TW201419420A - 觸控面板之製造方法 - Google Patents

觸控面板之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201419420A
TW201419420A TW101140497A TW101140497A TW201419420A TW 201419420 A TW201419420 A TW 201419420A TW 101140497 A TW101140497 A TW 101140497A TW 101140497 A TW101140497 A TW 101140497A TW 201419420 A TW201419420 A TW 201419420A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transparent conductive
conductive layer
layer
plasma
touch panel
Prior art date
Application number
TW101140497A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI482223B (zh
Inventor
Hsiao-Wen Kuo
Li-Chieh Hsu
Wei-Chuan Chen
Original Assignee
Rtr Tech Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rtr Tech Technology Co Ltd filed Critical Rtr Tech Technology Co Ltd
Priority to TW101140497A priority Critical patent/TWI482223B/zh
Priority to CN201310529432.7A priority patent/CN103809804A/zh
Publication of TW201419420A publication Critical patent/TW201419420A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI482223B publication Critical patent/TWI482223B/zh

Links

Landscapes

  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本發明係有關於一種觸控面板之製造方法,其包括下列步驟:提供基板,基板上依次形成透明導電層以及金屬層。形成光阻層於金屬層上,並圖案化光阻層,蝕刻金屬層,以露出局部之透明導電層。以電漿轟擊透明導電層,蝕刻透明導電層,以及蝕刻並圖案化金屬層,經轟擊及蝕刻後之透明導電層形成複數感測串列。

Description

觸控面板之製造方法
本發明係有關於一種觸控面板之製造方法,尤指一種將電漿技術應用於觸控面板圖案化製程的製造方法。
目前觸控面板之製造過程中,其圖案化製程可分為乾式製程與濕式製程。其中,濕式製程包含光阻塗布與顯影等步驟,其製程複雜,圖案化的過程耗時及蝕刻過程不易控制。
觸控面板上的透明導電層主要是由銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)所組成,由於導電層的鍍膜方式基本上為整個平面,無法針對所要的圖形進行濺鍍,因此,若要在已濺鍍完成的基板上形成圖案,需將導電層進行蝕刻。目前蝕刻的方式有兩種,分別為濕式蝕刻與乾式蝕刻,其中濕式蝕刻之圖案化是由光罩所形成,而製造圖案化之習知手段,係採用兩道蝕刻製程,其為金屬層蝕刻以及導電層蝕刻,在導電層蝕刻之過程中,前道蝕刻過程後所曝露之金屬層,包含於金屬層上之引線或導線,容易受到二次蝕刻液之侵蝕,而過度腐蝕的結果會造成金屬層之尺寸不精準,影響導電層之導電性。由於導電層大多為結晶型氧化物所組成,其蝕刻速率與穩定性不易控制,易造成蝕刻不均、產品良率降低等缺點。
綜上所述,對於觸控面板之蝕刻過程仍需良好的解決方案,以解決前述之問題。
本發明揭露一種應用電漿技術於觸控面板之製造方法中,其係以電漿轟擊手段以改質導電薄膜層,提高導電薄膜層之蝕刻速率為本發明之目的。
本發明係有關於一種觸控面板之製造方法,其包括下列步驟:提供基板,該基板上依次形成透明導電層以及金屬層,形成光阻層於金屬層上,並圖案化光阻層。蝕刻金屬層,以露出局部之透明導電層,以電漿轟擊透明導電層,蝕刻透明導電層。以及蝕刻並圖案化金屬層,經轟擊及蝕刻後之透明導電層形成複數感測串列。
較佳為,其中光阻層可藉由網版印刷法、噴塗法、旋轉塗布法或狹縫式塗布法所形成。
較佳為,其中光阻層可為正型光阻或負型光阻。
較佳為,其中透明導電薄膜層為結晶型銦錫氧化物。
較佳為,其中電漿轟擊可使用大氣電漿、低壓電漿、高溫電漿或低溫電漿進行轟擊。
較佳為,其中電漿轟擊係用以改變透明導電層之表面能。
較佳為,其中電漿轟擊係用以蝕刻透明導電層之表面。
較佳為,其中電漿轟擊所使用之氣氛可為氮氣、氬氣、氧氣及其混和氣氛。
較佳為,其中電漿轟擊之時間為10秒至5分鐘。
較佳為,其中前述之該等步驟係均採用捲對捲製程。
以下參考實施例及申請專利範圍而揭述依照本發明之例示具體實施例。在此所揭述的例示具體實施例之各種修改、調整或變化因所揭示而對熟悉該技術領域之人士為顯而易知。應了解,所有此種依據本發明之教示且經此教示而改進此技術的修改、調整或變化均視為在本發明之範圍與精髓內。
本發明提供一種觸控面板之製造方法,其具體實施例之詳細步驟請參見圖1a至圖1d。
如圖1a所示,首先,具備一基板1,基板1之表面上依次形成有一透明導電層2以及至少一金屬層3,於本發明之較佳具體實施例中,金屬層3為一層。其中,基板1例如可為玻璃、強化玻璃、聚碳酸酯(PC)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)之複合材、聚碳酸酯及聚甲基丙烯酸甲酯之複合材、聚酯(PET)、聚醯胺(PE)、矽、玻璃、塑膠、金屬或陶瓷。透明導電層2例如可為金屬氧化物、結晶型銦錫氧化物。其中,金屬氧化物例如為氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide,CTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化銦鋅錫(indium tin zinc oxide,ITZO)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide)、氧化鉿(hafnium oxide,HfO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(indium gallium zinc magnesium oxide,InGaZnMgO)、氧化銦鎵鎂(indium gallium magnesium oxide,InGaMgO)或氧化銦鎵鋁 (indium gallium aluminum oxide,InGaAlO)等)所組成。其中,金屬層3例如可為至少一層導電金屬層,或者多層導電金屬層所組成,其材質可為導電金屬或導電合金,例如銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅、鉬等。有關多層導電金屬層之結構,例如可為鉬層/鋁層/鉬層之堆疊結構,或者可為選自銅合金、鋁合金、金、銀、鋁、銅或鉬等之一或多種材質堆疊而成之多層導電金屬層結構。
如圖1b所示,首先,對基板1之金屬層3表面形成一光阻層4,其中,光阻層4例如可為固態光阻、乾膜光阻、液態光阻劑或光阻膠等物質所組成。另外,光阻層4可藉由熱壓乾膜光阻、網版印刷法、噴塗法、旋轉塗布法或狹縫式塗布法所形成,光阻層4不限制為正型光阻或負型光阻。接著,以特定圖案的光罩5對光阻層4經過曝光顯影進行圖案化,獲得圖案化之光阻層4,其中,圖案化的製程大致是藉由微影製程(photolithography)而達成,微影製程包括光阻塗布(photoresist coating)、軟烘烤(soft baking)、光罩對準(mask aligning)、曝光(exposure)、曝光後烘烤(post-exposure)、光阻顯影(developing photoresist)與硬烘烤(hard baking)。接著,進行蝕刻金屬層3至透明導電層2之局部表面露出為止。另外,於本發明之具體實施例中,光阻層4亦可以為一具有保護被覆功能之塗布層所替代,例如金屬層、聚合物層或黏著劑層。
如圖1c所示,以電漿轟擊對透明導電層2表面進行改 質,電漿轟擊之種類可為大氣電漿、低壓電漿、高溫電漿或低溫電漿之任一種,電漿轟擊所使用之氣體可為氮氣、氬氣、氧氣或其混和氣體。電漿轟擊進行改質之時間係介於10秒至5分鐘之範圍,其中,由於在觸控面板之製程中,基板1、透明導電層2、金屬層3以及光阻層4皆為奈米或微米等級,因此電漿轟擊之能量亦可能造成透明導電層2些微的破壞,意即產生輕微的蝕刻作用,因此電漿轟擊亦可應用於蝕刻透明導電層2之表面。
如圖1d所示,接著蝕刻經改質之透明導電層2,由於透明導電層2已經過電漿轟擊,因此在蝕刻過程中可減少蝕刻時間,充分達到保護金屬層3之功效。
請參見圖1e所示,蝕刻透明導電層2以形成圖案化,接著去除光阻層4,同時,經改質及蝕刻完成之透明導電層2形成複數感測串列2’。最後,經圖案化之金屬層形成周邊線路(圖未示),作為該等感測串列2’之間的電性連接,以獲得一圖案化之基板。
本發明之觸控面板之製造方法具有連續性生產特性,且本發明之基板為具可撓性的基板,因此前述之該等步驟係均採用捲對捲(roll-to-roll)製程,以達到高效能、低成本之優點。
由於本發明之透明導電層經過電漿轟擊改質之後,其表面能會產生改變,且會破壞其結晶結構,使得透明導電層更易於被蝕刻,進而提高蝕刻速率,避免在蝕刻過程中對金屬層產生過度的側蝕,而達到保護金屬層之功效。
1‧‧‧基板
2‧‧‧透明導電層
2’‧‧‧感測串列
3‧‧‧金屬層
4‧‧‧光阻層
5‧‧‧光罩
圖1a係本發明之具有透明導電層及金屬層之基板的示意圖。
圖1b係本發明之基板以光罩曝光顯影形成光阻層,且蝕刻金屬層之示意圖。
圖1c對基板之透明導電層進行電漿轟擊之示意圖。
圖1d經改質之透明導電層進行蝕刻之示意圖。
圖1e透明導電層蝕刻後形成複數感測串列示意圖。
1‧‧‧基板
2‧‧‧透明導電層
2’‧‧‧感測串列
3‧‧‧金屬層
4‧‧‧光阻層
5‧‧‧光罩

Claims (10)

  1. 一種觸控面板之製造方法,其包括下列步驟:提供一基板,該基板上依次形成一透明導電層以及至少一金屬層;形成一光阻層於該至少一金屬層上,並圖案化該光阻層;蝕刻該至少一金屬層,以露出局部之該透明導電層;以電漿轟擊該透明導電層;蝕刻該透明導電層;以及蝕刻並圖案化該至少一金屬層,經轟擊及蝕刻後之該透明導電層形成複數個感測串列。
  2. 如申請專利範圍第1項之觸控面板之製造方法,其中該光阻層可藉由網版印刷法、噴塗法、旋轉塗布法或狹縫式塗布法所形成。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之觸控面板之製造方法,其中該光阻層係為正型光阻或負型光阻。
  4. 如申請專利範圍第1項之觸控面板之製造方法,其中該透明導電薄膜層為結晶型銦錫氧化物。
  5. 如申請專利範圍第1項之觸控面板之製造方法,其中該以電漿轟擊該透明導電層之步驟係使用大氣電漿、低壓電漿、高溫電漿或低溫電漿進行轟擊。
  6. 如申請專利範圍第1項之觸控面板之製造方法,其中該以電漿轟擊該透明導電層之步驟係被執行用以改變該透明導電層之表面能。
  7. 如申請專利範圍第1項之觸控面板之製造方法,其中該以電漿轟擊該透明導電層之步驟係被執行用於電漿蝕刻該透明導電層之表面。
  8. 如申請專利範圍第1項之觸控面板之製造方法,其中於該以電漿轟擊該透明導電層之步驟中所使用之氣體係氮氣、氬氣、氧氣或其混和氣體。
  9. 如申請專利範圍第1項之觸控面板之製造方法,其中執行該以電漿轟擊該透明導電層之步驟之時間為10秒至5分鐘。
  10. 如申請專利範圍第1項之觸控面板之製造方法,其中前述該等步驟均採用捲對捲製程。
TW101140497A 2012-11-01 2012-11-01 觸控面板之製造方法 TWI482223B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101140497A TWI482223B (zh) 2012-11-01 2012-11-01 觸控面板之製造方法
CN201310529432.7A CN103809804A (zh) 2012-11-01 2013-10-31 触控面板的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101140497A TWI482223B (zh) 2012-11-01 2012-11-01 觸控面板之製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201419420A true TW201419420A (zh) 2014-05-16
TWI482223B TWI482223B (zh) 2015-04-21

Family

ID=50706680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101140497A TWI482223B (zh) 2012-11-01 2012-11-01 觸控面板之製造方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN103809804A (zh)
TW (1) TWI482223B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017004788A (ja) * 2015-06-11 2017-01-05 株式会社リコー 導電パターン形成基板及び基板製造方法
CN107861656A (zh) * 2017-11-08 2018-03-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 触摸屏的制造方法、显示装置
CN112750933B (zh) * 2021-01-26 2022-08-26 长沙壹纳光电材料有限公司 一种led芯片及其制作方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6665033B2 (en) * 2000-11-30 2003-12-16 International Business Machines Corporation Method for forming alignment layer by ion beam surface modification
KR101172113B1 (ko) * 2008-11-14 2012-08-10 엘지이노텍 주식회사 터치스크린 및 그 제조방법
KR101753802B1 (ko) * 2010-09-20 2017-07-04 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법
CN102096534A (zh) * 2010-12-31 2011-06-15 晟光科技股份有限公司 一种电容触摸屏电极制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI482223B (zh) 2015-04-21
CN103809804A (zh) 2014-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10175579B2 (en) Mask, glass substrate and manufacturing method thereof
US9633899B2 (en) Method for patterning a graphene layer and method for manufacturing a display substrate
US10916568B2 (en) Manufacturing method of display substrate, array substrate and display device
CN103235659B (zh) 一种触摸面板及其制作方法、显示装置
US10503325B2 (en) Display device, touch panel and method for manufacturing the same
US9551937B2 (en) Graphene sensor and method of fabricating the same and touch-sensitive display device
CN102096534A (zh) 一种电容触摸屏电极制作方法
WO2017185921A1 (zh) 形成过孔的方法、阵列基板及其形成方法、显示装置
JP2011065393A5 (zh)
US20170110587A1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, display device
WO2016026180A1 (zh) 触摸屏的制造方法
TWI449479B (zh) 線路之製造方法
WO2019227668A1 (zh) 触控显示屏的制作方法
TWI482223B (zh) 觸控面板之製造方法
CN108269736B (zh) 通过光阻剥离实现电极层图案化的方法
US10312272B2 (en) Thin film transistor, array substrate and manufacturing method thereof, and display panel
TWI546850B (zh) 顯示面板之製備方法
CN103337462A (zh) 一种薄膜晶体管的制备方法
US10199236B2 (en) Thin film transistor, manufacturing method thereof, and method for manufacturing array substrate
WO2019041858A1 (zh) 刻蚀方法、薄膜晶体管的制造方法、工艺设备、显示装置
TWI422940B (zh) 陣列基板的形成方法
EP3355346B1 (en) Manufacturing method of array substrate, array substrate, and display device
US20140092027A1 (en) Touch panel and method for producing same
WO2013174105A1 (zh) 阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置
JP2008171990A (ja) 電界効果型トランジスタとその製造方法