TW201347612A - 主動式ｘ光感測電路及其感測方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 158
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 22
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 101150037603 cst-1 gene Proteins 0.000 description 10
- 101150076592 CST3 gene Proteins 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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Abstract
本發明之一目的係提供一種主動式X光感測電路及其感測方法，其係應用於X光成像面板，其中X光感測電路具有兩列畫素電路，其係共用一條掃描線，每條資料線係連接至兩個開關，以分別於補償時切換至電流源，或讀取時切換至放大器，藉由搭配特定之掃描線訊號，上一列畫素電路係補償臨界電壓變異，同時，下一列進行讀取動作，依序操作下，感測電路陣列可於一次掃描下同時完成補償與感測，降低漏電流之影響。
Description
本發明係有關一種主動式X光感測電路與X光感測方法，特別是關於一次掃描下，同時完成臨界電壓補償與讀取動作之X光感測電路與X光感測方法。
傳統之X光感測電路與X光感測方法係分別進行臨界電壓補償、照光以及讀取等動作，且補償電路與讀取電路係不可共用，因此補償以及讀取需獨立各具有一路徑，故而其電路設計較為複雜也更為龐大。
再者，主動式陣獵X光感測電路(APS)目前多著重於感測電路之變化，其具有臨界電壓補償之電路者，極為稀少，因此無法補償元件隻臨界電壓變異所造成之影響。
此外，習知技術亦無法同時進行臨界電壓補償與讀取電流之動作，其總體所需之時間較長，電晶體漏電流將降低感測準確度。
有鑑於前述考量，為求能滿足業界長期以來的需求，需提出一種主動式X光感測電路及X光感測方法；該方法其一列畫素電路係補償臨界電壓變異，同時，下一列進行讀取動作，感測電路陣列可於一次掃描下同時完成補償臨界電壓與讀取感測電流之動作，以降低漏電流之影響，進而提高感測準確度。
本發明之一目的係提供一種主動式X光感測電路及X光感測方法，其係應用於X光成像面板，其中X光感測電路具有兩列畫素電路，其係共用一條掃描線，每條資料線係連接至兩個開關，以分別於補償時切換至電流源，或讀取時切換至放大器，藉由搭配特定之掃描線訊號，上一列畫素電路係補償臨界電壓變異，同時，下一列進行讀取動作，依序操作下，感測電路陣列可於一次掃描下同時完成補償與感測，降低漏電流之影響。
本發明之一目的係提供一主動式X光感測電路，適用於主動X光感測電路於一次掃描時，同時完成補償電晶體之臨界電壓以及X光感測之動作，主動式X光感測電路包含：第一列畫素電路、第二列畫素電路、第一資料線、第二資料線、第三資料線以及第四資料線。第一列畫素電路包含第一畫素電路以及第二畫素電路，其中第一畫素電路以及第二畫素電路係連接於第一掃描線與第二掃描線之間。第二列畫素電路包含第三畫素電路，以及第四畫素電路，其中第三畫素電路以及第四畫素電路係連接於第二掃描線與第三掃描線之間。
第一資料線係連接於第一電流源以及第一放大器。第二資料線係連接於第二電流源以及第二放大器，其中，第一畫素電路以及第三畫素電路係連接於第一資料線以及第二資料線之間。第三資料線，係連接於第二電流源以及第二放大器。第四資料線係連接於第三電流源以及第三放大器，其中，第二畫素電路以及第四畫素電路係連接於第三
資料線以及第四資料線之間。其中，第一列畫素電路係先進行讀取，當第一列畫素電路係完成讀取後，第二列畫素電路係進行讀取，同時第一列畫素電路之第一畫素電路以及第二畫素電路係分別進行臨界電壓之補償。
本發明之另一目的係提供一種主動式X光感測方法，適用於主動X光感測電路於一次掃描時，同時完成補償電晶體之臨界電壓以及X光感測之動作，主動式X光感測方法之步驟包含：提供一第一列畫素電路，其包含第一畫素電路以及第二畫素電路，其中第一畫素電路以及第二畫素電路係連接於第一掃描線與第二掃描線之間。提供第二列畫素電路，其包含第三畫素電路，以及第四畫素電路，其中第三畫素電路以及第四畫素電路係連接於第二掃描線與第三掃描線之間。提供第一資料線，其係連接於第一電流源以及第一放大器。提供第二資料線，係連接於第二電流源以及第二電流源，其中，第一畫素電路以及第三畫素電路係連接於第一資料線以及第二資料線之間。
接著，提供一第三資料線，其係連接於第二電流源以及第二電流源。提供一第四資料線，其係連接於第三電流源以及第三放大器，其中，第二畫素電路以及第四畫素電路係連接於第二資料線以及第三資料線之間。其中，第一列畫素電路、第二列畫素電路、第一資料線、第二資料線、第三資料線以及第四資料線係設置於主動X光感測電路中，第一列畫素電路係先進行讀取，當第一列畫素電路係完成讀取後，第二列畫素電路係進行讀取，同時第一列畫素電路之第一畫素電路以及第二畫素電路係分別進行臨界
電壓之補償。
有關本發明的較佳實施例及其功效，茲配合圖式說明如后。請參照第1圖，其所示為本發明主動式X光感測電路之一實施例示意圖。本發明所提出之主動式X光感測電路100包含：第一列畫素電路110、第一列畫素電路112、第一資料線120、第二資料線122、第三資料線124以及第四資料線126。第一列畫素電路110係包含第一畫素電路102以及第二畫素電路104，第一畫素電路102以及第二畫素電路104係連接於第一掃描線130與第二掃描線132之間。第二列畫素電路112係包含第三畫素電路106，以及第四畫素電路108，其中第三畫素電路106以及第四畫素電路108係連接於第二掃描線132與第三掃描線134之間。
於本實施例，第一資料線120係連接於第一電流源I1以及第一放大器A1。第二資料線122係連接於第二電流源I2以及第二放大器A2，其中，第一畫素電路102以及第三畫素電路106係連接於第一資料線120以及第二資料線122之間。第三資料線124係連接於第二電流源I2以及第二放大器A2。第四資料線126係連接於第三電流源I3以及第三放大器A3，其中，第二畫素電路104以及第四畫素電路108係連接於第三資料線124以及第四資料線126之間。而第一列畫素電路110係進行讀取動作，當第一列畫素電路110完成讀取後，第二列畫素電路112係進行讀取，同時第一列畫素電路110之第一畫素電路102以及第二畫素
電路104係分別進行臨界電壓之補償動作。
如第1圖所示，第一畫素電路102係包含：第一電晶體T1、第一閘極電晶體T1g、第一源極電晶體T1s、第一電容電晶體T1c、第一電容Cst1以及第一二極體D1。第一電晶體T1之第一端係連接第一掃描線130。第一閘極電晶體T1g之第三端係連接於第一電晶體T1之第二端，第一閘極電晶體T1g之第一端係連接於第一掃描線130，第一閘極電晶體T1g之第二端係連接於第二掃描線132。第一源極電晶體T1s之第一端係連接第一資料線120，第一源極電晶體T1s之第二端係連接第一掃描線130，第一源極電晶體T1s之第三端係連接第一電晶體T1之第三端。第一電容電晶體T1c之第一端係連接第一閘極電晶體T1g之第三端，第一電容電晶體T1c之第二端係連接第一掃描線130。第一電容之一端係連接第一電容電晶體T1c之第三端，第一電容Cst1之另一端係連接第一電晶體T1之第三端。第一二極體D1係連接第一電容電晶體T1c之第三端。
如第1圖所示，第二畫素電路104係包含：第二電晶體T2、第二閘極電晶體T2g、第二源極電晶體T2s、第二電容電晶體T2c、第二電容Cst2以及第二二極體D2。第二電晶體T2之第一端係連接第一掃描線130。第二閘極電晶體T1g之第三端係連接於第二電晶體T2之第二端，第二閘極電晶體T2g之第一端係連接於第一掃描線130，第二閘極電晶體T2g之第二端係連接於第二掃描線132。第二源極電晶體T2g之第一端係連接第三資料線124，第二源極電晶體T2s之第二端係連接第一掃描線130，第二源極電
晶體T2s之第三端係連接第二電晶體T2之第三端。第二電容電晶體T2c之第一端係連接第二閘極電晶體T2g之第三端，第二電容電晶體T2c之第二端係連接第一掃描線130。第二電容之一端係連接第二電容電晶體T2c之第三端，第二電容Cst2之另一端係連接第二電晶體T2之第三端。第二二極體D2係連接第二電容電晶體T2c之第三端。
如第1圖所示，第三畫素電路106係包含：第三電晶體T3、第三閘極電晶體T3g、第三源極電晶體T3s、第三電容電晶體T3c、第三電容Cst3以及第三二極體D3。第三電晶體T3之第一端係連接第二掃描線132。
如第1圖所示，第三閘極電晶體T3g之第三端係連接於第三電晶體T3之第二端，第三閘極電晶體T3g之第一端係連接於第二掃描線132，第三閘極電晶體T3g之第二端係連接於第三掃描線134。第三源極電晶體T3s之第一端係連接第二資料線132，第三源極電晶體T3s之第二端係連接第二掃描線132，第三源極電晶體T3s之第三端係連接第三電晶體T3之第三端。第三電容電晶體T3c之第一端係連接第三閘極電晶體T3g之第三端，第三電容電晶體T3c之第二端係連接第二掃描線132。第三電容Cst3一端係連接第三電容電晶體T3c之第三端，第三電容Cst3之另一端係連接第三電晶體之第三端。第三二極體係連接第三電容電晶體T3c之第三端。
如第1圖所示，第四畫素電路108係包含：第四電晶體T4、第四閘極電晶體T4g、第四源極電晶體T4s、第四電容電晶體T4c、第四電容Cst4以及第四二極體D4。第四電晶
體T4之第一端係連接第二掃描線132。第四閘極電晶體T4之第三端係連接於第四電晶體T4之第二端，第四閘極電晶體T4g之第一端係連接於第二掃描線132，第四閘極電晶體T4g之第二端係連接於第三掃描線134。第四源極電晶體T4s之第一端係連接第四資料線126，第四源極電晶體T4s之第二端係連接第二掃描線132，第四源極電晶體T4s之第三端係連接第四電晶體T4之第三端。第四電容電晶體T4c之第一端係連接第四閘極電晶體T4g之第三端，第四電容電晶體T4c之第二端係連接第三掃描線134。第四電容之一端係連接第四電容電晶體T4c之第三端，第四電容Cst4之另一端係連接第四電晶體T4之第三端。第四二極體D4係連接第四電容電晶體T4c之第三端。
如第1圖所示，主動式X光感測電路100包含第一電流源I1、第一放大器A1、第一放大電容CA1、第一開關SW1以及第二開關SW2，第一開關SW1係連接於第一資料線120與第一電流源I1之間，第二開關SW2係連接於第一資料線120與第一放大器A1之間，第一放大器A1係連接第一放大電容CA1。
如第1圖所示，主動式X光感測電路100包含第二電流源I2、第二放大器A2、第二放大電容CA2、第三開關SW3以及第五開關SW5，第三開關SW3係連接於第二資料線122與第二電流源I2之間，第五開關SW5係連接於第二資料線122與第二放大器A2之間，第二放大器A2係連接第二放大電容CA2。
如第1圖所示，X光感測電路100包含第四開關SW4
以及第六開關SW6，第四開關SW4係連接於第三資料線124與第二電流源I2之間，SW6第六開關SW6係連接於第三資料線124與第二放大器A2之間，第二放大器A2係連接第二放大電容CA2。
如第1圖所示，主動式X光感測電路100包含第七開關SW7以及第八開關SW8，第七開關SW7係連接於第四資料線126與第三電流源I3之間，第八開關SW8係連接於第四資料線126與第三放大器A3之間，第三放大器A3係連接第三放大電容CA3。
如第1圖所示，主動式X光感測電路100在開始照射X光後，掃描線開始提供電壓波形，於時序1，第二開關SW2以及第六開關SW6係關上，以控制第一列畫素電路110進行讀取動作，第一電容Cst1受第一X光照射而改變第一電壓，以使第一電晶體T1輸出對應之第一感測電流(未圖示)。第二電容Cst2受第二X光照射而改變第二電壓，以使第二電晶體T2輸出對應之第二感測電流(未圖示)。
如第1圖所示，時序2，第二開關SW2以及第六開關SW6係打開，且第一開關SW1以及第四開關SW4係關上，第一列畫素電路110係開始進行補償動作，流過第一電晶體T1之第一電流係等於該第一電流源之電流值，該第一電流源I1使得第一電晶體T1之一第一臨界電壓Vth1儲存於第一電容Cst1，以對第一電晶體Cst1進行補償動作，流過第二電晶體T2之第二電流係等於第二電流源I2之電流值，第二電流源I2使得第二電晶體2之一第二臨界電壓Vth2儲存於第二電容Cst2，以對第二電晶體T2進行補償
動作，第五開關SW5以及第八開關SW8係關上，第二列畫素電路112係進行讀取動作，第三電容Cst3受一第三X光照射而改變一第三電壓，以使第三電晶體T3輸出對應之一第三感測電流(未圖示)。第四電容Cst4受一第四X光照射而改變第四電壓，以使第四電晶體T4輸出對應之第四感測電流(未圖示)。
如第1圖所示，時序3，第一開關SW1以及第四開關SW4係打開，第一列畫素電路110係補償完畢，第三開關SW3以及第七開關SW7係關上，第二列畫素電路112係開始進行補償動作，流過第三電晶體106之第三電流係等於第二電流源I2之電流值，第二電流源I2使得第三電晶體T3之第三臨界電壓Vth3儲存於第三電容Cst3，以對第三電晶體T3進行補償動作，流過第四電晶體T4之第四電流係等於該第三電流源I3之電流值，第三電流源I3使得第四電晶體T4之第四臨界電壓Vth3儲存於第四電容Cst4，以對第四電晶體T4進行補償動作。
如第1圖所示，時序4，第三開關SW3以及第七開關SW7係打開，第二列畫素電路112係補償完畢。
請參考第2圖，其係為主動式X光感測方法流程圖。請參考第1圖以及第2圖，X光感測方法，適用於主動X光感測電路100，於一次掃描時，同時完成補償電晶體之臨界電壓以及X光感測之動作。
如步驟S202，係提供第一列畫素電路110、第二列畫素電路112。
如步驟S204，提供第一資料線120、第二資料線122、
第三資料124線以及第四資料線126。第一列畫素電路係包含第一畫素電路102以及第二畫素電路104，第一畫素電路102以及第二畫素電路104係連接於第一掃描線130與第二掃描線132之間。第二列畫素電路112係包含第三畫素電路106，以及第四畫素電路108，其中第三畫素電路106以及第四畫素電路108係連接於第二掃描線132與第三掃描線134之間。
如步驟S206，主動式X光感測電路100在開始照射X光後，掃描線開始提供電壓波形，於時序1，第二開關SW2以及第六開關SW6係關上，以控制第一列畫素電路110進行讀取動作，第一電容Cst1受第一X光照射而改變第一電壓，以使第一電晶體T1輸出對應之第一感測電流(未圖示)。第二電容Cst2受第二X光照射而改變第二電壓，以使第二電晶體T2輸出對應之第二感測電流(未圖示)。
如步驟S208，時序2，第二開關SW2以及第六開關SW6係打開，且第一開關SW1以及第四開關SW4係關上，第一列畫素電路110係開始進行補償動作，流過第一電晶體T1之第一電流係等於該第一電流源之電流值，該第一電流源I1使得第一電晶體T1之一第一臨界電壓Vth1儲存於第一電容Cst1，以對第一電晶體Cst1進行補償動作，流過第二電晶體T2之第二電流係等於第二電流源I2之電流值，第二電流源I2使得第二電晶體2之一第二臨界電壓Vth2儲存於第二電容Cst2，以對第二電晶體T2進行補償動作，第五開關SW5以及第八開關SW8係關上，第二列畫素電路112係進行讀取動作，第三電容Cst3受一第三X光照射而
改變一第三電壓，以使第三電晶體T3輸出對應之一第三感測電流(未圖示)。第四電容Cst4受一第四X光照射而改變第四電壓，以使第四電晶體T4輸出對應之第四感測電流(未圖示)。
步驟S210，時序3，第一開關SW1以及第四開關SW4係打開，第一列畫素電路110係補償完畢，第三開關SW3以及第七開關SW7係關上，第二列畫素電路112係開始進行補償動作，流過第三電晶體106之第三電流係等於第二電流源I2之電流值，第二電流源I2使得第三電晶體T3之第三臨界電壓Vth3儲存於第三電容Cst3，以對第三電晶體T3進行補償動作，流過第四電晶體T4之第四電流係等於該第三電流源I3之電流值，第三電流源I3使得第四電晶體T4之第四臨界電壓Vth3儲存於第四電容Cst4，以對第四電晶體T4進行補償動作。
步驟S212，時序4，第三開關SW3以及第七開關SW7係打開，第二列畫素電路112係補償完畢，故而完成所有的步驟。
以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。
100‧‧‧主動式X光感測電路
102‧‧‧第一畫素電路
104‧‧‧第二畫素電路
106‧‧‧第三畫素電路
108‧‧‧第四畫素電路
110‧‧‧第一列畫素電路
112‧‧‧第一列畫素電路
120‧‧‧第一資料線
122‧‧‧第二資料線
124‧‧‧第三資料線
126‧‧‧第四資料線
130‧‧‧第一掃描線
132‧‧‧第二掃描線
134‧‧‧第三掃描線
T1‧‧‧第一電晶體
T1g‧‧‧第一閘極電晶體
T1s‧‧‧第一源極電晶體
T1c‧‧‧第一電容電晶體
Cst1‧‧‧第一電容
D1‧‧‧第一二極體
T2‧‧‧第二電晶體
T2g‧‧‧第二閘極電晶體
T2s‧‧‧第二源極電晶體
T2c‧‧‧第二電容電晶體
Cst2‧‧‧第二電容
D2‧‧‧第二二極體
T3‧‧‧第三電晶體
T3g‧‧‧第三閘極電晶體
T3s‧‧‧第三源極電晶體
T3c‧‧‧第三電容電晶體
Cst3‧‧‧第三電容
D3‧‧‧第三二極體
T4‧‧‧第四電晶體
T4g‧‧‧第四閘極電晶體
T4s‧‧‧第四源極電晶體
T4c‧‧‧第四電容電晶體
Cst4‧‧‧第四電容
D4‧‧‧第四二極體
I1‧‧‧第一電流源
A1‧‧‧第一放大器
CA1‧‧‧第一放大電容
I2‧‧‧第二電流源
A2‧‧‧第二放大器
CA2‧‧‧第二放大電容
I3‧‧‧第三電流源
A3‧‧‧第三放大器
CA3‧‧‧第三放大電容
SW1‧‧‧第一開關
SW2‧‧‧第二開關
SW3‧‧‧第三開關
SW4‧‧‧第四開關
SW5‧‧‧第五開關
SW6‧‧‧第六開關
SW7‧‧‧第七開關
SW8‧‧‧第八開關
S202~S212‧‧‧方法
第1圖係本發明主動式X光感測電路之實施例示意圖；以及第2圖係為主動式X光感測方法流程圖。
100‧‧‧主動式X光感測電路
102‧‧‧第一畫素電路
104‧‧‧第二畫素電路
106‧‧‧第三畫素電路
108‧‧‧第四畫素電路
110‧‧‧第一列畫素電路
112‧‧‧第一列畫素電路
120‧‧‧第一資料線
122‧‧‧第二資料線
124‧‧‧第三資料線
126‧‧‧第四資料線
130‧‧‧第一掃描線
132‧‧‧第二掃描線
134‧‧‧第三掃描線
T1‧‧‧第一電晶體
T1g‧‧‧第一閘極電晶體
T1s‧‧‧第一源極電晶體
T1c‧‧‧第一電容電晶體
Cst1‧‧‧第一電容
D1‧‧‧第一二極體
T2‧‧‧第二電晶體
T2g‧‧‧第二閘極電晶體
T2s‧‧‧第二源極電晶體
T2c‧‧‧第二電容電晶體
Cst2‧‧‧第二電容
D2‧‧‧第二二極體
T3‧‧‧第三電晶體
T3g‧‧‧第三閘極電晶體
T3s‧‧‧第三源極電晶體
T3c‧‧‧第三電容電晶體
Cst3‧‧‧第三電容
D3‧‧‧第三二極體
T4‧‧‧第四電晶體
T4g‧‧‧第四閘極電晶體
T4s‧‧‧第四源極電晶體
T4c‧‧‧第四電容電晶體
Cst4‧‧‧第四電容
D4‧‧‧第四二極體
I1‧‧‧第一電流源
A1‧‧‧第一放大器
CA1‧‧‧第一放大電容
I2‧‧‧第二電流源
A2‧‧‧第二放大器
CA2‧‧‧第二放大電容
I3‧‧‧第三電流源
A3‧‧‧第三放大器
CA3‧‧‧第三放大電容
SW1‧‧‧第一開關
SW2‧‧‧第二開關
SW3‧‧‧第三開關
SW4‧‧‧第四開關
SW5‧‧‧第五開關
SW6‧‧‧第六開關
SW7‧‧‧第七開關
SW8‧‧‧第八開關
Claims (14)
- 一種主動式X光感測電路，適用於該主動X光感測電路於一次掃描時，同時完成補償電晶體之臨界電壓以及X光感測之動作，該主動式X光感測電路包含：一第一列畫素電路，其包含一第一畫素電路以及一第二畫素電路，其中該第一畫素電路以及該第二畫素電路係連接於一第一掃描線與一第二掃描線之間；一第二列畫素電路，其包含一第三畫素電路，以及一第四畫素電路，其中該第三畫素電路以及該第四畫素電路係連接於該第二掃描線與一第三掃描線之間；一第一資料線，係連接於一第一電流源以及一第一放大器；一第二資料線，係連接於一第二電流源以及一第二放大器，其中，該第一畫素電路以及該第三畫素電路係連接於該第一資料線以及該第二資料線之間；一第三資料線，係連接於該第二電流源以及該第二放大器；以及一第四資料線，係連接於一第三電流源以及一第三放大器，其中，該第二畫素電路以及該第四畫素電路係連接於該第三資料線以及該第四資料線之間；其中，該第一列畫素電路係先進行讀取，當該第一列畫素電路係完成讀取後，該第二列畫素電路係進行讀取，同時該第一列畫素電路之該第一畫素電路以及該第二畫素電路係分別進行臨界電壓之補償。
- 如申請專利範圍第1項所述之主動式X光感測電路，其 中該第一畫素電路係包含：一第一電晶體，該第一電晶體之第一端係連接該第一掃描線；一第一閘極電晶體，該第一閘極電晶體之第三端係連接於該第一電晶體之第二端，該第一閘極電晶體之第一端係連接於該第一掃描線，該第一閘極電晶體之第二端係連接於該第二掃描線；一第一源極電晶體，該第一源極電晶體之第一端係連接該第一資料線，該第一源極電晶體之第二端係連接該第一掃描線，該第一源極電晶體之第三端係連接該第一電晶體之源極；一第一電容電晶體，該第一電容電晶體之第一端係連接該第一閘極電晶體之第三端，該第一電容電晶體之第二端係連接該第一掃描線；一第一電容，其一端係連接該第一電容電晶體之第三端，該第一電容之另一端係連接該第一電晶體之第三端；以及一第一二極體，其係連接該第一電容電晶體之第三端；該第二畫素電路係包含：一第二電晶體，該第二電晶體之第一端係連接該第一掃描線；一第二閘極電晶體，該第二閘極電晶體之第三端係連接於該第二電晶體之第二端，該第二閘極電晶體之第一端係連接於該第一掃描線，該第二閘極電晶體之第二端係 連接於該第二掃描線；一第二源極電晶體，該第二源極電晶體之第一端係連接該第三資料線，該第二源極電晶體之第二端係連接該第一掃描線，該第二源極電晶體之第三端係連接該第二電晶體之第三端；一第二電容電晶體，該第二電容電晶體之第一端係連接該第二閘極電晶體之第三端，該第二電容電晶體之第二端係連接該第一掃描線；一第二電容，其一端係連接該第二電容電晶體之第三端，該第二電容之另一端係連接該第二電晶體之第三端；以及一第二二極體，其係連接該第二電容電晶體之第三端；該第三畫素電路係包含：一第三電晶體，該第三電晶體之第一端係連接該第二掃描線；一第三閘極電晶體，該第三閘極電晶體之第三端係連接於該第三電晶體之第二端，該第三閘極電晶體之第一端係連接於該第二掃描線，該第三閘極電晶體之第二端係連接於該第三掃描線；一第三源極電晶體，該第三源極電晶體之第一端係連接該第二資料線，該第三源極電晶體之第二端係連接該第二掃描線，該第三源極電晶體之第三端係連接該第三電晶體之第三端；一第三電容電晶體，該第三電容電晶體之第一端係 連接該第三閘極電晶體之第三端，該第三電容電晶體之第二端係連接該第二掃描線；一第三電容，其一端係連接該第三電容電晶體之第三端，該第三電容之另一端係連接該第三電晶體之第三端；以及一第三二極體，其係連接該第三電容電晶體之第三端；以及該第四畫素電路係包含：一第四電晶體，該第四電晶體之第一端係連接該第二掃描線；一第四閘極電晶體，該第四閘極電晶體之第三端係連接於該第四電晶體之第二端，該第四閘極電晶體之第一端係連接於該第二掃描線，該第四閘極電晶體之第二端係連接於該第三掃描線；一第四源極電晶體，該第四源極電晶體之第一端係連接該第四資料線，該第四源極電晶體之第二端係連接該第二掃描線，該第四源極電晶體之第三端係連接該第四電晶體之第三端；一第四電容電晶體，該第四電容電晶體之第一端係連接該第四閘極電晶體之第三端，該第四電容電晶體之第二端係連接該第三掃描線；一第四電容，其一端係連接該第四電容電晶體之第三端，該第四電容之另一端係連接該第四電晶體之第三端；以及一第四二極體，其係連接該第四電容電晶體之第三 端。
- 如申請專利範圍第2項所述之主動式X光感測電路，更包含一第一電流源、一第一放大器、一第一放大電容、一第一開關以及一第二開關、一第二電流源、一第二放大器、一第二放大電容、一第三開關、一第四開關、一第五開關、一第六開關、一第七開關以及一第八開關，該第一開關係連接於該第一資料線與該第一電流源之間，該第二開關係連接於該第一資料線與該第一放大器之間，該第一放大器係連接該第一放大電容，該第三開關係連接於該第二資料線與該第二電流源之間，該第五開關係連接於該第二資料線與該第二放大器之間，該第二放大器係連接該第二放大電容，該第四開關係連接於該第三資料線與該第二電流源之間，該第六開關係連接於該第三資料線與該第二放大器之間，該第二放大器係連接該第二放大電容，該第七開關係連接於該第四資料線與該第三電流源之間，該第八開關係連接於該第四資料線與該第三放大器之間，該第三放大器係連接該第三放大電容。
- 如申請專利範圍第3項所述之主動式X光感測電路，其中該第二開關以及第六開關係關上，以控制該第一列畫素電路進行讀取動作，該第一電容受一第一X光照射而改變一第一電壓，以使該第一電晶體輸出對應之一第一感測電流，該第二電容受一第二X光照射而改變一第二電壓，以使該第二電晶體輸出對應之一第二感測電流。
- 如申請專利範圍第4項所述之主動式X光感測電路，其 中該第二開關以及該第六開關係打開，且該第一開關以及該第四開關係關上，該第一列畫素電路係開始進行補償動作，流過該第一電晶體之一第一電流係等於該第一電流源之電流值，該第一電流源使得該第一電晶體之一第一臨界電壓儲存於該第一電容，以對該第一電晶體進行補償動作，流過該第二電晶體之一第二電流係等於該第二電流源之電流值，該第二電流源使得該第二電晶體之一第二臨界電壓儲存於該第二電容，以對該第二電晶體進行補償動作，該第五開關以及該第八開關係關上，該第二列畫素電路係進行讀取動作，該第三電容受一第三X光照射而改變一第三電壓，以使該第三電晶體輸出對應之一第三感測電流，該第四電容受一第四X光照射而改變一第四電壓，以使該第四電晶體輸出對應之一第四感測電流。
- 如申請專利範圍第5項所述之主動式X光感測電路，其中該第一開關以及該第四開關係打開，該第一列畫素電路係補償完畢，該第三開關以及該第七開關係關上，該第二列畫素電路係開始進行補償動作，流過該第三電晶體之一第三電流係等於該第二電流源之電流值，該第二電流源使得該第三電晶體之一第三臨界電壓儲存於該第三電容，以對該第三電晶體進行補償動作，流過該第四電晶體之一第四電流係等於該第三電流源之電流值，該第三電流源使得該第四電晶體之一第四臨界電壓儲存於該第四電容，以對該第四電晶體進行補償動作。
- 如申請專利範圍第6項所述之主動式X光感測電路，其 中該第三開關以及該第七開關係打開，該第二列畫素電路係補償完畢。
- 一種主動式X光感測方法，適用於一主動X光感測電路於一次掃描時，同時完成補償電晶體之臨界電壓以及X光感測之動作，該主動式X光感測方法之步驟包含：提供一第一列畫素電路，其包含一第一畫素電路以及一第二畫素電路，其中該第一畫素電路以及該第二畫素電路係連接於一第一掃描線與一第二掃描線之間；提供一第二列畫素電路，其包含一第三畫素電路，以及一第四畫素電路，其中該第三畫素電路以及該第四畫素電路係連接於該第二掃描線與一第三掃描線之間；提供一第一資料線，係連接於一第一電流源以及一第一放大器；提供一第二資料線，係連接於一第二電流源以及一第二放大器，其中，該第一畫素電路以及該第三畫素電路係連接於該第一資料線以及該第二資料線之間；提供一第三資料線，係連接於該第二電流源以及該第二放大器；以及提供一第四資料線，係連接於一第三電流源以及一第三放大器，其中，該第二畫素電路以及該第四畫素電路係連接於該第三資料線以及該第四資料線之間；其中該第一列畫素電路、該第二列畫素電路、該第一資料線、該第二資料線、該第三資料線以及該第四資料線係設置於該主動X光感測電路中，該第一列畫素電路係先進行讀取，當該第一列畫素電路係完成讀取後，該第二 列畫素電路係進行讀取，同時該第一列畫素電路之該第一畫素電路以及該第二畫素電路係分別進行臨界電壓之補償。
- 如申請專利範圍第8項所述之主動式X光感測方法，其中該第一畫素電路係包含：一第一電晶體，該第一電晶體之第一端係連接該第一掃描線；一第一閘極電晶體，該第一閘極電晶體之第三端係連接於該第一電晶體之第二端，該第一閘極電晶體之第一端係連接於該第一掃描線，該第一閘極電晶體之第二端係連接於該第二掃描線；一第一源極電晶體，該第一源極電晶體之第一端係連接該第一資料線，該第一源極電晶體之第二端係連接該第一掃描線，該第一源極電晶體之第三端係連接該第一電晶體之源極；一第一電容電晶體，該第一電容電晶體之第一端係連接該第一閘極電晶體之第三端，該第一電容電晶體之第二端係連接該第一掃描線；一第一電容，其一端係連接該第一電容電晶體之第三端，該第一電容之另一端係連接該第一電晶體之第三端；以及一第一二極體，其係連接該第一電容電晶體之第三端；該第二畫素電路係包含：一第二電晶體，該第二電晶體之第一端係連接該第 一掃描線；一第二閘極電晶體，該第二閘極電晶體之第三端係連接於該第二電晶體之第二端，該第二閘極電晶體之第一端係連接於該第一掃描線，該第二閘極電晶體之第二端係連接於該第二掃描線；一第二源極電晶體，該第二源極電晶體之第一端係連接該第三資料線，該第二源極電晶體之第二端係連接該第一掃描線，該第二源極電晶體之第三端係連接該第二電晶體之第三端；一第二電容電晶體，該第二電容電晶體之第一端係連接該第二閘極電晶體之第三端，該第二電容電晶體之第二端係連接該第一掃描線；一第二電容，其一端係連接該第二電容電晶體之第三端，該第二電容之另一端係連接該第二電晶體之第三端；以及一第二二極體，其係連接該第二電容電晶體之第三端；該第三畫素電路係包含：一第三電晶體，該第三電晶體之第一端係連接該第二掃描線；一第三閘極電晶體，該第三閘極電晶體之第三端係連接於該第三電晶體之第二端，該第三閘極電晶體之第一端係連接於該第二掃描線，該第三閘極電晶體之第二端係連接於該第三掃描線；一第三源極電晶體，該第三源極電晶體之第一端係 連接該第二資料線，該第三源極電晶體之第二端係連接該第二掃描線，該第三源極電晶體之第三端係連接該第三電晶體之第三端；一第三電容電晶體，該第三電容電晶體之第一端係連接該第三閘極電晶體之第三端，該第三電容電晶體之第二端係連接該第二掃描線；一第三電容，其一端係連接該第三電容電晶體之第三端，該第三電容之另一端係連接該第三電晶體之第三端；以及一第三二極體，其係連接該第三電容電晶體之第三端；以及該第四畫素電路係包含：一第四電晶體，該第四電晶體之第一端係連接該第二掃描線；一第四閘極電晶體，該第四閘極電晶體之第三端係連接於該第四電晶體之第二端，該第四閘極電晶體之第一端係連接於該第二掃描線，該第四閘極電晶體之第二端係連接於該第三掃描線；一第四源極電晶體，該第四源極電晶體之第一端係連接該第四資料線，該第四源極電晶體之第二端係連接該第二掃描線，該第四源極電晶體之第三端係連接該第四電晶體之第三端；一第四電容電晶體，該第四電容電晶體之第一端係連接該第四閘極電晶體之第三端，該第四電容電晶體之第二端係連接該第三掃描線； 一第四電容，其一端係連接該第四電容電晶體之第三端，該第四電容之另一端係連接該第四電晶體之第三端；以及一第四二極體，其係連接該第四電容電晶體之第三端。
- 如申請專利範圍第9項所述之主動式X光感測方法，其中該主動式X光感測電路更包含提供一第一電流源、一第一放大器、一第一放大電容、一第二電流源、一第二放大器、一第二放大電容一第一開關、一第二開關、一第三開關、一第四開關、一第五開關、一第六開關一第七開關以及一第八開關，該第一開關係連接於該第一資料線與該第一電流源之間，該第二開關係連接於該第一資料線與該第一放大器之間，該第一放大器係連接該第一放大電容，該第三開關係連接於該第二資料線與該第二電流源之間，該第五開關係連接於該第二資料線與該第二放大器之間，該第二放大器係連接該第二放大電容，該第四開關係連接於該第三資料線與該第二電流源之間，該第六開關係連接於該第三資料線與該第二放大器之間，該第二放大器係連接該第二放大電容，該第七開關係連接於該第四資料線與該第三電流源之間，該第八開關係連接於該第四資料線與該第三放大器之間，該第三放大器係連接該第三放大電容。
- 如申請專利範圍第10項所述之主動式X光感測方法，其中該第二開關以及第六開關係關上，以控制該第一列畫素電路進行讀取動作，該第一電容受一第一X光照射 而改變一第一電壓，以使該第一電晶體輸出對應之一第一感測電流，該第二電容受一第二X光照射而改變一第二電壓，以使該第二電晶體輸出對應之一第二感測電流。
- 如申請專利範圍第11項所述之主動式X光感測方法，其中該第二開關以及該第六開關係打開，且該第一開關以及該第四開關係關上，該第一列畫素電路係開始進行補償動作，流過該第一電晶體之一第一電流係等於該第一電流源之電流值，該第一電流源使得該第一電晶體之一第一臨界電壓儲存於該第一電容，以對該第一電晶體進行補償動作，流過該第二電晶體之一第二電流係等於該第二電流源之電流值，該第二電流源使得該第二電晶體之一第二臨界電壓儲存於該第二電容，以對該第二電晶體進行補償動作，該第五開關以及該第八開關係關上，該第二列畫素電路係進行讀取動作，該第三電容受一第三X光照射而改變一第三電壓，以使該第三電晶體輸出對應之一第三感測電流，該第四電容受一第四X光照射而改變一第四電壓，以使該第四電晶體輸出對應之一第四感測電流。
- 如申請專利範圍第12項所述之主動式X光感測方法，其中，該第一開關以及該第四開關係打開，該第一列畫素電路係補償完畢，該第三開關以及該第七開關係關上，該第二列畫素電路係開始進行補償動作，流過該第三電晶體之一第三電流係等於該第二電流源之電流值，該第二電流源使得該第三電晶體之一第三臨界電壓 儲存於該第三電容，以對該第三電晶體進行補償動作，流過該第四電晶體之一第四電流係等於該第三電流源之電流值，該第三電流源使得該第四電晶體之一第四臨界電壓儲存於該第四電容，以對該第四電晶體進行補償動作。
- 如申請專利範圍第13項所述之主動式X光感測方法，其中該第三開關以及該第七開關係打開，該第二列畫素電路係補償完畢。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101117029A TWI441566B (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 主動式ｘ光感測電路及其感測方法 |
| US13/596,423 US8546764B1 (en) | 2012-05-14 | 2012-08-28 | Active X-ray sensing circuit and the sensing method thereof |
| CN201210332909.8A CN103428447B (zh) | 2012-05-14 | 2012-09-10 | 有源式x光感测电路及其感测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101117029A TWI441566B (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 主動式ｘ光感測電路及其感測方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201347612A true TW201347612A (zh) | 2013-11-16 |
| TWI441566B TWI441566B (zh) | 2014-06-11 |
Family
ID=49229845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101117029A TWI441566B (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 主動式ｘ光感測電路及其感測方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8546764B1 (zh) |
| CN (1) | CN103428447B (zh) |
| TW (1) | TWI441566B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105824185B (zh) * | 2015-01-09 | 2018-01-16 | 群创光电股份有限公司 | X光感测面板 |
| TWI570425B (zh) * | 2015-01-09 | 2017-02-11 | 群創光電股份有限公司 | Ｘ光感測面板 |
| TWI678694B (zh) * | 2018-09-14 | 2019-12-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置驅動方法以及顯示裝置 |
| US10827090B1 (en) * | 2019-09-16 | 2020-11-03 | Innolux Corporation | Electronic device and method for operating electronic device |
| TWI745081B (zh) * | 2020-09-14 | 2021-11-01 | 友達光電股份有限公司 | 光學觸控裝置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151669A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Toshiba Corp | Ｘ線撮像装置 |
| JP4307230B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像方法 |
| US9049395B2 (en) * | 2009-06-22 | 2015-06-02 | Trixell | Processing circuit for an X-ray sensor |
-
2012
- 2012-05-14 TW TW101117029A patent/TWI441566B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-08-28 US US13/596,423 patent/US8546764B1/en active Active
- 2012-09-10 CN CN201210332909.8A patent/CN103428447B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI441566B (zh) | 2014-06-11 |
| US8546764B1 (en) | 2013-10-01 |
| CN103428447A (zh) | 2013-12-04 |
| CN103428447B (zh) | 2017-04-12 |
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