CN103809804A - 触控面板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种触控面板的制造方法，其包括下列步骤：提供基板，基板上依次形成透明导电层以及金属层；在金属层上形成光刻胶层，并图案化该光刻胶层，蚀刻金属层，以露出局部的透明导电层；以等离子体轰击透明导电层，蚀刻透明导电层，以及蚀刻并图案化金属层，经轰击及蚀刻后的透明导电层形成多个感测串列。
Description
技术领域
本发明涉及一种触控面板的制造方法，尤指一种将等离子体技术应用于触控面板图案化制程的制造方法。
背景技术
目前在触控面板的制造过程中，其图案化制程可分为干式制程与湿式制程。其中，湿式制程包含光刻胶涂布与显影等步骤，其制程复杂，图案化的过程耗时及蚀刻过程不易控制。
触控面板上的透明导电层主要是由铟锡氧化物(indium tinoxide,ITO)所组成，由于导电层的镀膜方式基本上为整个平面，无法针对所要的图形进行溅镀，因此，若要在已溅镀完成的基板上形成图案，需将导电层进行蚀刻。目前蚀刻的方式有两种，分别为湿式蚀刻与干式蚀刻，其中湿式蚀刻的图案化是由光掩膜所形成，而制造图案化的公知手段为采用两道蚀刻制程，其为金属层蚀刻以及导电层蚀刻，在导电层蚀刻的过程中，第一道蚀刻过程后所曝露的金属层，包含于金属层上的引线或导线，容易受到二次蚀刻液的侵蚀，而过度腐蚀的结果会造成金属层的尺寸不精准，影响导电层的导电性。由于导电层大多为结晶型氧化物所组成，其蚀刻速率与稳定性不易控制，易造成蚀刻不均、产品良率降低等缺点。
综上所述，对于触控面板的蚀刻过程仍需良好的解决方案，以解决前述问题。
发明内容
本发明提供了一种等离子体触控面板的制造方法，其应用了等离子体技术，目的为以等离子体轰击手段改质导电薄膜层以提高导电薄膜层的蚀刻速率。
本发明涉及一种触控面板的制造方法，其包括下列步骤：提供基板，该基板上依次形成透明导电层以及金属层，在金属层上形成光刻胶层，并图案化光刻胶层；蚀刻金属层，以露出局部的透明导电层；以等离子体轰击透明导电层，蚀刻透明导电层；以及蚀刻并图案化金属层，经轰击及蚀刻后的透明导电层形成多个感测串列。
较佳为，其中光刻胶层可借由网版印刷法、喷涂法、旋转涂布法或狭缝式涂布法所形成。
较佳为，其中光刻胶层可为正型光刻胶或负型光刻胶。
较佳为，其中透明导电薄膜层为结晶型铟锡氧化物。
较佳为，其中等离子体轰击透明导电层可使用大气等离子体、低压等离子体、高温等离子体或低温等离子体进行轰击。
较佳为，其中等离子体轰击用以改变透明导电层的表面能。
较佳为，其中等离子体轰击用以蚀刻透明导电层的表面。
较佳为，其中等离子体轰击所使用的气体可为氮气、氩气、氧气及其混和气体。
较佳为，其中等离子体轰击透明导电层的时间为10秒至5分钟。
较佳为，其中前述这些步骤均采用卷对卷制程。
附图说明
图1a为本发明具有透明导电层及金属层基板的示意图。
图1b为本发明基板以光掩膜曝光显影形成光刻胶层，且蚀刻金属层的示意图。
图1c对基板的透明导电层进行等离子体轰击的示意图。
图1d经改质的透明导电层进行蚀刻的示意图。
图1e透明导电层蚀刻后形成多个感测串列示意图。
具体实施方式
以下参考实施例及权利要求书而揭示依照本发明的具体实施例。在此所揭示的具体实施例的各种修改、调整或变化因本发明的揭示而对本领域技术人员来说是显而易见的。应了解，所有此种依据本发明启示且经此启示而改进此技术的修改、调整或变化均视为在本发明的范围与精髓内。
本发明提供一种触控面板的制造方法，其具体实施例的详细步骤请参见图1a至图1d。
如图1a所示，首先，具备一基板1，基板1的表面上依次形成有一透明导电层2以及至少一金属层3，在本发明的较佳具体实施例中，金属层3为一层。其中，基板1例如可为玻璃、强化玻璃、聚碳酸酯(PC)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的复合材料、聚碳酸酯及聚甲基丙烯酸甲酯的复合材料、聚酯(PET)、聚酰胺(PE)、硅、玻璃、塑料、金属或陶瓷。透明导电层2例如可为金属氧化物、结晶型铟锡氧化物。其中，金属氧化物例如为氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide,IZO)、氧化镉锡(cadmium tin oxide,CTO)、氧化铝锌(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化铟锌锡(indium tin zinc oxide,ITZO)、氧化锌(zinc oxide)、氧化镉(cadmium oxide)、氧化铪(hafnium oxide,HfO)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,InGaZnO)、氧化铟镓锌镁(indiumgallium zinc magnesium oxide,InGaZnMgO)、氧化铟镓镁(indiumgallium magnesium oxide,InGaMgO)或氧化铟镓铝(indium galliumaluminum oxide,InGaAlO)等所组成。其中，金属层3例如可为至少一层导电金属层，或者多层导电金属层所组成，其材质可为导电金属或导电合金，例如铜合金、铝合金、金、银、铝、铜、钼等。有关多层导电金属层的结构，例如可为钼层/铝层/钼层的堆栈结构，或者可为选自铜合金、铝合金、金、银、铝、铜或钼等之一或多种材质堆栈而成的多层导电金属层结构。
如图1b所示，首先，对基板1的金属层3表面形成一光刻胶层4，其中，光刻胶层4例如可为固态光刻胶、干膜光刻胶、液态光刻胶剂或光刻胶等物质所组成。另外，光刻胶层4可借由热压干膜光刻胶、网版印刷法、喷涂法、旋转涂布法或狭缝式涂布法所形成，光刻胶层4不限制为正型光刻胶或负型光刻胶。接着，以特定图案的光掩膜5对光刻胶层4经过曝光显影进行图案化，获得图案化之光刻胶层4，其中，图案化的制程大致是借由光刻法(photolithography)而达成，光刻法包括光刻胶涂布(photoresistcoating)、软烘烤(soft baking)、光掩膜对准(mask aligning)、曝光(exposure)、曝光后烘烤(post-exposure)、光刻胶显影(developingphotoresist)与硬烘烤(hard baking)。接着，进行蚀刻金属层3至透明导电层2的局部表面露出为止。另外，于本发明的具体实施例中，光刻胶层4亦可以为一具有保护被覆功能的涂布层所替代，例如金属层、聚合物层或黏合剂层。
如图1c所示，以等离子体轰击对透明导电层2表面进行改质，等离子体轰击的种类可为大气等离子体、低压等离子体、高温等离子体或低温等离子体的任一种，等离子体轰击所使用的气体可为氮气、氩气、氧气或其混和气体。等离子体轰击进行改质的时间介于10秒至5分钟的范围，其中，由于在触控面板的制程中，基板1、透明导电层2、金属层3以及光刻胶层4皆为奈米或微米等级，因此等离子体轰击的能量亦可能造成透明导电层2些微的破坏，意即产生轻微的蚀刻作用，因此等离子体轰击亦可应用于蚀刻透明导电层2的表面。
如图1d所示，接着蚀刻经改质的透明导电层2，由于透明导电层2已经过等离子体轰击，因此在蚀刻过程中可减少蚀刻时间，充分达到保护金属层3的功效。
请参见图1e所示，蚀刻透明导电层2以形成图案化，接着去除光刻胶层4，同时，经改质及蚀刻完成的透明导电层2形成多个感测串列2’。最后，经图案化的金属层形成周边线路(图未示)，作为这些感测串列2’之间的电性连接，以获得一图案化的基板。
本发明的触控面板的制造方法具有连续性生产特性，且本发明的基板为具可挠性的基板，因此前述这些步骤均采用卷对卷(roll-to-roll)制程，以达到高效能、低成本的优点。
由于本发明的透明导电层经过等离子体轰击改质之后，其表面能会产生改变，且会破坏其结晶结构，使得透明导电层更易于被蚀刻，进而提高蚀刻速率，避免在蚀刻过程中对金属层产生过度的侧蚀，而达到保护金属层的功效。
符号说明
1 基板
2 透明导电层
2’ 感测串列
3 金属层
4 光刻胶层
5 光掩膜
Claims (10)
1.一种触控面板的制造方法，其包括下列步骤：
提供一基板，该基板上依次形成透明导电层以及至少一金属层；
在该至少一金属层上形成光刻胶层，并图案化该光刻胶层；
蚀刻该至少一金属层，以露出局部的该透明导电层；
以等离子体轰击该透明导电层；
蚀刻该透明导电层；以及
蚀刻并图案化该至少一金属层，经轰击及蚀刻后的该透明导电层形成多个感测串列。
2.如权利要求1所述的触控面板的制造方法，其中该光刻胶层借由网版印刷法、喷涂法、旋转涂布法或狭缝式涂布法所形成。
3.如权利要求1或2所述的触控面板的制造方法，其中该光刻胶层为正型光刻胶或负型光刻胶。
4.如权利要求1所述的触控面板的制造方法，其中该透明导电薄膜层为结晶型铟锡氧化物。
5.如权利要求1所述的触控面板的制造方法，其中该以等离子体轰击该透明导电层的步骤为使用大气等离子体、低压等离子体、高温等离子体或低温等离子体进行轰击。
6.如权利要求1所述的触控面板的制造方法，其中该以等离子体轰击该透明导电层的步骤为被执行用以改变该透明导电层的表面能。
7.如权利要求1所述的触控面板的制造方法，其中该以等离子体轰击该透明导电层的步骤为被执行用于等离子体蚀刻该透明导电层的表面。
8.如权利要求1所述的触控面板的制造方法，其中于该以等离子体轰击该透明导电层的步骤中所使用的气体为氮气、氩气、氧气或其混和气体。
9.如权利要求1所述的触控面板的制造方法，其中执行该以等离子体轰击该透明导电层的步骤的时间为10秒至5分钟。
10.如权利要求1所述的触控面板的制造方法，其中前述这些步骤均采用卷对卷制程。
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