TW201404928A - 基板處理設備以及方法 - Google Patents
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Abstract
本揭露提供一種基板處理設備以及方法，能夠有助於防止損傷一基板，其中此種基板處理設備包含：一處理腔室；一基板支撐件，用於支撐至少一個基板，其中基板支撐件提供於處理腔室的底部中；一腔室蓋，與基板支撐件相面對，腔室蓋用於覆蓋處理腔室的一頂部；以及一氣體分佈件，提供於腔室蓋中，其中氣體分佈件將源氣體分佈於基板支撐件上的一源氣體分佈區，將反應氣體分佈於與源氣體分佈區相分離的一反應氣體分佈區，並且將吹掃氣體分佈於源氣體分佈區與反應氣體分佈區之間的一空間。
Description
本發明係關於一種基板處理設備以及方法，此種種基板處理設備以及方法在一基板上沉積一薄膜。
通常，為了製造一太陽能電池、一半導體裝置以及一平板顯示裝置，需要在一基板的一表面上形成一預定的薄膜層、一薄膜電路圖案或一光學圖案。因此，可執行一半導體製造過程，例如在一基板上沉積一預定材料之薄膜的一薄膜沉積過程、透過使用感光材料選擇性地曝光此薄膜的一感光過程、以及透過選擇性地去除此薄膜的一曝光部分形成一圖案的一蝕刻過程。
此半導體製造過程在為適合於最佳環境設計的一基板處理設備內部執行。近來，使用電漿的一基板處理設備通常用以執行一沉積或蝕刻過程。
使用電漿的此半導體製造過程可為用於形成一薄膜的一電漿增強化學氣相沉積(PECVD)設備，以及用於蝕刻薄膜及形成薄膜圖案的一電漿蝕刻設備。
『第1圖』係為根據習知技術的一基板處理設備
之視圖。
請參閱『第1圖』，根據習知技術的基板處理設備可包含一腔室10、一電漿電極20、一基座30、以及一氣體分佈裝置40。
腔室10為基板處理提供一反應空間。此種情況下，腔室10的一底表面的一預定部分與一排氣管12相聯繫，排氣管12用於從反應空間排放氣體。
電漿電極20提供於腔室10上以便密封反應空間。
電漿電極20的一個側面通過一匹配件22與射頻(RF)電源24電連接。射頻電源24產生射頻電源，並且將產生的射頻電源供給至電漿電極20。
而且，電漿電極20的一中心部分與一氣體供給管26相聯繫，氣體供給管26供給用於基板處理的源氣體。
匹配件22連接於電漿電極20與射頻電源24之間，用以由此將從射頻電源24供給的射頻電源的負載阻抗及源阻抗與電漿電極20相匹配。
基座30提供於腔室10的內部，並且基座30支撐從外部裝載的複數個基板W。基座30對應於與電漿電極20相對的一相對電極，並且基座30透過用於提升基座30的一提升軸32電接地。
提升軸32透過一提升設備(圖未示)上下移動。
此種情況下，提升軸32由一波紋管34包圍，波紋管34用於密封提升軸32以及腔室10的底表面。
氣體分佈裝置40位於電漿電極20之下，其中氣體分佈裝置40與基座30面對。此種情況下，一氣體擴散空間42形成於氣體分佈裝置40與電漿電極20之間。在氣體擴散空間42內部，從氣體供給管26供給的源氣體通過電漿電極20擴散。氣體分佈裝置40通過與氣體擴散空間42相聯繫的複數個氣體分佈孔44將源氣體均勻地分佈於反應空間的全部區域。
在根據習知技術的基板處理設備的情況下，在基板(W)裝載於基座30上之後，預定的源氣體分佈於腔室10的反應空間，並且射頻電源供給至電漿電極20以便在基座30與氣體分佈裝置40之間的反應空間中形成電漿，用以由此利用電漿在基板(W)上沉積源氣體的一源材料。
然而，根據習知技術的基板處理設備可具有以下問題。
而且，在基座30的全部區域上形成的電漿的密度不均勻，以使得在基板(W)上沉積的薄膜材料的均勻性劣降，並且難以控制薄膜的質量。
此外，由於電漿形成於基座30的全部區域上，因此腔室10上沉積的源材料的一厚度以及在基板(W)上沉積的源材料的一厚度可迅速增加，以使得腔室10的一清洗週
期縮短。
有鑑於以上的問題，本發明關於一種基板處理設備以及方法，藉以克服由於習知技術之限制及缺點所產生的一個或更多問題。
本發明一方面在於提供一種基板處理設備以及方法，此種基板處理設備以及方法能夠空間上分離待分佈於一基板的源氣體與反應氣體，以便實現一薄膜在基板上良好的沉積均勻性，並且以提高生產率。
本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明的一種基板處理設備包含：一處理腔室；一基板支撐件，用於支撐至少一個基板，其中基板支撐件提供於處理腔室的底部中；一腔室蓋，與基板支撐件相面對，腔室蓋用於覆蓋處理腔室的一頂部；以及一氣體分佈件，提供於腔室蓋中，其中氣體分佈件將源氣體分佈於基板支撐件上的一源氣體分佈區，將反應氣體分佈於
與源氣體分佈區相分離的一反應氣體分佈區，並且將吹掃氣體分佈於源氣體分佈區與反應氣體分佈區之間的一空間。
在本發明之另一方面中，本發明的一種基板處理設備包含：一處理腔室；一基板支撐件，用於支撐至少一個基板，其中基板支撐件提供於處理腔室的底部中；一腔室蓋，與基板支撐件相面對，腔室蓋用於覆蓋處理腔室的一頂部；一氣體分佈件，用於將源氣體與反應氣體獨立分佈於基板支撐件的不同區域，其中氣體分佈件形成於腔室蓋中；以及一氣體抽取件，用於將源氣體分佈區周圍中的源氣體與反應氣體分佈區周圍中的反應氣體分離，並且將分離的源氣體與反應氣體抽送出處理腔室之外，其中氣體分佈件形成於腔室蓋中。
在本發明的再一方面中，一種基板處理方法包含：將至少一個基板裝載於一基板支撐件上，基板支撐件提供於一處理腔室內部；將源氣體分佈於基板支撐件的一源氣體分佈區，將反應氣體分佈於與源氣體分佈區相分離的一反應氣體分佈區，以及將吹掃氣體分佈於源氣體分佈區與反應氣體分佈區之間的一空間；以及旋轉其上裝載有至少一個基板的基板支撐件。
在本發明的又一方面中，一種基板處理方法包含：將至少一個基板裝載於一基板支撐件上，基板支撐件提供於一處理腔室內部；將待供給源氣體的一源氣體分佈區周
圍的源氣體與待供給反應氣體的一反應氣體分佈區周圍的反應氣體相分離，並且將分離的源氣體與反應氣體抽送至處理腔室之外；以及旋轉其上裝載至少一個基板的基板支撐件。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。。
10‧‧‧腔室
12‧‧‧排氣管
20‧‧‧電漿電極
22‧‧‧匹配件
24‧‧‧射頻電源
26‧‧‧氣體供給管
30‧‧‧基座
32‧‧‧提升軸
34‧‧‧波紋管
40‧‧‧氣體分佈裝置
42‧‧‧氣體擴散空間
44‧‧‧氣體分佈孔
110‧‧‧處理腔室
120‧‧‧基板支撐件
130‧‧‧腔室蓋
131‧‧‧第一模組接收孔
131a‧‧‧第一模組接收孔
131b‧‧‧第一模組接收孔
132‧‧‧第二吹掃氣體分佈件
132a‧‧‧第二模組接收孔
132b‧‧‧第二模組接收孔
140‧‧‧氣體分佈件
141‧‧‧源氣體分佈模組
141a‧‧‧源氣體分佈模組
141b‧‧‧源氣體分佈模組
142‧‧‧反應氣體分佈模組
142a‧‧‧反應氣體分佈模組
142b‧‧‧反應氣體分佈模組
143‧‧‧吹掃氣體分佈模組
143a‧‧‧第一吹掃氣體分佈件
143b‧‧‧第二吹掃氣體分佈件
144‧‧‧第一吹掃氣體供給管
145‧‧‧第二吹掃氣體供給管
150‧‧‧氣體抽取件
152‧‧‧第一氣體抽取件
152a‧‧‧第一抽取孔
152b‧‧‧第一抽取管
154‧‧‧第二氣體抽取件
154a‧‧‧第二抽取孔
154b‧‧‧第二抽取管
181‧‧‧接地框架
183‧‧‧絕緣件
185‧‧‧源氣體供給孔
186‧‧‧電漿電源供給件
187‧‧‧電漿電極件
188‧‧‧源氣體供給管
189‧‧‧視見區
SG‧‧‧源氣體
RG‧‧‧反應氣體
PG‧‧‧吹掃氣體
W‧‧‧基板
PGIA‧‧‧吹掃氣體分佈區
SGIA‧‧‧源氣體分佈區
RGIA‧‧‧反應氣體分佈區
S1‧‧‧源氣體分佈空間
RGPA‧‧‧反應氣體抽取區
SGPA‧‧‧源氣體抽取區
PGIA‧‧‧吹掃氣體分佈區
CPA‧‧‧中心抽取區
H1‧‧‧第一吹掃氣體分佈孔
H2‧‧‧第二吹掃氣體分佈孔
d1‧‧‧第一距離
d2‧‧‧第二距離
第1圖，係為根據習知技術的一基板處理設備之視圖。
第2圖，係為根據本發明第一實施例之一基板處理設備之透視圖。
第3圖，係為第2圖中所示的一腔室蓋之平面圖。
第4圖，係為沿第3圖之I-I'的一腔室蓋之橫截面圖。
第5圖，係為沿第3圖之II-II'的一腔室蓋之橫截面圖。
第6圖，係為第2圖所示之一基板支撐件上定義的一氣體分佈區以及一氣體抽取區之平面圖。
第7圖，係為根據本發明第二實施例的基板處理設備之示意圖。
第8圖，係為第2圖中所示的基板支撐件上定義的一氣體分佈區與一氣體抽取區之平面圖。
第9圖，係為根據本發明第三實施例的基板處理設備之示意圖。
第10圖，係為第9圖中所示的一對源氣體分佈模組之橫截面圖。
第11圖，係為根據本發明第四實施例的一基板處理設備之示意圖。
第12圖，係為第11圖中所示的基板支撐件上定義的一氣體分佈區與一
氣體抽取區之平面圖。
下文中，將結合附圖部分詳細地描述本發明之實施例。
『第2圖』係為根據本發明第一實施例之一基板處理設備之透視圖。『第3圖』係為『第2圖』中所示的一腔室蓋之平面圖。『第4圖』係為沿『第3圖』之I-I'的一腔室蓋之橫截面圖。『第5圖』係為沿『第3圖』之II-II'的一腔室蓋之橫截面圖。『第6圖』係為『第2圖』所示之一基板支撐件上定義的一氣體分佈區以及一氣體抽取區之平面圖。
請參考『第2圖』至『第6圖』，根據本發明第一實施例之基板處理設備可包含一處理腔室110；提供於處理腔室110之底部上的一基板支撐件120，其中基板支撐件120其上支撐至少一個基板(W)；用於覆蓋處理腔室110之頂部的一腔室蓋130；一氣體分佈件140，用於將源氣體(SG)、反應氣體(RG)以及吹掃氣體(PG)分佈於基板支撐件120上的不同氣體分佈區，其中氣體分佈件140提供於腔室蓋130中；以及一氣體抽取件150，用於將圍繞氣體分佈區的氣體抽送至外部，其中氣體抽取件150提供於處理腔室110中。
處理腔室110提供用於基板處理，例如一薄膜沉積處理的一反應空間。處理腔室110的一底表面與/或一側表
面可與一排氣管(圖未示)相聯繫，此排氣管用於從反應空間釋放氣體。
基板支撐件120可旋轉地提供於處理腔室110的內底面中。基板支撐件120透過穿透處理腔室110的底表面的一中心部分的一旋轉軸(圖未示)支撐，並且基板支撐件120可電浮置或接地。此種情況下，暴露於處理腔室100的底表面之外的旋轉軸透過在處理腔室110的底表面中提供的一波紋管(圖未示)密封。
基板支撐件120支撐由一外部基板裝載設備(圖未示)裝載的至少一個基板(W)。基板支撐件120可形成為一圓形面板形狀。基板(W)可為一半導體基板或一晶片。此種情況下，較佳地這些基板(W)可按照固定的間隔在基板支撐件120上排列為一圓形圖案以便提高生產率。
如果基板支撐件120透過旋轉此旋轉軸而旋轉至一預定方向(例如，順時針方向)，則基板(W)旋轉且因此根據一預定順序移動以使得基板(W)順次暴露於源氣體(SG)、反應氣體(RG)以及吹掃氣體(PG)。因此，基板(W)透過旋轉基板支撐件120順次暴露於源氣體(SG)、反應氣體(GS)以及吹掃氣體(PG)，由此透過一原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD)一單層或多層薄膜沉積於基板(W)上。
腔室蓋130提供於處理腔室110上，也就是說，
腔室蓋130覆蓋處理腔室110。腔室蓋130密封在處理腔室110中預備的反應空間，並且還支撐氣體分佈件140。
氣體分佈件140插入至腔室蓋130中。氣體分佈件140將源氣體(SG)、反應氣體(RG)以及吹掃氣體(PG)局部地分佈至彼此空間上相間隔開的不同氣體分佈區(SGIA、RGIA、PGIA)，其中源氣體分佈區(SGIA)與反應氣體分佈區(RGIA)透過分佈吹掃氣體(PG)空間上彼此相隔開。而且，氣體分佈件140另外對應於處理腔室110的一內側壁與基板支撐件120的一側表面之間的一空間，朝向基板支撐件120的周圍分佈吹掃氣體(PG)，以使得可能防止透過源氣體(SG)與反應氣體(RG)之間的反應，一不期望的薄膜沉積於處理腔室110的內側壁以及基板支撐件120的側表面上。為此，氣體分佈件140可包含一對源氣體分佈模組141a及141b、一對反應氣體分佈模組142a及142b、以及一吹掃氣體分佈模組143。
源氣體(SG)可為包含待沉積於基板(W)上的一薄膜材料的一氣體。此源氣體可包含矽(Si)、鈦族元素(Ti、Zr、Hf等)、或鋁(Al)的薄膜材料。舉例而言，包含矽(Si)的薄膜材料的源氣體可為從矽烷(SiH4)、乙矽烷(Si2H6)、丙矽烷(Si3H8)、正矽酸乙酯(TEOS)、二氯甲矽烷(DCS)、六氯乙矽烷(HCD)、Tri-dimethylaminosilane(TriDMAS)、三矽烷胺(TSA)等中選擇的氣體。
反應氣體(RG)可為與源氣體(SG)反應的一氣體以便使得源氣體(SG)中包含的薄膜材料沉積於基板(W)上。舉例而言，反應氣體(RG)可為氫氣(H2)、氮氣(N2)、氧氣(O2)、一氧化二氮(N2O)以及臭氧(O3)之中的至少任何一種氣體。
吹掃氣體(PG)可為一惰性氣體，用以吹掃沒有沉積於基板(W)上的源氣體(SG)與/或沒有與源氣體(SG)反應的反應氣體(RG)。
此對源氣體分佈模組141a及141b可按照此一對中包含的源氣體分佈模組141a及141b關於腔室蓋130的中心彼此對襯的方式提供於腔室蓋130中。此種情況下，此對中包含的源氣體分佈模組141a及141b分別插入至在腔室蓋130中形成的一對第一模組接收孔131a及131b中，並且與腔室蓋130相結合。此對中包含的源氣體分佈模組141a及141b分別從一外部氣體供給設備(圖未示)供給源氣體(SG)，並且然後將源氣體(SG)向下分佈至在基板支撐件120上定義的此對源氣體分佈區(SGIA)。此種情況下，每一源氣體分佈模組141a及141b在供給源氣體(SG)的內部空間中形成電漿，由此激發(或產生電漿)源氣體(SG)，並且將激發的源氣體分佈至基板(W)。為此，如『第4圖』及『第5圖』所示，此對中包含的每一源氣體分佈模組141a及141b可包含一接地框架181、一絕緣件183、一源氣體供給孔185、以及一電漿電
極件187。
接地框架181形成為具有一源氣體分佈空間(S1)，並且插入至在腔室蓋130中準備的第一模組接收孔131a及131b中。也就是說，接地框架181包含與腔室蓋130的頂表面相結合的一頂面板，以及從頂面板的底邊緣向下突出的一接地側壁，以便準備具有一預定尺寸的源氣體分佈空間(S1)。接地框架181與腔室蓋130電連接，並且透過腔室蓋130電接地。因此，接地側壁功能上作為與電漿電極件187相對的一接地電極。
較佳地，接地側壁的一高度可與第一模組接收孔131a及131b的一高度相同，或者可小於腔室蓋130的一厚度，以便防止接地側壁從腔室蓋130的底表面突出。
基板(或基板支撐件120)與接地框架181的底表面，也就是說，接地側壁的底表面之間的一第一距離(d1)可確定位於5毫米至50毫米的一範圍內。如果基板(W)與接地側壁的底表面之間的第一距離(d1)小於5毫米，則基板(W)可透過在源氣體分佈空間(S1)中出現的電漿受到損傷。同時，如果基板(W)與接地側壁的底表面之間的第一距離(d1)不小於50毫米，則沉積效率可由於透過電漿激發及分佈的源氣體的再結合而降低。
絕緣件183由一絕緣材料(例如，陶瓷材料)形成，其中絕緣件183插入至在接地框架181中形成的一絕緣件
支撐孔中，以使得接地框架181與電漿電極件187電絕緣。
源氣體供給孔185穿透接地框架181的頂面板，並且然後源氣體供給孔185與源氣體分佈空間(S1)相聯繫。在源氣體供給孔185通過一源氣體供給管188從氣體供給設備供給源氣體(SG)之後，供給至源氣體供給孔185的源氣體(SG)分佈至源氣體分佈空間(S1)。
電漿電極件187由一導電材料形成。電漿電極件187通過在絕緣件183中形成的一電極插入孔插入至源氣體分佈空間(S1)中，並且與接地側壁相平行排列。較佳地，電漿電極件187的底表面定位在與接地側壁的底表面的相同高度，或者定位於源氣體分佈空間(S1)的內部。
如果電漿電極件187利用電源電纜與一電漿電源供給件186電連接，則電漿電極件187根據從電漿電源供給器186供給的電漿電源與通過源氣體供給孔185供給至源氣體分佈空間(S1)的源氣體(SG)，在源氣體分佈空間(S1)中產生電漿，用以由此激發源氣體(SG)。激發的源氣體(SG)透過供給至源氣體分佈空間(S1)的源氣體(SG)的流量(或流動)向下分佈至基板(W)，由此源氣體分佈區(SGIA)局部地形成於基板支撐件120上。
此對反應氣體分佈模組142a及142b可按照此對中包含的反應氣體分佈模組142a及142b關於腔室蓋130的中心彼此對襯的方式提供於腔室蓋130中。此種情況下，此對
中包含的反應氣體分佈模組142a及142b分別插入至在腔室蓋130中形成的一對第二模組接收孔132a及132b中。此對中包含的反應氣體分佈模組142a及142b分別從外部氣體供給設備(圖未示)供給反應氣體(RG)，並且然後將反應氣體(RG)向下分佈至在基板支撐件120上定義的此對反應氣體分佈區(RGIA)。此種情況下，每一反應氣體分佈模組142a及142b在供給有反應氣體(RG)的內部空間中形成電漿，由此激發(或產生電漿)反應氣體(RG)，並且將激發的反應氣體分佈至基板(W)。為此，此對中包含的每一反應氣體分佈模組142a及142b可包含：具有一反應氣體分佈空間的一接地框架；一絕緣件；用於將反應氣體(RG)供給至反應氣體分佈空間的一反應氣體供給孔；以及一電漿電極件，用於在反應氣體分佈空間中形成電漿且透過使用電漿激發反應氣體(RG)。這些結構與組成此對的每一源氣體分佈模組141a及141b的結構相同，由此將透過上述描述代替此相同的結構的一詳細說明。
吹掃氣體分佈模組143形成於腔室蓋130中，並且特別地，排列於每一源氣體分佈模組141a及141b與每一反應氣體分佈模組142a及142b之間。而且，吹掃氣體分佈模組143形成於腔室蓋130的邊限(margin)中，同時與處理腔室110的內側壁及基板支撐件120的側表面之間的空間相重疊。吹掃氣體分佈模組143將吹掃氣體(PG)向下分佈至每一源氣體分佈模組141a及141b與每一反應氣體分佈模組142a及
142b之間的空間，用以由此空間上將源氣體分佈區(SGIA)與反應氣體分佈區(RGIA)彼此相分隔開。而且，吹掃氣體分佈模組143將吹掃氣體(PG)向下分佈至處理腔室110的內側壁與基板支撐件120的側表面之間的空間，以便防止透過基板支撐件120的周圍中源氣體(SG)與反應氣體(RG)之間的反應，不期望的薄膜形成於處理腔室110的內側壁及基板支撐件120的側表面上。為此，吹掃氣體分佈模組143可包含複數個第一吹掃氣體分佈件143a以及一第二吹掃氣體分佈件143b。
每一第一吹掃氣體分佈件143a形成於腔室蓋130中，並且更特別地，排列於每一源氣體分佈模組141a及141b與每一反應氣體分佈模組142a及142b之間。每一第一吹掃氣體分佈件143a將從外部氣體供給設備供給的吹掃氣體(PG)向下分佈，用以由此在源氣體分佈區(SGIA)與反應氣體分佈區(RGIA)之間形成吹掃氣體分佈區(PGIA)。也就是說，每一第一吹掃氣體分佈件143a在源氣體分佈區(SGIA)與反應氣體分佈區(RGIA)之間使用吹掃氣體(PG)形成一空氣幕，由此將源氣體分佈區(SGIA)與反應氣體分佈區(RGIA)空間上彼此相隔開，並且防止源氣體(SG)及反應氣體(RG)的一混合物分佈至基板支撐件120。為此，每一第一吹掃氣體分佈件143a可包含複數個第一吹掃氣體分佈孔(H1)以及複數個第一吹掃氣體供給管144。
每一第一吹掃氣體分佈孔(H1)穿透腔室蓋130。這些第一吹掃氣體分佈孔(H1)以固定間隔排列於相鄰的源氣體分佈模組141a及141b與相鄰的反應氣體分佈模組142a及142b之間。此種情況下，第一吹掃氣體分佈孔(H1)的每一個中的直徑與/或每一第一吹掃氣體分佈孔(H1)之間的一間隔可在從腔室蓋130的中心部分至腔室蓋130之邊緣的一方向上逐漸增加。這些第一吹掃氣體分佈孔(H1)向下分佈從氣體供給設備供給的吹掃氣體(PG)，用以由此在基板支撐件120上形成這些吹掃氣體分佈區(PGIA)。
每一第一吹掃氣體分佈孔(H1)的底表面相對相鄰於基板(W)或基板支撐件120定位。舉例而言，每一第一吹掃氣體分佈孔(H1)與基板(W)之間的一第二距離(d2)相比較於前述源氣體分佈模組141a及141b與基板(W)之間或反應氣體分佈模組142a及142b與基板(W)之間的第一距離(d1)為小。因此，從每一第一吹掃氣體分佈孔(H1)分佈出的吹掃氣體(PG)在基板支撐件120上形成吹掃氣體分佈區(PGIA)，用以由此空間上將源氣體分佈區(SGIA)與反應氣體分佈區(RGIA)彼此相隔開，並且吹掃沒有沉積於基板(W)的源氣體(SG)與/或沒有與源氣體(SG)反應的反應氣體(RG)。
這些第一吹掃氣體供給管144與用於供給吹掃氣體(PG)的氣體供給設備相連接，並且還分別與這些第一
吹掃氣體分佈孔(H1)相連接。
這些第一吹掃氣體分佈件143a可包含提供於腔室蓋130中的一第一吹掃氣體供給模組(圖未示)，以便覆蓋這些第一吹掃氣體分佈孔(H1)而非這些第一吹掃氣體供給管144。在第一吹掃氣體供給模組從氣體供給設備供給有吹掃氣體(PG)之後，第一吹掃氣體供給模組在內部擴散吹掃氣體(PG)，並且因此擴散的吹掃氣體供給至這些第一吹掃氣體分佈孔(H1)。此種情況下，這些第一吹掃氣體分佈件143a可包含至少一個狹縫，這至少一個狹縫透過第一吹掃氣體供給模組覆蓋，而非透過第一吹掃氣體分佈孔(H1)覆蓋。
第二吹掃氣體分佈件143b形成於腔室蓋130的邊限中。第二吹掃氣體分佈件143b將從氣體供給設備供給的吹掃氣體(PG)向下分佈至處理腔110的內側壁與基板支撐件120的側表面之間的空間，以使得可能防止透過基板支撐件120的周圍中源氣體(SG)與反應氣體(RG)之間的反應，不期望的薄膜形成於處理腔室110的內側壁及基板支撐件120的側表面上。為此，第二吹掃氣體分佈件143b可包含複數個第二吹掃氣體分佈孔(H2)與複數個第二吹掃氣體供給管145。
每一第二吹掃氣體分佈孔(H2)穿透腔室蓋130。這些第二吹掃氣體分佈孔(H2)以固定間隔沿著腔室蓋130的邊限排列，並且還與處理腔室110的內側壁與基板支撐件120的側表面之間的空間相重疊。這些第二吹掃氣體分佈
孔(H2)將通過這些第二吹掃氣體供給管145從氣體供給設備供給的吹掃氣體(PG)向下分佈至基板支撐件120的周圍。
按照與第一吹掃氣體分佈孔(H1)相同的方式，第二吹掃氣體分佈孔(H2)相對相鄰於基板(W)或基板支撐件120定位。因此，從每一第二吹掃氣體分佈孔(H2)分佈的吹掃氣體(PG)在基板支撐件120的周圍形成吹掃氣體分佈區(PGIA)，以使得可能防止分別從源氣體分佈模組141a及141b與反應氣體分佈模組142a及142b分佈出的源氣體(SG)及反應氣體(RG)朝向處理腔室110的內側壁前進。提供於基板支撐件120的周圍中的源氣體(SG)、反應氣體(RG)以及吹掃氣體(PG)可通過在處理腔室110的底表面的邊緣中準備的一排氣孔抽取到外部。
這些第二吹掃氣體供給管145與用於供給吹掃氣體(PG)的氣體供給設備相連接，並且還分別與這些第二吹掃氣體分佈孔(H2)相連接。
這些第二吹掃氣體分佈件132可包含在腔室蓋130中提供的一第二吹掃氣體供給模組(圖未示)，以便覆蓋這些第二吹掃氣體分佈孔(H2)而非第二吹掃氣體供給管145。在形成為一圓形帶狀的第二吹掃氣體供給模組從氣體供給設備供給吹掃氣體(PG)之後，第二吹掃氣體供給模組內部擴散吹掃氣體(PG)，並且因此擴散的吹掃氣體供給至這些第二吹掃氣體分佈孔(H2)。此種情況下，這些第二吹掃氣體
分佈件143b可包含複數個狹縫，這些狹縫以固定間隔提供且透過第二吹掃氣體供給模組覆蓋，而非透過第二吹掃氣體分佈孔(H2)覆蓋。
氣體抽取件150提供於腔室蓋130中，並且與源氣體分佈區(SGIA)及反應氣體分佈區(RGIA)的每一個的兩側相重疊，用以由此將圍繞氣體分佈區(SGIA、RGIA)剩留的氣體抽送至處理腔室110的外部。而且，氣體抽取件150提供於腔室蓋130的中心中，以便將基板支撐件120的中心上方保留的氣體抽送至處理腔室110的外部。為此，氣體抽取件150可包含一第一氣體抽取件152以及一第二氣體抽取件154。
第一氣體抽取件152提供於腔室蓋130的中心中，以便將在基板支撐件120之中心中定義的一中心抽取區(CPA)中保留的氣體抽取至外部。為此，如『第4圖』所示，第一氣體抽取件152可包含一第一抽取孔152a以及一第一抽取管152b。
穿透腔室蓋130之中心的第一抽取孔152a與基板支撐件120的中心相聯繫。
第一抽取管152b與腔室蓋130的中心相連接，並且因此與第一抽取孔152a相聯繫。而且，第一抽取管152b與一排氣設備(圖未示)相連接。如果驅動排氣設備，則第一抽取管152b通過第一抽取孔152a吸取中心抽取區(CPA)
中保留的氣體，並且然後將氣體排出至外部。
第二氣體抽取件154提供於腔室蓋130中，其中第二氣體抽取件154相鄰於源氣體分佈模組141a及141b與吹掃氣體分佈模組142a及142b的每一個的兩側定位。第二氣體抽取件154分別抽取在源氣體分佈區(SGIA)的兩側中定義的源氣體抽取區(SGPA)中的源氣體(SG)或未反應的源氣體，以及在反應氣體分佈區(RGIA)的兩側中定義的反應氣體抽取區(RGPA)中的反應氣體(RG)或未反應的反應氣體。也就是說，第二氣體抽取件154分別抽取源氣體(SG)以及反應氣體(RG)以使得可能防止透過源氣體(SG)與反應氣體(RG)之混合物產生的粉末，由此延長排氣設備，即泵的檢修週期。為此，如『第5圖』所示，第二氣體抽取件154可包含複數個第二抽取孔154a以及複數個第二抽取管154b。
這些第二抽取孔154a以固定間隔形成以便相鄰於源氣體分佈模組141a及141b與反應氣體分佈模組142a及142b的每一個的兩側或第一吹掃氣體分佈件143a的兩側穿透腔室蓋130。此種情況下，每一第二抽取孔154a中的直徑與/或每一第二抽取孔154a之間的間隔可在從腔室蓋130的中心部分至腔室蓋130的邊緣的一方向上逐漸增加。
提供於源氣體分佈模組141a及141b之兩側的這些第二抽取孔154a抽取源氣體抽取區(SGPA)的源氣體(SG)，並且提供於反應氣體分佈模組142a及142b之兩側的
第二抽取孔154a抽取反應氣體抽取區(RGPA)的反應氣體(RG)。同時，透過吹掃氣體分佈模組143分佈於吹掃氣體分佈區(PGIA)的吹掃氣體(PG)，可透過這些第二抽取孔154a將源氣體(SG)或反應氣體(RG)一起抽取到處理腔室110的外部。
這些第二抽取孔154a的底表面提供於相距基板(W)或基板支撐件120的第一距離(d1)。因此，一階梯部分在這些第二抽取孔154a的底表面與前述吹掃氣體分佈模組143的每一第一及第二吹掃氣體分佈孔(H1、H2)之間準備。此階梯部分防止分佈於基板(W)的源氣體(SG)及反應氣體(RG)朝向吹掃氣體分佈區(PGIA)前進，由此這些第二抽取孔154a平穩地抽取分佈於基板(W)的源氣體(SG)及反應氣體(RG)。在圖式中，此階梯部分形成於這些第二抽取孔154a的底表面與第一及第二吹掃氣體分佈孔(H1、H2)的每一個之間，但是並不限於此結構。舉例而言，這些第二抽取孔154a的底表面可定位於與第一及第二吹掃氣體分佈孔(H1、H2)的底表面相同的高度。
這些第二抽取管154b分別於腔室蓋130相連接，以使得這些第二抽取管154b與腔室蓋130相聯繫。而且，這些第二抽取管154b與排氣設備相連接。如果驅動排氣設備，則這些第二抽取管154b通過這些第二抽取孔154a吸取源氣體抽取區(SGPA)的源氣體且然後將源氣體排放至外部，
並且吸取反應氣體抽取區(RGPA)的反應氣體且然後將反應氣體排放至外部。
第二氣體抽取件154可包含提供於腔室蓋130中的一氣體抽取模組(圖未示)以便覆蓋第二抽取孔154a而非第二抽取管154b。氣體抽取模組通過一個氣體抽取管與排氣設備相連接。如果驅動排氣設備，則氣體抽取模組通過這些第二抽取孔154a將氣體抽取區的氣體吸取到內部空間，並且然後通過一個氣體抽取管將吸取的氣體排放至排氣設備。此種情況下，第二氣體抽取件154可包含至少一個狹縫，狹縫透過氣體抽取模組覆蓋，而非透過這些第二抽取孔154a覆蓋。
將結合『第2圖』至『第6圖』描述使用根據本發明的第一實施例之基板處理設備之一基板處理方法。
首先，這些基板(W)以固定間隔裝載於基板支撐件120上，並且放置於其上。
然後，激發的源氣體、激發的反應氣體以及吹掃氣體可通過氣體分佈件140向下分佈於基板支撐件120，並且局部地沉積於基板支撐件120上。也就是說，電漿電源與源氣體(SG)供給至此對源氣體分佈模組141a及141b，由此激發的源氣體向下分佈至基板支撐件120。而且，電漿電源與反應氣體(RG)供給至此對反應氣體分佈模組142a及142b，由此激發的反應氣體向下分佈至基板支撐件120。而且，吹掃氣體(PG)供給至吹掃氣體分佈模組143，由此吹掃氣體向下分
佈至基板支撐件120。此種情況下，源氣體(SG)與反應氣體(RG)可根據同時或透過一薄膜沉積過程預設的一處理順序順次分佈。
在基板支撐件120上，具有向其分佈源氣體的源氣體分佈區(SGLA)，向其分佈反應氣體的反應氣體分佈區(RGIA)，以及向其分佈吹掃氣體的吹掃氣體分佈區(PGIA)。
如果驅動氣體抽取件150，則分別抽取中心抽取區(CPA)、源氣體抽取區(SGPA)以及反應氣體抽取區(RGPA)的氣體。因此，分佈於這些源氣體分佈區(SGLA)的激發的源氣體透過吹掃氣體分佈區(PGIA)與分佈於這些反應氣體分佈區(RGIA)的激發的反應氣體空間上相隔開，並且源氣體(SG)與反應氣體(RG)透過使用氣體抽取件150分別抽取到外部，由此源氣體(SG)與反應氣體(RG)在分佈至基板支撐件120時彼此不混合在一起。
然後，其上裝載基板(W)的基板支撐件120旋轉至預定的方向(例如，順時針方向)。因此，當基板(W)順次通過源氣體分佈區(SGIA)、吹掃氣體分佈區(PGIA)、反應氣體分佈區(RGIA)以及吹掃氣體分佈區(PGIA)時，基板(W)順次暴露於激發的源氣體、吹掃氣體、激發的反應氣體以及吹掃氣體，由此預定的薄膜材料透過激發的源氣體與激發的反應氣體的反應沉積於基板(W)上。
根據本發明第一實施例的基板處理設備以及方法，透過通過在氣體分佈模組內部準備的氣體分佈空間中形成的高密度電漿激發源氣體(SG)及反應氣體(RG)，並且將激發的源氣體及反應氣體分佈於基板(W)，能夠防止基板(W)暴露於電漿，用以由此防止損壞基板。與現有技術不相同，本發明第一實施例揭露出電漿釋放空間形成於彼此面對的電漿電極與接地電極之間的空間中，而不是電漿電極與基板(W)之間的空間中。根據本發明，電漿釋放空間不與透過基板支撐件120支撐的基板形成區域相重疊，以使得可能防止透過電漿釋放損傷基板，並且用以防止基板(W)上沉積的薄膜的品質劣降。
在根據本發明第一實施例基板處理設備以及方法中，薄膜透過原子層沉積(ALD)形成，原子層沉積通過吹掃氣體分佈將分佈於基板支撐件120的源氣體(SG)與反應氣體(RG)空間上彼此分離，並且透過旋轉基板(W)順次將基板暴露於源氣體(SG)以及反應氣體(RG)，用以由此提高薄膜在基板(W)上沉積的均勻性，並且提高產量。此外，源氣體(SG)與反應氣體(RG)可透過吹掃氣體(PG)空間上相隔開，以使得可能防止不期望的薄膜沉積於除包含基板(W)的基板支撐件120的頂表面之外，處理腔室110的內側壁與基板支撐件120的側表面上，由此延伸處理腔室110的原位清洗及濕法清洗週期。
『第7圖』係為根據本發明第二實施例的基板處理設備之示意圖。『第8圖』係為『第2圖』中所示的基板支撐件上定義的一氣體分佈區與一氣體抽取區之平面圖。除氣體抽取件150的一結構之外，根據本發明第二實施例的基板處理設備與『第2圖』至『第6圖』中所示的根據本發明第一實施例的基板處理設備的結構相同，由此圖式中使用的相同標號表示相同或類似元件，並且將省去這些相同元件的一詳細說明。
用於覆蓋源氣體分佈區(SGIA)與反應氣體分佈區(RGIA)的氣體抽取件150提供於一腔室蓋130中，其中氣體抽取件150將用於覆蓋氣體分佈區(SGIA、RGIA)的空間中保留的氣體抽取至一處理腔室110的外部。而且，氣體抽取件150形成于腔室蓋130的中心中，以便將一基板支撐件120的中心上方保留的氣體抽取至處理腔室110的外部。為此，氣體抽取件150可包含一第一氣體抽取件152以及一第二氣體抽取件154。
第一氣體抽取件152提供于腔室蓋130的中心中，用以由此將在基板支撐件120的中心中定義的一中心抽取區(CPA)的氣體抽取至外部。為此，如『第4圖』所示，第一氣體抽取件152可包含一第一抽取孔152a以及一第一抽取管152b，其中這些元件的一詳細解釋將透過『第4圖』的上述描述替代。
第二氣體抽取件154提供于腔室蓋130中，其中第二氣體抽取件154之定位以覆蓋前述氣體分佈件140的每一源氣體分佈模組141a及141b與每一反應氣體分佈模組142a及142b。第二氣體抽取件154將定義為覆蓋源氣體分佈區(SGIA)的源氣體抽取區(SGPA)中的源氣體(SG)或未反應的源氣體，以及定義為覆蓋反應氣體分佈區(RGIA)的反應氣體抽取區(RGPA)中反應氣體(RG)或未反應的氣體抽送至外部。為此，第二氣體抽取件154可包含複數個第二抽取孔154a以及複數個第二抽取管(圖未示)。除了這些第二抽取孔154a分別覆蓋源氣體分佈模組141a及141b與反應氣體分佈模組142a及142b之外，第二氣體抽取件154的結構與根據本發明第一實施例的基板處理設備中的相同。因此，第二氣體抽取件154將定義為覆蓋源氣體分佈模組141a及141b的源氣體抽取區(SGPA)的源氣體(SG)抽送至外部，並且將定義為覆蓋反應氣體分佈模組142a及142b的反應氣體抽取區(RGPA)的反應氣體單獨抽送至外部。
第二氣體抽取件154可包含在腔室蓋130中提供的一氣體抽取模組(圖未示)，以便覆蓋這些第二抽取孔154a而非這些第二抽取管。氣體抽取模組通過一個氣體抽取管與排氣設備相連接。如果驅動排氣設備，氣體抽取模組將氣體抽取區的氣體通過這些第二抽取孔154a吸取到內部空間，並且然後將吸取的氣體通過一個氣體抽取管釋放到排氣設備。
此種情況下，第二氣體抽取件154可包含至少一個抽取狹縫，此狹縫透過氣體抽取模組覆蓋，而非透過這些第二抽取孔154a覆蓋。
『第9圖』係為根據本發明第三實施例的基板處理設備之示意圖。『第10圖』係為『第9圖』中所示的一對源氣體分佈模組之橫截面圖。
請參考『第9圖』及『第10圖』，根據本發明第三實施例的基板處理設備可包含一處理腔室110、一基板支撐件120、一腔室蓋130、一氣體分佈件140以及一氣體抽取件150。除氣體分佈件140之外，根據本發明第三實施例的基板處理設備與根據本發明第一及第二實施例的基板處理設備之結構相同，由此圖式中使用的相同標號表示相同或類似元件，並且將省去對這些相同元件的詳細描述。
除從一外部氣體供給設備供給的源氣體(SG)不被激發，並且分佈於一基板支撐件120之外，根據本發明第三實施例的氣體分佈件140與本發明的第一及第二實施例的相同。因此，將僅詳細描述用於分佈源氣體(SG)的一對源氣體分佈模組141a及141b，並且對於其他元件的一詳細描述將透過本發明的第一及第二實施例的上述描述取代。
如『第10圖』所示，組成此對的每一源氣體分佈模組141a及141b可包含一接地框架181、一源氣體供給孔185以及一視見區189。
接地框架181形成為具有一源氣體分佈空間(S1)，並且接地框架181插入至在腔室蓋130中準備的一第一模組接收孔131a及131b中。也就是說，接地框架181可包含與腔室蓋130的頂表面相結合的一頂面板，以及從頂面板的底邊緣向下突出的一接地側壁，以便準備具有一預定尺寸的源氣體分佈空間(S1)。
穿透接地框架181之頂面板的源氣體供給孔185與源氣體分佈空間(S1)相聯繫。在源氣體供給孔185通過一源氣體供給管188從氣體供給設備供給源氣體(SG)之後，源氣體供給孔185將供給的源氣體(SG)分佈至源氣體分佈空間(S1)。因此，分佈於源氣體分佈空間(S1)的源氣體(SG)向下分佈至前述的源氣體分佈區。
視見區189形成於接地框架181的頂面板中，以便監測處理腔室110的內部。也就是說，視見區189對應於透明視窗，此透明視窗能夠使得一工作者觀看處理腔室110的內部以便監測一處理狀態。
根據本發明第三實施例的基板處理設備在每一源氣體分佈模組141a及141b中可更包含提供於視見區189外部的一腔室監測裝置(圖未示)。腔室監測裝置可包含一拍攝裝置，用於通過使用視見區189拍攝基板(W)上沉積的薄膜。因此，工作者通過由腔室監測裝置拍攝的薄膜之影像，監測處理狀態。
根據本發明第三實施例的基板處理設備可應用於在基板(W)上形成一矽材料的薄膜。也就是說，包含矽材料的源氣體(SG)在源氣體(SG)沒有被激發的條件下與反應氣體(RG)起反應。同時，假定薄膜透過使用未激發狀態的源氣體(SG)沉積，如本發明的以上實施例所述，如果源氣體(SG)透過電漿激發，並且然後分佈於基板(W)，則可能降低處理溫度。
『第11圖』係為根據本發明第四實施例的一基板處理設備之示意圖。『第12圖』係為『第11圖』中所示的基板支撐件上定義的一氣體分佈區與一氣體抽取區之平面圖。
請參考『第11圖』及『第12圖』，根據本發明第四實施例的基板處理設備可包含一處理腔室110、一基板支撐件120、一腔室蓋130、一氣體分佈件140以及一氣體抽取件150。
根據本發明第四實施例的基板處理設備中的處理腔室110、基板支撐件120、以及腔室蓋130與『第2圖』及『第6圖』所示的根據本發明第一實施例的基板處理設備之結構相同，由此圖式中使用的相同標號表示相同或類似元件，並且將省去對這些相同元件的詳細描述。
氣體分佈件140插入至腔室蓋130中。氣體分佈件140將源氣體(SG)、反應氣體(RG)以及吹掃氣體(PG)
單獨地分佈至在基板支撐件120上彼此空間上相隔開的氣體分佈區域(SGIA、RGIA、PGIA)，並且氣體分佈件140透過分佈吹掃氣體(PG)將源氣體分佈區(SGIA)與反應氣體分佈區(RGIA)空間上彼此相隔開。而且，氣體分佈件140另外朝向對應於處理腔室110的一內側壁及基板支撐件120的一側表面之間的一空間的基板支撐件120的周圍分佈吹掃氣體(PG)，以使得可能防止透過源氣體(SG)與反應氣體(RG)之間的反應，一不期望的薄膜沉積於處理腔室110的內側壁以及基板支撐件120的側表面上。為此，氣體分佈件140可包含一源氣體分佈模組141a及141b、一反應氣體分佈模組142a及142b、以及一吹掃氣體分佈模組143。
源氣體分佈模組141提供于腔室蓋130的頂部。此種情況下，源氣體分佈模組141插入至腔室蓋130的一第一模組接收孔131中，並且因此與腔室蓋130相結合。類似于前述根據本發明第一實施例的基板處理設備的源氣體分佈模組，根據本發明第四實施例的基板處理設備的源氣體分佈模組141激發從一氣體供給設備供給的源氣體(SG)，並且將激發的源氣體(SG)向下分佈至基板支撐件120上局部定義的一個源氣體分佈區(SGIA)。
如『第4圖』及『第5圖』所示，根據本發明一個實施例的源氣體分佈模組141可包含一接地框架181、一絕緣件183、一源氣體供給孔185、以及一電漿電極件187。這
些元件與根據本發明第一實施例的基板處理設備的源氣體分佈模組中包含的相同，由此對這些元件的詳細解釋將透過上述描述取代。
如『第10圖』所示，根據本發明另一實施例的源氣體分佈模組141可包含一接地框架181、一源氣體供給孔185、以及一視見區189。這些元件與根據本發明第三實施例的基板處理設備的源氣體分佈模組中包含的相同，由此對這些元件的詳細解釋將透過上述描述取代。
反應氣體分佈模組142形成于腔室蓋130中，其中反應氣體分佈模組142與源氣體分佈模組141關於腔室蓋130的中心彼此對襯。此種情況下，源氣體分佈模組141插入至腔室蓋130的一第二模組接收孔132中，並且因此與腔室蓋130相結合。類似于前述根據本發明第一實施例的基板處理設備的反應氣體分佈模組，根據本發明第四實施例的基板處理設備的反應氣體分佈模組142激發從氣體供給設備供給的反應氣體(RG)，並且將激發的反應氣體(RG)向下分佈至基板支撐件120上局部定義的一個反應氣體分佈區(RGIA)。反應氣體分佈模組142可包含具有一反應氣體分佈空間的一接地框架；一絕緣件；用於將反應氣體(RG)供給至反應氣體分佈空間的一反應氣體供給孔；以及一電漿電極件，用於在反應氣體分佈空間中形成電漿且透過使用電漿激發反應氣體(RG)。這些元件與根據本發明以上的實施例的基板處理設備
的源氣體分佈模組中包含的相同，由此對這些元件的詳細解釋將透過上述描述取代。
吹掃氣體分佈模組143形成于腔室蓋130中，並且特別地，與源氣體分佈模組141的兩側以及反應氣體分佈模組142的兩側相平行排列。而且，吹掃氣體分佈模組143形成于腔室蓋130中，並且特別地，與處理腔室110的內側壁及基板支撐件120的側表面之間的空間相重疊。吹掃氣體分佈模組143向下將吹掃氣體(PG)分佈至源氣體分佈模組141a及141b與反應氣體分佈模組142a及142b的每一個的兩側，並且將吹掃氣體(PG)向下分佈至處理腔室110的內側壁與基板支撐件120的側表面之間的空間，以使得可能將源氣體分佈區(SGIA)與反應氣體分佈區(RGIA)彼此空間上分離，並且還防止透過源氣體(SG)與反應氣體(RG)之間的反應，一不期望的薄膜沉積於處理腔室110的內側壁與基板支撐件120的側表面。為此，吹掃氣體分佈模組143可包含複數個第一吹掃氣體分佈件143a，以及一第二吹掃氣體分佈件143b。除吹掃氣體分佈模組143提供於一個源氣體分佈模組141與一個反應氣體分佈模組142的每一個的兩側之外，吹掃氣體分佈模組143與根據本發明第一實施例的基板處理設備中的結構相同，由此這些相同元件的詳細解釋將透過以上描述取代。
氣體抽取件150形成于腔室蓋130中，並且特別地，與基板支撐件120的中心相重疊。而且，氣體抽取件150
之定位相鄰於源氣體分佈模組141與反應氣體分佈模組142的每一個的兩側。氣體抽取件150將對應於基板支撐件120的中心以及氣體分佈區(SGIA、RGIA)的周圍區域的氣體抽取區(CPA、SGPA、RGPA)的氣體抽取至處理腔室110的外部，用以由此釋放氣體到以上區域的外部。為此，氣體抽取件150可包含第一及第二氣體收取件152及154。除了氣體抽取件150提供於一個源氣體分佈模組141與一個反應氣體分佈模組142的每一個的兩側之外，氣體抽取件150與根據本發明第一實施例的基板處理設備的結構相同，由此相同元件的詳細描述將透過以上描述取代。
同時，如『第7圖』及『第8圖』所示，氣體抽取件150的第二氣體抽取件154可形成為覆蓋源氣體分佈模組141及反應氣體分佈模組142的每一個。
根據本發明的基板處理設備以及方法，薄膜透過原子層沉積(ALD)形成於基板(W)上，原子層沉積(ALD)通過吹掃氣體分佈將源氣體(SG)與反應氣體(RG)空間上彼此分離，並且透過旋轉基板(W)將基板(W)順次暴露於分離的源氣體(SG)與反應氣體(RG)，用以由此提高在基板(W)上沉積的薄膜的均勻性，並且提高生產率。
而且，源氣體(SG)與反應氣體(RG)可透過吹掃氣體(PG)空間上相分離，以使得可能防止不期望的薄膜沉積於除包含基板(W)的基板支撐件120的側表面之外，
處理腔室110的內側壁與基板支撐件120的側表面上，由此延長處理腔室110的原位清洗及濕法清洗的週期。
本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明所附之申請專利範圍所揭示之本發明之精神和範圍的情況下，所作之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍之內。關於本發明所界定之保護範圍請參照所附之申請專利範圍。
110‧‧‧處理腔室
120‧‧‧基板支撐件
130‧‧‧腔室蓋
131a‧‧‧第一模組接收孔
131b‧‧‧第一模組接收孔
132a‧‧‧第二模組接收孔
132b‧‧‧第二模組接收孔
140‧‧‧氣體分佈件
141a‧‧‧源氣體分佈模組
141b‧‧‧源氣體分佈模組
142a‧‧‧反應氣體分佈模組
142b‧‧‧反應氣體分佈模組
143‧‧‧吹掃氣體分佈模組
143a‧‧‧第一吹掃氣體分佈件
143b‧‧‧第二吹掃氣體分佈件
150‧‧‧氣體抽取件
152‧‧‧第一氣體抽取件
154‧‧‧第二氣體抽取件
154a‧‧‧第二抽取孔
W‧‧‧基板
H1‧‧‧第一吹掃氣體分佈孔
H2‧‧‧第二吹掃氣體分佈孔
Claims (23)
- 一種基板處理設備，包含：一處理腔室；一基板支撐件，用於支撐至少一個基板，其中該基板支撐件提供於該處理腔室的底部中；一腔室蓋，與該基板支撐件相面對，該腔室蓋用於覆蓋該處理腔室的一頂部；以及一氣體分佈件，提供於該腔室蓋中，其中該氣體分佈件將源氣體分佈於該基板支撐件上的一源氣體分佈區，將反應氣體分佈於與該源氣體分佈區相分離的一反應氣體分佈區，並且將吹掃氣體分佈於該源氣體分佈區與該反應氣體分佈區之間的一空間。
- 如請求項1所述的基板處理設備，其中該氣體分佈件另外將該吹掃氣體分佈於該處理腔室的一內側壁與該基板支撐件的一側表面之間的一空間。
- 如請求項1所述的基板處理設備，其中該氣體分佈件包含：至少一個源氣體分佈模組，提供於該腔室蓋中，用於將該源氣體分佈於該源氣體分佈區；至少一個反應氣體分佈模組，提供於該腔室蓋中，用於將該反應氣體分佈於該反應氣體分佈區；以及一吹掃氣體分佈模組，提供於該腔室蓋中，用於將該吹掃氣體分佈於該源氣體分佈區與該反應氣體分佈區之間的一吹掃氣體分佈區。
- 如請求項3所述的基板處理設備，其中該源氣體分佈模組與該反應氣體分佈模組的每一個包含：一接地框架，具有用於準備一氣體分佈空間的一接地側壁；一氣體供給孔，形成於該接地框架中且與該氣體分佈空間相聯繫，其中該氣體供給孔將該氣體供給至該氣體分佈空間；一電漿電極件，插入至該氣體分佈空間中且與該接地側壁相平行排列，其中該電漿電極件根據電漿電源在該氣體分佈空間中形成電漿，並且透過使用電漿激發供給至該氣體分佈空間的該氣體；以及一絕緣件，用於將該電漿電極件與該接地框架彼此電絕緣。
- 如請求項3所述的基板處理設備，其中該源氣體分佈模組包含：一接地框架，具有用於準備一源氣體分佈空間的一接地側壁；以及一氣體供給孔，形成於該接地框架中且與該源氣體分佈空間相聯繫，其中該氣體供給孔將該源氣體供給該源氣體分佈空間。
- 如請求項3所述的基板處理設備，其中該吹掃氣體分佈模組包含複數個第一吹掃氣體分佈件，其中該等第一吹掃氣體分佈件具有用於將該吹掃氣體分佈至該吹掃氣體分佈區的複數個第一吹掃氣體分佈孔，其中該等吹掃氣體分佈 孔形成於該腔室蓋中，並且與該源氣體分佈模組及該反應氣體分佈模組的每一個的兩側相鄰而定位。
- 如請求項6所述的基板處理設備，其中該吹掃氣體分佈模組包含一第二吹掃氣體分佈件，該第二吹掃氣體分佈件具有複數個第二吹掃氣體分佈孔，用於將該吹掃氣體分佈於該處理腔室的該內側壁與該基板支撐件的該側表面之間的該空間，其中該等第二吹掃氣體分佈孔沿著該腔室蓋的該邊限形成。
- 如請求項6所述的基板處理設備，其中該源氣體分佈模組與該反應氣體分佈模組的每一個的該底表面提供於相距該基板支撐件的一第一距離，以及該第一吹掃氣體分佈孔與該基板支撐件的該底表面之間的一第二距離相比較於該第一距離為小。
- 如請求項1至8的任意一項所述的基板處理設備，更包含一氣體抽取件，係形成於該腔室蓋中，用於將該源氣體分佈區周圍中的該源氣體與該反應氣體分佈區周圍中的該反應氣體相隔開，並且將隔開的該源氣體與該反應氣體抽取出該處理腔室之外。
- 如請求項9所述的基板處理設備，其中該氣體抽取件包含在該腔室蓋中形成的複數個抽取孔，其中該等抽取孔相鄰於該源氣體分佈模組與該反應氣體分佈模組的每一個的兩側而定位，或者提供用以覆蓋該源氣體分佈模組與該反應氣體分佈模組。
- 如請求項9所述的基板處理設備，其中該氣體抽取件將該基板支撐件的該中心上方的該氣體抽送至該處理腔室的外部。
- 一種基板處理設備，包含：一處理腔室；一基板支撐件，用於支撐至少一個基板，其中該基板支撐件提供於該處理腔室的底部中；一腔室蓋，與該基板支撐件相面對，該腔室蓋用於覆蓋該處理腔室的一頂部；一氣體分佈件，用於將源氣體與反應氣體獨立分佈於該基板支撐件的不同區域，其中該氣體分佈件形成於該腔室蓋中；以及一氣體抽取件，用於將該源氣體分佈區周圍中的該源氣體與該反應氣體分佈區周圍中的該反應氣體分離，並且將分離的該源氣體與該反應氣體抽送出該處理腔室之外，其中該氣體分佈件形成於該腔室蓋中。
- 如請求項12所述的基板處理設備，其中該氣體分佈件包含：至少一個源氣體分佈模組，係提供於該腔室蓋中，用於將該源氣體分佈於該源氣體分佈區；以及至少一個反應氣體分佈模組，係提供於該腔室蓋中，用於將該反應氣體分佈於該反應氣體分佈區。
- 如請求項12所述的基板處理設備，其中該氣體抽取件包含形成於該腔室蓋中的複數個抽取孔，其中該等抽取孔相鄰 於該源氣體分佈模組與該反應氣體分佈模組的每一個的兩側而定位，或者提供用以覆蓋該源氣體分佈模組與該反應氣體分佈模組。
- 如請求項1、2、3、12以及13中任意一項所述的基板處理設備，其中該氣體分佈件激發且分佈該源氣體與該反應氣體的至少任何一種。
- 一種基板處理方法，包含：將至少一個基板裝載於一基板支撐件上，該基板支撐件提供於一處理腔室內部；將源氣體分佈於該基板支撐件的一源氣體分佈區，將反應氣體分佈於與該源氣體分佈區相分離的一反應氣體分佈區，以及將吹掃氣體分佈於該源氣體分佈區與該反應氣體分佈區之間的一空間；以及旋轉其上裝載有至少一個基板的該基板支撐件。
- 如請求項16所述的基板處理方法，更包含將該吹掃氣體分佈於該處理腔室的一內側壁與該基板支撐件的一側表面之間的一空間。
- 如請求項16所述的基板處理方法，其中該吹掃氣體相比較於該源氣體或該反應氣體，分佈於關於該基板支撐件一相對短的距離。
- 如請求項16至18中任意一項所述的基板處理方法，更包含將該源氣體分佈區周圍的該源氣體與該反應氣體分佈區周圍的該反應氣體相分離，並且將分離的該源氣體與該反應氣體抽送出該處理腔室之外。
- 如請求項19所述的基板處理方法，更包含將該基板支撐件的中心上方駐留的該氣體抽送出該處理腔室之外部。
- 一種基板處理方法，包含：將至少一個基板裝載於一基板支撐件上，該基板支撐件提供於一處理腔室內部；將待供給該源氣體的一源氣體分佈區周圍的該源氣體與待供給該反應氣體的一反應氣體分佈區周圍的該反應氣體相分離，並且將分離的該源氣體與該反應氣體抽送至該處理腔室之外；以及旋轉其上裝載至少一個基板的該基板支撐件。
- 如請求項16或21所述的基板處理方法，其中該源氣體與該反應氣體同時或順次地分佈。
- 如請求項16或21所述的基板處理方法，其中激發且分佈該源氣體與該反應氣體的至少一種。
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