TW201432810A - 電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種半導體電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件，該鋁元件包含具有至少一鋁或鋁合金表面之基板，和一鈀鍍層在該基板的鋁或鋁合金表面上。該鈀鍍層包含該元件之一暴露表面及/或該元件之一配合表面。

Description

電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件及其製造方法
本發明關於半導體電漿處理腔室之元件。
在半導體材料處理之領域中，包含真空處理腔室之半導體電漿處理腔室係用於，例如，蝕刻和沉積，諸如在複數基板上所進行的各種材料之電漿蝕刻或電漿增強化學氣相沉積(PECVD)。這些方法的一部份利用在此等處理腔室中之腐蝕性和侵蝕性處理氣體及電漿。理想的是使在腔室中進行處理的基板之微粒及/或金屬污染最小化。因此，理想的情況為當暴露至這些氣體和電漿時，此等設備之暴露至電漿的元件可抗腐蝕。
本文揭露一種半導體電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件。該元件包含至少一鋁或鋁合金表面，該鋁合金表面塗覆導電及抗腐蝕之鈀鍍層，其中該鈀鍍層包含按重量計之至少約95%的鈀及達約5%之其他元素。該鈀鍍層包含該元件之一暴露表面及/或該元件之一配合表面。
本文亦揭露一種處理，用於在半導體電漿處理腔室的一元件之至少一鋁或鋁合金表面上鍍鈀。該處理包含電沉積一導電且抗腐蝕的鈀鍍層，該鈀鍍層包含按重量計之至少約95%的鈀及達約5%的其他元素於該至少一鋁或鋁合金表面上。
本文更揭露一半導體電漿處理設備。該半導體電漿處理設備包含一半導體電漿處理腔室和一處理氣體源，該處理氣體源與該電漿處理 腔室流體連接，用以將處理氣體供應至該電漿處理腔室中。該半導體電漿處理腔室亦包含一射頻能量源，適用以在電漿處理腔室中將處理氣體充能為電漿狀態，及在該電漿處理腔室中之至少一鍍鈀的鋁元件，其中該至少一鍍鈀的鋁元件係為一噴淋頭電極組件之一部分。
本文亦揭露一種對位於半導體電漿處理腔室中之半導體基板進行電漿處理的方法，該半導體電漿處理腔室包含至少一鍍鈀的鋁元件。該方法包含將來自處理氣體源之處理氣體供應至電漿處理腔室中；利用射頻能量源施加射頻能量至該處理氣體以產生電漿於電漿處理腔室中，以及對在半導體電漿處理腔室中之半導體基板進行電漿處理。在一較佳實施例中，該電漿處理腔室為一電漿蝕刻腔室且該電漿處理為電漿蝕刻。
100‧‧‧元件
110‧‧‧基板
112‧‧‧表面
120‧‧‧鈀鍍層
121‧‧‧加熱元件
122‧‧‧氣體噴嘴
124‧‧‧外表面
126‧‧‧射頻墊圈
200‧‧‧腔室
202‧‧‧腔室外罩
203‧‧‧圓柱形內孔
204‧‧‧上部腔室壁
205‧‧‧底板
206‧‧‧限制環組件
210‧‧‧下部電極
212‧‧‧夾盤
214‧‧‧基板
215‧‧‧下部電極組件
216‧‧‧聚焦環組件
220‧‧‧介電耦接環
222‧‧‧外部導體環
224‧‧‧上部噴淋頭電極
224a‧‧‧外部電極
225‧‧‧上部電極組件
226‧‧‧氣體分配板
226a‧‧‧氣體分配環
228‧‧‧上頂板
229‧‧‧環形延伸件
230‧‧‧腔室頂部
232‧‧‧間隙
234‧‧‧氣體源
236‧‧‧氣體管線
238‧‧‧阻抗匹配網路
240‧‧‧射頻功率源
244‧‧‧真空泵單元
246‧‧‧射頻回流帶
248‧‧‧射頻回流帶
252‧‧‧襯套
256‧‧‧上部組件升降致動器
258‧‧‧下部組件升降致動器
260‧‧‧軸
262‧‧‧伸縮軟管
264‧‧‧下部導電構件
268‧‧‧外部腔室體積
270‧‧‧導電連接件
272‧‧‧緊固件孔
401‧‧‧環形圍板
402‧‧‧可彎曲及導電射頻帶
422a‧‧‧外部導體環
422b‧‧‧外部導體環
430‧‧‧界面
431‧‧‧界面
464‧‧‧下部導電構件
470‧‧‧導電連接件
圖1繪示電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件之橫剖面。
圖2繪示其中可安裝鍍鈀的鋁元件之實施例的電容耦合電漿蝕刻腔室之示例性實施例。
圖3繪示鍍鈀的鋁元件之實施例。
圖4繪示鍍鈀的鋁元件之實施例。
本文揭露一種半導體電漿處理腔室，例如半導體電漿處理設備的電漿蝕刻或沉積腔室(本文中稱為「電漿腔室」)，之導電及抗腐蝕之鍍鈀的鋁元件。在以下描述中提出許多具體的細節，以提供對所提出之實施例的透徹理解。然而，對熟習本技藝者將顯而易見地，本發明可在缺少這些具體細節的部份或所有者的情況下實施。在其他情況下，眾所周知的處理操作不加以詳述，以免非必要地使本實施例失焦。
本文所述之元件包含鋁基板及該基板之至少一鋁或鋁合金的暴露表面及/或配合表面上之一導電且抗腐蝕鈀鍍層。可電鍍之暴露的表面可為暴露至電漿或暴露至處理氣體之表面，諸如外表面或界定孔、空腔或孔徑之內表面。鈀鍍層可施加至基板之一或更多，或所有的外表面上。 鈀鍍層亦可施加於基板之一或更多，或所有可靠近的內表面上。
包含導電和抗腐蝕鈀鍍層之元件可用在用以執行用以製造各種基板之各種處理，包含半導體基板的電漿蝕刻和材料之沉積(例如ALD、PECVD及其相似物)的設備中，其中半導體基板包含例如，半導體晶圓、平板顯示器基板及其相似物等。取決於設備之類型和結構，具有待鍍鈀的至少一鋁或鋁合金暴露表面及/或配合表面之(複數)元件可為，例如，腔室壁、腔室襯套、擋板、氣體分配板、氣體分配環、夾持機構(例如靜電夾盤)、基板支架用之邊緣環和導體環、氣體噴嘴、位於下部電極組件之緊固件、圍板、限制環、墊片、射頻帶、導電連接件、及其相似物等。例如該等元件可包含鋁或鋁合金表面，其中該表面係暴露於處理氣體及/或電漿並用以與另一元件形成接觸，俾使在半導體晶圓之電漿處理期間，電流可通過這兩個元件。鈀鍍層可施加至該元件之暴露的鋁或鋁合金表面，俾使該表面可呈現抗腐蝕性，同時維持導電性以及導熱性。該等元件可包含鍍有導電性和抗腐蝕鈀鍍層的一或更多外及/或內表面。在一些實施例中，該元件之整個外表面可受電鍍。
根據一示例性實施例之鍍鈀的鋁元件100係顯示於圖1。如該圖所示，元件100包含具有表面112之基板110、以及形成於表面112上之一導電性和抗腐蝕性鈀鍍層120，俾使其形成元件100之外表面124。基板110可較佳地完全由鋁或鋁合金(如AL6061)所形成，或可替代地可由導電材料、介電材料、或絕緣體之複合物所形成，其中基板110具有由鋁或鋁合金所形成之至少一暴露表面112。若基板110完全為鋁或鋁合金，則可為鍛鋁或鑄鋁。較佳地，基板110之待鍍表面112係為裸露(非陽極處理)的鋁。在替代性實施例中，鋁表面可被陽極處理及/或粗糙化。
鈀層120係較佳地藉由將鈀電鍍至基板110的至少一鋁或鋁合金表面112上而形成。電鍍處理可用以形成導電性和耐腐蝕鈀鍍層於外及/或內表面上，該等表面難以藉由如熱噴塗技術之其它塗覆技術所靠近。因此，透過使用電鍍處理以形成導電且抗腐蝕的鈀鍍層，更多部件和不同的部件配置可具有鈀鍍層。在一替代性實施例中，可透過無電鍍施加鈀鍍層。
形成導電和抗腐蝕層120之鈀鍍層可具有為約1微米至約 100微米的厚度，例如約2微米至約15微米。較佳地，基板110之表面112上的鈀鍍層之厚度實質上為均勻的。鈀鍍層較佳地含有至少約95重量百分比的鈀及達約5重量百分比的其它元素。較佳地，鈀鍍層之純度為至少約99重量百分比的鈀和達約1%重量百分比的附帶不純物。最佳地，鈀鍍層係由至少99.99重量百分比的鈀所組成。
鈀鍍層係較佳地非常緻密，具有小於約1%之體積孔隙度，例如小於約0.5%、0.1%、或0.01%之孔隙度，即具有接近鈀之理論密度的密度。鈀鍍層係較佳地亦無缺陷。低孔隙度可使侵略性電漿蝕刻(例如，由碳氟化合物、氟代烴、溴和含氯的蝕刻氣體所形成之電漿)大氣與下方基板之接觸降至最低。因此，鈀鍍層可防止基板受到由此侵略性大氣之物理及/或化學侵蝕。
形成導電性和抗腐蝕層120之鈀鍍層較佳地具有與基板110之表面112的良好附著強度。鈀鍍層可在不先將基板表面112粗糙化的情況下，直接形成於基板110上。在一替代性實施例中，基板表面112可在進行鍍鈀之前受粗糙化。在一較佳實施例中，鈀鍍層在不事先將基板表面112粗糙化的情況下，提供合適的附著，此省略了額外的處理步驟。較佳地，在該基板(複數)表面上形成鍍層時，鈀鍍層具有至基板110的(複數)表面112之足夠高的附著粘合強度，俾使當在基板110上進行拉伸粘合強度測試時，鈀鍍層未通過凝聚性(即，在基板主體中)而非附著性(即，在基板/鍍層接面)之測試。
為了確保電鍍之鈀鍍層對基板110有良好的附著性，進行電鍍前，基板表面112應徹底清洗，使之不具有氧化皮及/或油脂。此清潔可透過將基板110在稀鹽酸、或硫酸、或在去脂溶劑的溶液中攪動而執行。
電鍍鈀可透過將基板110的至少一鋁或鋁合金表面112浸入適當的電解質溶液中進行。電鍍溶液可含有用以提高導電性或用以緩衝溶液之添加劑。包含鈀的電鍍溶液之範例可在美國專利第4,911,798號中找到，其係併入於此做為參考。
鍍鈀的鋁元件之實施例可用於半導體電漿處理設備之電漿蝕刻腔室或沉積腔室中，例如電容耦合電漿蝕刻腔室、感應耦合電漿蝕刻腔室、PECVD(電漿增強化學氣相沉積)腔室、和ALD(原子層沉積)腔 室。在這些腔室中，基板之表面可暴露至電漿及/或處理氣體。在某些蝕刻處理中，這些處理氣體可為含鹵素之物種，例如，CxFy、CxHyFz、HBr、NF3、HBr、Cl2、及BCl3，其相對於鋁和鋁合金表面為腐蝕性。然而，鈀鍍層可用以塗覆暴露於電漿及/或暴露於處理氣體的鋁或鋁合金表面上，以提供對於電漿和處理氣體之抗腐蝕性。較佳地在電漿處理設備中暴露至電漿及/或暴露至處理氣體的鋁或鋁合金表面為鍍鈀的且部份之電鍍表面可形成電流可傳導於其中之接觸表面。鈀鍍層可提供對於暴露表面的抗腐蝕性，而不抑制電傳導或干擾由半導體電漿處理設備中之元件所提供的射頻回流路徑。
雖然鈀鍍層適用於具有鋁或鋁合金表面之任何類型的元件，但為便於說明，將參照在共同轉讓的美國已公開之申請案第2009/0200269號中所描述的設備，更詳細地描述該鍍層，該申請案係全數併入於此作為參考。
圖2繪示電漿處理設備之間隙可調式電容耦合電漿(CCP)蝕刻腔室200(「腔室」)的示例性實施例。腔室200包含腔室外罩202；安裝至腔室外罩202之上頂板228的上部電極組件225；安裝至腔室外罩202之底板205的下部電極組件215，下部電極組件215與上部電極組件225之下表面間隔開並實質上平行於該下表面；一限制環組件206，圍繞該上部電極組件225和下部電極組件215之間的間隙232；上部腔室壁204；以及包圍上部電極組件225之頂部部分的腔室頂部230。在一替代性實施例中，環形圍板401(參照圖4)可取代限制環組件206，俾使環形圍板401包圍上部電極組件225和下部電極組件215之間的間隙232。
上部電極組件225可較佳地包含上部噴淋頭電極224和氣體分配板226。上部電極組件225亦可選擇性地包含圍繞上部噴淋頭電極224之外部電極224a以及圍繞氣體分配板226之可選擇性氣體分配環226a。上部噴淋頭電極224和氣體分配板226包含複數氣體通道，該等氣體通道用以分配處理氣體至界定於上部噴淋頭電極224和下部電極組件215之間的間隙232中。上部電極組件225可進一步可選擇地包含一氣體分配系統，例如一或更多包含複數氣體通道之擋板(未繪示)，該等氣體通道用以將處理氣體分配至界定於上部噴淋頭電極224和下部電極組件215之間的間隙 232中。上部電極組件225可包含額外的元件，例如射頻墊圈126、加熱元件121、氣體噴嘴122、及其他部件。腔室外罩202具有一閘門(未繪示)，基板214係經由該閘門卸載/裝載至腔室200中。例如，基板214可經由一負載鎖進入腔室中，如在共同轉讓之美國專利第6,899,109號中所述，其係併入於此做為參考。
上部噴淋頭電極224係較佳地由半導體相容之材料所形成，例如單晶矽或多晶矽。氣體分配板係較佳地由鋁或鋁合金所形成。較佳地，氣體分配板226和噴淋頭電極224係配置俾使它們可導熱以及在其中傳導射頻電流。在與矽上部噴淋頭電極接合的氣體分配板226上之鋁或鋁合金接觸表面可較佳地塗覆鈀鍍層，以提供鍍鈀的鋁元件。此外，諸如鋁箔射頻墊圈126之基板亦可鍍鈀，以形成抗腐蝕且導電並亦可導熱之鍍鈀的鋁元件。
在一些示例性實施例中，上部電極組件225可在向上及向下之方向調整(圖2中之箭頭A和A')，以調整上部電極組件225和下部電極組件215之間的間隙232。上部組件升降致動器256升高或降低上部電極組件225。在該圖中，從腔室之上頂板228垂直延伸的環形延伸件229係沿上部腔室壁204的圓柱形內孔203可調節地定位。密封結構(未繪示)可用以提供環形延伸件229和圓柱形內孔203之間的真空密封，同時使上部電極組件225可相對於上部腔室壁204和下部電極組件215移動。射頻回流帶248電耦接上部電極組件225及上部腔室壁204，俾使直流電流可傳導於其中。
射頻回流帶248提供上部電極組件225和上部腔室壁204之間的導電射頻回流路徑，以允許上部電極組件225在腔室200內上下移動。該帶包含由一彎曲部所連接的兩個平面端部。該彎曲部可容納上部電極組件225相對於上部腔室壁204之移動。取決於諸如腔室尺寸之各種因素，複數(2、4、6、8、10或更多)射頻回流帶248可圍繞上部電極組件225以週向地隔開的位置配置。另外，複數(2、4、6、8、10或更多)射頻回流帶246可圍繞下部電極組件215週向地以隔開的位置配置。
為求簡要，圖2僅顯示一連接至氣體源234的氣體管線236。可附加的氣體管線可耦接至上部電極組件225，且該氣體可通過上部 腔室壁204及/或腔室頂部230的其他部分而提供。
在其他示例性實施例中，下部電極組件215可向上和向下移動(圖2中之箭頭B和B')以調整間隙232，而上部電極組件225可為固定的或可移動的。圖2繪示連接至軸260的下部組件升降致動器258，軸260穿過腔室外罩202之底板(底壁)205延伸至支撐下部電極組件215的下部導電構件264。根據圖2所示之實施例，伸縮軟管262構成密封結構之一部份，以提供軸260和腔室外罩202之底板205之間的真空密封，同時當軸260係由下部組件升降致動器258升高和降低時，使下部電極組件215可相對於上部腔室壁204及上部電極組件225移動。若期望的話，下部電極組件215可由其它結構升高和降低。例如，在另一可調式間隙之電容耦合電漿處理腔室的實施例中，下部電極組件215係由一懸臂樑所升高和降低，此係揭露於共同轉讓的美國專利第7,732,728號中，其係併入於此做為參考。
若期望的話，可移動式下部電極組件215可由至少一下部射頻帶246接地至腔室的一壁，該下部射頻帶使外部導體環(接地環)222與一諸如腔室壁襯套252之導電部分電耦接，並提供電漿用之短射頻返回路徑，同時允許下部電極組件215在腔室200內上下移動，例如在其中之間隙係設定為不同的高度之多步驟電漿處理期間。
圖3繪示可彎曲且導電的射頻帶246之實施例，該射頻帶將外部導體環222電連接至在一可調節間隙之電容耦合電漿蝕刻腔室200中之一導電腔室側壁襯套252。導電連接件270可由鋁或鋁合金金屬塊或鍍有鋁或鋁合金的金屬塊形成，其中第一導電連接件270連接射頻帶246的第一端與導電腔室側壁襯套252，且第二導電連接件270連接射頻帶246的第二端與外部導體環222，俾使熱和電可傳導於其中。導電連接件270、射頻帶246、外部導體環222、及導電腔室側壁襯套252可各自包含鈀鍍層於暴露至電漿及/或暴露至處理氣體的鋁或鋁合金表面上，以及其各自之配合表面。較佳地暴露至電漿及/或暴露至處理氣體的鋁或鋁合金之表面區域包含鈀鍍層，俾使連接件270及/或可彎曲射頻帶246之間的配合表面以及相鄰於該等配合表面之鋁或鋁合金表面區域因鈀鍍層而不接觸自由基，同時維持高導熱性和導電性，俾使電流可通過其中。緊固件孔272可提供 至適用以接收例如螺釘、鉚釘、銷子等之緊固件的連接件270中，以完成連接件270和射頻帶246之間的連接。緊固件可由鋁或鋁合金形成，或可替代地可為鍍有鋁或鋁合金之緊固件。為使緊固件免於暴露至氧氣及/或氟自由基，鈀鍍層亦可提供於在鋁緊固件之暴露至電漿及/或暴露至處理氣體的表面上。
在圖2所示的實施例中，下部導電構件264係電連接至圍繞介電耦接環220之外部導體環(接地環)222，介電耦接環220使外部導體環222與下部電極組件215電絕緣。下部電極組件215包含夾盤212、聚焦環組件216、及下部電極210。然而，下部電極組件215可包含額外的元件，例如用以升高基板之升降銷機構、光學感應器、以及接設至下部電極組件215或形成下部電極組件215之一部分的冷卻機構以用於冷卻。在操作期間，夾盤212將基板214夾持於下部電極組件215之頂部表面上。夾盤212可為靜電、真空或機械夾盤。包含在下部電極組件215中之鋁或鋁合金接觸表面可較佳地為鍍鈀，俾使直流電流可傳導於其中。
例如，如圖4所示，環形圍板401係在其與外部導體環422a之間的界面430處電連接至外部導體環422a。外部導體環422a係電連接至可彎曲及導電射頻帶402，且該可彎曲及導電射頻帶402係電連接至外部導體環422b。導電連接件470可由鋁或鋁合金金屬塊或鋁或鋁合金鍍塊形成，其中第一導電連接件470將射頻帶402的第一端與外部導體環422a連接，且第二導電連接件470將射頻帶402的第二端與外部導體環422b連接，俾使電流可傳導於其中。外部導體環422b係在其與下部導電構件464之間的界面431處電連接至下部導電構件464。環形圍板401、外部導體環422a、422b、可彎曲及導電射頻帶402、以及導電的鋁或鋁合金塊470可各自包含在暴露至電漿及/或暴露至處理氣體的鋁或鋁合金表面及其各自的配合表面上之鈀鍍層。較佳地，在界面430、431處之接觸表面係由鋁或鋁合金形成並包含鈀鍍層。
再次參照圖2，下部電極210係通常獲得來自一或更多射頻功率源240供應之射頻功率，該射頻功率源係經由阻抗匹配網路238連接至下部電極210。可以一或更多頻率，例如2MHz、13.56MHz、27MHz、400KHz、及60MHz供應射頻功率。射頻功率激發處理氣體以產生電漿於 間隙232中。在一些實施例中，上部噴淋頭電極224及腔室外罩202係電耦接至地面。在其它實施例中，上部噴淋頭電極224係與腔室外罩202絕緣，並經由阻抗匹配網路供應來自射頻功率源之射頻功率。
上部腔室壁204之底部係耦接至用於將氣體從腔室200排出之真空泵單元244。較佳地，限制環組件206實質上終止形成於間隙232內的電場，並防止電場穿透外部腔室體積268。
注入至間隙232中之處理氣體係受充能以產生用以處理基板214之電漿，該處理氣體穿過限制環組件206並進入外部腔室體積268，直到由真空泵單元244排出。由於在操作期間，外部腔室體積268中之電漿腔室元件可暴露至電漿及反應性處理氣體(自由基、活性物種)，形成該腔室元件之表面的鋁或鋁合金可較佳地包含能夠承受電漿和反應性處理氣體之導電及抗腐蝕鈀鍍層。
在一實施例中，在操作期間射頻功率源240提供射頻功率至下部電極組件215，射頻功率源240經由軸260提供射頻能量至下部電極210。在間隙232中的處理氣體係由傳輸至下部電極210的射頻功率電激發以產生電漿。
包含至少一鋁或鋁合金表面之電漿腔室基板，諸如氣體分配板226、氣體分配環226a、一或更多選擇性擋板、包含在下部電極組件215內之鋁或鋁合金表面，諸如下部導電構件、外部導體環、環形圍板401、及腔室襯套252、腔室壁、鋁箔射頻墊圈126、導電連接件270、及緊固件可為鍍鈀之元件。任何其它包含在半導體電漿處理設備中之具有鋁或鋁合金表面的基板亦可鍍鈀。較佳地，鈀鍍層係施加至鋁元件之裸露(非陽極處理)鋁表面。鈀鍍層可塗覆至該等元件之暴露表面的部分或全部上。在一實施例中，鍍鈀的鋁元件可具有外部氧化鈀層。
雖已參照本發明之具體實施例詳細描述本發明，但對於熟習本技術領域者將顯而易見地，在不脫離隨附請求項之範圍的情況下，可做出各種變化和修改及採用均等物。
100‧‧‧元件
110‧‧‧基板
112‧‧‧表面
120‧‧‧鈀鍍層
124‧‧‧外表面

Claims (17)

  1. 一種半導體電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件，該元件包含：一基板，具有至少一鋁或鋁合金表面；以及一導電及抗腐蝕之鈀鍍層，包含按重量計之至少約95%的鈀及達約5%之其他元素，位於該基板之該至少一鋁或鋁合金表面上，其中該鈀鍍層包含該元件之一暴露表面及/或該元件之一配合表面。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件，其中該鈀鍍層為一電沉積層，包含按重量計之至少約99%的鈀和達1%之附帶不純物，且具有約1至100微米之厚度。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件，其中該鈀鍍層具有約2至15微米之厚度。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件，其中該鈀鍍層包含按重量計之至少約99.99%的鈀。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件，其中該基板為一氣體分配板、腔室壁、腔室壁襯套、擋板、氣體分配環、夾緊機構、導體環、緊固件、圍板、限制環、墊圈、射頻帶、或導電連接件。
  6. 如申請專利範圍第1項之半導體電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件，其中該鈀鍍層包含一外部氧化鈀膜。
  7. 如申請專利範圍第1項之半導體電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件，其中該鈀鍍層係位於形成一電接觸之元件的一部分上。
  8. 如申請專利範圍第1項之半導體電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件，其中該鈀鍍層係位於一配合表面上。
  9. 一種用於將半導體電漿處理腔室之一元件的至少一鋁或鋁合金表面鍍鈀之處理，該處理包含：電沉積一導電且抗腐蝕鈀鍍層，該鈀鍍層包含按重量計之至少約95%的鈀及達約5%的其他元素在該半導體電漿處理腔室之該元件的該至少一鋁或鋁合金表面上。
  10. 如申請專利範圍第9項之用於將半導體電漿處理腔室之一元件的至少一鋁或鋁合金表面鍍鈀之處理，其中該元件為一氣體分配板、一腔室壁、腔室壁襯套、擋板、氣體分配環、夾緊機構、導體環、緊固件、圍板、限制環、墊圈、射頻帶、或導電連接件。
  11. 一種半導體電漿處理設備，包含：一電漿處理腔室，複數半導體基板係於其中進行處理；一處理氣體源，與該電漿處理腔室流體連接，用以將處理氣體供應至該電漿處理腔室；一射頻能量源，適用於在該電漿處理腔室中將該處理氣體激發進入電漿狀態；以及在該電漿處理腔室中的至少一如申請專利範圍第1項之半導體電漿處理腔室之鍍鈀的鋁元件。
  12. 如申請專利範圍第11項之半導體電漿處理腔室，其中該電漿處理腔室為一電漿蝕刻腔室。
  13. 如申請專利範圍第11項之半導體電漿處理腔室，其中該電漿處理腔室為一沉積腔室。
  14. 如申請專利範圍第11項之半導體電漿處理腔室，其中該至少一鍍鈀的鋁元件係為一噴淋頭電極組件之一部分。
  15. 一種半導體基板之電漿處理方法，在如申請專利範圍第11項之半導體電漿處理設備中進行，包含：將來自該處理氣體源之該處理氣體供應至該電漿處理腔室中；使用該射頻能量源施加射頻能量至該處理氣體以產生電漿於該電漿處理腔室中；以及對該電漿處理腔室中之該半導體基板進行電漿處理。
  16. 如申請專利範圍第15項之半導體基板之電漿處理方法，其中該處理包含電漿蝕刻該基板。
  17. 如申請專利範圍第15項之半導體基板之電漿處理方法，其中該處理為一沉積處理。
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