板，並暴露出該金屬圖案層，其中該第一孔洞的孔徑是從該第一孔洞的開口向該金屬圖案層遞減；至少一第二孔洞位於該基板層，其中該第二孔洞暴露出金屬圖案層，其中該第二孔洞的孔徑是從該第二孔洞的開口向該金屬圖案層遞減；至少一第一奈米銀導電柱，填入該第一孔洞，並電性連接該金屬圖案層；至少一第二奈米銀導電柱，填入該第二孔洞並電性連接該金屬圖案層；一第一銀漿層，覆蓋該絕緣層以及該第一奈米銀導電柱，並藉由該第一奈米銀導電柱電性連接該金屬圖案層；一第二銀漿層，覆蓋該基板層以及該第二奈米銀導電柱，並且藉由該第二奈米銀導電柱電性連接該金屬圖案層；一第一保護層覆蓋該第一銀漿層；以及一第二保護層覆蓋該第二銀漿層。
2. 如申請專利範圍1所述的多層線路板，其中該第一孔洞的最小孔徑為0.1mm，而最大孔徑為0.2mm。
3. 如申請專利範圍1所述的多層線路板，其中該第二孔洞的最小孔徑為0.1mm，而最大孔徑為0.2mm。
4. 如申請專利範圍1所述的多層線路板，其中該第一銀漿層的厚度為4-12μm。
5. 如申請專利範圍1所述的多層線路板，其中該第二銀漿層的厚度為4-12μm。
6. 如申請專利範圍1所述的多層線路板，其中該基板層的厚度為12μm。
7. 如申請專利範圍1所述的多層線路板，其中該絕緣基板的厚度為27μm，其中該黏著層的厚度為15μm，而該絕緣層的厚度為12μm。
8. 如申請專利範圍1所述的多層線路板，其中該第一銀漿層為第一線路圖案層，而該第二銀漿層為第二線路圖案層。
9. 一種多層線路板的製造方法，包括：提供一線路基板，該線路基板包括一基板層以及一貼附於該基板層的金屬層；圖案化該金屬層以形成一金屬圖案層；形成一絕緣基板於該金屬圖案層上，其中該絕緣基板包括：一黏著層，貼附於金屬圖案層上；一絕緣層，貼附於該黏著層上；至少一第一孔洞，貫穿該絕緣基板，並暴露出該金屬圖案層，其中該第一孔洞的孔徑是從該第一孔洞的開 口向該金屬圖案層遞減；形成至少一第二孔洞於該基板層，其中該第二孔洞暴露出該金屬圖案層，其中該第二孔洞的孔徑是從該第二孔洞的開口向該金屬圖案層遞減；形成一第一奈米銀導電柱於該第一孔洞之中；形成一第二奈米銀導電柱於該第二孔洞之中；形成一第一銀漿層於該絕緣層上，其中該第一銀漿層電性連接該第一奈米銀導電柱以及該金屬圖案層；形成一第二銀漿層於該基板層上，其中該第二銀漿層電性連接該第二奈米銀導電柱以及該金屬圖案層；形成一第一保護層於該第一銀漿層上；以及形成一第二保護層於該第二銀漿層上。
10. 如申請專利範圍第9項所述之多層線路板的製造方法，其中形成該第一奈米銀導電柱於該第一孔洞之中的方法包括：設置一第一遮罩板於該絕緣層上，其中該第一遮罩板具有至少一第一簍空處，該第一簍空處暴露出該第一孔洞，且該第一簍空處的面積大於該第一孔洞的開口面積；塗佈一第一奈米銀材料於該第一遮罩板上，該第一奈米銀材料會填滿該第一孔洞；以及固化該第一奈米銀材料。
11. 如申請專利範圍第9項所述之多層線路板的製造方法，其中形成該第二奈米銀導電柱於該第二孔洞之中的方法包括：設置一第二遮罩板於該基板層上，其中該第二遮罩板具有至少一第二簍空處，該第二簍空處暴露出該第二孔洞，且該 些第二簍空處的面積大於該第二孔洞的開口面積；塗佈一第二奈米銀材料於該第二遮罩板上，該第二奈米銀材料會填滿該第二孔洞；以及固化該第二奈米銀材料。
12. 如申請專利範圍第9項所述之多層線路板的製造方法，其中形成該第一銀漿層於該絕緣層上的方法更包括：圖案化該第一銀漿層。
13. 如申請專利範圍第9項所述之多層線路板的製造方法，其中形成該第二銀漿層於該基板層上的方法更包括：圖案化該第二銀漿層。
14. 如申請專利範圍第9項所述之多層線路板的製造方法，其中形成一絕緣基板於金屬圖案層上的方法包括：提供一絕緣基板，其中該絕緣基板包括該黏著層以及該絕緣層，其中該絕緣層貼附於該黏著層上；將該絕緣基板貼附於該金屬圖案層上，其中該黏著層貼附於該金屬圖案層上；以及形成該第一孔洞於該絕緣基板，其中該第一孔洞會貫穿該絕緣基板。
15. 如申請專利範圍第9項所述之多層線路板的製造方法，其中形成一絕緣基板於金屬圖案層的方法包括：提供一絕緣基板，其中該絕緣基板包括該黏著層以及該絕緣層，其中該絕緣層貼附於該黏著層上；形成該第一孔洞於該絕緣基板，其中該第一孔洞會貫穿該絕緣基板；以及將該絕緣基板貼附於該金屬圖案層上，其中該黏著層貼附於該金屬圖案層上。