TW201411691A - 疊對標記及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

一種疊對標記的形成方法，包括在基底上形成多條光阻圖案。每一光阻圖案包括第一條狀物以及並排的多個第二條狀物。所述第一條狀物與所述第二條狀物交錯而呈柵狀，並且相鄰的兩個光阻圖案之間有空隙，且所述空隙呈柵狀。接著，在每一空隙中形成多個島狀物，以形成網點帶狀圖案。之後，移除所述光阻圖案，留下所述的網點帶狀圖案做為所述疊對標記。

Description

疊對標記及其形成方法
本發明是有關於一種疊對標記及其形成方法。
為因應電子產品輕、薄、短、小之需求，電子元件的尺寸逐漸縮小。然而，由於曝光機台的研發速度遠不及市場需求尺寸縮小的速度，因而，目前有一種雙重圖案化製程(double patterning process)被提出來。雙重圖案化製程是以現有機台曝出具有較大尺寸的光阻圖案，再於光阻圖案的側壁形成寬度較窄的間隙壁。之後，再將光阻層移除。由於間隙壁的寬度可以依據實際需要透過蝕刻製程而調整成所需尺寸，因此，留下的間隙壁可以做為蝕刻的罩幕來形成所需的圖案尺寸。
目前的疊對標記是由四個條狀(bar)光阻層所構成。由於雙重圖案化製程會將光阻層移除，因此，疊對標記處僅會留下環繞於四個條狀光阻層周圍的環狀間隙壁。環狀間隙壁所佔的面積小，無法提供足夠的對比，因此其訊號非常弱，而不易於對準。
本發明提供一種疊對標記，可以提供足夠的對比，增加訊號的強度，以易於對準。
本發明提供一種疊對標記的形成方法，可以適於現有的雙重圖案化製程。
本發明提出一種疊對標記的形成方法，包括在基底上形成多條光阻圖案。每一光阻圖案包括第一條狀物以及並排的多個第二條狀物。所述第一條狀物與所述第二條狀物交錯而呈柵狀，並且相鄰的兩個光阻圖案之間有空隙，且所述空隙呈柵狀。接著，在每一空隙中形成多個島狀物，以形成網點帶狀圖案。之後，移除所述光阻圖案，留下所述的網點帶狀圖案做為所述疊對標記。
依照本發明一實施例所述，上述島狀物的形成方法包括在所述基底上形成間隙壁材料層，接著，非等向性蝕刻所述間隙壁材料層，以在每一空隙中的光阻圖案的側壁上形成多個間隙壁，以做為所述島狀物。每一間隙壁的寬度大於或等於所對應之相鄰兩個第二條狀物之間的間距的1/2。
依照本發明一實施例所述，上述每一光阻圖案之所述第二條狀物與所述第一條狀物之間具有多個第一間隙，相鄰的兩個光阻圖案的每一第二條狀物彼此相對應且彼此之間具有一第二間隙，其中所述島狀物的形成方法包括在所述基底上形成一間隙壁材料層，接著，非等向性蝕刻所述間隙壁材料層，以在所述第一間隙之中的所述光阻圖案的側壁上形成多個第一間隙壁，在所述 第二間隙之中的所述光阻圖案的側壁上形成多個第二間隙壁。每一第一間隙壁的寬度大於每一第一間隙的寬度的1/2，使所述第一間隙壁填滿第一間隙的底部。每一第二間隙壁的寬度大於每一第二間隙的寬度的1/2，使所述第二間隙壁填滿第二間隙的底部。
依照本發明一實施例所述，上述島狀物的材料包括氮化矽(Si3N4)或氧化矽(SiO4)。
本發明又提出一種疊對標記的形成方法，包括在基底上形成多條光阻圖案。每一光阻圖案中具有多個間隙。在所述基底上形成間隙壁材料層，覆蓋所述光阻圖案並且填入於所述間隙之中。接著，非等向性蝕刻所述間隙壁材料層，以在每一間隙中的光阻圖案的側壁上形成多個間隙壁。所述間隙壁構成多個島狀物。每一間隙壁的寬度大於或等於所對應之間隙的寬度的1/2。
依照本發明一實施例所述，上述島狀物的材料包括氮化矽(Si3N4)或氧化矽(SiO4)。
本發明還提出一種疊對標記的形成方法，包括在基底上形成多條光阻圖案。相鄰兩個光阻圖案有多個相對應的部分，所述相對應的部分之間具有多個間隙。在所述基底上形成間隙壁材料層，以覆蓋所述光阻圖案並且填入於所述間隙之中。接著，非等向性蝕刻所述間隙壁材料層，以在每一間隙中的光阻圖案的側壁上形成多個間隙壁。所述間隙壁構成多個島狀物。每一間隙壁的寬度大於或等於所對應之間隙之間的寬度的1/2。
依照本發明一實施例所述，上述島狀物的材料包括氮化 矽(Si3N4)或氧化矽(SiO4)。
本發明還提出一種疊對標記，包括多數條網點帶狀圖案，每一條網點帶狀圖案包括至少三行。奇數行分別具有多數個第一島狀物，以第一間距排列。偶數行分別具有多數個第二島狀物，以一第二間距排列，且所述第二島狀物與所述第一島狀物彼此錯開。
依照本發明一實施例所述，上述第一間距與第二間距相同。
基於上述，本發明實施例之疊對標記，可以提供足夠的對比，增加訊號的強度，非常易於對準。
本發明提供一種疊對標記的形成方法，可以適於現有的雙重圖案化製程。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10‧‧‧基底
12‧‧‧光阻圖案
14a‧‧‧第一間隙
14b‧‧‧第二間隙
16‧‧‧空隙
18‧‧‧間隙壁材料層
20a‧‧‧第一間隙壁/第一島狀物
20b‧‧‧第二間隙壁/第二島狀物
30‧‧‧第一條狀物
40‧‧‧第二條狀物
50‧‧‧網點帶狀圖案
50a‧‧‧第一組網點帶狀圖案
50b‧‧‧第二組網點帶狀圖案
50c‧‧‧第三組網點帶狀圖案
50d‧‧‧第四組網點帶狀圖案
60a‧‧‧第一島狀物
60b‧‧‧第二島狀物
100‧‧‧疊對標記
W1、W2‧‧‧寬度
D1、D2、D3、D4‧‧‧間距
圖1A至圖1D是繪示本發明實施例之一種疊對標記的形成方法的上視圖。
圖2A繪示圖1C中切線I-I的剖面圖。
圖2B繪示圖1C中切線II-II的剖面圖。
圖3繪示本發明實施例之疊對標記的上視圖。
圖1A至圖1D是繪示本發明實施例之一種疊對標記的形成方法的上視圖。圖2A繪示圖1C中切線I-I的剖面圖。圖2B繪示圖1C中切線II-II的剖面圖。
請參照圖1A，本發明之疊對標記的形成方法是在基底10上形成多數條光阻圖案12。每一光阻圖案12中具有多個第一間隙14a。在一實施例中，每一光阻圖案12包括第一條狀物30以及多個第二條狀物40。第二條狀物40並排成一行，且第一條狀物30與第二條狀物40交錯而呈柵狀。第二條狀物40與第一條狀物30之間具有多個第一間隙14a。相鄰的兩個光阻圖案12的每一第二條狀物40彼此相對應且彼此之間具有第二間隙14b，且使得相鄰的兩個光阻圖案12之間的空隙16亦呈柵狀。
接著，請參照圖1B，在基底10上形成間隙壁材料層18，以覆蓋所光阻圖案12並且填入於空隙16之中，亦即第一間隙14a與第二間隙14b之中。間隙壁材料層18的材料例如是氮化矽(Si3N4)或氧化矽(SiO4)。間隙壁材料層18的形成方法例如是旋轉塗佈法、低溫化學氣相沉積法(LTD)。
之後，請參照圖1C、圖2A與圖2B，非等向性蝕刻間隙壁材料層18，以在每一空隙16的第一間隙14a與第二間隙14b中的光阻圖案12的側壁上形成多個第一間隙壁20a與第二間隙壁20b。第一間隙壁20a的寬度大於或等於所對應之第一間隙14a的寬度W1(同一光阻圖案12中相鄰的兩個第二條狀物40之間的間 距)的1/2，使得第一間隙壁20a填滿第一間隙14a的底部而形成多個第一島狀物60a。第二間隙壁20b的寬度大於或等於所對應之第二間隙14b的寬度W2(相鄰兩個光阻圖案12之相鄰的兩個第二條狀物40之間的間距)的1/2，使得第二間隙壁20b填滿第二間隙14b的底部而形成多個第二島狀物60b。非等向性蝕刻間隙壁材料層18的方法例如是乾蝕刻法。
其後，請參照圖1D，移除光阻圖案12，留下的第一島狀物60a與第二島狀物60b呈多條網點帶狀圖案50，以做為疊對標記。
上述的第一條狀物30與第二條狀物40是以長條狀的矩形來說明，因此，所形成的第一島狀物60a與第二島狀物60b亦呈矩形。然而，本發明構成疊對標記的第一島狀物60a與第二島狀物60b的形狀，並不以矩形為限。只要改變光阻圖案12的間隙的形狀，第一島狀物60a與第二島狀物60b可以是具有規則的形狀，也可以是具有不規則的形狀。規則的形狀如圓形、正方形、長方形、其他的多角形。
圖3繪示本發明實施例之疊對標記的上視圖。
請參照圖3，本發明之疊對標記100包括多條網點帶狀圖案50。在一實施例中，疊對標記100包括四組網點帶狀圖案50a、50b、50c、50d。第一組網點帶狀圖案50a與第二組網點帶狀圖案50b在第一個方向Y延伸，且彼此之間有一間距D1。第三組網點帶狀圖案50c與第四組網點帶狀圖案50d在第二個方向X延伸， 且彼此之間有一間距D2。第一組網點帶狀圖案50a、第二組網點帶狀圖案50b、第三組網點帶狀圖案50c與第四組網點帶狀圖案50d排列成矩形。
在一實施例中，上述圖3中每一組的網點帶狀圖案50a、50b、50c、50d中的每一條網點帶狀圖案50包括三行(如圖1D所示)。請參照圖1D，奇數行分別具有多個第一島狀物60a，以第一間距D3排列。偶數行分別具有多個第二島狀物60b，以第二間距D4排列，且所述第二島狀物60b與所述第一島狀物60a彼此錯開。在一實施例中，第一間距D3與第二間距D4相同。每一第一島狀物60a與第二島狀物60b可以是具有規則的形狀，也可以是具有不規則的形狀。規則的形狀如圓形、正方形、長方形、其他的多角形。
本發明之疊對標記是由多組網點帶狀圖案組成，且每一網點帶狀圖案的島狀物具有相當大的底部，因此可以提供足夠的對比，增加訊號的強度，因此，非常易於對準。此外，本發明之疊對標記的網點帶狀圖案是在光阻圖案的側壁形成間隙壁而成，因此，其製程方法非常適於現有的雙重圖案化製程。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
50‧‧‧網點帶狀圖案
60a‧‧‧第一島狀物
60b‧‧‧第二島狀物
D3、D4‧‧‧間距

Claims (10)

  1. 一種疊對標記的形成方法，包括：在一基底上形成多數條光阻圖案，每一所述光阻圖案包括一第一條狀物以及並排的多數個第二條狀物，所述第一條狀物與所述第二條狀物交錯而呈柵狀，並且相鄰的兩個光阻圖案之間有一空隙，且所述空隙呈柵狀；在每一空隙中形成多數個島狀物，以形成一網點帶狀圖案；以及移除所述光阻圖案，留下所述的網點帶狀圖案做為所述疊對標記。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之疊對標記的形成方法，其中所述島狀物的形成方法包括：在所述基底上形成一間隙壁材料層；以及非等向性蝕刻所述間隙壁材料層，以在每一空隙中的光阻圖案的側壁上形成多數個間隙壁，以做為所述島狀物，每一所述間隙壁的寬度大於或等於所對應之相鄰兩個第二條狀物之間的間距的1/2。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之疊對標記的形成方法，其中每一所述光阻圖案之所述第二條狀物與所述第一條狀物之間具有多數個第一間隙，相鄰的兩個光阻圖案的每一第二條狀物彼此相對應且彼此之間具有一第二間隙，其中所述島狀物的形成方法包括：在所述基底上形成一間隙壁材料層；以及非等向性蝕刻所述間隙壁材料層，以在所述第一間隙之中的所述光阻圖案的側壁上形成多數個第一間隙壁，在所述第二間隙之中的所述光阻圖案的側壁上形成多數個第二間隙壁，其中每一所述第一間隙壁的寬度大於每一所述第一間隙的寬度的 1/2，使所述第一間隙壁填滿第一間隙的底部；以及每一所述第二間隙壁的寬度大於每一所述第二間隙的寬度的1/2，使所述第二間隙壁填滿第二間隙的底部。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之疊對標記的形成方法，其中所述島狀物的材料包括氮化矽(Si3N4)或氧化矽(SiO4)。
  5. 一種疊對標記的形成方法，包括：在一基底上形成多數條光阻圖案，每一所述光阻圖案中具有多數個間隙；在所述基底上形成一間隙壁材料層，覆蓋所述光阻圖案並且填入於所述間隙之中；以及非等向性蝕刻所述間隙壁材料層，以在每一間隙中的光阻圖案的側壁上形成多數個間隙壁，所述間隙壁構成多數個島狀物，其中每一所述間隙壁的寬度大於或等於所對應之間隙的寬度的1/2。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之疊對標記的形成方法，其中所述島狀物的材料包括氮化矽(Si3N4)或氧化矽(SiO4)。
  7. 一種疊對標記的形成方法，包括：在一基底上形成多數條光阻圖案，相鄰兩個光阻圖案有多數個相對應的部分，所述相對應的部分之間具有多數個間隙；在所述基底上形成一間隙壁材料層，覆蓋所述光阻圖案並且填入於所述間隙之中；以及非等向性蝕刻所述間隙壁材料層，以在每一隙中的光阻圖案的側壁上形成多數個間隙壁，所述間隙壁構成多數個島狀物，其中每一所述間隙壁的寬度大於或等於所對應之間隙之間的寬度的1/2。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之疊對標記的形成方法，其 中所述島狀物的材料包括氮化矽(Si3N4)或氧化矽(SiO4)。
  9. 一種疊對標記，包括：多數條網點帶狀圖案，每一條網點帶狀圖案包括至少三行，其中奇數行分別具有多數個第一島狀物，以一第一間距排列；偶數行分別具有多數個第二島狀物，以一第二間距排列，且所述第二島狀物與所述第一島狀物彼此錯開。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之疊對標記，其中所述第一間距與所述第二間距相同。
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