TW201428847A - 用於蝕刻工件上包括含有先進記憶體材料之下層之多層之方法及系統 - Google Patents
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Abstract
在具有介電質RF窗的感應耦合電漿反應器中進行包括含先進記憶體材料的下薄膜層的薄膜堆疊之蝕刻而不曝露出該下薄膜層，然後在環形源電漿反應器中完成蝕刻製程。
Description
本專利申請案主張由Srinivas D.Nemani等人於2013年3月6日提出申請、標題為「用於蝕刻工件上包括含有先進記憶體材料之下層之多層之方法及系統(METHOD AND SYSTEM FOR ETCHING PLURAL LAYERS ON A WORKPIECE INCLUDING A LOWER LAYER CONTAINING AN ADVANCED MEMORY MATERIAL)」的美國專利申請案序號第13/786,850號的優先權權益，該美國專利申請案主張由Srinivas D.Nemani等人於2012年12月19日提出申請、標題為「一種蝕刻工件上包括含有金屬之下層之多層之方法(A METHOD OF ETCHING PLURAL LAYERS ON A WORKPIECE INCLUDING A LOWER LAYER CONTAINING A METAL)」的美國臨時專利申請案序號第61/739,310號的優先權權益。
本發明係關於用於蝕刻工件上包括含有先進記憶體材料之下層之多層之方法及系統。
可以在具有感應耦合電漿(ICP)源的電漿反應器中進行工件(例如半導體晶圓)上的薄膜層之電漿蝕刻。這樣的反應器可被稱為ICP反應器。ICP反應器的優點是它能夠產生非常高的電漿密度而得到高的蝕刻速率和優異的生產率的能力。ICP反應器通常具有外部線圈天線，該外部線圈天線經由介電質窗將射頻(RF)電漿源功率耦合進入腔室的內部體積。用於磁性隨機存取記憶體(MRAM)之先進記憶體技術的材料具有理想的磁性性質並且包括(但不限於)鈷、鉑、鈀和釕。這樣的材料可以被稱為先進記憶體材料。這些材料往往會積聚在介電質窗成為金屬膜，因為彼等抗拒與蝕刻製程氣體(或從蝕刻製程氣體形成的電漿副產物)結合形成可藉由抽真空或抽氣而被輕易去除的氣態或揮發性物種。因此，在本說明書中，這樣的先進記憶體材料被稱為是「非揮發性的」。未被包括在該先進記憶體材料群組中的普通金屬通常會與電漿反應而形成以下中之任一者：(a)可被輕易去除的氣態或揮發性物種，或是(b)積聚在介電質窗上成為不會經由介電質窗明顯影響RF耦合的非金屬材料的化合物。不像普通的金屬，先進記憶體材料(非揮發性的金屬)通常不會與電漿反應形成化合物，而是積聚在介電質窗成為金屬。在許多情況下，非揮發性金屬或材料係位於較低的薄膜層，而覆蓋的薄膜層是不被包括在該先進記憶體材料群組且在蝕刻製程過程中可被輕易去除的普通材料。這樣的普通材料可以包括非金屬的材料(例如氮化矽、氮化鈦、多晶矽或二氧化矽)或非先進記憶體材料的普通金屬(例如鉭、鈦或鎢，僅
舉幾例)。
去除(蝕刻)覆蓋薄膜層之後曝露出非揮發性金屬層。當含有非揮發性金屬的下層未被覆蓋並曝露於電漿時，該非揮發性金屬被釋放進入電漿腔室並沉積在內部腔室表面上，包括ICP反應器的介電質窗。該非揮發性金屬材料隨著時間積聚在介電質窗上。穿過介電質窗的射頻電漿源功率的耦合被窗上積聚的金屬改變或衰減。介電質窗上的金屬積聚會以不可控制的方式偏移RF耦合和電漿密度，因而造成製程漂移。
茲提供一種蝕刻包括先進記憶體材料之下薄膜層的工件上的薄膜層堆疊的方法。該方法包括在感應耦合電漿反應器中第一蝕刻該堆疊而不曝露出該下薄膜層，以及在環形源電漿反應器中第二蝕刻該堆疊，以曝露出該下薄膜層。
在一個實施例中，該薄膜層堆疊包含覆蓋該下薄膜層的覆蓋薄膜層，該方法進一步包括在完成該覆蓋薄膜層的去除之前停止該第一蝕刻，以便在該下薄膜層上留下至少一部分的該覆蓋薄膜層。
在相關的實施例中，該第二蝕刻包括去除該部分的該覆蓋薄膜層。在進一步的實施例中，該第二蝕刻進一步包括去除該下薄膜層。
在一個實施例中，該第一蝕刻包括供應蝕刻製程氣體進入該感應耦合反應器之腔室，並將來自外部線圈天線的射頻(RF)功率經由介電質窗耦合進入該感應耦合反應器之
腔室。在進一步的實施例中，該第二蝕刻包括供應蝕刻製程氣體進入該環形源電漿反應器之腔室，並將射頻(RF)功率耦合進入該腔室之外部折返管道。
在相關的實施例中，該將射頻(RF)功率耦合進入該腔室之外部折返管道包括將射頻(RF)功率耦合至圍繞一部分該外部折返管道的感應核心。
該先進記憶體材料為包括以下的群組之一員：Co、Pt、Pd、Ru、CoPt、CoFe、CoFeB、MgO、PtMn、CoPd、TbFeCo、Fe、FePt、IrMn、NiFe、NiFeCr、CoFeBTa、CoFeBZr、CoFeMnSi、FePd、Cu、IrMnC、Cu2MnAl、Cu2MnIn、Cu2MnSn、Ni2MnAl、Ni2MnIn、Ni2MnSn、Ni2MnSb、Ni2MnGa、Co2MnAl、Co2MnSi、Co2MnGa、Co2MnGe、Pd2MnAl、Pd2MnIn、Pd2MnSn、Pd2MnSb、Co2FeSi、Fe3Si、Fe2VAl、Mn2VGa、Co2FeGe。
在相關的實施例中，覆蓋該下薄膜層的該等薄膜層不含先進記憶體材料。
2‧‧‧晶圓
4‧‧‧堆疊
4a‧‧‧層
4b‧‧‧層
4c‧‧‧層
4d‧‧‧層
4e‧‧‧層
4f‧‧‧層
6‧‧‧方塊
8‧‧‧方塊
10‧‧‧方塊
12‧‧‧方塊
16‧‧‧ICP反應器
18‧‧‧晶圓傳送機器人
20‧‧‧環形源電漿反應器
22‧‧‧蝕刻製程控制器
100‧‧‧腔室
105‧‧‧圓柱形側壁
110‧‧‧底板
112‧‧‧通口
115‧‧‧頂板
120‧‧‧基座
122‧‧‧升舉銷
123‧‧‧升舉架
125‧‧‧晶圓
130‧‧‧晶圓支撐表面
140‧‧‧導電基層
145‧‧‧絕緣層
150‧‧‧陰極電極
155‧‧‧頂部絕緣層
160‧‧‧管道
165‧‧‧管道
170‧‧‧RF功率施加器
175‧‧‧RF功率施加器
180‧‧‧導磁環
180’‧‧‧導磁環
182‧‧‧導電線圈
182’‧‧‧導電線圈
184‧‧‧RF功率產生器
184’‧‧‧RF功率產生器
186‧‧‧RF阻抗匹配元件
186’‧‧‧RF阻抗匹配元件
188‧‧‧氣體分配板
190a‧‧‧製程氣體供應
190b‧‧‧製程氣體供應
190c‧‧‧製程氣體供應
190d‧‧‧製程氣體供應
195‧‧‧氣體控制板
198‧‧‧真空泵
200‧‧‧直流吸盤電壓源
202‧‧‧開關
210‧‧‧RF偏壓功率產生器
215‧‧‧RF阻抗匹配電路
220‧‧‧絕緣電容器
500‧‧‧基座升舉致動器
1100‧‧‧腔室
1105‧‧‧圓柱形側壁
1110‧‧‧底板
1115‧‧‧頂板
1116‧‧‧介電質窗
1120‧‧‧基座
1122‧‧‧升舉銷
1123‧‧‧升舉架
1125‧‧‧半導體晶圓
1130‧‧‧支撐表面
1140‧‧‧導電基層
1145‧‧‧絕緣層
1150‧‧‧陰極電極
1155‧‧‧頂部絕緣層
1175‧‧‧頂上線圈天線
1184‧‧‧RF源功率產生器
1186‧‧‧阻抗匹配
1188‧‧‧氣體注入口
1190a‧‧‧製程氣體供應
1190b‧‧‧製程氣體供應
1190c‧‧‧製程氣體供應
1190d‧‧‧製程氣體供應
1195‧‧‧氣體控制板
1198‧‧‧真空泵
1200‧‧‧直流吸盤電壓源
1202‧‧‧開關
1210‧‧‧RF偏壓功率產生器
1215‧‧‧阻抗匹配電路
1220‧‧‧絕緣電容器
1500‧‧‧基座升舉致動器
為詳細瞭解所得的本發明之示例性實施例，可參照圖示於附圖的實施例而對以上簡單概述的本發明作更詳細的描述。應理解的是，本文中不討論某些眾所周知的製程，以免混淆本發明。
第1圖繪示依據本發明處理的薄膜結構。
第2圖繪示依據一個實施例的製程。
第3圖繪示用以進行第2圖的製程的設備。
第4圖繪示在第3圖的設備中的第一蝕刻反應器。
第5圖繪示在第3圖的設備中的第二蝕刻反應器。
為了便於瞭解，已在可能處使用相同的元件符號來指稱對於圖式為相同的元件。構思的是，可以將一個實施例的元件和特徵有益地併入其他實施例中而無需進一步詳述。然而，應當注意的是，附圖只說明本發明之示例性實施例，因此不應將附圖視為限制本發明之範圍，因為本發明亦可認可其他同等有效的實施例。
參照第1圖，諸如半導體晶圓2的工件上覆蓋有薄膜層的堆疊4，堆疊4之下薄膜層4a係由具有對磁性隨機存取記憶體(MRAM)理想的磁性質的先進記憶體材料所形成。該先進記憶體材料(或非揮發性的)材料係選自於由以下的材料所組成之群組：鈷(Co)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、釕(Ru)、CoPt、CoFe、CoFeB、MgO、PtMn、CoPd、TbFeCo、Fe、FePt、IrMn、NiFe、NiFeCr、CoFeBTa、CoFeBZr、CoFeMnSi、FePd、Cu、IrMnC。該群組進一步包括以下的赫斯勒合金(Huesler alloy)：Cu2MnAl、Cu2MnIn、Cu2MnSn、Ni2MnAl、Ni2MnIn、Ni2MnSn、Ni2MnSb、Ni2MnGa、Co2MnAl、Co2MnSi、Co2MnGa、Co2MnGe、Pd2MnAl、Pd2MnIn、Pd2MnSn、Pd2MnSb、Co2FeSi、Fe3Si、Fe2VAl、Mn2VGa、Co2FeGe。
每一層4b至4f是由各別的非金屬材料(例如氮化矽、氮化鈦、多晶矽或二氧化矽)以及未被包括在上列的先進記憶體材料群組中的各別金屬(例如Ta或W)所形成的。在感應耦合電漿反應器腔室中蝕刻第1圖的結構的同時，從
頂部層4f開始然後向下通過層4e、4d、4c等的堆疊去除該等層。層4b是最後的(最底部的)非金屬層並覆蓋含有先進記憶體材料的層4a，並因此被稱為「覆蓋層」4b。只要覆蓋層4b被去除，含有先進記憶體材料的層4a被曝露於電漿，並且至少一些層4a的金屬材料被釋放出(例如藉由濺射或擴散)進入反應器腔室中。層4a的金屬材料是非揮發性的，因為層4a的金屬材料傾向於附著在ICP反應器的介電質窗成為金屬，而導致在RF耦合中不可控制的偏移(導致製程參數偏移，例如電漿密度和蝕刻速度)。這種無法控制的偏移是一個重大的問題。覆蓋層4b-4e的蝕刻不會導致這樣的問題，因為這些層若非非金屬的，就是由不屬於先進記憶體材料群組之成員的金屬所製成的，所以可以在蝕刻製程中輕易地去除該些層(並因此不會積聚在介電質窗上)。
在射頻耦合中無法控制偏移的問題是由最初在ICP反應器中蝕刻晶圓2來解決，以便去除該等層4C-4f而不會完全蝕刻覆蓋層4b(以免曝露出層4a)，或是不會蝕刻任何的覆蓋層4b。然後，將晶圓2從ICP反應器中取出，並放在環形源電漿反應器中，並完成覆蓋層4b的蝕刻或去除，而曝露出下層4a的先進記憶體材料。在一個實施例中，可以進一步進行此第二蝕刻製程來去除層4a和4b兩者。
該環形源電漿反應器並不依賴通過介電質窗的RF耦合，因此不會像ICP反應器那樣容易在內部腔室表面上產生金屬沉積。優點是幾乎堆疊中的所有層都可以在ICP反應器中以ICP反應器能夠提供的極高蝕刻速度進行蝕刻，而且
只有非揮發性的含金屬層4a及/或覆蓋層4b需要在環形源電漿反應器中進行蝕刻。
第2圖繪示本發明之方法。第一步驟是將晶圓2(連同其薄膜4a-4f的堆疊)放在ICP反應器中(第2圖的方塊6)，並進行ICP刻蝕製程，直到去除了除了覆蓋層4b(或一部分的覆蓋層4b)之外的所有層(第2圖中的方塊8)，留下被覆蓋並且未曝露於電漿的含先進記憶體材料層4a。然後，將晶圓2從ICP反應器中取出，並放在環形源電漿反應器(第2圖的方塊10)中。在該環形源電漿反應器中，進行蝕刻製程以去除覆蓋層4b(或剩餘的覆蓋層4b)(第2圖的方塊12)。假使要去除含先進記憶體材料的下層4a，則在環形源反應器中的蝕刻製程會進行直到下層4a被去除。
第3圖繪示用於進行第2圖的製程之系統。該系統包括ICP反應器16、晶圓傳送機器人18及環形源電漿反應器20。晶圓傳送機器人18被設置來從ICP反應器16連續傳送晶圓至環形源電漿反應器20。蝕刻製程控制器22控制ICP反應器16、晶圓傳送機器人18和環形源電漿反應器20。蝕刻製程控制器22被程式化來控制ICP反應器16、晶圓傳送機器人18及環形源電漿反應器20，以進行第2圖的製程。在一個實施例中，蝕刻製程控制器22被程式化為：(a)使工件被載入ICP反應器16，並使該工件在ICP反應器16中進行蝕刻而不曝露出含非揮發性金屬層，然後(b)使晶圓傳送機器人18將該工件從ICP反應器16傳送至環形源電漿反應器20，以及最後(c)使該工件在環形源電漿反應器20中進行蝕刻，
而至少曝露出含非揮發性金屬層。將ICP反應器16的一個實施例繪示於第4圖，並且將環形源電漿反應器20的一個實施例繪示於第5圖。
第4圖繪示第3圖的感應耦合電漿(ICP)反應器16之實施例。第4圖的ICP反應器具有被圓柱形側壁1105、底板1110及頂板1115包圍的腔室1100。腔室1100內的晶圓支撐基座1120可以是能夠靜電式地將半導體晶圓1125夾持於基座1120之晶圓支撐表面1130上的靜電吸盤。基座1120可以由接地的導電基層1140、覆蓋基層1140的絕緣層1145、覆蓋絕緣層1145的薄陰極電極1150以及覆蓋陰極電極1150並形成晶圓支撐表面1130的頂部絕緣層1155所組成。絕緣層1145、1155的材料可以是陶瓷材料。陰極電極1150可以是由鉬所構成的薄金屬網格。
在一個實施例中，介電質窗1116是在頂板1115的中央部分，而且可以由例如二氧化矽所形成。第4圖的ICP反應器具有包括頂上線圈天線1175的感應耦合電漿源，頂上線圈天線1175經由阻抗匹配1186被RF源功率產生器1184驅動。頂上線圈天線1175覆蓋在介電質窗1116上並將RF功率經由介電質窗1116耦合進入腔室1100。反應器的性能對於處理過程中金屬材料沉積或積聚在介電質窗1116上是敏感的。這種沉積會改變或減弱射頻功率耦合進入腔室內部，進而降低製程控制。這樣的沉積會發生在例如第1圖的含金屬層4a之曝露或蝕刻過程中。
製程氣體供應1190a、1190b、1190c、1190d經由使
用者可控制氣體控制板1195供應製程氣體到腔室側壁1105中的氣體注入口1188。或者，可以設置多個氣體注入口。腔室1100藉由真空泵1198來抽真空。
基座1120包括一組可升舉的升舉銷1122，升舉銷1122被支撐在使用者可控制的升舉架1123上，以使機器人處理器(未圖示)能夠在將晶圓放到支撐表面1130上及在從腔室1100移除晶圓1125的過程中處理晶圓1125。升舉銷1122通常是由陶瓷材料所形成，以避免在電漿處理過程中的污染。使用者可控制的直流吸盤電壓源1200經由開關1202被連接到陰極電極1150。RF偏壓功率產生器1210經由RF阻抗匹配電路1215及經由可選擇的絕緣電容器1220(可以被包含在阻抗匹配電路1215中)被耦接到陰極電極1150。RF偏壓功率產生器1210可以在不同的頻率(包括低頻、中頻、高頻及極高頻的頻率)產生RF功率。例如RF偏壓功率產生器1210可以在13.56MHz和60MHz產生RF功率。
在一個實施例中，基座1120是可移動的。在此實施例中，基座1120相對於頂板1115的高度可以藉由被機械式地連接到基座1120的基座升舉致動器1500進行調整。可以使用此特徵來控制或影響電漿離子密度分佈或其他的處理參數。
第5圖繪示第3圖的環形源電漿反應器20。第5圖的環形源電漿反應器具有由圓柱形側壁105、底板110及頂板115包圍的腔室100。在一個實施例中，腔室內部表面皆為金屬，而且反應器的性能至少幾乎不被沉積在腔室內部的金屬
材料改變。腔室100內部的晶圓支撐基座120可以是能夠靜電式地將半導體晶圓125夾持在基座120之晶圓支撐表面130上的靜電吸盤。基座120可以由接地的導電基層140、覆蓋基層140的絕緣層145、覆蓋絕緣層145的薄陰極電極150以及覆蓋陰極電極150和形成晶圓支撐表面130的頂部絕緣層155所組成。絕緣層145、155的材料可以是陶瓷材料。陰極電極150可以是由鉬構成的薄金屬網格。
第5圖的反應器具有環形電漿源，該環形電漿源包括一對橫向的外部折返管道160、165，每個管道160、165皆延伸穿過腔室100的直徑並在其末端經由頂板115中的通口112耦接至腔室100的內部。射頻功率施加器170、175分別將RF功率耦合進入折返管道160、165的內部。RF功率施加器170由包圍管道160的導磁環180、包圍一部分環180的導電線圈182以及經由RF阻抗匹配元件186耦接到線圈182的RF功率產生器184所組成。RF功率施加器175由包圍管道165的導磁環180'、包圍一部分環180'的導電線圈182'以及經由RF阻抗匹配元件186'耦接到線圈182'的RF功率產生器184'所組成。
該頂板115包括氣體分配板188。製程氣體供應190a、190b、190c、190d經由使用者可控制氣體控制板195供應製程氣體到氣體分配板188。腔室100藉由真空泵198抽真空。製程氣體供應能夠提供不同的氣體混合物。
基座120包括一組可升舉的升舉銷122，升舉銷122被支撐在使用者可控制的升舉架123上，以使機器人處理器
(未圖示)能夠在將晶圓放到支撐表面130上及在從腔室100移除晶圓125的過程中處理晶圓125。升舉銷122通常是由陶瓷材料所構成，以避免在電漿處理過程中的污染。使用者可控制的直流吸盤電壓源200經由開關202被連接到陰極電極150。RF偏壓功率產生器210經由RF阻抗匹配電路215及經由可選擇的絕緣電容器220(可以被包含在阻抗匹配電路215中)被耦接到陰極電極150。RF偏壓功率產生器210可以在不同的頻率(包括低頻、中頻、高頻及極高頻的頻率)產生RF功率。例如RF偏壓功率產生器210可以在2MHz、13.56MHz和60MHz產生RF功率。
在一個實施例中，基座120是可移動的。在此實施例中，基座120相對於頂板115的高度可以藉由被機械式地連接到基座120的基座升舉致動器500進行調整。可以使用此特徵來控制或影響電漿分佈或其他的處理參數。
在第2圖的製程中，在曝露含先進記憶體材料的層4a(第1圖)之前停止第4圖的ICP反應器中進行的第一蝕刻製程，此可以藉由停止以下任一製程來完成：(a)在蝕刻覆蓋層4b之前，或(b)在部分蝕刻覆蓋層4b同時留下足夠的殘餘厚度來遮蔽層4a之後。進一步在第2圖的製程中，在第5圖的環形源電漿反應器中進行的第二蝕刻製程可以進行以下任一者：(a)只去除覆蓋層4b，或(b)同時去除覆蓋層4b和一部分或全部的含先進記憶體材料層4a。第2圖的製程之優點在於第5圖的環形源電漿反應器20不耦合RF功率通過介電質窗，因此不受內部腔室表面上積聚的金屬所影響。
雖然前述係針對本發明之實施例，但在不偏離本發明之基本範圍下，亦可設計出本發明之其他與深一層的實施例，而且本發明之範圍係由以下的申請專利範圍所決定。
6‧‧‧方塊
8‧‧‧方塊
10‧‧‧方塊
12‧‧‧方塊
Claims (20)
- 一種蝕刻一包括一下薄膜的工件上的一薄膜層堆疊的方法，該方法包含在一感應耦合電漿反應器中第一蝕刻該堆疊而不曝露出該下薄膜層，以及在一環形源電漿反應器中第二蝕刻該堆疊，以曝露出該下薄膜層。
- 如請求項1所述之方法，其中該下薄膜層包含一先進記憶體材料。
- 如請求項1所述之方法，其中該薄膜層堆疊包含覆蓋該下薄膜層的一覆蓋薄膜層，該方法進一步包含在完成該覆蓋薄膜層的去除之前停止該第一蝕刻，以便在該下薄膜層上留下至少一部分的該覆蓋薄膜層。
- 如請求項3所述之方法，其中該第二蝕刻包含去除該部分的該覆蓋薄膜層。
- 如請求項4所述之方法，其中該第二蝕刻進一步包含去除該下薄膜層。
- 如請求項1所述之方法，其中該第一蝕刻包含供應蝕刻製程氣體進入該感應耦合反應器之腔室，並將來自一外部線圈天線的射頻(RF)功率經由一介電質窗耦合進入該感應耦合反應器之腔室。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二蝕刻包含供應蝕刻製程氣體進入該環形源電漿反應器之腔室，並將射頻(RF)功率耦合進入該腔室之一外部折返管道。
- 如請求項7所述之方法，其中該將射頻(RF)功率耦合進入該腔室之一外部折返管道包含將射頻(RF)功率耦合至圍繞一部分該外部折返管道的一感應核心。
- 如請求項1所述之方法，其中該下薄膜層包含以下中之至少一者：Co、Pt、Pd、Ru、CoPt、CoFe、CoFeB、MgO、PtMn、CoPd、TbFeCo、Fe、FePt、IrMn、NiFe、NiFeCr、CoFeBTa、CoFeBZr、CoFeMnSi、FePd、Cu、IrMnC、Cu2MnAl、Cu2MnIn、Cu2MnSn、Ni2MnAl、Ni2MnIn、Ni2MnSn、Ni2MnSb、Ni2MnGa、Co2MnAl、Co2MnSi、Co2MnGa、Co2MnGe、Pd2MnAl、Pd2MnIn、Pd2MnSn、Pd2MnSb、Co2FeSi、Fe3Si、Fe2VAl、Mn2VGa、Co2FeGe。
- 一種蝕刻一工件的方法，包含以下步驟：在一感應耦合電漿反應器中第一蝕刻一組覆蓋薄膜層，該組覆蓋薄膜層覆蓋該工件上的一下薄膜層；以及在一環形源電漿反應器中第二蝕刻該組覆蓋薄膜層之一剩餘部分，以至少曝露出該下薄膜層。
- 如請求項10所述之方法，其中該下薄膜層包含一先進記憶體材料。
- 如請求項10所述之方法，進一步包含停止該第一蝕刻，以便留下被該組覆蓋薄膜層之該剩餘部分覆蓋的該下薄膜層。
- 如請求項12所述之方法，其中該第二蝕刻包含去除該組覆蓋薄膜層之該剩餘部分。
- 如請求項13所述之方法，其中該第二蝕刻進一步包含去除該下薄膜層。
- 如請求項10所述之方法，其中該第一蝕刻包含供應蝕刻製程氣體進入該感應耦合反應器之腔室，並將來自一外部線圈天線的射頻(RF)功率經由一介電質窗耦合進入該感應耦合反應器之腔室。
- 如請求項10所述之方法，其中該第二蝕刻包含供應蝕刻製程氣體進入該環形源電漿反應器之腔室，並將射頻(RF)功率耦合進入該腔室之一外部折返管道。
- 如請求項16所述之方法，其中該將射頻(RF)功率耦合進入該腔室之一外部折返管道包含將射頻(RF)功率耦合至 圍繞一部分該外部折返管道的一感應核心。
- 如請求項10所述之方法，其中該下薄膜層包含以下中之至少一者：Co、Pt、Pd、Ru、CoPt、CoFe、CoFeB、MgO、PtMn、CoPd、TbFeCo、Fe、FePt、IrMn、NiFe、NiFeCr、CoFeBTa、CoFeBZr、CoFeMnSi、FePd、Cu、IrMnC、Cu2MnAl、Cu2MnIn、Cu2MnSn、Ni2MnAl、Ni2MnIn、Ni2MnSn、Ni2MnSb、Ni2MnGa、Co2MnAl、Co2MnSi、Co2MnGa、Co2MnGe、Pd2MnAl、Pd2MnIn、Pd2MnSn、Pd2MnSb、Co2FeSi、Fe3Si、Fe2VAl、Mn2VGa、Co2FeGe。
- 一種用於蝕刻一工件上的一薄膜層堆疊的系統，包含：一感應耦合電漿反應器；一環形源電漿反應器，以及一工件傳送機器人，被耦接至該感應耦合電漿反應器和該環形源電漿反應器，並適用於將一工件從該感應耦合電漿反應器傳送至該環形源電漿反應器。
- 如請求項19所述之系統，進一步包含一製程控制器，該製程控制器被連接來控制該工件傳送機器人、該感應耦合電漿反應器及該環形源電漿反應器。
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