TW201411293A - 曝光裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之曝光裝置之構成上包括有：透明基板；曝光光源，係配置於該透明基板上而放射曝光光線；連接端子，係夾著該曝光光源而積層、配置於與該透明基板成為相反側處；以及驅動電極，係將該曝光光源與該連接端子加以電性連接。如此般使得曝光光源與連接端子相對於基板積層、配置於上下方向，可於基板上綿密地配置曝光光源。

Description

曝光裝置

本發明係關於一種對於曝光對象物進行曝光之曝光裝置、詳而言之係關於一種藉由使得曝光光源與連接端子相對於基板來積層配置於上下方向以讓曝光光源密接配置於基板上之曝光裝置。

以往，曝光裝置之構成上包含有在基板上二維配置複數發光元件(曝光光源)而成之發光元件陣列晶片。如此之曝光裝置之發光元件陣列晶片的形狀係包含2個長邊與2個短邊，各長邊與各短邊相互成為銳角或是鈍角而構成平行四邊形，連接於一個共通電極之複數前述發光元件係於前述長邊方向排列成複數列且於前述短邊方向排列成複數列以形成1個區段(segment)，前述區段沿著前述長邊方向來複數排列以形成1個區塊(block)，前述區塊沿著前述長邊方向來複數排列以形成發光元件陣列，並具有將屬於互異前述區段之複數前述發光元件彼此加以電性連接的配線，於前述配線形成有引線接合用電極焊墊(連接端子)，而位於前述發光元件陣列晶片端部之對應於前述區塊的前述電極焊墊係設置在用以規定前述發光元件陣列晶片之形狀的前述長邊與前述短邊形成銳角部位的該長邊側處(例如參見日本特開2008-227467號公報)。藉由採用如此之構成，前述曝光裝置可達成充分活用將發光元件陣列晶片之形狀做成(非長方形)之平行四邊形而得區域的構裝，可實現高密度LED陣列光源。

但是，於前述以往之曝光裝置，由於曝光光源與連接端子係在同一基板上配置於和基板平行的方向上，故可配置於基板上之曝光光源數量會因為連接端子之存在而受限。因此，若不變更曝光光線之強度或曝光時間， 以往之曝光裝置要進一步小型化有其困難。

是以，因應於如此之問題，本發明所欲解決之課題乃提供一種可於基板上綿密配置曝光光源之曝光裝置。

為了解決前述課題，本發明之曝光裝置，其構成上包括有：透明基板；曝光光源，係配置於該透明基板上而放射曝光光線；連接端子，係夾著該曝光光源而積層、配置於與該透明基板成為相反側處；以及驅動電極，係將該曝光光源與該連接端子加以電性連接。

依據如此之曝光裝置，藉由使得連接端子夾著曝光光源而積層、配置於與透明基板成為相反側處，可將曝光光源與連接端子相對於透明基板積層、配置於上下方向。從而，可配置於基板上之曝光光源數量不會因為連接端子之存在而受限，可綿密地配置曝光光源。

1‧‧‧透明基板

2‧‧‧曝光光源

3‧‧‧連接端子

4‧‧‧驅動電極

5‧‧‧驅動電極基板

6‧‧‧接地電極

7‧‧‧接地(GND)配線

8‧‧‧基本圖案

9‧‧‧微透鏡

10‧‧‧聚光可能區域

圖1係顯示本發明曝光裝置之實施形態的截面圖。

圖2係顯示於前述曝光裝置之透明基板所形成之基本圖案的仰視圖。

圖3係顯示前述基本圖案於前述透明基板之配置的仰視圖。

圖4係顯示前述曝光裝置之微透鏡與前述曝光光源之位置關係的俯視圖。

圖5係顯示前述曝光光源之配置的實施例之俯視圖。

圖6係顯示前述曝光光源之配置個數N為3之情況的俯視圖。

圖7係顯示前述曝光光源之配置個數N為4之情況的俯視圖。

圖8係顯示前述曝光光源之配置個數N為5之情況的俯視圖。

以下，基於圖1~圖4來說明本發明之第1實施形態。

此曝光裝置乃一邊搬送基板或薄膜等曝光對象物一邊進行曝光者，如圖1所示般，構成上包含有：透明基板1、曝光光源2、連接端子3、驅動電極4、接地電極6。

透明基板1相對於可見光線或紫外線等光線為透明之基板，係由板狀藍寶石所形成。從曝光光源2放射之曝光光線A係通過此透明基板1而照射到曝光對象物(圖示省略)。

於透明基板1上配置有曝光光源2。曝光光源2乃經通電而放射曝光光線A之光源，使用發光二極體(LED)。曝光光源2之俯視形狀如圖2所示般可形成為略長方形(包含正方形)。

如圖1所示般，夾著曝光光源2而於透明基板1之相反側有連接端子3相對於透明基板1積層、配置於上下方向上。連接端子3係用以將控制曝光光源2之發光(曝光光線A之放射)的控制電路(圖示省略)與曝光光源2加以連接之端子，係和複數曝光光源2電性連接著。連接端子3可由焊料等來形成，例如連接端子3可使用焊球。從前述控制電路傳送之曝光光源2之控制訊號係經由連接端子3而輸入到曝光光源2。

於曝光光源2與連接端子3之間設有驅動電極4。驅動電極4係用以將曝光光源2與連接端子3進行電性連接之電極，可為例如LED之P電極。如圖1所示般，驅動電極4之上面係和連接端子3之下面接觸，驅動電極4之下面係和曝光光源2之上面接觸。經由連接端子3所輸入之曝光光源2之控制訊號係經由驅動電極4而傳送到曝光光源2。驅動電極4係被埋設在由絕緣性物質所形成之驅動電極基板5中，驅動電極4與驅動電極基板5係以使得前述驅動電極4之上面與前述驅動電極基板5之上面形成為同一平面的方式來一體化形成。藉此，可輕易地於驅動電極4上形成連接端子3。驅動電極基板5能以玻璃、塑膠、藍寶石等所形成，但不限於此等材質。此外，驅動電極基板5以相對於可見光乃透明形成者為佳。藉此，可從驅動電極基板5之上方利用攝像機構(圖示省略)來對於曝光對象物進行攝像，可對準曝光位置。

於透明基板1上形成有接地電極6。接地電極6係用以將曝光光源2連接至配線於透明基板1上之接地(GND)配線7(參見圖2)的電極，例如可為LED之N電極。輸入曝光光源2之控制訊號係經由接地電極6而傳遞到接地配線7。

圖2係顯示從圖1下方觀看圖1所示曝光光源2之周邊部分之際的基本圖案8的仰視圖。如圖2所示般，於透明基板1形成有基本圖案8。此基 本圖案8係由曝光光源2、連接端子3、驅動電極4、接地電極6以及接地配線7所形成。更詳細而言，基本圖案8係藉由複數曝光光源2(於一直線上以既定間隔配置著)、1個連接端子3(連接著此等複數曝光光源2)、1個驅動電極4(將複數曝光光源2以及1個連接端子3分別加以連接)、複數接地電極6(複數曝光光源2分別連接著)、以及複數接地配線7(複數接地電極6分別連接著)所形成。如前面所說明般，曝光光源2與連接端子3相對於透明基板1係積層、配置於上下方向，故於圖2中，連接端子3成為位於曝光光源2之背面。與1個連接端子3相連接之曝光光源2數量可任意設定，也可設定為1個。接地配線7以和複數曝光光源2之配置排列成為大致平行配線為佳。藉此，可精簡化形成基本圖案8。

以此方式形成之基本圖案8係如圖3所示般複數配置於透明基板1。基本圖案8係以個別基本圖案8中曝光光源2之配置成為直線狀的方式於圖3之橫向以既定間隔來複數列配置著。此外，基本圖案8係於圖3之縱向複數行配置。於圖3上下相鄰之基本圖案8係共有上側基本圖案8之下側接地配線7以及下側基本圖案8之上側接地配線7。藉此，可減少接地配線7之線數。

本發明之曝光裝置如圖4所示般進而包含微透鏡9。微透鏡9乃使得從曝光光源2所放射之曝光光線A聚光於曝光對象物上之透鏡。微透鏡9係以可利用1個透鏡而將來自複數光源之曝光光線A加以聚光的方式相對於複數曝光光源2配置為一。亦即，如圖4所示般，於微透鏡9之聚光可能區域10內配置複數曝光光源2。此外，圖4中係省略了接地電極6以及接地配線7。

依據本實施形態，曝光裝置由於構成上包括有透明基板1、曝光光源2(配置於透明基板1上而放射曝光光線A)、連接端子3(夾著曝光光源2而在透明基板1之相反側來積層配置著)、以及驅動電極4(將曝光光源2與連接端子3加以電性連接)，故可配置於透明基板1上之曝光光源2數量不會因為連接端子3之存在而受限，可綿密地配置曝光光源2。藉此，由於可減少為了配置既定數量曝光光源2所需透明基板1之面積，乃無須變更曝光光線之強度或曝光時間即可使得曝光裝置小型化。

此外依據本實施形態，由於驅動電極4係配置於曝光光源2與連接端子3之間，故曝光光源2發光時所產生之熱可朝驅動電極4做放熱。此外，由於從曝光光源2朝曝光對象物之相反側(亦即圖1上方)放射之曝光光線之至少一部分會於驅動電極4被反射而照射到曝光對象物，可提高從曝光光源2所放射之曝光光線A的使用效率。

此外依據本實施形態，由於對於1個連接端子3電性連接著複數曝光光源2，而可減少必要之連接端子3數量來使得曝光裝置小型化。

此外依據本實施形態，由於構成上包含有將曝光光源2所放射之曝光光線A加以聚光之微透鏡9，可正確地控制曝光光線A對於曝光對象物之曝光位置。此外，可提高曝光位置處的曝光強度。

此外依據本實施形態，由於利用1個微透鏡9將從複數曝光光源2所放射之曝光光線A加以聚光，而可減少必要之微透鏡9數量，藉此使得曝光裝置小型化。

此外依據本實施形態，透明基板1由於係以藍寶石所形成，而可輕易地形成作為曝光光源2之LED。

此外，於以上說明中，透明基板1係以藍寶石所形成，而曝光光源2係使用了LED，但本發明不限於此。例如，透明基板1亦可利用藍寶石或是玻璃來形成，曝光光源2亦可使用LED、雷射二極體或是有機EL。

其次，針對曝光光源2之配置的實施例，參見圖5~圖8做詳細說明。

如圖5所示般，曝光光源2係於透明基板1上以形成(N+1)行N列之矩陣的方式來配置。此矩陣係由：相對於曝光對象物之搬送方向B(圖5之箭頭方向)在垂直方向上排列之曝光光源2之行R、以及相對於搬送方向B以既定角度傾斜排列之曝光光源2之列C所構成。此外，本說明書中N表示2以上之整數。

曝光光源2之行R係由N個曝光光源2所構成，個別之曝光光源2係各以曝光光源2之寬度W之1/N(亦即W/N)取出間隔來配置著。於透明基板1上以此方式所形成之行R係沿著搬送方向B以(N+1)行配置著。個別的行R係以既定間隔來平行配置，例如能以等間隔來配置。

曝光光源2之列C係由(N+1)個曝光光源2所構成，相鄰之曝光光源2係對於與搬送方向B成為垂直之方向上以曝光光源2之寬度W的1/N(亦即 W/N)錯開一定方向來配置著。從而，當曝光光源2之行R以等間隔配置之情況，曝光光源2之列C相對於搬送方向B係配置於以既定角度傾斜之直線上。於透明基板1上以此方式形成之列C係在與搬送方向B成為垂直之方向上配置N列。個別列C之間隔係和構成曝光光源2之行R的曝光光源2之間隔相等，為曝光光源2之寬度W的1/N。

例如，當N為3之情況，如圖6所示般，曝光光源2係形成4行3列的矩陣。構成行R之曝光光源2係各以曝光光源2之寬度W的1/3來取出間隔而配置著。此外，構成列C之曝光光源2係相對於與搬送方向B成為垂直之方向上各以曝光光源2之寬度W的1/3錯開一定方向而配置著。

此外，當N為4之情況，如圖7所示般，曝光光源2係形成5行4列之矩陣。構成行R之曝光光源2係各以W/4取出間隔來配置著。此外，構成列C之曝光光源2相對於和搬送方向B成為垂直之方向各以W/4錯開一定方向來配置著。

再者，當N為5之情況，如圖8所示般，曝光光源2係形成6行5列之矩陣。構成行R之曝光光源2各以W/5取出間隔來配置著。此外，構成列C之曝光光源2係相對於和搬送方向B成為垂直之方向各以W/5錯開一定方向而配置著。

藉由如此之構成，可將複數曝光光源2在透明基板1上相互絕緣地進行配置，且能以曝光光源2之寬度W的1/N之分解能力以無間隙方式對曝光對象物進行曝光。亦即，可將曝光裝置之分解能力設定為1/N像素。

此外，於本實施例，針對N為3、4、5之情況做了說明，但N只要為2以上之整數即可，亦可為6以上之整數。此外，亦可使得曝光光源2之(N+1)行N列之矩陣成為1個單元來將該單元複數配置於透明基板1上。再者，本實施例之曝光光源2之配置不限於本發明般將曝光光源2與連接端子3做積層配置之曝光裝置，亦可適用於曝光光源2與連接端子3係於同一基板上朝和基板成為平行之方向上形成之曝光裝置。

1‧‧‧透明基板

2‧‧‧曝光光源

3‧‧‧連接端子

4‧‧‧驅動電極

5‧‧‧驅動電極基板

6‧‧‧接地電極

Claims (7)

1. 一種曝光裝置，其構成上包括有：透明基板；曝光光源，係配置於該透明基板上而放射曝光光線；連接端子，係夾著該曝光光源而積層、配置於與該透明基板成為相反側處；以及驅動電極，係將該曝光光源與該連接端子加以電性連接。
2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中該驅動電極係配置於該曝光光源與該連接端子之間。
3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中複數之該曝光光源係對於1個該連接端子呈電性連接。
4. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，係進一步包含將該曝光光源所放射之曝光光線加以聚光之微透鏡。
5. 如申請專利範圍第4項之曝光裝置，係藉由1個該微透鏡來將複數該曝光光源所放射之曝光光線加以聚光。
6. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中該透明基板係由藍寶石所形成。
7. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中該曝光光源係由發光二極體、雷射二極體或是有機EL所構成。