TW201418179A - 複合板之切斷方法、玻璃板之切斷方法、複合板之切斷片 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種複合板之切斷方法,其係包含厚度為200 μm以下之玻璃板、及形成於該玻璃板上之樹脂膜之複合板之切斷方法,且包含以下步驟:對上述複合板之上述玻璃板局部地照射雷射光,以玻璃之緩冷點以下之溫度局部地加熱上述玻璃板,使上述雷射光於上述玻璃板上之照射位置移動,且沿移動軌跡,使於厚度方向上貫通上述玻璃板之裂紋伸展,且於該步驟中,上述樹脂膜跨過上述裂紋,將隔著上述裂紋之兩側之玻璃連結,於該步驟後切斷上述樹脂膜。
Description
本發明係關於一種複合板之切斷方法、及玻璃板之切斷方法、複合板之切斷片。
已知一種包含玻璃板及形成於該玻璃板上之樹脂膜之複合板。該複合板兼具玻璃板之耐化學品性、耐熱性與樹脂膜之撓性,且將此特性充分地運用於例如顯示器、太陽電池等之製造。
近年來,作為複合板之切斷方法,提出使用有雷射光之方法(例如,參照專利文獻1)。
又,作為玻璃板之切斷方法,已知利用雷射光局部地加熱玻璃板,且藉由熱應力而於玻璃板上形成裂紋之方法(例如,參照專利文獻2)。
專利文獻1:日本專利特表2010-501457號公報
專利文獻2:日本專利特開2010-90009號公報
若玻璃板之厚度變薄,則形成於玻璃板之裂紋於厚度方向上貫通玻璃板。
如此一來,於裂紋之形成時,隔著裂紋之兩側之玻璃並未連
結,故而玻璃易變形,裂紋之位置易自所需之位置偏離。
本發明係鑒於上述課題而完成者,其目的在於提供一種切斷精度良好之複合板之切斷方法、切斷精度良好之玻璃板之切斷方法。
為解決上述課題,本發明之一態樣係一種複合板之切斷方法,其係包含厚度為200μm以下之玻璃板、及形成於該玻璃板上之樹脂膜之複合板之切斷方法,且包含以下步驟:對上述複合板之上述玻璃板局部地照射雷射光,以玻璃之緩冷點以下之溫度局部地加熱上述玻璃板,使上述雷射光於上述玻璃板上之照射位置移動,沿著移動軌跡,使於厚度方向上貫通上述玻璃板之裂紋伸展,於該步驟中,上述樹脂膜跨過上述裂紋,將隔著上述裂紋之兩側之玻璃連結,且於該步驟後切斷上述樹脂膜。
又,本發明之另一態樣係一種玻璃板之切斷方法,其係厚度為200μm以下之玻璃板之切斷方法,且包含以下步驟:對包含該玻璃板及形成於該玻璃板上之樹脂膜之複合板之玻璃板局部地照射雷射光,以玻璃之緩冷點以下之溫度局部地加熱上述玻璃板,使上述雷射光於上述玻璃板上之照射位置移動,沿著移動軌跡,使於厚度方向上貫通上述玻璃板之裂紋伸展,於該步驟中,上述樹脂膜跨過上述裂紋,將隔著上述裂紋之兩側之玻璃連結。
根據本發明,提供一種切斷精度良好之複合板之切斷方法、及切斷精度良好之玻璃板之切斷方法。
10‧‧‧複合板
12‧‧‧玻璃板
12a‧‧‧雷射照射面
14‧‧‧樹脂膜
14a‧‧‧樹脂膜14之與玻璃板12接觸之面
20‧‧‧雷射光
30‧‧‧初期裂紋
31‧‧‧裂紋
40‧‧‧冷媒
50‧‧‧噴嘴
111、112‧‧‧切斷片
121、122‧‧‧玻璃
141、142‧‧‧樹脂膜
143‧‧‧熱劣化部
L、W‧‧‧長度
圖1係表示本發明之第1實施形態之複合板之切斷方法之第1步驟
的立體圖。
圖2係表示本發明之第1實施形態之複合板之切斷方法之第2步驟的立體圖。
圖3係圖2之玻璃板之雷射照射面上之雷射光之尺寸的說明圖。
圖4係表示圖2之雷射掃描後之複合板之狀態之立體圖。
圖5係表示圖4之樹脂膜之狀態之立體圖。
圖6係表示圖2之雷射掃描後自支持台拆卸時之複合板之狀態的側視圖。
圖7係表示圖6之步驟後之複合板之狀態的立體圖。
圖8係表示本發明之第1實施形態之複合板之切斷方法之第3步驟的側視圖。
圖9係表示圖8之第3步驟後獲得之切斷片的立體圖。
圖10係本發明之第2實施形態之玻璃板之切斷方法的說明圖。
以下,參照圖式,對用以實施本發明之形態進行說明。於各圖式中,對於相同或相應之構成標註相同或相應之符號而省略說明。
圖1~圖9係本發明之第1實施形態之複合板之切斷方法之說明圖。
如圖1所示,本發明之複合板10包含玻璃板12、及形成於玻璃板12上之樹脂膜14。複合板10係兼具玻璃板12之耐化學品性、耐熱性與樹脂膜14之撓性,且將此特性充分地運用於例如顯示器、太陽電池等之製造。
玻璃板12之玻璃種類可為多種多樣,例如可為鈉鈣玻璃、無鹼玻璃等。又,玻璃板12之成形方法可為普通之方法,例如可為浮式法、融合法、再曳引法等。
玻璃板12之0℃~300℃下之平均線膨脹係數(以下,僅稱為「平均線膨脹係數」)例如為10×10-7/℃~100×10-7/℃,較佳為10×10-7/℃~50×10-7/℃。
玻璃板12之厚度為200μm以下。於玻璃板12之厚度為200μm以下之情形時,可將玻璃板12捲繞成螺旋狀,製成玻璃輥。又,於玻璃板12之厚度為200μm以下之情形時,藉由圖2所示之雷射光20之照射而形成於玻璃板12之裂紋31於厚度方向上貫通玻璃板12。玻璃板12之厚度較佳為150μm以下,更佳為100μm以下,進而更佳為50μm以下。又,玻璃板12之厚度較佳為10μm以上。
玻璃板12亦可為預先經實施表面處理者,以提昇玻璃與樹脂之密接性,。作為表面處理,可列舉底漆處理、臭氧處理、電漿蝕刻處理等。作為底漆,可例示矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑,可例示胺基矽烷類、環氧矽烷類、烷氧基矽烷類、矽氮烷類等。
於玻璃板12上形成樹脂膜14之方法並無特別限定,但例如可為將液狀之樹脂組合物塗佈於玻璃板12,使樹脂組合物固化之方法;將樹脂薄膜貼附於玻璃板12上之方法之任一者。樹脂薄膜亦可為預先經實施表面處理者,以提昇玻璃與樹脂之密接性,例如可為對與玻璃接觸之面塗佈有黏著劑者。該情形時,樹脂膜14包含作為基材之樹脂薄膜、及黏著劑。作為黏著劑,可列舉:異氰酸酯系、聚胺基甲酸酯系、聚酯系、丙烯酸系、聚乙烯亞胺系、橡膠系、矽烷偶合劑、鈦偶合劑、聚矽氧系、聚醯亞胺聚矽氧系等。
樹脂膜14較佳為形成於玻璃板12之切斷位置(亦即,玻璃板12中之雷射光20(參照圖2)之照射位置之移動軌跡)之至少一部分上,且形成於玻璃板12之至少切斷結束位置,更佳為遍及玻璃板12之切斷位置整體而形成。
樹脂膜14之詳情將於以下描述,其發揮如下之作用:跨過因雷
射光20之照射而形成於玻璃板12之裂紋31,將隔著裂紋31之兩側之玻璃121、122連結。因此,較佳為至少自裂紋31(亦即,玻璃板12上之雷射光之照射位置之移動軌跡之中心線)起在與裂紋31正交之兩方向上分別為2.5mm以內之區域由樹脂膜14覆蓋。又,更佳為至少自裂紋31起在與裂紋31正交之兩方向上分別為5mm以內之區域由樹脂膜14覆蓋。
樹脂膜14可大於或小於玻璃板12。尤佳為樹脂膜14具有與玻璃板12相同之大小。
樹脂膜14亦可由熱塑性樹脂、熱固性樹脂之任一者形成,但較佳為由熱固性樹脂形成,以於利用圖2所示之雷射光20局部地加熱玻璃板12時,不使樹脂膜14裂開而被切斷。作為熱固性樹脂,可使用例如聚醯亞胺(PI,polyimide)、環氧樹脂(EP,epoxy)等。作為熱塑性樹脂,可使用例如聚醯胺(PA,polyamide)、聚醯胺醯亞胺(PAI,polyamide-imide)、聚醚醚酮(PEEK,polyetheretherketone)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET,polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN,polyethylene naphthalate)、聚醚碸(PES,polyethersulphone)、環狀聚烯烴(COP,Cyclic Olefin Copolymer)、聚碳酸酯(PC,polycarbonate)、聚氯乙烯(PVC,polyvinylchloride)、聚乙烯(PE,polyethylene)、聚丙烯(PP,polypropylene)、丙烯酸系聚合物(PMMA,Polymethyl methacrylate)、胺基甲酸酯(PU,Polyurethane)等。再者,樹脂膜14亦可由光硬化性樹脂形成。
又,為提昇耐熱性或強度、成形性等,樹脂膜14亦可包含無機填料。
樹脂膜14較佳為形成於玻璃板12之單面,且較佳為形成於與玻璃板12之雷射光20所入射之面12a(以下,稱為玻璃板12之雷射照射面12a)為相反側之面。
樹脂膜14之厚度係取決於樹脂膜14之種類,但例如為1μm~200μm,更佳為1μm~100μm,進而更佳為1μm~50μm。若樹脂膜14之厚度過厚,則無法藉由彎折樹脂膜14而將樹脂膜14割斷。又,若樹脂膜14之厚度過薄,則於利用雷射光20局部地加熱玻璃板12時,將導致樹脂膜14裂開而被切斷。再者,於樹脂膜14包含基材與黏著劑之情形時,樹脂膜14之厚度為基材與黏著劑之合計之厚度。
樹脂膜14之剝離強度係利用一面將玻璃板12保持平坦,一面自玻璃板12剝下樹脂膜14之180°剝離試驗(JlS K6854-2)進行測定。為了於雷射光20之照射時樹脂膜14可抑制玻璃板12之變形,樹脂膜14之剝離強度例如大於0N/25mm,較佳為0.01N/25mm以上,更佳為0.1N/25mm以上。
複合板之切斷方法包含例如於玻璃板12形成初期裂紋30之第1步驟(參照圖1)、形成於厚度方向上貫通玻璃板12之裂紋31之第2步驟(參照圖2)、及切斷樹脂膜14之第3步驟(參照圖8)。
第1步驟係如圖1所示,於玻璃板12形成初期裂紋30。初期裂紋30係形成於玻璃板12之切斷開始位置,亦可形成於玻璃板12之端部。初期裂紋30可利用輪式刀具或切削刀具、銼刀、雷射等形成。
第1步驟可於玻璃板12上形成樹脂膜14之前實施,亦可於玻璃板12上形成樹脂膜14之後實施。於後者之情形時,於初期裂紋30之形成時,玻璃板12由樹脂膜14增強,故而可抑制玻璃板12之破損。
第1步驟可為任意之步驟,亦可無第1步驟。例如,於玻璃板12之端面經磨石等研磨而成之情形時,可將藉由研磨所形成之微裂紋用作初期裂紋。
第2步驟係如圖2所示,對複合板10之玻璃板12局部地照射雷射光20,以玻璃之緩冷點以下之溫度局部地加熱玻璃板12,且使玻璃板12上之雷射光20之照射位置移動。
為使玻璃板12上之雷射20之照射位置移動,而可使玻璃板12移動,亦可使雷射光20之光源移動,亦可使兩者移動。玻璃板12之移動係例如藉由支持玻璃板12之平台之移動、或搬送玻璃板12之搬送輥之旋轉而進行。搬送輥係以其中心線為中心而旋轉。亦可代替玻璃板12之移動,而進行玻璃板12之旋轉。玻璃板12之旋轉係藉由支持玻璃板12之平台之旋轉而進行。使平台以突設於平台之旋轉軸為中心進行旋轉。玻璃板12之旋轉係於玻璃板12上之雷射光20之照射位置之移動軌跡為曲線狀之情形時尤其有效。又,為了使玻璃板12上之雷射20之照射位置移動,亦可使將來自光源之雷射光朝向玻璃板12反射之檢流計鏡旋轉。
且說,若將玻璃以超過玻璃之緩冷點之溫度進行加熱,則因玻璃之黏性流動而導致熱應力緩和。再者,進行加熱之溫度較佳為緩冷點以下之儘可能高之溫度。即,作為加熱之溫度範圍,較佳為(玻璃之緩冷點-200℃)以上且玻璃之緩冷點以下,更佳為(玻璃之緩冷點-100℃)以上且玻璃之緩冷點以下。
本實施形態係以玻璃之緩冷點以下之溫度局部地加熱玻璃板12,故而產生熱應力。於雷射光20之照射位置上產生壓縮應力,且因其反作用,而於雷射光20之照射位置之後方附近產生拉伸應力。因產生之拉伸應力而將玻璃板12切開,形成裂紋31。裂紋31係於厚度方向上貫通玻璃板12。裂紋31係追隨雷射光20之照射位置,沿雷射光20之照射位置之移動軌跡而伸展。其移動軌跡可為直線狀亦可為曲線狀,亦可包含直線狀部分與曲線狀部分之兩部分。裂紋31亦可以初期裂紋30為起點而形成。此處,所謂「後方」係指與裂紋31之伸展方向相反之方向,且表示玻璃板12上之與雷射光20之照射位置之移動方向相反之方向。
又,一般而言,若玻璃部分地熔化,則於已熔化之部分冷卻而
凝固時,即將產生熱收縮。此時,已熔化之部分之熱收縮受到其周邊部分阻礙,從而無規地形成微裂紋。
本實施形態係以玻璃之緩冷點以下之溫度局部地加熱玻璃板12,故而玻璃不會熔融。因此,獲得光滑之玻璃切斷面,且獲得強度較高之玻璃切斷面。
雷射光20係自光源出射之後,由聚光透鏡等聚光後,入射至玻璃板12之雷射照射面12a。雷射光20可垂直地入射至玻璃板12之雷射照射面12a,亦可傾斜地入射。
作為雷射光20之光源,可使用例如CO2雷射(波長10600nm)、中紅外光參數振盪器(波長2600nm~3450nm)、摻鉺釔鋁石榴石(Er:YAG,Erbium:Yttrium Aluminum Garnet)雷射(波長2940nm)、摻鈥釔鋁石榴石雷射(Ho:YAG,holmium:Yttrium Aluminum Garnet)(波長2080nm)、鐿(Yb)光纖雷射(波長1000nm~1100nm)、鐿(Yb)碟型雷射(波長1000nm~1100nm)、摻釹釔鋁石榴石雷射雷射(Nb:YAG,neodymium:Yttrium Aluminum Garnet)(波長1064nm)、高輸出半導體雷射(波長808nm~980nm)綠光雷射(波長532nm)、紫外線(UV,Ultraviolet)雷射(波長355nm)等。
雷射光20之光源亦可為使雷射光連續振盪之CW(Continue Wave,連續波)雷射、使雷射光斷續振盪之脈衝雷射之任一者。
玻璃板12之雷射照射面12a上之雷射光20之形狀(光點形狀)係相應於雷射光20之光源種類等而適當設定。其原因在於,玻璃板12之光吸收率因雷射光20之波長而改變。例如,於光源為CO2雷射之情形時,雷射光20之波長較長,雷射光20之大部分於玻璃板12之雷射照射面12a附近作為熱被吸收。因此,於光源為CO2雷射之情形時,玻璃板12之雷射照射面12a上之雷射光20之形狀可為於雷射光20之照射位置之移動方向上較為細長之形狀。於雷射光20之照射位置移動時,可
長時間地加熱玻璃板12之切斷位置,從而可確保自玻璃板12之雷射照射面12a向內部傳遞熱之時間。由於玻璃板12之內部受到加熱,故而可形成於厚度方向上貫通玻璃板12之裂紋31。
於玻璃板12之厚度為200μm以下之情形時,自玻璃板12之雷射照射面12a向內部傳遞熱之時間較短,故而玻璃板12之雷射照射面12a上之雷射光20之形狀例如亦可為圓形或矩形。於圓形之情形時,當雷射光20之照射位置之移動軌跡包含曲線狀部分時,移動軌跡之曲線狀部分之寬度成為固定,從而裂紋31難以自移動軌跡偏離。於橢圓形或矩形之情形時,為使移動軌跡之曲線狀部分之寬度固定,而一面使雷射光20之照射位置移動,一面使雷射光20圍繞光軸轉動即可。例如使雷射光20之光源圍繞光軸轉動即可。
玻璃板12之雷射照射面12a上之雷射光20之移動方向長度L(參照圖3)並無特別限定,但例如為0.1mm~60mm,較佳為1mm~30mm。又,玻璃板12之雷射照射面12a上之雷射光20之移動正交方向長度W(參照圖3)並無特別限定,但例如為0.01mm~10mm,較佳為0.1mm~5mm。
第2步驟係如圖2所示,可利用冷媒40局部地冷卻玻璃板12,使玻璃板12上之冷媒40之供給位置與玻璃板12上之雷射光20之照射位置連動地移動。冷媒40之供給位置可為雷射光20之照射位置之後方附近。於雷射光20之照射位置之後方產生急遽之溫度梯度,使得雷射光20之照射位置與裂紋31之前端位置之距離變短。
冷媒40可為氣體(例如室溫之壓縮空氣)、液體(例如室溫之水)之任一者,亦可包含兩者。
噴嘴50係例如圖2所示形成為筒狀,朝向玻璃板12噴出冷媒40。
為使玻璃板12上之冷媒40之供給位置移動,而玻璃板12可進行移動,噴嘴50亦可移動,亦可兩者移動。
本實施形態之第2步驟係如圖2所示,於玻璃板12形成裂紋31時,不切斷樹脂膜14。因此,樹脂膜14跨過裂紋31,將隔著裂紋31之兩側之玻璃121、122連結。由於隔著裂紋31之兩側之玻璃121、122由樹脂膜14連結,故而於裂紋31之形成時,可抑制玻璃之變形,且裂紋31之位置難以自所需之位置偏離。因此,玻璃板12之切斷精度變得良好。該效果於遍及玻璃板12之切斷位置(亦即,玻璃板12上之雷射光20之照射位置之移動軌跡)整體地形成樹脂膜14之情形時較為顯著。
第2步驟係如圖2所示,亦可對玻璃板12自樹脂膜14側之相反側照射雷射光20。雷射光20於穿透玻璃板12之期間,將相應於玻璃板12之光吸收率而衰減,其後,入射至樹脂膜14。因此,入射至樹脂膜14之雷射光20之強度較低,樹脂膜14難以軟化、熔融。若樹脂膜14之一部分熔融,則熔融之部分因表面張力而撕裂。
第2步驟係如圖2所示,亦可藉由使玻璃板12上之雷射光20之照射位置移動,而沿移動軌跡於樹脂膜14形成線狀之熱劣化部143。此處,所謂「熱劣化」係指因熱而產生碳化、發泡等,以雷射照射前之樹脂膜14之拉伸強度(MPa)為基準,雷射照射後之樹脂膜14之拉伸強度降低0.01%以上。於拉伸強度試驗中,將與線狀之熱劣化部143正交之方向之拉伸應力施加至樹脂膜14。
由於線狀之熱劣化部143形成於樹脂膜14,故而,樹脂膜14容易以熱劣化部143為中心彎折。雷射照射後之樹脂膜14之拉伸強度較佳為以雷射照射前之樹脂膜14之拉伸強度為基準降低0.1%以上,更佳為降低1%以上。
熱劣化部143係形成於樹脂膜14之與玻璃板12接觸之面14a上(參照圖5)。熱劣化部143可如圖5所示於厚度方向上不貫通或貫通樹脂膜14。再者,於熱劣化部143,亦可形成與玻璃板12之裂紋31相接之槽線(劃線)。
且說,於使玻璃板12上之雷射光20之照射位置移動時,於移動軌跡之終端部即玻璃板12之端部,如圖4所示,難以形成於厚度方向上貫通玻璃板12之裂紋31。其原因在於,裂紋31基本而言將因產生於雷射光20之照射位置之後方之拉伸應力而伸展。再者,可認為該拉伸應力係藉由(i)由雷射光照射而產生之壓縮應力之反作用下之拉伸應力;(ii)由雷射光之加熱而產生之樹脂之熱膨脹引起之拉伸應力;及較佳為(iii)由冷媒之供給引起之拉伸應力相互作用而產生。又,可認為藉由該相互作用而使切斷精度變高。
若裂紋31之前端靠近玻璃板12之端部,則因微小之外力而使裂紋31伸展,將玻璃板12斷裂。因此,於雷射光20之照射後,自支持台拆卸複合板10時,若複合板10略微撓曲,則因其應力而將玻璃板12之端部切斷。
於複合板10略微撓曲時,本實施形態如圖6所示,樹脂膜14以線狀之熱劣化部143為中心彎折,從而玻璃板12之端部相應於樹脂膜14之變形而彎折。線狀之熱劣化部143係沿雷射光20之照射位置之移動軌跡而形成,故而,玻璃板12之端部以該移動軌跡為中心而彎折。因此,可將玻璃板12之端部沿雷射光20之移動軌跡切斷,從而可進行切斷位置之控制。該效果在與玻璃板12之切斷結束位置對應之樹脂膜14之端部形成有熱劣化部143之情形時較為顯著。
熱劣化部143較理想為形成於樹脂膜14之端(雷射照射開始點)至端(雷射照射結束點)。樹脂膜14容易以熱劣化部143為中心而彎折。
再者,本實施形態中,將雷射光20之照射位置之移動軌跡之終端部即玻璃板12之端部切斷之步驟係於雷射光20之照射後,在自支持台拆卸複合板10時進行,但亦可於自支持台拆卸複合板10之後進行。
第3步驟係如圖8所示切斷樹脂膜14,獲得複數個樹脂膜141、142。藉此,獲得複數個切斷片111、112。一切斷片111係包含玻璃板
121、及與玻璃板121結合之樹脂膜141。又,另一切斷片112係包含玻璃板122、及與玻璃板122結合之樹脂膜142。
本實施形態係如圖4~圖7所示,沿玻璃板12上之雷射光20之照射位置之移動軌跡,於樹脂膜14形成有線狀之熱劣化部143。因此,如圖8所示,可藉由以線狀之熱劣化部143為中心彎折樹脂膜14,而沿熱劣化部143切斷(割斷)樹脂膜14。於以線狀之熱劣化部143為中心使樹脂膜14彎折時,較佳為以避免玻璃切斷面彼此刮擦之方式,彎折樹脂膜14。
線狀之熱劣化部143係沿雷射光20之照射位置之移動軌跡而形成。因此,如圖9所示,藉由切斷而獲得之玻璃板121之切斷面與藉由切斷而獲得之樹脂膜141之切斷面齊平。同樣地,藉由切斷而獲得之玻璃板122之切斷面與藉由切斷而獲得之樹脂膜142之切斷面齊平。與樹脂膜之切斷面相較玻璃板之切斷面凹陷之情形相比,玻璃板121、122不易劃傷,從而容易保管切斷片111、112。
再者,本實施形態之第3步驟係藉由彎折樹脂膜14而將樹脂膜14切斷,但樹脂膜14之切斷方法並無特別限定。例如,作為樹脂膜之切斷面與玻璃板之切斷面成齊平之樹脂膜之切斷方法,亦可使用沿線狀之熱劣化部撕裂樹脂膜之方法、利用切割器沿線狀之熱劣化部將樹脂膜切裂之方法。又,雖樹脂膜之切斷面相較玻璃板之切斷面若干地凹陷,但作為樹脂膜14之切斷方法,亦可使用以雷射使樹脂膜局部地氣化之方法。
上述實施形態係關於包含玻璃板12及樹脂膜14之複合板10之切斷方法。
另一方面,本實施形態係關於玻璃板12之切斷方法。玻璃板12之切斷方法可與複合板10之切斷方法同樣地可包含圖1~圖7之步驟,
該等步驟為相同步驟,故省略說明。
圖10係本發明之第2實施形態之玻璃板之切斷方法之說明圖,且表示接著圖7之步驟所實施之步驟之圖。
如圖10所示,玻璃板12之切斷方法包含將玻璃板12與樹脂膜14剝離之步驟。於將玻璃板12與樹脂膜14剝離之情形時,為避免剝離時玻璃板12破損,樹脂膜14之剝離強度例如為3N/25mm以下,較佳為1N/25mm以下。
玻璃板12與樹脂膜14之剝離方法並無特別限定,例如可包含以下步驟:將薄刀片插入至玻璃板12與樹脂膜14之界面而製作剝離起點;及一面將玻璃板12保持平坦,一面使樹脂膜14自剝離起點依序撓曲變形。於剝離時,可藉由平坦地保持玻璃板12而減少玻璃板12之破損。
於將玻璃板12與樹脂膜14剝離時,較佳為不切斷樹脂膜14。可以1次之作業進行複數個玻璃121、122與樹脂膜14之剝離。
再者,將玻璃板12與樹脂膜14之剝離之步驟既可於樹脂膜14之切斷後實施,例如亦可接著圖8之步驟實施。
玻璃板之切斷方法亦可更包含於玻璃板12上形成樹脂膜14之步驟。
於以下之實施例及比較例中,只要未特別記載,則使用150mm見方之玻璃板(厚度100μm,平均線膨脹係數38×10-7/℃,旭硝子公司製造無鹼玻璃,商品名:AN100)作為玻璃板。
實施例1係對玻璃板之形成樹脂膜之面進行表面處理之後,形成聚醯亞胺膜(150mm見方,厚度5μm)作為樹脂膜。玻璃板之表面處理係利用旋轉塗佈機塗佈胺基丙基三甲氧基矽烷而進行。聚醯亞胺膜係
藉由於玻璃板之表面處理面上利用旋轉塗佈機塗佈聚醯亞胺清漆(荒川化學公司製造,H851D),且以250℃進行30分鐘熱處理而形成。
於實施例1中,以圖1~圖9所示之方法將製作之包含玻璃板及聚醯亞胺膜之複合板切斷。
首先,切斷玻璃板。初期裂紋係以20mm間距於矩形玻璃板之4邊中之1邊上形成8條。將複合板以使聚醯亞胺膜朝下之方式載置於支持台。雷射光自CO2雷射(波長10600nm,輸出39W)局部地照射至玻璃板。雷射掃描速度設為130mm/sec。使玻璃板上之雷射光之照射位置自各初期裂紋之形成位置,與形成初期裂紋之一邊垂直地移動至與該一邊平行之另一邊為止。其之移動軌跡設為直線狀。又,將作為冷媒之霧狀液滴自噴嘴局部地供給至玻璃板。使冷媒之供給位置位於雷射光之照射位置之後方附近,且與雷射光之照射位置連動地移動。
其結果,以初期裂紋為起點,沿著雷射光之照射位置之移動軌跡,於玻璃板上形成有8條裂紋。各裂紋於板厚方向上貫通玻璃板,且未形成於雷射光之照射位置之移動軌跡之終端部。又,沿著雷射光之照射位置之移動軌跡之整體,於聚醯亞胺膜形成有直線狀之熱劣化部。聚醯亞胺膜係跨過裂紋,將隔著裂紋之兩側之玻璃連結。
其後,於自支持台拆卸複合板時,聚醯亞胺膜以直線狀之熱劣化部為中心略微彎折、變形。玻璃板之端部相應於該變形而彎折,從而將玻璃板之端部切斷。以此方式,切斷玻璃板。
繼而,以直線狀之熱劣化部為中心使聚醯亞胺膜彎折,沿著熱劣化部割斷聚醯亞胺膜。直線狀之熱劣化部係沿著玻璃板上之雷射光之照射位置之移動軌跡之整體而形成,故而,樹脂膜之切斷面與玻璃板之切斷面成為大致同一面。
以此方式,切斷複合板。複合板之切斷精度係以玻璃板上之實際切斷位置與直線狀之目標切斷位置之間之偏離寬度(以下,稱為
「玻璃板上之切斷之偏離寬度」)進行評價。評價係分為雷射光之照射位置之移動軌跡中之終端部與除此以外之部分進行。
實施例1係於雷射光之照射位置之移動軌跡中之終端部與除此以外之部分之兩部分,玻璃板上之切斷之最大偏離寬度為0mm。
實施例2係於聚醯亞胺薄膜(150mm見方,厚度38μm,荒川化學公司製造,商品名Pomiran)上附著聚醯亞胺聚矽氧黏著劑(厚度10μm,荒川化學公司製造,商品名H802),製成積層樹脂薄膜。將製成之積層樹脂薄膜之黏著劑側貼附於玻璃板上,製成複合板。
其次,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地照射雷射光,且使該雷射光之照射位置移動。又,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地供給冷媒,且使該冷媒之供給位置移動。
其結果,以初期裂紋為起點,沿雷射光之照射位置之移動軌跡,於玻璃板形成8條裂紋。各裂紋係於板厚方向上貫通玻璃板,且並未形成於雷射光之照射位置之移動軌跡之終端部。又,沿雷射光之照射位置之移動軌跡之整體,於積層樹脂薄膜形成直線狀之熱劣化部。積層樹脂薄膜係跨過裂紋,將隔著裂紋之兩側之玻璃連結。
其後,於自支持台拆卸複合板時,積層樹脂薄膜以直線狀之熱劣化部為中心而略微彎折、變形。玻璃板之端部相應於該變形而略微彎折,從而將玻璃板之端部切斷。以此方式,切斷玻璃板。
繼而,以直線狀之熱劣化部為中心使積層樹脂薄膜彎折,且沿熱劣化部割斷積層樹脂薄膜。直線狀之熱劣化部係沿著玻璃板上之雷射光之照射位置之移動軌跡之整體形成,故而積層樹脂薄膜之切斷面與玻璃板之切斷面成為大致同一面。
以此方式,切斷複合板。於雷射光之照射位置之移動軌跡中之終端部與除此以外之部分之兩部分,玻璃板上之切斷之最大偏離寬度
為0mm。
實施例3係準備包含作為基材之聚萘二甲酸乙二酯(PEN)薄膜(150mm見方,厚度50μm)、與丙烯酸黏著劑(厚度30μm)之積層樹脂薄膜(寺岡製作所製造,商品名635F)。將準備之積層樹脂薄膜之黏著劑側貼附於玻璃板上,製成複合板。
其次,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地照射雷射光,且使該雷射光之照射位置移動。又,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地供給冷媒,且使該冷媒之供給位置移動。
其結果,以初期裂紋為起點,沿雷射光之照射位置之移動軌跡,於玻璃板形成8條裂紋。各裂紋係於板厚方向上貫通玻璃板,且並未形成於雷射光之照射位置之移動軌跡之終端部上。又,沿雷射光之照射位置之移動軌跡之整體,於積層樹脂薄膜形成直線狀之熱劣化部。積層樹脂薄膜係跨過裂紋,將隔著裂紋之兩側之玻璃連結。
其後,於自支持台拆卸複合板時,積層樹脂薄膜以直線狀之熱劣化部為中心而略微彎折、變形。玻璃板之端部相應於該變形而彎折,從而將玻璃板之端部切斷。以此方式,切斷玻璃板。
繼而,以直線狀之熱劣化部為中心,使積層樹脂薄膜彎折,且沿熱劣化部切斷(割斷)積層樹脂薄膜。直線狀之熱劣化部係沿玻璃板上之雷射光之照射位置之移動軌跡之整體而形成,故而積層樹脂薄膜之切斷面與玻璃板之切斷面成為大致同一面。
以此方式,切斷複合板。於雷射光之照射位置之移動軌跡中之終端部與除此以外之部分之兩部分,玻璃板上之切斷之最大偏離寬度為0mm。
實施例4係準備環狀聚烯烴(COP)薄膜(150mm見方,厚度50
μm,ZEON公司製造,商品名ZF14)。藉由電暈放電而將準備之COP薄膜進行活性化處理,加熱貼合至玻璃板上,製成複合板。
其次,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地照射雷射光,且使該雷射光之照射位置移動。又,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地供給冷媒,且使該冷媒之供給位置移動。
其結果,以初期裂紋為起點,沿雷射光之照射位置之移動軌跡,於玻璃板形成8條裂紋。各裂紋係於板厚方向上貫通玻璃板,且並未形成於雷射光之照射位置之移動軌跡之終端部。又,沿雷射光之照射位置之移動軌跡之整體,於COP薄膜形成直線狀之熱劣化部。COP薄膜係跨過裂紋,將隔著裂紋之兩側之玻璃連結。
其後,於自支持台拆卸複合板時,COP薄膜以直線狀之熱劣化部為中心而略微彎折、變形。玻璃板之端部相應於該變形而彎折,從而將玻璃板之端部切斷。以此方式,切斷玻璃板。
繼而,以直線狀之熱劣化部為中心,使COP薄膜彎折,沿熱劣化部切斷(割斷)COP薄膜。直線狀之熱劣化部係沿玻璃板上之雷射光之照射位置之移動軌跡之整體而形成,故而COP薄膜之切斷面與玻璃板之切斷面成為大致同一面。
以此方式,切斷複合板。於雷射光之照射位置之移動軌跡中之終端部與除此以外之部分之兩部分,玻璃板上之切斷之最大偏離寬度為0mm。
實施例5係準備包含作為基材之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(厚度125μm)與丙烯酸黏著劑(厚度16μm)之積層樹脂薄膜(150mm見方,SOMAR公司製造,商品名Somatac PS-250WA)。將所準備之積層樹脂薄膜之黏著劑側貼附於玻璃板,製成複合板。
其次,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地照射雷射光,且使該
雷射光之照射位置移動。又,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地供給冷媒,且使該冷媒之供給位置移動。
其結果,以初期裂紋為起點,沿雷射光之照射位置之移動軌跡,於玻璃板形成8條裂紋。各裂紋係於板厚方向上貫通玻璃板,且並未形成於雷射光之照射位置之移動軌跡之終端部。又,沿雷射光之照射位置之移動軌跡之整體,於積層樹脂薄膜形成直線狀之熱劣化部。積層樹脂薄膜係跨過裂紋,將隔著裂紋之兩側之玻璃連結。
其後,於自支持台拆卸複合板時,積層樹脂薄膜以直線狀之熱劣化部為中心而略微彎折、變形。玻璃板之端部相應於該變形而彎折,從而將玻璃板之端部切斷。以此方式,切斷玻璃板。
繼而,將薄刀片插入至玻璃板與積層樹脂薄膜之界面,製成剝離起點,一面將玻璃板12保持平坦,一面使積層樹脂薄膜自剝離起點依序撓曲變形,將複數個玻璃單板短條一次性剝離。剝離強度為0.11N/25mm。
以此方式,切斷玻璃板。於雷射光之照射位置之移動軌跡中之終端部與除此以外之部分之兩部分,玻璃板上之切斷之最大偏離寬度為0mm。
實施例6係準備包含作為基材之聚醯亞胺薄膜(厚度為25μm)與丙烯酸黏著劑(厚度為22μm)之積層樹脂薄膜(150mm見方,3M公司製造,商品號7414)。將所準備之積層樹脂薄膜之黏著劑側貼附於玻璃板上,製成複合板。
其次,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地照射雷射光,且使該雷射光之照射位置移動。又,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地供給冷媒,且使該冷媒之供給位置移動。
其結果,以初期裂紋為起點,沿雷射光之照射位置之移動軌
跡,於玻璃板形成8條裂紋。各裂紋係於板厚方向上貫通玻璃板,且並未形成於雷射光之照射位置之移動軌跡之終端部。又,沿雷射光之照射位置之移動軌跡之整體,於積層樹脂薄膜形成直線狀之熱劣化部。積層樹脂薄膜係跨過裂紋,將隔著裂紋之兩側之玻璃連結
其後,於自支持台拆卸複合板時,積層樹脂薄膜以直線狀之熱劣化部為中心而略微彎折、變形。玻璃板之端部相應於該變形而彎折,從而將玻璃板之端部切斷。以此方式,切斷玻璃板。
繼而,將薄刀片插入至玻璃板與積層樹脂薄膜之界面,製成剝離起點,一面將玻璃板保持平坦,一面使積層樹脂薄膜自剝離起點依序撓曲變形,將複數個玻璃單板短條一次性剝離。剝離強度為0.69N/25mm。
以此方式,切斷玻璃板。於雷射光之照射位置之移動軌跡中之終端部與除此以外之部分之兩部分,玻璃板上之切斷之最大偏離寬度為0mm。
比較例1係進行未附著樹脂膜之150mm見方之玻璃板之切斷。具體而言,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地照射雷射光,且使該雷射光之照射位置移動。又,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地供給冷媒,且使該冷媒之供給位置移動。
其結果,以初期裂紋為起點,沿雷射光之照射位置之移動軌跡,於玻璃板形成8條裂紋。各裂紋係於板厚方向上貫通玻璃板,且並未形成於雷射光之照射位置之移動軌跡之終端部。
其後,於自支持台拆卸玻璃板時,玻璃板撓曲,且因其之應力,裂紋在未預期之方向上伸展。
比較例1係於玻璃板上之雷射光之照射位置之移動軌跡中之終端部,切斷之最大偏離寬度為1mm~3mm。又,於玻璃板上之雷射光
之照射位置之移動軌跡中之終端部以外之部分,切斷之最大偏離寬度為1mm左右。
比較例2係將聚醯亞胺膜之膜厚設為0.5μm,除此之外,與實施例1同樣地製成複合板。
其次,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地照射雷射光,且使該雷射光之照射位置移動。又,與實施例1同樣地,對玻璃板局部地供給冷媒,且使該冷媒之供給位置移動。
其結果,以初期裂紋為起點,沿雷射光之照射位置之移動軌跡,於玻璃板形成8條裂紋。各裂紋係於板厚方向上貫通玻璃板,且並未形成於雷射光之照射位置之移動軌跡之終端部。另一方面,將聚醯亞胺膜沿雷射光之照射位置之移動軌跡之整體進行切斷。
其後,於自支持台拆卸複合板時,玻璃板撓曲,且因其之應力,裂紋在未預期之方向上伸展。以此方式,切斷複合板。
於玻璃板上之雷射光之照射位置之移動軌跡中之終端部,切斷之最大偏離寬度為1mm~3mm。又,於玻璃板上之雷射光之照射位置之移動軌跡中之終端部以外之部分,切斷之最大偏離寬度為1mm左右。
將實施例1~3、及比較例1~2之結果總結於表1~表3中。
根據表1~表3而明確以下情況。於進行用以切斷玻璃板之雷射掃描時,玻璃板上附著有樹脂膜且所附著之樹脂膜未切斷之實施例1~5係與比較例1~2相比,玻璃板之切斷精度良好。又,藉由移動玻璃板上之雷射光之照射位置而沿移動軌跡於樹脂膜形成線狀之熱劣化部之實施例1~5係與比較例1~2相比,雷射光之照射位置之移動軌跡之終端部即玻璃板之端部之切斷精度良好。
以上,透過實施形態等說明了複合板之切斷方法、及玻璃板之切斷方法,但本發明並不限定於上述實施形態等,於申請專利範圍記載之範圍內,可進行各種變形及改良。
本申請案係主張基於2012年8月21日於日本專利廳提出申請之日本專利特願2012-182656號之優先權者,且將日本專利特願2012-182656號之全部內容引用至本申請案中。
10‧‧‧複合板
12‧‧‧玻璃板
12a‧‧‧雷射照射面
14‧‧‧樹脂膜
20‧‧‧雷射光
30‧‧‧初期裂紋
31‧‧‧裂紋
40‧‧‧冷媒
50‧‧‧噴嘴
121、122‧‧‧玻璃
143‧‧‧熱劣化部
Claims (14)
- 一種複合板之切斷方法,其係包含厚度為200μm以下之玻璃板、及形成於該玻璃板上之樹脂膜之複合板之切斷方法,且包含以下步驟:對上述複合板之上述玻璃板局部地照射雷射光,以玻璃之緩冷點以下之溫度局部地加熱上述玻璃板,使上述雷射光於上述玻璃板上之照射位置移動,且沿著移動軌跡,使於厚度方向上貫通上述玻璃板之裂紋伸展,於該步驟中,上述樹脂膜跨過上述裂紋,將隔著上述裂紋之兩側之玻璃連結,且於該步驟後切斷上述樹脂膜。
- 如請求項1之複合板之切斷方法,其中上述步驟係於使上述雷射光於上述玻璃板上之照射位置移動時,沿著移動軌跡,於上述樹脂膜形成線狀之熱劣化部。
- 如請求項2之複合板之切斷方法,其中藉由以上述線狀之熱劣化部為中心使上述樹脂膜彎折,而將上述移動軌跡之終端部即上述玻璃板之端部切斷。
- 如請求項2或3之複合板之切斷方法,其中藉由以上述線狀之熱劣化部為中心使上述樹脂膜彎折,而沿上述熱劣化部將上述樹脂膜切斷。
- 如請求項1至4中任一項之複合板之切斷方法,其中於上述步驟中,對上述玻璃板自上述樹脂膜側之相反側照射上述雷射光。
- 如請求項1至5中任一項之複合板之切斷方法,其更包含於上述玻璃板上形成作為於厚度方向上貫通上述玻璃板之裂紋之起點之初期裂紋之步驟。
- 如請求項1至6中任一項之複合板之切斷方法,其中利用冷媒局部地冷卻上述複合板之上述玻璃板,且使冷媒於上述玻璃板上 之供給位置與上述玻璃板中之雷射光之照射位置連動地移動。
- 一種玻璃板之切斷方法,其係厚度為200μm以下之玻璃板之切斷方法,且包含以下步驟:對包含該玻璃板及形成於該玻璃板上之樹脂膜之複合板之上述玻璃板局部地照射雷射光,以玻璃之緩冷點以下之溫度局部地加熱上述玻璃板,使上述雷射光於上述玻璃板上之照射位置移動,且沿著移動軌跡,使於厚度方向上貫通上述玻璃板之裂紋伸展,於該步驟中,上述樹脂膜跨過上述裂紋,將隔著上述裂紋之兩側之玻璃連結。
- 如請求項8之玻璃板之切斷方法,其中上述步驟係於使上述雷射光於上述玻璃板上之照射位置移動時,沿著移動軌跡,於上述樹脂膜形成線狀之熱劣化部,於上述步驟後,藉由以上述線狀之熱劣化部為中心將上述樹脂膜彎折,而將上述移動軌跡之終端部即上述玻璃板之端部切斷。
- 如請求項8或9之玻璃板之切斷方法,其中於未切斷上述樹脂膜之狀態下,將上述樹脂膜與上述玻璃板剝離。
- 如請求項8至10中任一項之玻璃板之切斷方法,其中於上述步驟中,對上述玻璃板自上述樹脂膜側之相反側照射上述雷射光。
- 如請求項8至11中任一項之玻璃板之切斷方法,其更包含於上述玻璃板形成作為於厚度方向上貫通上述玻璃板之裂紋之起點之初期裂紋之步驟。
- 如請求項8至12中任一項之玻璃板之切斷方法,其中於上述步驟中,利用冷媒局部地冷卻上述玻璃板,且使冷媒於上述玻璃板上之供給位置與上述玻璃板中之雷射光之照射位置連動地移 動。
- 一種複合板之切斷片,其係藉由如請求項1至7中任一項之複合板之切斷方法而獲得者,且包含玻璃板及與該玻璃板結合之樹脂膜,藉由切斷而獲得之玻璃板之切斷面與藉由切斷而獲得之樹脂膜之切斷面齊平。
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