TW201406909A - 電路連接材料、及使用其之構裝體之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可將所期望之剝離膜剝離之電路連接材料、及使用其之構裝體之製造方法。本發明之電路連接材料具有第1接著劑層(11)、及含有表面調整劑之第2接著劑層(12)，常溫時(25℃)，貼附於第1接著劑層(11)側之第1剝離膜(21)之剝離力小於貼附於第2接著劑層(12)側之第2剝離膜(22)之剝離力。藉此，常溫時第1剝離膜(21)可剝離，加熱時第2剝離膜(22)可剝離。

Description

電路連接材料、及使用其之構裝體之製造方法
本發明係關於一種將電子零件連接之電路連接材料、及使用其之構裝體之製造方法。本申請案係以2012年3月30日於日本提出申請之日本專利申請編號特願2012-79543為基礎並主張優先權者，將該申請案以參照之形式引用於本申請案中。
先前，作為將電子零件與基板連接之電路連接材料，例如使用將分散有導電性粒子之黏合劑樹脂塗佈於剝離膜而成之捲帶狀之異向性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)。
異向性導電膜例如使用於將軟性印刷基板(FPC)或IC晶片之端子、及形成於LCD面板之玻璃基板上之ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)電極接合之所謂之鍍膜玻璃(FOG，Film On Glass)、覆晶玻璃(COG，Chip On Glass)等。
又，近年來，如下技術已被使用：利用將具有導電性粒子之ACF層與由絕緣性樹脂構成之NCF層積層而成之2層構造之異向性導電膜，提高導電性粒子之捕捉效率(例如，參照專利文獻1至3)。
圖10係用以說明利用先前之2層構造之異向性導電膜之連接之剖面圖。該異向性導電膜具有將具有導電性粒子之ACF層111與由絕緣性樹脂構成之NCF層112積層而成之2層構造。又，以防止塵埃附著等 為目的，於ACF層111側貼附覆蓋膜121，且於NCF層112側貼附基礎膜122。通常，將基礎膜122/NCF層112之剝離力設定得大於覆蓋膜121/ACF層111之剝離力，於使用時，將覆蓋膜121側剝離。
於使用該2層構造之異向性導電膜之情形時，首先，將覆蓋膜121剝離，將ACF層111貼附於玻璃基板130。其次，將基礎膜122剝離，將NCF層112貼附於FPC140。
壓接時，FPC140之端子141進入NCF層112，進而於ACF層111夾入導電性粒子而與ITO電極131電性連接。因此，流入電子零件之端子間之導電性粒子數減少，即便與單層構造者相比導電性粒子為少量，亦可提高連接端子捕捉之導電性粒子之比例(粒子捕捉效率)。
另一方面，如圖11所示，於將ACF層111貼附於FPC140，將NCF層112貼附於玻璃基板130之情形時，導電性粒子之捕捉效率降低。
因此，於先前之2層構造之異向性導電膜中，必須藉由先接著於玻璃基板130、FPC140中之一個，而預先調整覆蓋膜121與基礎膜122之剝離力，又，於剝離力之調整後，接著順序受到限定。
作為不限定接著順序之方法，考慮如圖12所示般設為NCF層112A/ACF層111/NCF層112B之3層構造之方法，但導電性粒子之捕捉效率變低。
[專利文獻1]日本特開2009-170898號公報
[專利文獻2]日本特開2008-248065號公報
[專利文獻3]日本特開平11-241049號公報
本發明係鑒於此種先前之實情而提出者，且提供一種可將所 期望之剝離膜剝離之電路連接材料、及使用其之構裝體之製造方法。
本案發明人進行深入研究之結果發現，藉由於電路連接材料之一最外層之接著劑層中摻合抑制加熱時之剝離力之增加之表面調整劑，而可將所期望之剝離膜剝離。
即，本發明之電路連接材料之特徵在於：具有第1接著劑層、及含有表面調整劑之第2接著劑層，常溫時，貼附於上述第1接著劑層側之第1剝離膜的剝離力小於貼附於上述第2接著劑層側之第2剝離膜的剝離力。
又，本發明之構裝體之製造方法之特徵在於包括：剝離步驟，其係將電路連接材料之第1剝離膜或第2剝離膜剝離，該電路連接材料具有第1接著劑層、及含有表面調整劑之第2接著劑層，常溫時，貼附於上述第1接著劑層側之該第1剝離膜的剝離力小於貼附於上述第2接著劑層側之該第2剝離膜的剝離力；及壓接步驟，其係將於上述剝離步驟中剝離之上述電路連接材料之第1接著劑層側或第2接著劑層側暫貼於第1電子零件，將上述第1電子零件與上述第2電子零件經由上述電路連接材料而壓接；於上述剝離步驟中，以常溫將上述第1剝離膜剝離，藉由加熱將上述第2剝離膜剝離。
根據本發明，於電路連接材料之一最外層之接著劑層中摻合抑制加熱時之剝離力之增加之表面調整劑，減小另一最外層之接著劑層側之常溫時之剝離力，故而可利用溫度將所期望之剝離膜剝離。
11‧‧‧第1接著劑層
12‧‧‧第2接著劑層
21‧‧‧第1剝離膜
22‧‧‧第2剝離膜
30、130‧‧‧玻璃基板
31、41、131、141‧‧‧電極
40、140‧‧‧FPC
111‧‧‧ACF層
112、112A、112B‧‧‧NCF層
121‧‧‧覆蓋膜
122‧‧‧基礎膜
圖1係表示本實施形態之電路連接材料之剖面圖。
圖2係說明常溫時之電路連接材料之剝離膜之剝離之剖面圖。
圖3係說明加熱時之電路連接材料之剝離膜之剝離之剖面圖。
圖4係用以說明藉由加熱將第2剝離膜22剝離之情形之連接之圖。
圖5係用以說明以常溫將第1剝離膜21剝離之情形之連接之圖。
圖6係表示實施例1之接著劑片材之剝離力相對於溫度之關係之圖表。
圖7係表示實施例2之接著劑片材之剝離力相對於溫度之關係之圖表。
圖8係表示比較例1之接著劑片材之剝離力相對於溫度之關係之圖表。
圖9係表示比較例2之接著劑片材之剝離力相對於溫度之關係之圖表。
圖10係用以說明利用先前之2層構造之異向性導電膜之連接之剖面圖。
圖11係用以說明利用先前之2層構造之異向性導電膜之連接之剖面圖。
圖12係用以說明利用3層構造之異向性導電膜之連接之剖面圖。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態按照下述順序進行詳細說明。
1.電路連接材料及其製造方法
2.構裝體之製造方法
3.實施例
<1.電路連接材料及其製造方法>
首先，使用圖1至圖3對可選擇本實施形態之電路連接材料之接著劑層之功能進行說明。
圖1係表示本實施形態之電路連接材料之剖面圖。該電路連接材料具有第1接著劑層11、及含有表面調整劑之第2接著劑層12，常溫時(25℃)，貼附於第1接著劑層11側之第1剝離膜21之剝離力小於貼附 於第2接著劑層12側之第2剝離膜22之剝離力。
圖2係說明常溫時之電路連接材料之剝離膜21之剝離之剖面圖。常溫時，貼附於第1接著劑層11側之第1剝離膜21之剝離力小於貼附於第2接著劑層12側之第2剝離膜22之剝離力，故而可將第1剝離膜21剝離。
又，圖3係說明加熱時之電路連接材料之剝離膜22之剝離之剖面圖。加熱時，貼附於第1接著劑層11側之第1剝離膜21之剝離力大於貼附於第2接著劑層12側之第2剝離膜的剝離力，故而可將第2剝離膜22剝離。其原因在於，第2接著劑層12中摻合之表面調整劑抑制加熱時之剝離力之增加。
如此，本實施形態之電路連接材料可根據常溫時或加熱時之溫度將所期望之剝離膜21、22剝離，故而可選擇先將第1接著劑層11與第2接著劑層12中之哪一個接著。
作為本實施形態之電路連接材料之應用例，可列舉於第1接著劑層11或第2接著劑層12中之任一者中含有導電性粒子之2層構造之異向性導電膜，若考慮到妨礙表面調整劑之功能之虞，則較佳為於第1接著劑層11中含有導電性粒子。
於將本實施形態之電路連接材料應用於2層構造之異向性導電膜之情形時，例如於第1接著劑層11為含有導電性粒子之ACF(Anisotropic Conductive Film)層，第2接著劑層為不含有導電性粒子之NCF(Non Conductive Film)層之情形時，可以常溫將ACF層表面剝出，可藉由加熱將NCF層表面剝出。另一方面，於第1接著劑層11為不含有導電性粒子之NCF層，第2接著劑層為含有導電性粒子之ACF層之情形時，可以常溫將NCF層表面剝出，可藉由加熱將ACF層表面剝出。
繼而，對本實施形態之電路連接材料之具體例進行詳細說 明。作為具體例而例示之電路連接材料具有將含有導電性粒子之第1接著劑層11、及含有表面調整劑之第2接著劑層12積層而成之2層構造，於第1接著劑層11側貼附有第1剝離膜21，於第2接著劑層12側貼附有第2剝離膜22。
第1接著劑層11於含有膜形成樹脂、聚合性樹脂、及聚合起始劑之接著劑組成物中分散有導電性粒子。
膜形成樹脂相當於平均分子量為10000以上之高分子量樹脂，就膜形成性之觀點而言，較佳為10000~80000左右之平均分子量。作為膜形成樹脂，可列舉：苯氧基樹脂、聚酯胺基甲酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、丁醛樹脂等各種樹脂，該等可單獨使用，亦可將2種以上組合使用。膜形成樹脂之含量相對於接著劑組成物100質量份通常為30~80質量份，較佳為40~70質量份。
聚合性樹脂為自由基聚合性樹脂、陽離子聚合性樹脂等，可根據用途而適當選擇。
自由基聚合性樹脂為藉由自由基而聚合之具有官能基之物質，可列舉：環氧丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、聚酯丙烯酸酯等，該等可單獨使用，亦可將2種以上組合使用。自由基聚合性樹脂之含量相對於接著劑組成物100質量份通常為10~60質量份，較佳為20~50質量份。
陽離子聚合性樹脂可使用1官能性環氧化合物、含雜環環氧樹脂、脂肪族系環氧樹脂等。尤佳為將雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂等環氧樹脂單獨或混合使用。
聚合起始劑可根據聚合性樹脂等而適當選擇自由基聚合起始劑、陽離子硬化劑等。
自由基聚合起始劑可使用公知者，其中可較佳使用有機過氧化物。作為有機過氧化物，可列舉：過氧縮酮類、過氧化二醯基類、過氧 化二碳酸酯類、過氧酯類、過氧化二烷基類、過氧化氫類，過氧化矽基類等。該等可單獨使用，亦可將2種以上組合使用。自由基聚合起始劑之含量相對於接著劑組成物100質量份通常為0.1~30質量份，較佳為1~20質量份。
陽離子硬化劑可使用陽離子種使環氧樹脂末端之環氧基開環，使環氧樹脂彼此自交聯者。作為此種陽離子硬化劑，可列舉：芳香族鋶鹽、芳香族重氮鹽、錪鹽、鏻鹽、硒鹽等鎓鹽。尤其，芳香族鋶鹽於低溫下之反應性優異，適用期較長，故而作為陽離子硬化劑而較佳。
又，作為其他添加組成物，較佳為添加矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑，可使用環氧系、胺基系、巰基-硫基系、脲基系等。藉此，可提高有機材料與無機材料之界面之接著性。又，亦可添加無機填料。作為無機填料，可使用二氧化矽、滑石、氧化鈦、碳酸鈣、氧化鎂等，無機填料之種類並無特別限定。根據無機填料之含量而可控制流動性，可提高粒子捕捉率。又，橡膠成分等亦可以緩和接合體之應力為目的而適當使用。
其次，對第2接著劑層12進行說明。第2接著劑層為含有表面調整劑之接著劑組成物，藉由表面調整劑而抑制加熱時之剝離力之增加。
表面調整劑為所謂之調平劑，具有移動至表面而降低表面張力之功能。作為表面調整劑，可列舉聚矽氧系、丙烯酸系、氟系等，於該等中，就表面張力降低能或相溶性之觀點而言，較佳使用聚矽氧系表面調整劑。
作為聚矽氧系表面調整劑之具體例，可列舉：聚酯改質甲基烷基聚矽氧烷、聚酯改質聚二甲基矽氧烷、聚醚改質聚二甲基矽氧烷、聚醚改質聚甲基烷基聚矽氧烷等。於該等中，就熱穩定性之觀點而言，較佳使用聚酯改質甲基烷基聚矽氧烷。
又，聚矽氧系表面調整劑之摻合量相對於接著劑組成物100質量份通常為0.01~10質量份，較佳為0.05~5質量份。若聚矽氧系表面調整劑之摻合量過少，則無法獲得加熱時之剝離力增加之抑制效果，若摻合量過多，則膜性變差。
又，第2接著劑層12之接著劑組成物與第1接著劑層11同樣地含有膜形成樹脂、聚合性樹脂、及聚合起始劑。又，膜形成樹脂、聚合性樹脂、及聚合起始劑較佳為使用與第1樹脂相同者。
第1剝離膜21、及第2剝離膜22例如由將聚矽氧等剝離劑塗佈於PET(Poly Ethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、OPP(Oriented Polypropylene，定向聚丙烯)、PMP(Poly-4-methylpentene-1，聚4-甲基戊烯-1)、PTFE(Polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)等基材上而成之積層構造所構成。又，第1剝離膜21、及第2剝離膜22之剝離力例如可根據聚矽氧等剝離劑之種類、基材之表面粗糙度(Rz)等而調整。
其次，對上述之由電路連接材料所構成之異向性導電膜之製造方法進行說明。本實施形態之異向性導電膜之製造方法係將含有導電性粒子之第1接著劑層11、及含有表面調整劑之第2接著劑層12貼合。
具體而言，包括生成含有導電性粒子之第1接著劑層11之步驟、生成含有表面調整劑之第2接著劑層12之步驟、及將第1接著劑層11與第2接著劑層12貼附之步驟。
於生成第1接著劑層11之步驟中，使含有膜形成樹脂、聚合性樹脂、及聚合起始劑且分散有導電性粒子之接著劑組成物溶解於溶劑中。作為溶劑，可使用甲苯、乙酸乙酯等、或該等之混合溶劑。於調整第1接著劑層11之樹脂組成物後，使用棒式塗佈機、塗佈裝置等將其塗佈於第1剝離膜21上。
其次，藉由熱烘箱、加熱乾燥裝置等使塗佈於第1剝離膜 21上之樹脂組成物乾燥。藉此，可獲得厚度5~50μm左右之第1接著劑層11。
又，生成第2接著劑層12之步驟與第1接著劑層11同樣地，使含有膜形成樹脂、聚合性樹脂、聚合起始劑、及表面調整劑之接著劑組成物溶解於溶劑中，於調整第2接著劑層12之樹脂組成物後，將其塗佈於第2剝離膜上，使溶劑揮發而獲得第2接著劑層12。
其次，於將第1接著劑層11與第2接著劑層12貼附之步驟中，將第1接著劑層11與第2接著劑層12貼附積層，而製作2層構造之異向性導電膜。
藉由如此將第1接著劑層與第2接著劑層貼附，而將第1接著劑層11與第2接著劑層12積層，而可獲得於第1接著劑層11側貼附有第1剝離膜21，於第2接著劑層12側貼附有第2剝離膜22之構造之異向性導電膜。
再者，於上述實施形態中，將第1接著劑層與第2接著劑層貼附而製造，但並不限定於此，亦可於形成一接著劑層後，將另一接著劑層之樹脂組成物塗佈並乾燥而製造。
<2.構裝體之構裝方法>
其次，對使用上述電路連接材料之電子零件之構裝方法進行說明。本實施形態之電子零件之構裝方法係使用電路連接材料將第1電子零件與第2電子零件連接，該電路連接材料具有第1接著劑層11、及含有表面調整劑之第2接著劑層12，常溫時，貼附於第1接著劑層11側之第1剝離膜21之剝離力小於貼附於第2接著劑層12側之第2剝離膜22之剝離力。
即，本實施形態之電子零件之構裝方法具有：剝離步驟，其係將電路連接材料之第1剝離膜21或第2剝離膜22剝離；及壓接步驟，其係將於剝離步驟中剝離之電路連接材料之第1接著劑層側或第2接著劑層 側暫貼於第1電子零件，將第1電子零件與第2電子零件經由電路連接材料而壓接。
於剝離步驟中，以常溫將第1剝離膜21剝離，藉由加熱將第2剝離膜22剝離。又，於剝離步驟中，於將電路連接材料加熱時，為防止未預期之硬化反應，較佳為自第2剝離膜22側加熱。
於壓接步驟中，將第1接著劑層11側或第2接著劑層12側暫貼於第1電子零件。例如於第1接著劑層11為含有導電性粒子之ACF層，第2接著劑層12為不含有導電性粒子之NCF層之情形時，接著有第1接著劑層11側之電子零件例如為塗佈有ITO(Indium Tin Oxide)之玻璃、塗佈有IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)之玻璃、塗佈有SiNx(氮化矽)之玻璃等。又，接著有第2接著劑層12側之電子零件例如為軟性印刷基板(FPC)、IC晶片等。
圖4係用以說明藉由加熱將第2剝離膜22剝離之情形之連接之圖。於第1接著劑層11為含有導電性粒子之ACF層，第2接著劑層12為不含有導電性粒子之NCF層之情形時，如圖4所示，藉由第2剝離膜22之剝離，首先，將NCF層側暫貼於FPC40之電極41上。此時，於必須進行修復之情形時，本體側之玻璃基板30不更換而更換零件側之FPC40即可，故而於步驟上有利。
又，圖5係用以說明以常溫將第1剝離膜21剝離之情形之連接之圖。於第1接著劑層11為含有導電性粒子之ACF層，第2接著劑層12為不含有導電性粒子之NCF層之情形時，如圖5所示，藉由第1剝離膜21之剝離，首先，將ACF層側暫貼於玻璃基板30之電極31上。此時，於必須進行修復之情形時，與先前同樣地，必須更換本體側之玻璃基板30。
如此，於本實施形態之電子零件之構裝方法中，藉由先將電路連接材料接著於玻璃基板30、FPC40中之一者，而可選擇第1接著劑層 11與第2接著劑層12，電路連接材料對被接著體之接著順序並無限定。
[實施例]
<3.實施例>
以下，對本發明之實施例進行說明。於本實施例中，製作將含有導電性粒子之ACF層、及含有表面調整劑之NCF層積層而成之2層構造之接著片材，並進行貼附於ACF層側之覆蓋膜及貼附於NCF層之基礎膜之剝離力之測定。又，對使用接著片材將FPC與塗佈有ITO之玻璃連接之構裝體進行粒子捕捉效率之測定、及導通電阻之測定。再者，本發明並不限定於該等實施例。
剝離力之測定、粒子捕捉效率之測定、及導通電阻之測定係以如下方式進行。
[剝離力之測定]
將各接著片材細切成1cm寬度，利用雙面膠帶將其固定於厚度0.7mm之玻璃板。於測定覆蓋膜之剝離力之情形時，將基礎膜剝離，利用雙面膠帶將NCF層面固定。又，於測定基礎膜之剝離力之情形時，將覆蓋膜剝離，利用雙面膠帶將ACF層面固定。
於加熱至試驗溫度之加熱板上設置試驗片，將覆蓋膜或基礎膜以速度300mm/min向90°上方向剝離，測定此時之剝離力。
[粒子捕捉效率之測定、及導通電阻之測定]
對於構裝體之連接部分之FPC端子捕捉之粒子數進行計數，根據每單位面積之粒子數算出粒子捕捉效率。又，針對構裝體，使用四端子法測定使電流1mA流通時之連接電阻值。
[實施例1]
(ACF層之製作)
於由苯氧基樹脂(品名：YP50，東都化成公司製造)60質 量份、自由基聚合性樹脂(品名：M-315，東亞合成公司製造)35質量份、矽烷偶合劑(品名：KBM-503，Shin-Etsu Silicones公司製造)2質量份、及反應起始劑(品名：Perhexa C，日本油脂公司製造)2質量份構成之組成物中分散導電性粒子，而製作厚度8之ACF層。
(NCF層之製作)
製作由苯氧基樹脂(品名：YP50，東都化成公司製造)60質量份、自由基聚合性樹脂(品名：M-315，東亞合成公司製造)35質量份、矽烷偶合劑(品名：KBM-503，Shin-Etsu Silicones公司製造)2質量份、反應起始劑(品名：Perhexa C，日本油脂公司製造)2質量份、及聚矽氧系表面調整劑(品名：BYK315，BYK-Chemie Japan公司製造)2質量份構成之厚度16之NCF層。
(接著劑片材之製作)
使用滾筒貼合機以滾筒溫度45℃將ACF層與NCF層進行層壓，而製作覆蓋膜/ACF層/NCF層/基礎膜之構成之接著劑片材。
於覆蓋膜、基礎膜中使用厚度50之PET(聚矽氧處理)。又，基礎膜係使用於常溫狀態下基礎膜/NCF層側之剝離力大於覆蓋膜/ACF層側者。
(構裝體之製作)
使用實施例1之接著劑片材進行評價用之FPC(50μmP，鍍Cu8μmt-Sn，38μmt)與評價用之塗佈有ITO之玻璃(整個表面塗佈ITO，玻璃厚度0.7mm)之接合。首先，將細切成1.5mm寬度之接著片材加熱至50℃，將基礎膜剝離，將接著劑片材之NCF層側暫貼於FPC。其次，將覆蓋膜剝離，將接著劑片材之ACF層側貼附於塗佈有ITO之玻璃，並暫時固定，其後，以加熱工具1.5mm寬度，使用由100μm厚度之聚四氟乙烯所構成之片材作為緩衝材，以180℃-3.5MPa-6sec(工具速度10mm/sec，平台 溫度40℃)之條件進行壓接，而製作構裝體。
(評價結果)
於表1中表示實施例1之評價結果。常溫時之覆蓋膜及基礎膜之剝離力分別為8mN/cm、27mN/cm，50℃加熱時之覆蓋膜及基礎膜之剝離力分別為175mN/cm、115mN/cm。
又，於圖6中表示實施例1之接著劑片材之剝離力相對於溫度之關係。根據該圖表確認，於含有聚矽氧系表面調整劑之NCF層側(基礎膜側)，抑制加熱所致之剝離力之增大，ACF層側與NCF層側之剝離力之強弱關係反轉。因此，確認實施例1之接著劑片材係於常溫時覆蓋膜剝離，於加熱時基礎膜剝離者。
又，使用實施例1之接著劑片材之構裝體之FPC端子之粒子捕捉率為58%，導通電阻為1.4Ω。
[實施例2]
除將NCF層之聚矽氧系表面調整劑(品名：BYK315，BYK-Chemie Japan公司製造)變更為0.1質量份以外，製作與實施例1相同之接著劑片材。又，使用實施例2之接著劑片材，以與實施例1相同之順序製作構裝體。
(評價結果)
於表1中表示實施例2之評價結果。常溫時之覆蓋膜及基礎膜之剝離力分別為10mN/cm、32mN/cm，50℃加熱時之覆蓋膜及基礎膜之剝離力分別為170mN/cm、148mN/cm。
又，於圖7中表示實施例2之接著劑片材之剝離力相對於溫度之關係。根據該圖表確認，於含有聚矽氧系表面調整劑之NCF層側(基礎膜側)，抑制加熱所致之剝離力之增大，ACF層側與NCF層側之剝離力之強弱關係反轉。因此，確認實施例2之接著劑片材係於常溫時覆蓋膜剝離，於加熱時基礎膜剝離者。
又，使用實施例2之接著劑片材之構裝體之FPC端子之粒子捕捉率為54%，導通電阻為1.4Ω。
[比較例1]
(ACF層之製作)
於由苯氧基樹脂(品名：YP50，東都化成公司製造)60質量份、自由基聚合性樹脂(品名：M-315，東亞合成公司製造)35質量份、矽烷偶合劑(品名：KBM-503，Shin-Etsu Silicones公司製造)2質量份、及反應起始劑(品名：Perhexa C，日本油脂公司製造)2質量份所構成之組成物中分散導電性粒子，而製作厚度8μm之ACF層。
(NCF層之製作)
製作由苯氧基樹脂(品名：YP50，東都化成公司製造)60質量份、自由基聚合性樹脂(品名：M-315，東亞合成公司製造)35質量份、矽烷偶合劑(品名：KBM-503，Shin-Etsu Silicones公司製造)2質量份、及反應起始劑(品名：Perhexa C，日本油脂公司製造)2質量份所構成之厚度16μm之NCF層。
(接著劑片材之製作)
使用滾筒貼合機以滾筒溫度45℃將ACF層與NCF層進行層壓，而製作覆蓋膜/ACF層/NCF層/基礎膜之構成之接著劑片材。
於覆蓋膜、基礎膜中使用厚度50μm之PET(聚矽氧處理)。又，基礎膜係使用於常溫狀態下基礎膜/NCF層側之剝離力大於覆蓋膜/ACF層側者。
(構裝體之製作)
使用比較例1之接著劑片材進行評價用之FPC(50μmP，鍍Cu8μmt-Sn，38μmt)與評價用之塗佈有ITO之玻璃(整個表面塗佈ITO，玻璃厚度0.7mm)之接合。首先，將細切成1.5mm寬度之接著片材加熱至50℃， 將覆蓋膜剝離，將接著劑片材之ACF層側暫貼於FPC。其次，將基礎膜剝離，將接著劑片材之NCF層側貼附於塗佈有ITO之玻璃，並暫時固定。其後，以加熱工具1.5mm寬度，使用由100μm厚度之聚四氟乙烯構成之片材作為緩衝材，以180℃-3.5MPa-6-sec(工具速度10mm/sec，平台溫度40℃)之條件進行壓接，而製作構裝體。
(評價結果)
於表1中表示比較例1之評價結果。常溫時之覆蓋膜及基礎膜之剝離力分別為9mN/cm、35mN/cm，50℃加熱時之覆蓋膜及基礎膜之剝離力分別為168mN/cm、255mN/cm。
又，於圖8中表示比較例1之接著劑片材之剝離力相對於溫度之關係。根據該圖表確認，隨著溫度之上升，ACF層側與NCF層側之兩者之剝離力增大，剝離力之強弱關係不反轉。因此，確認比較例1之接著劑片材係於常溫時及加熱時之兩者中覆蓋膜剝離者。
又，使用比較例1之接著劑片材之構裝體之FPC端子之粒子捕捉率為35%，導通電阻為2.4Ω。
[比較例2]
製作與比較例1相同之ACF層及NCF層。使用滾筒貼合機以滾筒溫度45℃進行層壓，而製作覆蓋膜/NCF層/ACF層/NCF層/基礎膜之構成之接著劑片材。
於覆蓋膜、基礎膜中使用厚度50μm之PET(聚矽氧處理)。又，基礎膜係使用於常溫狀態下基礎膜/NCF層側之剝離力大於覆蓋膜/ACF層側者。又，使用比較例2之接著劑片材以與比較例1相同之順序製作構裝體。
(評價結果)
於表1中表示比較例2之評價結果。常溫時之覆蓋膜及基礎膜之剝離 力分別為8mN/cm、30mN/cm，50℃加熱時之覆蓋膜及基礎膜之剝離力分別為172mN/cm、260mN/cm。
又，於圖9中表示比較例2之接著劑片材之剝離力相對於溫度之關係。根據該圖表確認，隨著溫度之上升，NCF層側與NCF層側之兩者之剝離力增大，剝離力之強弱關係不反轉。因此，確認比較例1之接著劑片材係於常溫時及加熱時之兩者中覆蓋膜剝離者。
又，使用比較例2之接著劑片材之構裝體之FPC端子之粒子捕捉率為28%，導通電阻為3.5Ω。
如表1所示，可知於實施例1及實施例2中，藉由添加聚矽氧系表面調整劑，而抑制加熱時基礎膜/NCF層之剝離力之增大，使基礎膜側可剝離。又，於聚矽氧系表面調整劑之摻合量較少之情形時，加熱時之剝離力上升抑制效果降低。
於比較例1中，加熱時之基礎膜側之剝離無法進行。又，於將ACF層側貼附於FPC而連接之情形時，粒子捕捉效率與實施例1及實施 例2相比變低，導通電阻變高。又，於比較例2中，藉由3層構造而可將NCF層貼附於FPC，但與比較例1同樣地，粒子捕捉效率變低，導通電阻變高。
如以上所說明，藉由於一最外面之接著劑層中添加即便加熱對剝離膜之密接力亦不易提高之表面調整劑，而可於加熱時僅使另一最外面之接著劑層之剝離力大幅度增加。因此，為了於常溫時使不含有表面調整劑之層側之剝離膜可剝離，於加熱時使含有表面調整劑之層側之剝離膜可剝離，可選擇最初之剝離面，電路連接材料對被接著體之接著順序並無限定。
11‧‧‧第1接著劑層
12‧‧‧第2接著劑層
21‧‧‧第1剝離膜
22‧‧‧第2剝離膜

Claims (7)

  1. 一種電路連接材料，其具有第1接著劑層、及含有表面調整劑之第2接著劑層，常溫時，貼附於該第1接著劑層側之第1剝離膜的剝離力小於貼附於該第2接著劑層側之第2剝離膜的剝離力。
  2. 如申請專利範圍第1項之電路連接材料，其中，加熱時，貼附於該第1接著劑層側之第1剝離膜的剝離力大於貼附於該第2接著劑層側之第2剝離膜的剝離力。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之電路連接材料，其中，該表面調整劑為聚矽氧系表面調整劑。
  4. 如申請專利範圍第1項之電路連接材料，其中，該第1接著劑層含有導電性粒子。
  5. 如申請專利範圍第2項之電路連接材料，其中，該第1接著劑層含有導電性粒子。
  6. 如申請專利範圍第3項之電路連接材料，其中，該第1接著劑層含有導電性粒子。
  7. 一種構裝體之製造方法，其具有：剝離步驟，其係將電路連接材料之第1剝離膜或第2剝離膜剝離，該電路連接材料具有第1接著劑層、及含有表面調整劑之第2接著劑層，常溫時，貼附於該第1接著劑層側之該第1剝離膜的剝離力小於貼附於該第2接著劑層側之該第2剝離膜的剝離力；及壓接步驟，其係將於該剝離步驟中剝離之該電路連接材料的第1接著劑層側或第2接著劑層側暫貼於第1電子零件，將該第1電子零件與第2電子零件經由該電路連接材料而壓接；於該剝離步驟中，以常溫將該第1剝離膜剝離，藉由加熱將該第2 剝離膜剝離。
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