TW201411207A - 雙纖衣晶體光纖及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種雙纖衣晶體光纖及其製作方法，其利用一雷射加熱基座生長法將一石榴石晶體或一藍寶石晶體之單晶棒提拉為一預定直徑之晶體光纖，將晶體光纖置入於一內纖衣玻璃毛細管中，利用雷射加熱基座生長法加熱內纖衣玻璃毛細管以軟化熔融包覆於晶體光纖之外層，而生長成一單纖衣晶體光纖，將單纖衣晶體光纖置入於一外纖衣玻璃毛細管中，利用雷射加熱基座生長法加熱外纖衣玻璃毛細管以軟化熔融包覆於單纖衣晶體光纖之外層，而生長成一雙纖衣晶體光纖，則，本發明應用在高功率雷射時，可以使用纖衣激發方式，讓高功率激發雷射耦合到內纖衣層，可有效改善高功率雷射的散熱以及效率問題。

Description

雙纖衣晶體光纖及其製作方法
　　本發明有關於一種雙纖衣晶體光纖，尤指一種可應用在高功率光纖雷射、高功率光纖寬頻光源或高功率光纖放大器上之雙纖衣晶體光纖結構。
　　目前市面上的固態雷射技術主要使用塊材晶體作為增益介質，並且在塊材晶體之中摻雜主動離子。然，使用塊材晶體作為增益介質往往離子的摻雜濃度必須較高，以致容易產生熱負載(thermal loading)、淬熄(quenching)或能量交換上轉移(energy transfer up-conversion)等不良效應，而降低光學效率。
　　昔用技術如美國專利US 4,815,079，描述應用在高功率光纖雷射的雙纖衣光纖，可以應用於使用纖衣激發架構製作高功率光纖雷射，然過去的技術所製作的雙纖衣光纖都是以玻璃作為製作材料。
　　再者，以雷射加熱基座生長法、或是微下拉法(micro-pulling down)將塊材晶體製作成光纖形式，且利用晶體光纖作為雷射的增益介質。然，以往製作出的晶體光纖其直徑通常相當大，例如：約為數百微米，並且不具有纖衣層。則，利用此未具有纖衣層之晶體光纖無法應用在以纖衣激發架構製作高功率光纖雷射。
　　又，關於內纖衣層的傳輸損耗，昔用技術如美國專利US 7,333,263 B2，其所描述之製程可製作出雙纖衣晶體光纖，然而其內纖衣層為晶體及一玻璃之混合物，其中分佈有許多奈米大小之晶體顆粒，會造成光散射，且顆粒中包含會吸收激發光之摻雜離子，造成激發光的吸收損耗再者，這種纖衣晶體光纖往往只適用以纖心激發(core pump)架構的低功率雷射之上。若進一步使用在纖衣激發(cladding pump)架構的高功率雷射時，內纖衣層之中的奈米晶體顆粒以及摻雜離子對於雷射光源所輸出之激發光將會造成相當大的散射及吸收，使得激發光在內纖衣層之中損耗過大，而嚴重影響到這種雙纖衣晶體光纖在使用纖衣激發架構時的光學效率。
　　本發明之一目的，在於提供一種雙纖衣晶體光纖，其為一纖心、一內纖衣及一外纖衣所組成之光纖波導結構，利用此光纖波導結構作為高功率光纖雷射、高功率光纖寬頻光源或高功率光纖放大器之增益介質，將可有效改善高功率光源所產生的效率問題。
　　本發明之一目的，在於提供一種雙纖衣晶體光纖，其為一適合纖衣激發方式的光纖結構，高功率雷射所提供的激發光亦可耦合至內纖衣上而在內纖衣之中進行光傳導。
　　本發明之一目的，在於提供一種雙纖衣晶體光纖，其晶體光纖之內纖衣純粹採用一玻璃材質進行製作，對於高功率雷射所產生之激發光並不會吸收及散射，以致不會影響到內纖衣層之傳輸損耗。
　　本發明之一目的，在於提供一種雙纖衣晶體光纖，其纖心直徑最小可達20微米，不僅可以縮小光纖的結構體積，且可以進一步提升光纖的光學傳輸效率。
　　本發明之一目的，在於提供一種雙纖衣晶體光纖，其晶體光纖之內纖衣採用與纖心晶體折射率相近之高折射率玻璃材質進行製作，將可減少光纖之傳導模態數量，改善輸出光之光束品質(beam quality)。
　　本發明之一目的，在於提供一種雙纖衣晶體光纖之製作方法，其利用一雷射加熱基座生長法對於單晶棒多次提拉縮徑，以取得一直徑較小之單晶晶體光纖。
　　本發明之一目的，在於提供一種雙纖衣晶體光纖之製作方法，其利用一雷射加熱基座生長法以一階段共同加熱方式生長成晶體光纖之內外雙層纖衣。
　　本發明之一目的，在於提供一種雙纖衣晶體光纖之製作方法，其利用一雷射加熱基座生長法以兩階段加熱方式依序分別生長成晶體光纖之內纖衣及外纖衣。
　　為了達到上述目的，本發明提供一種雙纖衣晶體光纖，包括：一纖心，為一石榴石晶體或一藍寶石晶體；一內纖衣，其包覆於纖心之外層，為一玻璃材質；及一外纖衣，其包覆於內纖衣之外層，為一玻璃材質。
　　本發明一實施例中，纖心之折射率高於內纖衣之折射率，而內纖衣之折射率高於外纖衣之折射率。
　　本發明一實施例中，纖心之直徑最小可達20微米。
　　本發明一實施例中，纖心之晶體中摻雜有至少一過渡金屬及/或至少一稀土元素。
　　本發明一實施例中，過渡金屬為鈦、鉻或鎳。
　　本發明一實施例中，稀土元素為鐠、銣、鉺、鈰或鐿。
　　本發明一實施例中，內纖衣為一折射率遠低於纖心晶體折射率之玻璃材質，其為鋁矽酸鹽玻璃。
　　本發明一實施例中，內纖衣為一高折射率之玻璃材質，其為N-LaSF9、N-LaSF41、SF57或N-SF57型號之光學玻璃。
　　本發明一實施例中，外纖衣為硼矽酸鹽玻璃。
　　本發明又提供一種雙纖衣晶體光纖之製作方法，步驟包括：提供一石榴石晶體或一藍寶石晶體之單晶棒；利用一雷射加熱基座生長法將單晶棒提拉為一預定直徑之單晶晶體光纖；提供一內纖衣玻璃毛細管，將晶體光纖置入於內纖衣玻璃毛細管之中；提供一外纖衣玻璃毛細管，將晶體光纖及內纖衣玻璃毛細管共同置入於外纖衣玻璃毛細管之中；及利用雷射加熱基座生長法加熱內纖衣玻璃毛細管及外纖衣玻璃毛細管，令內纖衣玻璃毛細管及外纖衣玻璃毛細管同時產生軟化熔融而包覆單晶晶體光纖之外層，以生長成一雙纖衣晶體光纖。
　　本發明另提供一種雙纖衣晶體光纖之製作方法，步驟包括：提供一石榴石晶體或一藍寶石晶體之單晶棒；利用一雷射加熱基座生長法將單晶棒提拉為一預定直徑之單晶晶體光纖；提供一內纖衣玻璃毛細管，將單晶晶體光纖置入於內纖衣玻璃毛細管之中；利用雷射加熱基座生長法加熱內纖衣玻璃毛細管，令內纖衣玻璃毛細管產生軟化熔融而包覆單晶晶體光纖之外層，以生長成一單纖衣晶體光纖；提供一外纖衣玻璃毛細管，將單纖衣晶體光纖置入於外纖衣玻璃毛細管之中；及利用雷射加熱基座生長法加熱外纖衣玻璃毛細管，令外纖衣玻璃毛細管產生軟化熔融而包覆單纖衣晶體光纖之外層，以生長成一雙纖衣晶體光纖。
　　本發明一實施例中，內纖衣玻璃毛細管之管壁內徑大於單晶晶體光纖之外徑，而外纖衣玻璃毛細管之管壁內徑大於內纖衣玻璃毛細管之外徑
　　本發明一實施例中，將單晶棒提拉為一預定直徑之晶體光纖之步驟包括有多次提拉縮徑之程序。
　　本發明一實施例中，單晶晶體光纖之直徑最小可達20微米。
　　本發明一實施例中，內纖衣玻璃毛細管為鋁矽酸鹽玻璃材質所製成。
　　本發明一實施例中，內纖衣玻璃毛細管為N-LaSF9、N-LaSF41、SF57或N-SF57型號之光學玻璃材質所製成。
　　本發明一實施例中，外纖衣玻璃毛細管為硼矽酸鹽玻璃材質所製成。
　　請參閱第１圖及第２圖，分別為本發明一較佳實施例以雷射加熱基座生長法製作晶體光纖之製作結構示意圖及單晶晶體光纖提拉之示意圖。本發明晶體光纖係以雷射加熱基座生長法(Laser-Heated Pedestal Growth method; LHPG)進行製作。晶體光纖之製作材料主要為一石榴石晶體 (如釔鋁石榴石晶體；YAG)或一藍寶石晶體 (sapphire)。
　　如第１圖所示，晶體光纖之製作主要在一雷射加熱裝置10之中進行。首先，一第一治具181夾持一石榴石晶體或一藍寶石晶體之單晶棒20，而一第二治具183夾持一子晶22。
　　將二氧化碳雷射之輸出光束擴束後之雷射光束11射入雷射加熱裝置10中，利用第一圓錐面鏡121及第二圓錐面鏡123將平行光束轉換為環形光束，經反射鏡14反射至拋物面鏡16後，以聚焦於單晶棒20之端面上。
　　如第２圖所示，單晶棒20之一端面因雷射光束之加熱而開始熔融而形成一熔融區201。此時，令子晶22接觸該熔融區201，再緩慢將該子晶22往上拉及向上推送該單晶棒20，則，即可生長成與該子晶22晶格方向相同之晶體光纖21。利用不同的拉提子晶22與推送單晶棒20之速度比，可得到不同的縮徑比。例如，若提拉子晶22之速度與推送單晶棒20之速度比為16：1，則長出之晶體光纖21與單晶棒20之直徑比為1：4。
　　在本發明一較佳實施例中，為了獲得一品質較佳且直徑較細的晶體光纖21，晶體光纖21亦可進行多次的雷射加熱基座生長法提拉縮徑的程序。例如：對於一塊材晶體進行切割以取得一500微米之單晶方棒，利用雷射加熱基座生長法將500微米之單晶方棒提拉為直徑250微米之晶體光纖21，再次利用雷射加熱基座生長法將250微米之晶體光纖21提拉縮徑為直徑80微米，再次利用雷射加熱基座生長法以將80微米之晶體光纖21提拉縮徑到直徑20微米。如此，經過多次的提拉縮徑之程序，以將晶體光纖21提拉縮徑至一預定直徑。
　　請參閱第３Ａ圖及第３Ｂ圖，分別為本發明雙纖衣晶體光纖一實施例之製作程序結構圖。如第３Ａ圖所示，首先，將單晶晶體光纖21置入於一內纖衣玻璃毛細管23之中，之後，單晶晶體光纖21及內纖衣玻璃毛細管23共同置入於一外纖衣玻璃毛細管25之中。在此，內纖衣玻璃毛細管23之管壁內徑將會大於晶體光纖21之外徑，而外纖衣玻璃毛細管25之管壁內徑將會大於內纖衣玻璃毛細管23之外徑。
　　接著，如第３Ｂ圖所示，將內含晶體光纖21與內纖衣玻璃毛細管23之外纖衣玻璃毛細管25置入一雷射加熱裝置10中。利用一雷射加熱基座生長法將雷射光束11聚焦至外纖衣玻璃毛細管25，外纖衣玻璃毛細管25將會被雷射光束11加熱軟化熔融而包覆於內纖衣玻璃毛細管23之外層上。其次，雷射光束11所提供的加熱源將會經由外纖衣玻璃毛細管25進一步傳導至內纖衣玻璃毛細管23，以令內纖衣玻璃毛細管23也會跟著軟化熔融而包覆於晶體光纖21之外層上。
　　單晶晶體光纖21、內纖衣玻璃毛細管23及外纖衣玻璃毛細管25緩慢地持續進行移動(例如：向下移動)，則，外纖衣玻璃毛細管25及內纖衣玻璃毛細管23之各部將會陸續被雷射光束11加熱軟化熔融而分別包覆於內纖衣玻璃毛細管23及單晶晶體光纖21之外層上，如此即可生長成一雙纖衣晶體光纖30。在此，單晶晶體光纖21將成為雙纖衣晶體光纖30之纖心31，軟化熔融後之內纖衣玻璃毛細管23將成為雙纖衣晶體光纖30之內纖衣33，軟化熔融後之外纖衣玻璃毛細管35將成為雙纖衣晶體光纖30之外纖衣35。
　　本發明一實施例中，纖心31係採用一光學晶體材質進行製作，其折射率通常都相當高，例如：釔鋁石榴石晶體(YAG)或一藍寶石晶體 (sapphire)；內纖衣33係採用一玻璃材質進行製作，其折射率通常都遠低於光學晶體之折射率，例如：鋁矽酸鹽玻璃材質(Aluminosilicate)；而外纖衣35係採用另一折射率較內纖衣層折射率更低之玻璃材質進行製作，例如：硼矽酸鹽玻璃材質(Borosilicate)。在此，雙纖衣晶體光纖30之纖心31折射率將高於內纖衣33折射率，以令纖心31可以導光，內纖衣33折射率高於外纖衣35折射率，以令內纖衣33也可以導光。
　　或者，本發明又一實施例中，內纖衣33另採用一與纖心31晶體折射率相近之高折射率玻璃材質進行製作，例如：N-LaSF9、N-LaSF41、SF57或N-SF57型號之光學玻璃材質。則，藉由採用與纖心31晶體折射率相近之玻璃材質作為內纖衣33，將可以減少光纖300之傳導模態(guided mode)數量，在此，係以形成單一模態之晶體光纖結構為最佳，藉以改善輸出光之光束品質。
　　又，製作纖心31的晶體材料(如石榴石晶體或藍寶石晶體)之中將會摻雜有至少一過渡金屬及/或至少一稀土元素等等離子。過渡金屬為鈦(Titanium；Ti)、鉻(Chromium；Cr)或鎳(Nickel；Ni)，而稀土元素為鈰(Cerium；Ce)、鐠(Praseodymium；Pr)、銣(Neodymium；Nd)、鉺(Erbium；Er)或鐿(Ytterbium；Yb)。本發明纖心31晶體的離子摻雜濃度將以低於1%為最佳。
　　承上所述本發明所提供之雙纖衣晶體光纖30將具有下列優點：
　　(1).本發明係將光學晶體製作成光纖的形式，以利用光纖波導的結構而增加增益介質的長度，則，應用於高功率雷射、高功率寬頻光源或高功率放大器時將有效改善高功率光源所產生的散熱問題。
　　(2).纖心31直徑可以縮小至最小20微米，可以提升雙纖衣晶體光纖30的光學效率。
　　(3).本發明雙纖衣晶體光纖30為一適用於纖衣激發(cladding pump)架構之光纖，其內纖衣33尺寸較大可以方便於主動區較大的高功率激發雷射的耦光，以令高功率雷射所提供的激發光容易聚焦於內纖衣33上而在內纖衣33之中進行光波導。再者，由於內纖衣33利用玻璃材質進行製作，對於激發光不會吸收及散射，以致不會造成激發光在內纖衣層傳導時之傳輸損耗。
　　請參閱第４Ａ圖至第４Ｄ圖，分別為本發明雙纖衣晶體光纖又一實施例之製作程序結構圖。相較於上述製作程序係採用單一階段加熱方式共同生長成晶體光纖30的內纖衣33及外纖衣35，本實施例製作程序將採用兩階段加熱方式依序生長成晶體光纖30的內纖衣33及外纖衣35。
　　如第４Ａ圖所示，將單晶晶體光纖21置入於一內纖衣玻璃毛細管23之中。如第４Ｂ圖所示，利用一雷射加熱基座生長法將雷射光束11聚焦至內纖衣玻璃毛細管23上，內纖衣玻璃毛細管23將會被雷射光束11加熱軟化熔融而包覆於單晶晶體光纖21之外層上，致使以生長成一單纖衣晶體光纖32。
　　如第４Ｃ圖所示，單纖衣晶體光纖32置入於一外纖衣玻璃毛細管25之中。如第４Ｄ圖所示，再次利用雷射加熱基座生長法將雷射光束11聚焦至外纖衣玻璃毛細管25上，外纖衣玻璃毛細管25將會被雷射光束11加熱軟化熔融而包覆於單纖衣晶體光纖32之外層上，致使以生長成一雙纖衣晶體光纖30。
　　再者，本發明一實施例中，纖心31亦可設置在內纖衣33之中心處301，如第５Ａ圖所示。或者，本發明另一實施例中，纖心31也可以偏離於內纖衣33之中心處301進行設置，以提高纖心31對於激發光之吸收率，如第５Ｂ圖所示。
　　請參閱第６圖，為本發明雙纖衣晶體光纖一實施例之製作方法流程圖。首先提供一石榴石晶體或一藍寶石晶體之單晶棒20，如步驟S501。利用一雷射加熱基座生長法(LHPG)對於單晶棒20進行多次提拉縮徑，以生長成一預定直徑之單晶晶體光纖21，例如：單晶晶體光纖21之直徑最小可達20微米，如步驟S502。
　　單晶晶體光纖21置入於一內纖衣玻璃毛細管23之中，如步驟S503。之後，單晶晶體光纖21及內纖衣玻璃毛細管23共同置入於一外纖衣玻璃毛細管25之中，如步驟S504。最後，利用雷射加熱基座生長法加熱內纖衣玻璃毛細管23及外纖衣玻璃毛細管25，令外纖衣玻璃毛細管25產生軟化熔融而包覆於內纖衣玻璃毛細管23之外層以及內纖衣玻璃毛細管23產生軟化熔融而包覆於單晶晶體光纖21之外層，致使以生長成一雙纖衣晶體光纖30，如步驟S505。
　　請參閱第７圖，為本發明雙纖衣晶體光纖又一實施例之製作方法流程圖。首先提供一石榴石晶體或一藍寶石晶體之單晶棒20，如步驟S601。利用一雷射加熱基座生長法(LHPG)對於單晶棒20進行多次提拉縮徑，以生長成一預定直徑之單晶晶體光纖21，例如：單晶晶體光纖21之直徑最小可達20微米，如步驟S602。
　　單晶晶體光纖21置入於一內纖衣玻璃毛細管23之中，如步驟S603。之後，利用雷射加熱基座生長法加熱內纖衣玻璃毛細管23，令內纖衣玻璃毛細管23產生軟化熔融而包覆於單晶晶體光纖21之外層，致使以生長成一單纖衣晶體光纖32，如步驟S604。
　　單纖衣晶體光纖32置入於一外纖衣玻璃毛細管25之中，如步驟S605。再次利用雷射加熱基座生長法加熱外纖衣玻璃毛細管25，令外纖衣玻璃毛細管25產生軟化熔融而包覆於單纖衣晶體光纖32之外層，致使如此以生長成一雙纖衣晶體光纖30，如步驟S606。
　　以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
10．．．雷射加熱裝置
11．．．雷射光束
121．．．第一圓錐面鏡
123．．．第二圓錐面鏡
14．．．反射鏡
16．．．拋物面鏡
181．．．第一治具
183．．．第二治具
20．．．單晶棒
201．．．熔融區
21．．．晶體光纖
22．．．子晶
23．．．內纖衣玻璃毛細管
25．．．外纖衣玻璃毛細管
30．．．雙纖衣晶體光纖
301．．．中心處
31．．．纖心
32．．．單纖衣晶體光纖
33．．．內纖衣
35．．．外纖衣
第１圖：本發明一較佳實施例以雷射加熱基座生長法製作晶體光纖之製作結構示意圖。
第２圖：本發明一較佳實施例單晶晶體光纖提拉之示意圖。。
第３Ａ－３Ｂ圖：分別為本發明雙纖衣晶體光纖一實施例之製作程序結構圖。
第４Ａ－４Ｄ圖：分別為本發明雙纖衣晶體光纖又一實施例之製作程序結構圖。
第５Ａ圖：為本發明雙纖衣晶體光纖一實施例之端面結構剖面圖。
第５Ｂ圖：為本發明雙纖衣晶體光纖又一實施例之端面結構剖面圖。
第６圖：為本發明雙纖衣晶體光纖一實施例之製作方法流程圖。
第７圖：為本發明雙纖衣晶體光纖又一實施例之製作方法流程圖。
11．．．雷射光束
25．．．外纖衣玻璃毛細管
30．．．雙纖衣晶體光纖
31．．．纖心
32．．．單纖衣晶體光纖
33．．．內纖衣
35．．．外纖衣

Claims (23)

  1. 一種雙纖衣晶體光纖，包括：
    一纖心，為一石榴石晶體或一藍寶石晶體；
    一內纖衣，其包覆於纖心之外層，為一玻璃材質；及
    一外纖衣，其包覆於內纖衣之外層，為一玻璃材質。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之雙纖衣晶體光纖，其中該纖心之折射率高於該內纖衣之折射率，而該內纖衣之折射率高於該外纖衣之折射率。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之雙纖衣晶體光纖，其中該纖心之直徑最小可達20微米。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之雙纖衣晶體光纖，其中該纖心之晶體中摻雜有至少一過渡金屬及/或至少一稀土元素。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之雙纖衣晶體光纖，其中該過渡金屬為鈦、鉻或鎳。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之雙纖衣晶體光纖，其中該稀土元素為鈰、鐠、銣、鉺或鐿。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之雙纖衣晶體光纖，其中該內纖衣為一折射率遠低於該纖心晶體折射率之玻璃材質，其為鋁矽酸鹽玻璃。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之雙纖衣晶體光纖，其中該內纖衣為一高折射率之玻璃材質，其為N-LaSF9、N-LaSF41、SF57或N-SF57型號之光學玻璃。
  9. 如申請專利範圍第2項所述之雙纖衣晶體光纖，其中該外纖衣為硼矽酸鹽玻璃。
  10. 一種雙纖衣晶體光纖之製作方法，步驟包括：
    提供一石榴石晶體或一藍寶石晶體之單晶棒；
    利用一雷射加熱基座生長法將單晶棒提拉為一預定直徑之　單晶晶體光纖；
    提供一內纖衣玻璃毛細管，將晶體光纖置入於內纖衣玻璃　毛細管之中；
    提供一外纖衣玻璃毛細管，將晶體光纖及內纖衣玻璃毛細　管共同置入於外纖衣玻璃毛細管之中；及
    利用雷射加熱基座生長法加熱內纖衣玻璃毛細管及外纖衣　玻璃毛細管，令內纖衣玻璃毛細管及外纖衣玻璃毛細管　同時產生軟化熔融而包覆單晶晶體光纖之外層，以生長　成一雙纖衣晶體光纖。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之製作方法，其中該內纖衣玻璃毛細管之管壁內徑大於該晶體光纖之外徑，而該外纖衣玻璃毛細管之管壁內徑大於該內纖衣玻璃毛細管之外徑。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之製作方法，其中該將單晶棒提拉為一預定直徑之晶體光纖之步驟包括有多次提拉縮徑之程序。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之製作方法，其中該單晶晶體光纖之直徑係最小可達20微米。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之製作方法，其中該內纖衣玻璃毛細管為鋁矽酸鹽玻璃材質所製成。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之製作方法，其中該內纖衣玻璃毛細管為N-LaSF9、N-LaSF41、SF57或N-SF57型號之光學玻璃材質所製成。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之製作方法，其中該外纖衣玻璃毛細管為硼矽酸鹽玻璃材質所製成。
  17. 一種雙纖衣晶體光纖之製作方法，步驟包括：
    提供一石榴石晶體或一藍寶石晶體之單晶棒；
    利用一雷射加熱基座生長法將單晶棒提拉為一預定直徑之　單晶晶體光纖；
    提供一內纖衣玻璃毛細管，將單晶晶體光纖置入於內纖衣　玻璃毛細管之中；
    利用雷射加熱基座生長法加熱內纖衣玻璃毛細管，令內纖　衣玻璃毛細管產生軟化熔融而包覆單晶晶體光纖之外層　，以生長成一單纖衣晶體光纖；
    提供一外纖衣玻璃毛細管，將單纖衣晶體光纖置入於外纖　衣玻璃毛細管之中；及
    利用雷射加熱基座生長法加熱外纖衣玻璃毛細管，令外纖　衣玻璃毛細管產生軟化熔融而包覆單纖衣晶體光纖之外　層，以生長成一雙纖衣晶體光纖。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之製作方法，其中該內纖衣玻璃毛細管之管壁內徑大於該單晶晶體光纖之外徑，而該外纖衣玻璃毛細管之管壁內徑大於該內纖衣玻璃毛細管之外徑。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之製作方法，其中該將單晶棒提拉為一預定直徑之晶體光纖之步驟包括有多次提拉縮徑之程序。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之製作方法，其中該單晶晶體光纖之直徑最小可達20微米。
  21. 如申請專利範圍第17項所述之製作方法，其中該內纖衣玻璃毛細管為鋁矽酸鹽玻璃材質所製成。
  22. 如申請專利範圍第17項所述之製作方法，其中該內纖衣玻璃毛細管為N-LaSF9、N-LaSF41、SF57或N-SF57型號之光學玻璃材質所製成。
  23. 如申請專利範圍第17項所述之製作方法，其中該外纖衣玻璃毛細管為硼矽酸鹽玻璃材質所製成。
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