TW201405618A

TW201405618A - 保護元件

Info

Publication number: TW201405618A
Application number: TW102124883A
Authority: TW
Inventors: Kyoko Nitta; Koichi Mukai; Yuji Furuuchi
Original assignee: Dexerials Corp
Priority date: 2012-07-12
Filing date: 2013-07-11
Publication date: 2014-02-01
Also published as: HK1207740A1; CN104412352A; KR20150036471A; WO2014010460A1; JP2014022050A; US20150145637A1

Abstract

本發明之目的在於達成使塗佈於可熔導體上之助熔劑量均勻並改良熔斷特性不均的保護元件。本發明之保護元件(10)具備：絕緣基板(11)；發熱體(14)，其積層於絕緣基板(11)並被絕緣構件(15)覆蓋；電極(12(A1))(12(A2))，其形成於絕緣基板兩端；發熱體內部電極(16)，其以與發熱體(14)重疊之方式積層於絕緣構件上(15)；可熔導體(13)，其兩端連接於電極(12(A1))(12(A2))，並且其中央部連接於發熱體內部電極(16)。於發熱體(14)之兩端連接發熱體電極(18(P1))(18(P2))，該發熱體電極(18(P1))(18(P2))係為了於發熱體流過電流使其發熱而連接電源。可熔導體(13)中與發熱體(14)重疊之位置上形成朝向上方開口之凹部(2)。

Description

保護元件

本發明係關於一種藉由熔斷電流路徑而保護連接於電流路徑上之電路的保護元件。

本申請案係基於在日本於2012年7月12申請之日本專利申請案編號日本特願2012-156308而主張優先權者，藉由參照該申請案而引用於本申請案中。

可進行重複充電而利用之二次電池，其大多係加工成電池組(battery pack)來提供給使用者。特別是重量能量密度高之鋰離子二次電池方面，為確保使用者及電子機器之安全，普遍而言具有於電池組內裝過量充電保護、過量放電保護等數個保護電路並於特定情況阻斷電池組輸出的機能。

用有鋰離子二次電池之多數的電子裝置中，藉由使用電池組所內裝之FET開關進行輸出之ON/OFF來進行電池組之過量充電保護或過量放電保護動作。然而，當某些原因使得FET開關短路破壞時、當受到雷電突波等、瞬間之大電流流過時、亦或當電池單元之壽命使得輸出電壓異常地下降或相反地輸出過大異常電壓時，亦必須保護電池組或電子機器免於走火等事故。因此，於上述假設之任何異常狀態時，為安全地阻斷電池單元之輸出而使用一種保護元件，其由具有根據來自外部之信號來阻斷電流路徑之機能的保險絲(fuse)元件所構成。

作為此種適用於鋰離子二次電池等之保護電路的保護元件，如專利文獻1所記載，普遍係使用如下構造：於保護元件內部具有發熱體並且利用該發熱體之發熱來熔斷電流路徑上之可熔導體的構造。

【專利文獻1】日本特開2010-3665號公報

專利文獻1所記載之保護元件，為了防止氧化、促進可熔導體之熔融、斷開、及提高熔斷特性為目的而於低熔點金屬所構成之可熔導體(保險絲)之表面塗佈有助熔劑。又，為了確保保護元件之品質，以覆蓋於構成保護元件之基板上的方式設有覆蓋構件。助熔劑均勻地塗佈在可熔導體上特定之位置，藉此使於該位置之可熔導體之熔融狀態變得均勻，促進其分開而可熔導體之熔斷特性的不均會變小。因此，覆蓋構件係為了保持所塗佈之助熔劑以使得可熔導體上之助熔劑量均勻，而於覆蓋構件之內面以包圍可熔導體上中央部之方式具有圓筒狀之突狀部。

然而，於將圓筒狀之突狀部配置於可熔導體上時，利用助熔劑量或助熔劑之黏度、亦或者是利用該等與突狀部之接觸面積等來將助熔劑保持於可熔導體上並不足夠，會有妨礙助熔劑塗佈之均勻性而產生不均的情況。又，為了形成圓筒狀之突狀部而覆蓋構件從可熔導體起算的高度必須要相當於突狀部高度，而造成限制保護元件薄型化的主因。

因此，本發明之目的在於藉由使塗佈於可熔導體上之助熔劑量均勻並將助熔劑之位置保持固定，來實現一種改良熔斷特性不均的保護元件。

作為用以解決上述課題之方法，本發明之保護元件具備：絕緣基板；發熱體，積層於絕緣基板；第1及第2電極；發熱體內部電極，其與第1與第2電極之間之電流路徑、及發熱體電性連接；可熔導體，其自發熱體內部電極起連接至第1及第2電極，藉由加熱來熔斷第1電極與第2電極之間之電流路徑，且於與發熱體熱接合之位置具有凹部；及助熔劑，其以填充凹部之方式塗佈而成。此外，凹部係形成於塗佈助熔劑之側並開口。再者，發熱體與可熔導體之凹部只要能熱接合而無須規定其位置關係，但較佳為儘量使其距離小且以重疊之方式積層配置。

本發明之保護元件於與可熔導體之發熱體熱接合之位置具有凹部，且助熔劑以填充於該凹部之方式被保持，因此於與可熔導體之發熱體熱接合之位置之熔融狀態均勻化而促進了可熔導體之分開，故降低了熔斷特性之不均。

1‧‧‧外罩

2‧‧‧凹部

2a‧‧‧壁部

2b‧‧‧底部

2c‧‧‧突狀壁部

2d‧‧‧突狀體

2e‧‧‧助熔劑保持部

2f‧‧‧開口部

3‧‧‧突狀部

5‧‧‧抵壓插針

10‧‧‧保護元件

11‧‧‧絕緣基板

11a、11b‧‧‧積層基板

12(A1)、12(A2)‧‧‧電極

13‧‧‧可熔導體

14‧‧‧發熱體

15‧‧‧絕緣構件

16‧‧‧發熱體內部電極

17‧‧‧助熔劑

18、18(P1)、18(P2)‧‧‧發熱體電極

20‧‧‧電池組

20a‧‧‧正極端子

20b‧‧‧負極端子

21~24‧‧‧電池單元

25‧‧‧電池槽

26‧‧‧檢測電路

27、31、32‧‧‧電流控制元件

30‧‧‧充放電控制電路

33‧‧‧控制部

35‧‧‧充電裝置

圖1A係本發明所適用之保護元件的俯視圖。

圖1B係圖1A中裝有保護用外罩之狀態下AA’線之剖面圖。

圖2A係本發明所適用之其他實施形態中保護元件之俯視圖。

圖2B係圖2A之AA’線之剖面圖。

圖3係針對本發明所適用之保護元件的低背化，用以說明與以往之保護元件相比之剖面圖，圖3A係表示未裝有外罩之狀態下保護元件之構裝高度比較，圖3B係表示裝有外罩時保護元件之構裝高度比較。

圖4A係本發明所適用之其他實施形態中保護元件之俯視圖。

圖4B係圖4A之AA’線之剖面圖。

圖5A係本發明所適用之其他實施形態中保護元件之俯視圖。

圖5B係圖5A之AA’線之剖面圖。

圖6A係本發明所適用之其他實施形態中保護元件之俯視圖。

圖6B係圖6A之BB’線之剖面圖。

圖7係表示本發明所適用之保護元件的應用例之方塊圖。

圖8係表示本發明所適用之保護元件的電路構成例之圖。

圖9A~圖9C係說明本發明於所適用之保護元件的可熔導體形成凹部之順序的概念剖面圖。

圖10A~圖10C係說明本發明所適用之其他實施形態中於保護元件之可熔導體上形成凹部(貫通孔)之順序的概念剖面圖。

圖11A係本發明實施形態中之變形例的保護元件之俯視圖。

圖11B係圖11A之AA’線之剖面圖。

圖12A係本發明實施形態中之變形例的保護元件之俯視圖。

圖12B係圖12A之AA’線之剖面圖。

圖13A係本發明實施形態中之變形例的保護元件之俯視圖。

圖13B係圖13A之AA’線之剖面圖。

圖14A係本發明實施形態中之變形例的保護元件之俯視圖。

圖14B係圖14A之AA’線之剖面圖。

圖15A係本發明實施形態中之變形例的保護元件之俯視圖。

圖15B係圖15A之AA’線之剖面圖。

圖16A係本發明實施形態中之變形例的保護元件之俯視圖。

圖16B係圖16A之AA’線之剖面圖。

圖17A係本發明實施形態中之變形例的保護元件之俯視圖。

圖17B係圖17A之AA’線之剖面圖。

圖18A係本發明實施形態中之變形例的保護元件之俯視圖。

圖18B係圖18A之AA’線之剖面圖。

圖19A係本發明實施形態中之變形例的保護元件之俯視圖。

圖19B係圖19A之AA’線之剖面圖。

以下，參照圖式詳細說明用以實施本發明之形態。再者，當然本發明並不僅限於以下之實施形態，可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行各種變更。

〔保護元件之構成與動作〕

如圖1A及圖1B所示，保護元件10係具備：絕緣基板11；發熱體14，其積層於絕緣基板11上並被絕緣構件15覆蓋；電極12(A1)、12(A2)，其形成於絕緣基板11之兩端；發熱體內部電極16，其以與發熱體14重疊之方式積層於絕緣構件15上；可熔導體13，其兩端連接於電極12(A1)、12(A2)並且中央部連接於發熱體內部電極16。

於發熱體(14)之兩端連接有發熱體電極18(P1)、18(P2)，該發熱體電極18(P1)、18(P2)係為了使於發熱體流過電流使其發熱而連接電源。於可熔導體13中與發熱體14重疊之位置形成朝向上方開口之凹部2。凹部2係由壁部2a及底部2b構成之圓筒狀之孔部。此外，以填充可熔導體13之凹部2的方式塗佈有助熔劑17。如圖1B所示，外罩(cover)1係用於保護元件10之內部保護用，且由絕緣性材料形成。例如，可使用液晶聚合物、環氧玻璃、陶瓷等特定之具耐熱性之絕緣材料。再者，凹部2之形狀未必限定為圓筒狀，亦可形成為球面狀，又，如下述般為了保持助熔劑為目的而可選定各種材料。

方型之絕緣基板11例如由氧化鋁、玻璃陶瓷、高鋁紅柱石(mullite)、氧化鋯等具有絕緣性之構件所形成。其他亦可使用於環氧玻璃基板、酚基板等印刷配線基板所用之材料，但需留意保險絲熔斷時之溫度。

發熱體14係一種電阻值相對較高且一經通電即會發熱之具導電性的構件，例如由W、Mo、Ru等所構成。將該等之合金或組成物、化合物之粉狀體與樹脂黏合劑混合、做成為糊狀而得者使用網版印刷技術形成圖案於絕緣基板11上，利用進行燒成等而形成。

以覆蓋發熱體14之方式配置絕緣構件15，隔著該絕緣構件15以面對發熱體14之方式配置發熱體內部電極16。發熱體內部電極16之一端連接於發熱體電極18。又，發熱體14之一端連接於另一發熱體電極18。

可熔導體13只要係能以特定之電力、熱進行熔融、熔斷之導電性材料即可，例如可使用BiPbSn合金、BiPb合金、BiSn合金、SnPb合金、PbIn合金、ZnAl合金、InSn合金、PbAgSn合金等。

又，可熔導體13亦可為由主成分為Ag或Cu之金屬所構成之高熔點金屬、與主成分為Sn之無Pb焊劑等低熔點金屬所成之積層體。

於保護元件10之製造時助熔劑17可為黏性低者，亦可為具有一定程度之黏性者。

如圖2A及圖2B所示，形成於可熔導體13之凹部2可成為貫通於圓筒狀之貫通孔。貫通孔具有壁部2a。

凹部2係成為筒狀之孔部或貫通孔，且以於凹部2填充助熔劑17之方式進行塗佈，藉此將助熔劑17之塗佈位置保持在與發熱體14重疊之位置。

圖3A左圖所示之以往的保護元件中，由於僅將助熔劑17 塗佈於可熔導體上，因此無法使助熔劑17保持在與發熱體重疊之位置。又，至少所塗佈之助熔劑17之塗佈厚度為加上保護元件之構裝高度。相對於此，圖3A右圖所示的本發明之保護元件中，係以填充於凹部2之方式塗佈助熔劑17，因此助熔劑17可保持在特定之位置，並且可使助熔劑17之塗佈厚度之構裝高度低於以往保護元件之構裝高度。

又，如圖3B左圖所示，於外罩1之內面形成有突狀部的以往之保護元件中，可將助熔劑17保持在與發熱體重疊之位置。然而，至少保護元件構裝高度必須相當於突狀部3之高度。相對於此，圖3B右圖所示的本發明之保護元件中，可將助熔劑17保持於凹部2，故而外罩1不需要用以保持助熔劑17之突狀部3。因此，本發明之保護元件與以往之保護元件相比，可在外罩內面之突狀部的高度部分實現低背化。

作為保護元件10之構成並不限定於上述之構成。特別是可熔導體13之凹部2與發熱體14，只要以來自發熱體14之發熱可使可熔導體13熔斷之方式熱接合即可。

如圖4A及圖4B所示，保護元件10亦可具備：絕緣基板11，其積層於發熱體14上；發熱體內部電極16，其自發熱體14延伸並配置於絕緣基板11上；可熔導體13，其自發熱體內部電極16遍及電極12(A1)(A2)而配置並連接。使發熱體14與可熔導體13之配置成為使絕緣基板兼用作為絕緣構件，藉此可於圖1等中省略絕緣構件15，故能使保護元件10更進一步之薄型化。又，由於並無將絕緣構件15積層之步驟，故製造步驟簡化並縮短，結果對低成本化有所貢獻。

如圖5A及圖5B所示，於絕緣性之積層基板11a形成凹部並積層發熱體14，於積層基板11a及發熱體14上進一步積層積層積板11b，藉此可構成於內層具有發熱體14之絕緣基板11。於上述方式構成之絕緣基板11上延伸出發熱體內部電極16，於絕緣基板之兩端形成電極12(A1)、 12(A2)，並且自發熱體內部電極16遍及電極12(A1)、12(A2)連接可熔導體13，藉此可構成保護元件10。發熱體14與可熔導體13之配置成為使絕緣基板11兼用作為絕緣物，藉此可於圖1等中省略絕緣構件15，能使保護元件10更進一步之薄型化。又，可藉由使上層之積層基板11b的厚度變薄而亦可使得導熱佳，熔斷特性提升。

如上所述，從導熱方面來說雖然較佳為使可熔導體13及該凹部2與發熱體14係夾著絕緣物並配置於重疊之位置的方式來進行，但如下所述，只要可熔導體13及該凹部2與發熱體14取得熱接合即可，並非一定要使該等成為重疊之位置。

如圖6A及6B所示，亦可以如下方式進行：於絕緣基板11上配置發熱體14，於同樣的絕緣基板11上延伸出發熱體內部電極16，自發熱體內部電極16遍及電極12(A1)、12(A2)連接可熔導體13。於該情形時，可熔導體13之凹部2與發熱體14並非重疊地配置，而係介隔發熱體內部電極16而熱接合。由於並非於高度方向積層發熱體14、可熔導體13及絕緣基板11，故保護元件10可進一步薄型化。

〔保護元件之使用方法〕

如圖7所示，上述之保護元件10係用於鋰離子二次電池之電池組內之電路。

例如，保護元件10係組裝於具有由合計4個鋰離子2次電池之電池單元21~24構成之電池槽25的電池組20中而被使用。

電池組20具備：電池槽25；充放電控制電路30，其對電池槽25之充放電進行控制；本發明所適用之保護元件10，其用以保護電池槽25與充放電控制電路30；檢測電路26，其檢測各電池單元21~24之電壓；以及電流控制元件27，其根據檢測電路26之檢測結果來控制保護元件10之動作。

電池槽25係串連有需要用以保護避免過量充電及過量放電狀態之控制的電池單元21~24而成者，且經由電池組20之正極端子20a、負極端子20b而可裝卸地連接於充電裝置35，且被施加來自充電裝置35之充電電壓。將經由充電裝置35充電之電池組20之正極端子20a、負極端子20b連接於利用電池而動作之電子機器，藉此，可使該電子機器動作。

充放電控制電路30具備：2個電流控制元件31、32，其等串連於自電池槽25流向充電裝置35之電流路徑；以及控制部33，其控制該等電流控制元件31、32之動作。電流控制元件31、32例如由場效電晶體(以下稱為FET)構成，且藉由利用控制部33控制閘電壓，以控制電池槽25之電流路徑之導通與截斷。當控制部33自充電裝置35接收電力供給進行動作，且根據檢測電路26之檢測結果，電池槽25為過量放電或過量充電時，以截斷電流路徑之方式，控制電流控制元件31、32之動作。

保護元件10係例如連接於電池槽25與充放電控制電路30之間之充放電電流路徑上，且其動作由電流控制元件27進行控制。

檢測電路26係與各電池單元21~24連接，檢測各電池單元21~24之電壓值，將各電壓值供給至充放電控制電路30之控制部33。又，檢測電路26係於任一個電池單元21~24達到過量充電電壓或過量放電電壓時輸出控制電流控制元件27之控制信號。

電流控制元件27係以如下之方式進行控制：藉由自檢測電路26輸出之檢測信號，而於電池單元21~24之電壓值達到超過特定之過量放電或過量充電狀態之電壓時，使保護元件10動作，不依賴電流控制元件31、32之開關動作，將電池槽25之充放電電流路徑阻斷。

由以上構成所組成之電池組20中，針對保護元件10之構成進行具體說明。

首先，適用本發明之保護元件10係例如具有圖8所示之電路構成。即，保護元件10係由可熔導體13及發熱體14構成之電路構成；該可熔導體13，係於兩端具有2個電極12(A1)、12(A2)；該發熱體14，係從一端之電極12(A1)(或電極12(A2))，經由可熔導體13、為可熔導體13之連接點的發熱體內部電極16及發熱體電極18(P1)而通電至另一發熱體電極18(P2)。又，保護元件10，例如可熔導體13串連於充放電電流路徑上，且發熱體14與電流控制元件27連接。

由此種電路構成所組成之保護元件10，可一面進一步地實現低背化，一面藉由發熱體14之發熱而將電流路徑上之可熔導體13確實地熔斷。

〔具有凹部之可熔導體的製造方法〕

為了於可熔導體13上形成凹部2，可使用以雷射開口、由配合凹部2形狀之抵壓插針(pressing pin)所致之開口、加壓成型等周知的加工技術。

如圖9所示，將抵壓插針5前端之位置以對準可熔導體13之特定位置、即與發熱體14重疊之位置的方式配置，使抵壓插針5移動於箭頭方向而抵壓於可熔導體13。抵壓插針5前端之形狀例如為圓柱形狀。如圖9B所示，將一定之壓力加至抵壓插針5，而將抵壓插針5前端抵壓於可熔導體13至一定深度。如圖9C所示，將抵壓插針5沿箭頭方向拉起，以使其自可熔導體13離開。以此方式，與可熔導體13之發熱體14重疊之位置會形成作為具有圓筒形狀之壁部2a及底部2b的凹部2之孔部。

如圖10A所示，使抵壓插針5從可熔導體下方朝箭頭方向移動，抵壓於可熔導體13之下面。抵壓插針5前端之形狀與圖9之情況相同。如圖10B所示，將經過抵壓之抵壓插針5進而一邊朝可熔導體13上方拉伸，一邊直接朝上方拉離。如圖10C所示，於與可熔導體13之發熱體14重疊之位置形成具有壁部2a之圓形貫通孔。藉由使抵壓插針5貫通而可於使抵壓插針5移動之方向形成突狀壁部2c。

適當地設定抵壓插針5前端之形狀、將抵壓插針5抵壓於可熔導體13時之壓力等，利用作為可熔導體13之金屬的延性，可藉此形成各種形狀之凹部2。

當然，亦可利用雷射或加壓成型等其他周知的加工技術，同樣地來形成各種形狀之凹部2。

〔保護元件之變形例〕

以下，針對形成於可熔導體13上之凹部2之形狀等變化進行說明。以下說明中表示有關圖1所示之積層絕緣構件15的保護元件10之構成，但如圖4、圖5及圖6所示之保護元件之構成，當然亦可適用以下之變形。

如圖11A及圖11B所示，若使用圖10中所說明之方法來形成可熔導體13之凹部2，則可於可熔導體13之上面側將自壁部2a上端延伸至上方之突狀壁部2c與貫通孔之壁部2a一同形成。若使用如此之可熔導體13來構成保護元件10，則於貫通孔之凹部2填充有助熔劑17，而可使得發熱體14之熱所致之可熔導體13之熔融狀態均勻，故可使熔斷特性之不均變少。如圖10中所說明般，藉由與貫通孔(凹部2)同時地形成之突狀壁部2c，而可更穩定地將助熔劑17保持在凹部2之位置。

如圖12A及圖12B所示，亦可僅由具有壁部2a之突狀壁部2c來形成可熔導體13之凹部2。

如圖13A及圖13B所示，亦可於可熔導體13形成為圓筒形狀的具有壁部2a及底部2b之凹部2之底部2b的大概中央部處形成突狀體2d，該突狀體2d係自底部2b之周邊朝向底部2b之中央部具有爬升梯度。於助熔劑17之黏性高時，特別是在底部2b之壁部2a側(周緣側)之角落有難以填充助熔劑17而有空隙產生之可能性。因此，藉由於凹部2之底部 2b中央部附近設置突狀體2d，可使助熔劑17引流至底部2b之周緣部而提高填充性。突狀部2d係於底部2b形成與底面接近之圓錐形狀，但其並不限定於圓錐形狀，亦能為半球狀等，亦可為設置複數個突狀體之方式。

如圖14A及圖14B所示，凹部2並非一定僅形成一個於可熔導體13，亦能以配置複數例如6個凹部2之方式形成。如此，可藉由配置複數小徑之凹部2使更少之助熔劑17保持在特定之位置。又，複數個凹部2可形成於可熔導體13上之任意位置，因此亦可有效地配置於與發熱體14重疊之位置、或實際上可熔導體應熔斷之位置等，並且能實質地擴大助熔劑17之保持位置，而將助熔劑17保持在更廣範圍內。此外，凹部2並不限定在如圖14所示之具有壁部2a之貫通孔，當然亦可為具有壁部及底部之孔部。

如圖15A及15B所示，可熔導體13之凹部2可形成具有壁部2a及底部2b之呈逆圓錐形狀之孔部，該逆圓錐形狀之徑係自底部2b朝向開口側擴大。藉由將孔部之形狀形成逆圓錐台形狀，使得助熔劑17亦能以充足地遍佈底部2b之周緣部的方式被填充在凹部2。因此，可抑制助熔劑17填充後之空隙產生，並且均勻地固定助熔劑17。

再者，可使凹部2之底部2b面積非常小，以形成逆圓錐形狀之凹部2。又，亦可貫通底部2b而形成逆圓錐台形狀之貫通孔。

若考慮助熔劑17於凹部2中之填充性，則凹部2之開口形狀及底面形狀較佳為圓形或橢圓形狀，當然亦可為任意之形狀。如圖16A及16B所示，凹部2之形狀亦可形成菱形、正方形、長方形等其他多角形。如圖16般，並不限定其為自底部2b朝向開口側徑擴大之逆角錐台形狀，與上述相同地，亦可為逆角錐形狀、或貫通底部2b之逆角錐台形狀。

如圖17A及図17B所示，於具有壁部2a之貫通孔所構成之凹部2中，亦可形成具有突狀壁部2c與助熔劑保持部2e之凹部2；該突狀壁部2c係於凹部2之開口周緣朝向上方形成；該助熔劑保持部2e係於突狀壁部2c之上端朝向開口之徑方向內側延伸設置為壁狀者。如上所述，藉由具有突狀壁部2c而使助熔劑17之保持性高，並且藉由具備助熔劑保持部2e，而即使於保護元件10載置為由水平位置傾斜之位置時，亦可維持助熔劑17之保持性並且抑制空隙產生。

如圖18A及圖18B所示，藉由將助熔劑保持部2e較長地形成，可使助熔劑17之保持性提高。

如圖19A及圖19B所示，可以進一步擴大助熔劑保持部2e而留下開口部2f，並關閉凹部2之上方開口之方式形成。藉由形成2個開口部2f、2f，能自一開口部2f注入助熔劑17並自另一開口部2f排出空氣，故而可確實地抑制空隙產生。

如圖17~19所示之變形例般，若形成凹部2則可於凹部2收納更多之助熔劑17，因此，適合於較大電流容量之保護元件的情況。

如圖17~19所示之變形例中針對凹部之形成，可利用上述方法(圖9、圖10中已說明)來製造。例如如圖10所示，以特定之壓力自可熔導體13之下方加壓抵壓插針5，不使抵壓插針5貫通而是利用作為可熔導體13之金屬的延性，藉此使突狀壁部2c及助熔劑保持部2e同時形成。之後，可利用具有小於抵壓插針5之前端徑之徑之插針來形成貫通孔。其他，當然可藉由使用周知之各種方法來形成凹部2。

Claims

一種保護元件，係具備：絕緣基板；發熱體，積層於該絕緣基板；第1及第2電極；發熱體內部電極，其與上述第1與第2電極之間之電流路徑上及上述發熱體電性連接；可熔導體，其自上述發熱體內部電極起遍及上述第1及第2電極連接，藉由加熱來熔斷該第1電極與該第2電極之間之電流路徑，且於與上述發熱體熱接合之位置具有凹部；及助熔劑，其以填充凹部之方式塗佈而成；上述凹部係形成於塗佈上述助熔劑之側並開口。
如申請專利範圍第1項之保護元件，其中，上述凹部係具有壁部及底部之孔部。
如申請專利範圍第2項之保護元件，其中，上述孔部形成圓筒形狀、逆圓錐形狀、逆圓錐台形狀、角柱形狀、逆角錐形狀及逆角錐台形狀之中任一種。
如申請專利範圍第1項之保護元件，其中，上述凹部係貫通上述可熔導體之貫通孔。
如申請專利範圍第4項之保護元件，其中，上述貫通孔係形成圓筒形狀、逆角錐台形狀、角柱形狀及逆角錐台形狀之中任一種。
如申請專利範圍第1項之保護元件，其中，進一步具備突狀壁部，該突狀壁部係延著上述凹部之周緣朝向該凹部開口之上方所形成。
如申請專利範圍第6項之保護元件，其中，進一步具備助熔劑保持部，該助熔劑保持部係自上述突狀壁部前端朝向上述凹部之徑方向且中心方向而壁狀地形成。
如申請專利範圍第7項之保護元件，其中，上述助熔劑保持部完全覆蓋上述凹部之上面開口，並且於該助熔劑具有一個以上之開口部。
如申請專利範圍第2項之保護元件，其中，上述孔部進一步具備突狀體，該突狀體係自該孔部之底部的周邊部朝向該底部之中央部具有爬升梯度。
如申請專利範圍第1至9項之任一項之保護元件，其中，上述可熔導體之凹部係形成於與上述發熱體重疊之位置。