TW201407594A - 顯示面板 - Google Patents

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Abstract

一種顯示面板，其包括移位暫存器。在此移位暫存器中，依序串接之複數移位暫存單元的每一者包括第一與第二開關以及第一與第二電容器。在第一開關中，控制端耦接第一節點，輸入端接收第一時脈信號，且輸出端耦接輸出節點。第一電容器耦接第一節點與輸出節點之間。第二電容器耦接於輸出節點與接地端之間。在第二開關中，輸入端接收第二時脈信號，且輸出端耦接第一節點。傳遞信號產生於第一節點。對於第N個移位暫存單元而言，第二開關之控制端接收產生於之前的一移位暫存單元之第一節點上的傳遞信號。

Description

顯示面板
本發明係有關於一種移位暫存器，特別是有關於一種移位暫存器，用於顯示面板之閘極驅動器。
一般而言，在主動式陣列顯示裝置中，用來驅動畫素陣列之閘極驅動器包括移位暫存器。移位暫存器包括複數移位暫存單元，且每一移位暫存單元於其輸出節點產生一輸出信號至畫素陣列。每一移位暫存單元包括耦接此輸出節點之一驅動電晶體。在一些習知技術可得知，施加於閘極的電壓導通驅動電晶體以驅動輸出信號。驅動電晶體之阻抗必須較小以獲得閘極驅動器的較佳驅動能力，藉以能驅動較大電容負載。當這些習知技術的移位暫存器應用於主動式陣列顯示裝置之閘極驅動器時，除非增加施加於驅動電晶體之閘極的電壓，不然每一移位暫存單元之驅動電晶體的尺寸必須變為較大，以提升驅動電晶體的驅動能力。因此，閘極驅動器之面積也變為較大，這不利地增加主動式陣列顯示裝置的突出框架。
因此，期望提供一種移位暫存器，對於輸出信號而言其具有提升的驅動能力且佔用較少的面積，並期望提供一種增加驅動電晶體尺寸的方法。
本發明實施例提供一種顯示面板。此顯示面板複數源極線、複數閘極線、複數畫素單元、源極驅動器、以及閘極驅動器。該些閘極線與該些源極線交錯。該些畫素單元配置形成顯示陣列。每一畫素單元對應一組交錯之源極線以及汲極線。源極驅動器耦接該些源極線，用以透過該些源極線提供複數資料信號至顯示陣列。閘極驅動器耦接該些閘極線。閘極驅動器包含至少一移位暫存器，用以產生複數輸出信號，且透過該些閘極線將輸出信號提供至該顯示陣列。移位暫存器包括複數移位暫存單元。該些移位暫存單元依序串接，且每一移位暫存單元由第一時脈信號以及第二時脈信號所控制以於輸出節點上產生輸出信號。該些移位暫存單元之每一者包括第一開關、第一電容器、第二電容器、以及第二開關。第一開關具有耦接第一節點之控制端、接收第一時脈信號之輸入端、以及耦接輸出節點之輸出端。第一電容器耦接第一節點與輸出節點之間。第二電容器耦接於輸出節點與接地端之間。第二開關具有控制端、接收第二時脈信號之輸入端、以及耦接第一節點之輸出端。傳遞信號產生於第一節點。對於該些移位暫存單元中的第N個移位暫存單元而言，第二開關之控制端接收產生於在第N個移位暫存單元之前的一移位暫存單元之第一節點上的傳遞信號，N為一正整數。
1‧‧‧移位暫存器
9‧‧‧顯示面板
10(1)…10(N-2)、10(N-2)、10(N)、10(N+1)、10(N+2)…10(M)‧‧‧移位暫存單元
11‧‧‧電子裝置
30…34‧‧‧時間點
40‧‧‧放電電路
41‧‧‧低電壓端
60‧‧‧高電壓端
90‧‧‧源極驅動器
91‧‧‧閘極驅動器
92‧‧‧顯示陣列
93(1)…93(X)‧‧‧源極線
94(1)…94(M)‧‧‧閘極線
100‧‧‧顯示裝置
101‧‧‧控制器
110‧‧‧輸入單元
920‧‧‧畫素單元
C1、CL‧‧‧電容器
CLK1…CLK4‧‧‧時脈信號
DT‧‧‧延遲時間
GND‧‧‧接地電壓
N1、N2‧‧‧節點
OUT(N)‧‧‧輸出節點
R(1)…R(N-2)、R(N-2)、R(N)、R(N+1)、R(N+2)…R(M)‧‧‧輸出信號
S(N-4)…S(N+2)‧‧‧傳遞信號
T1、T2、T3、T4、T3’、T4’、T5、T6、T7a、T7b、T8、T9‧‧‧電晶體
VGH‧‧‧高電壓位準
VGL‧‧‧低電壓位準
△VG‧‧‧電壓差
第1圖表示根據本發明實施例之移位暫存器。
第2圖表示第1圖之移位暫存器中，複數移位暫存單元的示範例子。
第3圖表示關於第2圖之移位暫存單元的時脈信號以及輸出信號之時序以及傳遞信號之波形。
第4圖表示在第1圖之移位暫存器中一移位暫存單元之一示範實施例。
第5圖表示在第4圖之移位暫存單元中放電電路之一示範實施例。
第6圖表示在第4圖之移位暫存單元中放電電路之另一示範實施例。
第7圖表示在第4圖之移位暫存單元中放電電路之又一示範實施例。
第8圖表示在第4圖之移位暫存單元中放電電路之另一示範實施例。
第9圖表示根據本發明實施例而使用第1圖之移位暫存器的顯示面板。
第10圖表示根據本發明實施例而使用第9圖之顯示面板的顯示裝置。
第11圖表示根據本發明實施例而使用第10圖之顯示裝置的電子裝置。
為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
第1圖係表示根據本發明實施例之移位暫存器。參閱 第1圖，移位暫存器1包括複數移位暫存單元10(1)~10(M)，且根據時脈信號CLK1~CLK4而操作，其中，M為一正整數。移位暫存單元10(1)~10(M)依序地串接，且分別產生輸出信號R(1)~R(M)。第2圖係表示在移位暫存器1之移位暫存單元10(1)~10(M)中的五個示範移位暫存單元。參閱第2圖，移位暫存單元10(1)~10(M)中第(N-2)個至第(N+2)個移位暫存單元10(N-2)~10(N+2)之每一者，接收時脈信號CLK1~CLK4中至少兩個時脈信號以及接收由先前移位暫存單元所產生的一個傳遞信號(carry signal)，以產生對應的輸出信號，其中，N為一正整數且5≦N≦M-4。舉例來說，第N個移位暫存單元10(N)接收時脈信號CLK1與CLK4以及由第(N-2)個移位暫存單元10(N-2)所產生之傳遞信號S(N-2)，並產生輸出信號R(N)。由第N個移位暫存單元10(N)所產生之傳遞信號S(N)則提供至(N+2)個移位暫存單元10(N+2)。根據第2圖之實施例中由第N個移位暫存單元10(N)所呈現的時脈信號以及傳遞信號的接收規則，由移位暫存單元10(1)~10(M)中的第1與第2個移位暫存單元10(1)與10(2)接收之傳遞信號，可能是分別由移位暫存單元10(1)~10(M)中的第M與第(M-1)個移位暫存單元10(M)與10(M-1)所產生，或者可能由移位暫存器1中的其他電路所產生。移位暫存器1可以非晶矽(amorphous silicon)技術、低溫多晶矽(low temperature poly-silicon)技術、或是氧化薄膜電晶體(oxide thin film transistor)技術等等來製程處理。
第3圖係表示時脈信號CLK1~CLK4以及輸出信號R(N-2)~R(N+2)之時序以及分別由移位暫存單元10(1)~10(M)中的第(N-2)至第(N+2)個移位暫存單元10(N-2)至10(N+2)所產生之傳遞 信號S(N-2)~S(N+2)之波形。時脈信號CLK1~CLK4之每一者都在高電壓位準VGH與低電壓位準VGL之間切換。如第3圖所示，時脈信號CLK2之時序以延遲期間DT延遲於時脈信號CLK1之時序，時脈信號CLK3之時序以延遲期間DT延遲於時脈信號CLK2之時序，以及時脈信號CLK4之時序以延遲期間DT延遲於時脈信號CLK3之時序。輸出信號R(N-2)~R(N+2)依序地被致能(高電壓位準VGH)。
於下文中，以第N個移位暫存單元10(N)為例來說明本發明之技術方案。
第4圖係表示第N個移位暫存單元10(N)之一示範實施例。參閱第4圖，第N個移位暫存單元10(N)包括兩個開關T1與T2、兩個電容器C1與CL、以及放電電路40。開關T1與T2之每一者都具有一控制端、一輸入端、以及一輸出端。在第4圖中，開關T1與T2係以N型電晶體來實施。對於開關T1與T2之每一者而言，控制端、輸入端、以及輸出端分別對應N型電晶體之閘極、汲極、以及源極。如第4圖所示，電晶體T1之閘極耦接節點N1，其汲極接收時脈信號CLK1，且其源極耦接輸出信號R(N)所產生之處，即耦接輸出節點OUT(N)。電容器C1耦接於節點N1與輸出節點OUT(N)之間。電容器CL耦接於輸出節點OUT(N)與接地端GND之間。電晶體T2之閘極接收由第(N-2)個移位暫存單元10(N-2)所產生之傳遞信號S(N-2)，其汲極接收時脈信號CLK4，且其源極耦接節點N1。放電電路40接於低電壓端41與節點N1以及輸出節點OUT(N)之間。在此實施例中，低電壓端41提供具有低電壓位準VGL之電壓。
第(N)個移位暫存單元10(N)之操作將參照第3與4圖來說明。在時間點T30，電晶體T2由傳遞信號S(N-2)所導通。具有 高電壓位準VGH之時脈信號CLK4透過導通之電晶體T2而傳送至節點N1，因此，在節點N1上之傳遞信號S(N)的電壓位準由初始電壓位準增加至高電壓位準VGH以導通電晶體T1。在時間點30與時間點31之間的期間中，由於時脈信號CLK1處於低電壓位準VGL，因此輸出信號R(N)處於低電壓位準(即輸出信號R(N)處於禁能狀態)。
在時間點31，時脈信號CLK1切換至高電壓位準VGH，且由於導通之電晶體T1，使得輸出信號R(N)切換為高電壓位準VGH(即輸出信號R(N)切換為致能狀態)。在時間點31與時間點32之間的期間中，電晶體T2由傳遞信號S(N-2)所關閉。透過電容器C1的饋通效應，在節點N1之傳遞信號S(N)的電壓位準更增加了高電壓位準VGH與低電壓位準VGL之間的電壓差△VG(△VG=VGH-VGL)，換句話說，傳遞信號S(N)之電壓位準增加至(VGH+△VG)。
在時間點32，時脈信號CLK1切換為低電壓位準VGL，且由於導通之電晶體T1，使得輸出信號R(N)切換為低電壓位準VGL(即輸出信號R(N)切換為禁能狀態)。在時間點32與時間點33之間的期間中，透過電容器C1的饋通效應，在節點N1之傳遞信號S(N)的電壓位準減少了高電壓位準VGH與低電壓位準VGL之間的電壓差△VG，換句話說，傳遞信號S(N)之電壓位準等於VGH。
在時間點33，放電電路40將節點N1以及輸出節點OUT(N)耦合至低電壓端41(VGL)。如此一來，電容器C1放電，且在節點N1上之傳遞信號S(N)的電壓位準開始減少至初始電壓位準。此外，由於輸出節點OUT(N)耦接低電壓端41(VGL)，因此可 避免在輸出節點OUT(N)上由通道漏電流所引起的額外脈衝，使得在輸出信號R(N)在時間點32切換為禁能狀態之後，輸出信號S(N)可維持在低電壓位準VGL。
其他移位暫存單元具有與第N個移位暫存單元10(N)相同之電路架構，且根據各自接收的時脈信號以及傳遞信號來操作。在第(N-2)移位暫存單元10(N-2)中，電晶體T1之汲極接收時脈信號CLK3，電晶體T2之汲極接收時脈信號CLK2，且電晶體T2之閘極接收由第(N-4)個移位暫存單元10(N-4)所產生之傳遞信號S(N-4)。在第(N-1)移位暫存單元10(N-1)中，電晶體T1之汲極接收時脈信號CLK4，電晶體T2之汲極接收時脈信號CLK3，且電晶體T2之閘極接收由第(N-3)個移位暫存單元10(N-3)所產生之傳遞信號S(N-3)。在第(N+1)移位暫存單元10(N+1)中，電晶體T1之汲極接收時脈信號CLK2，電晶體T2之汲極接收時脈信號CLK1，且電晶體T2之閘極接收由第(N-1)個移位暫存單元10(N-1)所產生之傳遞信號S(N-1)。在第(N+2)移位暫存單元10(N+2)中，電晶體T1之汲極接收時脈信號CLK3，電晶體T2之汲極接收時脈信號CLK2，且電晶體T2之閘極接收由第(N)個移位暫存單元10(N)所產生之傳遞信號S(N)。
根據第4圖之電路架構，在時間點31與時間點32之間的期間中，在節點N1上之傳遞信號S(N)的電壓位準增加至電壓位準(VGH+(VGH-VGL))，即是，在電晶體T1之閘極上的電壓位準遠高於高電壓位準VGH，以導通電晶體T1。如此一來，由於高閘極電壓，使得電晶體T1之驅動能力提高而不需增加尺寸。與上述習知技術比較起來，當移位暫存器1應用於顯示裝至知閘極驅動 器時，具有提升之驅動能力的閘極驅動器在顯示裝置中占用較小的面積。
第5圖係表示在每一移位暫存單元中放電電路40之一示範實施例。將以移位暫存單元10(N)為例來說明。參閱第5圖，放電電路40包括兩開關T3與T4。開關T3與T4之每一者都具有一控制端、一輸入端、以及一輸出端。在第5圖中，開關T1與T2係以N型電晶體來實施。對於開關T3與T4之每一者而言，控制端、輸入端、以及輸出端分別對應N型電晶體之閘極、汲極、以及源極。如第5圖所示，電晶體T3與T4之閘極接收來自第(N+2)個移位暫存單元10(N+2)之輸出信號R(N+2)。電晶體T3之汲極耦接輸出節點OUT(N)，且其源極耦接低電壓端41(VGL)。電晶體T4之汲極耦接節點N1，且其源極耦接低電壓端41(VGL)。參閱第3與5圖，在時間點33與時間點34之間的期間中，輸出信號R(N+2)處於高電壓位準VGH以導通電晶體T3與T4，使得節點N1與輸出節點OUT(N)耦接低電壓端41(VGL)。
第6圖係表示在每一移位暫存單元中放電電路40之另一示範實施例。將以移位暫存單元10(N)為例來說明。參閱第6圖，放電電路40包括兩開關T3’、T4’、T5、T6、與T7a。開關T3’、T4’、T5、T6、與T7a之每一者都具有一控制端、一輸入端、以及一輸出端。在第6圖中，開關T3’、T4’、T5、T6、與T7a係以N型電晶體來實施。對於開關T3’、T4’、T5、T6、與T7a之每一者而言，控制端、輸入端、以及輸出端分別對應N型電晶體之閘極、汲極、以及源極。如第6圖所示，電晶體T3’之閘極耦接節點N2，其汲極耦接輸出節點OUT(N)，且其源極耦接低電壓端41 (VGL)。電晶體T3’之閘極耦接節點N2，其汲極耦接輸出節點OUT(N)，且其源極耦接低電壓端41(VGL)。電晶體T4’之閘極耦接節點N2，其汲極耦接節點N1，且其源極耦接低電壓端41(VGL)。電晶體T5之閘極接收後續移位暫存單園所產生之輸出信號。在此實施例中，電晶體T5之閘極接收來自第(N+2)個移位暫存單元10(N+2)之輸出信號R(N+2)。此外，電晶體T5之汲極耦接節點N1，且其源極耦接低電壓端41(VGL)。電晶體T6之閘極耦接節點N1，其汲極耦接節點N2，且其源極耦接低電壓端41(VGL)。電晶體T7a之閘極以及汲極耦接高電壓端60，且其源極耦接節點N2。在此實施例中，高電壓端60提供具有高電壓位準VGH之電壓。如此一來，電晶體T7a總是被導通。參閱第3與6圖，在時間點33與時間點34之間的期間中，輸出信號R(N+2)處於高電壓位準VGH以導通電晶體T5，且在節點N1上的傳遞信號S(N)的電壓位準減少以關閉電晶體T6。此時，在節點N2上的電壓位準透過導通之電晶體T7a並根據高電壓位準VGH而處於高位準以導通電晶體T3’與T4’，因此，節點N1以及輸出節點OUT(N)耦接低電壓端41(VGL)。此外，根據電晶體T7a之連接架構，電晶體T7a的動作如同一個二極體。二極體T7a之陽極以及陰極分別耦接高電壓位準VGH以及節點N2。二極體T7a提供負臨界值偏移給節點N2，使得當在時間點33之後節點N1以及輸出節點OUT(N)透過電晶體T3’與T4’而持續地耦接低電壓端41(VGL)時，能增加對高環境溫度的容忍度。
第7圖係表示在每一移位暫存單元中放電電路40之又一示範實施例。將以移位暫存單元10(N)為例來說明。參閱第7圖， 放電電路40包括兩開關T3’、T4’、T5、T6、T7a’、與T7b。開關T3’、T4’、T5、與T6之連接架構與操作已敘述於第6圖之實施例中，因此省略相關說明。開關T7a’與T7b之每一者都具有一控制端、一輸入端、以及一輸出端。在第7圖中，開關T7a’與T7b係以N型電晶體來實施。對於開關T7a’與T7b之每一者而言，控制端、輸入端、以及輸出端分別對應N型電晶體之閘極、汲極、以及源極。如第7圖所示，電晶體T7a’之閘極以及汲極接收時脈信號CLK3，且其源極耦接節點N2。電晶體T7b之汲極耦接時脈信號CLK3，且其閘極以及源極耦接節點N2。根據電晶體T7a’與T7b之連接架構，電晶體T7a’與T7b之每一者的動作如同一個二極體。二極體T7a’與T7b並聯耦接。詳細來說，二極體T7a’之陽極以及陰極分別耦接二極體T7b之陰極以及陽極。注意到，在高電壓位準VGH以及低電壓位準VGL之間切換之時脈信號CLK3被提供至二極體T7a’之陽極以及二極體T7b之陰極。參閱第3與7圖，在時間點33之後，當時脈信號CLK3處於高電壓位準VGH時，二極體T7a’提供負臨界值偏移給節點N2。在時間點33之後，當時脈信號CLK3處於低電壓位準VGL時，二極體T7b之臨界值則用來補償由二極體T7a’所提供之負臨界值偏移。
第8圖係表示在每一移位暫存單元中放電電路40之一示範實施例。將以移位暫存單元10(N)為例來說明。參閱第8圖，放電電路40包括兩開關T3’、T4’、T5、T6、T7a’、T7b、T8、與T9。開關T3’、T4’、T5、T6、T7a’、與T7b之連接架構與操作已敘述於第6與7圖之實施例中，因此省略相關說明。開關T8與T9之每一者都具有一控制端、一輸入端、以及一輸出端。在第8 圖中，開關T8與T9係以N型電晶體來實施。對於開關T8與T9之每一者而言，控制端、輸入端、以及輸出端分別對應N型電晶體之閘極、汲極、以及源極。如第8圖所示，電晶體T8之閘極耦接電晶體T2之閘極，其汲極耦接節點N2，且其源極耦接低電壓端41(VGL)。電晶體T9之閘極耦接電晶體T5之閘極，其源極接收時脈信號CLK3，且其源極耦接節點N2。根據電晶體T8與T9之閘極的連接，電晶體T8之閘極接收產生於第(N-2)個移位暫存單元10(N-2)之節點N1上的傳遞信號S(N-2)，且電晶體T9之閘極接收產生於第(N+2)個移位暫存單元10(N+2)之節點N1上的傳遞信號S(N+2)。電晶體T8與T9用來控制節點N2之電壓位準以改變電晶體T3’與T4’之狀態，藉此改善傳遞信號S(N)之狀態速度。
第9圖係表示根據本發明實施例之顯示面板。如第9圖所示，顯示面板9包括源極驅動器90、閘極驅動器91、顯示陣列92、複數源極線93(1)~93(X)、以及複數閘極線94(1)~94(M)，其中X為正整數。閘極線94(1)~94(M)交錯於源極線93(1)~(93)X。顯示陣列92包括配置成一陣列之複數畫素單元920，且每一畫素單元對應一組交錯之源極線與閘極線。源極驅動器90耦接源極線93(1)~93(X)，且用來透過源極線93(1)~93(X)提供資料信號至顯示陣列92。閘極驅動器91耦接閘極線94(1)~94(M)。參閱第9圖，閘極驅動器91包括第1圖之移位暫存器1。移位暫存器1產生輸出信號R(1)~R(M)，且輸出信號R(1)~R(M)分別透過閘極線94(1)~94(M)而提供至顯示陣列92。在此實施例中，顯示面板9為一液晶顯示面板。
第10圖係表示根據本發明實施例而使用上述揭露之 顯示面板9的顯示裝置。一般而言，顯示裝置100包括控制器101、第9圖所示之顯示面板9等等。控制器101操作性地耦接顯示密版9，且提供控制信號，例如時脈信號、起始信號、或影像資料等等，至顯示面板9。
第11圖係表示根據本發明實施例而使用上述揭露之顯示裝置100的電子裝置。本發明之電子裝置11可以是攜帶式裝置，例如個人數位助理(personal digital assistant，PDA)、數位相機、顯示監控器、筆記型電腦、桌上型電腦、行動電話等等類似裝置。一般而言，電子裝置11包括輸入單元110以及第10圖所示之顯示裝置100。此外，輸入單元110操作性地耦接顯示裝置100，且提供輸入信號(例如影像信號)至顯示裝置100。控制器101則根據這些輸入信號來提供控制信號至顯示面板9。
本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10(N)‧‧‧移位暫存單元
40‧‧‧放電電路
41‧‧‧低電壓端
C1、CL‧‧‧電容器
CLK1、CLK4‧‧‧時脈信號
GND‧‧‧接地電壓
N1‧‧‧節點
OUT(N)‧‧‧輸出節點
R(N)‧‧‧輸出信號
S(N-2)、S(N)‧‧‧傳遞信號
T1、T2‧‧‧電晶體
VGL‧‧‧低電壓位準

Claims (10)

  1. 一種顯示面板，包括：複數源極線；複數閘極線，與該等源極線交錯；複數畫素單元，配置形成一顯示陣列，每一該畫素單元對應一組交錯之該源極線以及該汲極線；一源極驅動器，耦接該等源極線，用以透過該等源極線提供複數資料信號至該顯示陣列；以及一閘極驅動器，耦接該等閘極線，而該閘極驅動器係包含至少一移位暫存器，用以產生複數輸出信號，且透過該等閘極線將該等輸出信號提供至該顯示陣列，其中，該移位暫存器包括：複數移位暫存單元，該等移位暫存單元依序串接，且每一該移位暫存單元由一第一時脈信號以及一第二時脈信號所控制以於一輸出節點上產生一輸出信號，其中，該等移位暫存單元之每一者包括：一第一開關，具有耦接一第一節點之控制端、接收該第一時脈信號之輸入端、以及耦接該輸出節點之輸出端；一第一電容器，耦接該第一節點與該輸出節點之間；一第二電容器，耦接於該輸出節點與一接地端之間；以及 一第二開關，具有控制端、接收該第二時脈信號之輸入端、以及耦接該第一節點之輸出端；其中，一傳遞信號產生於該第一節點；以及其中，對於該等移位暫存單元中的該第N個移位暫存單元而言，該第二開關之控制端接收產生於在該第N個移位暫存單元之前的該移位暫存單元之該第一節點上的該傳遞信號，N為一正整數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中，對於N個移位暫存單元而言，由該第二開關之控制端所接收之該傳遞信號係產生於該第(N-2)個移位暫存單元之該第一節點，且該第二時脈信號之時序延遲於該第一時脈信號之時序。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中，該等移位暫存單元之每一者更包括：一放電電路，耦接該第一節點以及該輸出節點，用以將該第一節點以及該輸出節點耦接至一第一電壓端。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示面板，其中，該等移位暫存單元之每一者的該放電電路包括：一第三開關，具有控制端、耦接該輸出節點之輸入端、以及耦接該低電壓端之輸出端；以及一第四開關，具有控制端、耦接該第一節點之輸入端、以及耦接該低電壓端之輸出端； 其中，對於N個移位暫存單元而言，該等第三與第四開關之控制端接收由該第N個移位暫存單元之後的該移位暫存單元所產生的該輸出信號，而該第二開關之控制端所接收之該傳遞信號係產生於該第(N-2)個移位暫存單元之該第一節點，且由該等第三與第四開關之控制端所接收之該輸出信號係由該第(N+2)個移位暫存單元所產生。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之顯示面板，其中，該等移位暫存單元之每一者的該放電電路包括：一第三開關，具有耦接一第二節點之控制端，耦接該輸出節點之輸入端、以及耦接該低電壓端之輸出端；一第四開關，具有耦接該第二節點之控制端、耦接該第一節點之輸入端、以及耦接該低電壓端之輸出端；一第五開關，具有控制端、耦接該第一節點之輸入端、以及耦接該低電壓端之輸出端；一第六開關，具有耦接該第一節點之控制端、耦接該第二節點之輸入端、以及耦接該低電壓端之輸出端；以及一第七開關，具有耦接一高電壓端之控制端、耦接該第七開關之控制端的輸入端、耦接該第二節點之輸出端；其中，對於N個移位暫存單元而言，該第五開關之控制端接收由該第N個移位暫存單元之後的該移位暫存單元所產生的該輸出信號，而該第二開關之控制端所接收之該傳遞信號係產生於該第(N-2)個移位暫存單元之該第一節點，且由該第 五開關之控制端所接收之該輸出信號係由該第(N+2)個移位暫存單元所產生。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之顯示面板，其中，該等移位暫存單元之每一者的該放電電路包括：一第三開關，具有耦接一第二節點之控制端，耦接該輸出節點之輸入端、以及耦接該低電壓端之輸出端；一第四開關，具有耦接該第二節點之控制端、耦接該第一節點之輸入端、以及耦接該低電壓端之輸出端；一第五開關，具有控制端、耦接該第一節點之輸入端、以及耦接該低電壓端之輸出端；一第六開關，具有耦接該第一節點之控制端、耦接該第二節點之輸入端、以及耦接該低電壓端之輸出端；一第七開關，具有耦接一第三時脈信號之控制端、耦接該第七開關之控制端的輸入端、耦接該第二節點之輸出端；以及一第八開關，具有耦接該第二節點之控制端、接收該第三時脈信號之輸入端、以及耦接該第八開關之控制端的輸出端；其中，對於N個移位暫存單元而言，該第五開關之控制端接收由該第N個移位暫存單元之後的該移位暫存單元所產生的該輸出信號。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板，其中，對於N 個移位暫存單元而言，由該第二開關之控制端所接收之該傳遞信號係產生於該第(N-2)個移位暫存單元之該第一節點，且由該第五開關之控制端所接收之該輸出信號係由該第(N+2)個移位暫存單元所產生。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示面板，其中，該第三時脈信號之時序延遲於該第一時脈信號之時序，且該第二時脈信號之時序延遲於該第三時脈信號之時序。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板，其中，該等移位暫存單元之每一者的該放電電路更包括：一第九開關，具有耦接該第二開關之控制端的控制端、耦接該第二節點之輸入端、以及耦接該低電壓端之輸出端；以及一第十開關，具有耦接該第五開關之控制端的控制端、接收該第三時脈信號之輸入端、以及耦接該第二節點之輸出端。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示面板，其中，對於N個移位暫存單元而言，由該第二開關之控制端所接收之該傳遞信號係產生於該第(N-2)個移位暫存單元之該第一節點，且由該第五開關之控制端所接收之該輸出信號係由該第(N+2)個移位暫存單元所產生，而該第三時脈信號之時序延遲於該第一時脈信號之時序，且該第二時脈信號之時序延遲於該第三時脈信號之時序。
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