TW201335969A - 微縮奈微米線寬之方法 - Google Patents

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Abstract

一種微縮奈微米線寬之方法，其第一實施例包括步驟：對一軟性材料基板施予一拉伸應力；於該軟性材料基板上定義一圖形之線寬；以及解除施予該軟性材料基板之拉伸應力。其第二實施例包括步驟：於一軟性材料基板上定義一圖形之線寬；以及對該軟性材料基板施予一拉伸應力。透過上述之方法，可有效地縮小電路板、面板以及濾光片之線路線寬。

Description

微縮奈微米線寬之方法
本發明係關於一種微縮奈微米線寬之方法，特別是一種利用拉伸應力達成微縮線寬之微縮奈微米線寬之方法。
目前以聚合物(或玻璃)作為軟性軟性材料基板的電子整合性元件無論是在軟性材料基板上方或是下方皆使用堆疊方式進行，亦即將元件的結構以層層堆積的方式安排於軟性材料基板的表面。此結構與傳統半導體電子積體電路元件最大不同在於使用材料的特性以及元件的結構設計可產生深寬比(aspect ratio)超過10的細微結構。 如中華民國發明專利公告第I319208號，係揭露一種僅利用光阻顯影及斜角度蝕刻，形成半導體深次微米線寬結構的方法。首先在半導體基材表面披覆兩層光阻，控制適當的曝光能量或顯影條件，以顯影第二層光阻，而第一層光阻不被顯開。而具有下切(Under-Cut)側壁的凹槽結構可形成於第二層光阻上。再以相對於半導體基材垂直方向的斜角度，對第一層光阻進行非等向性蝕刻製程。而第二層光阻凹槽的一邊側壁，可以保護部分第一層光阻免於受到蝕刻；且本發明亦可在半導體基材表面披覆三層光阻再以上述方式進行蝕刻。於進行金屬蒸鍍與浮離(Lift-Off)製程後，可定義出金屬電極的線寬，形成具有深次微米線寬之Γ型閘極。 然而，上述之微縮線寬方法不但需要較高之成本、製程複雜且由於其受到雷射光波長之解析度限制，而無法繼續微縮線寬。 因此，如何設計出一成本較低、製程簡單且可繼續微縮線寬之微縮奈微米線寬之方法，便成為相關廠商以及相關研發人員所共同努力的目標。
本發明人有鑑於習知之微縮線寬方法需要較高之成本、製程複雜且無法繼續微縮線寬之缺失，乃積極著手進行開發，以期可以改進上述既有之缺點，經過不斷地試驗及努力，終於開發出本發明。 本發明之目的，係為提供一成本較低、製程簡單且可繼續微縮線寬之微縮奈微米線寬之方法。 為了達成上述之目的，本發明之微縮奈微米線寬之方法，係包括一第一實施例以及一第二實施例，該第一實施例包括步驟：對一軟性材料基板施予一拉伸應力； 於該軟性材料基板上定義一圖形之線寬；以及解除施予該軟性材料基板之拉伸應力。 該第二實施例包括步驟：於一軟性材料基板上定義一圖形之線寬；以及對該軟性材料基板施予一拉伸應力。透過上述之裝置及方法，本發明不但可繼續微縮電路板、面板以及濾光片之線路線寬，且相對於習知之方法更具有成本較低以及製程簡單之優點。
為使熟悉該項技藝人士瞭解本發明之目的，兹配合圖式將本發明之較佳實施例詳細說明如下。請參考第一至四B圖所示，本發明之微縮奈微米線寬之方法係包括一第一實施例(10)以及一第二實施例(11)。 請參考第一至二C圖所示，該第一實施例(10)包括步驟：步驟100：對一軟性材料基板(2)施予一拉伸應力；步驟101：於該軟性材料基板(2)上定義一圖形(20)之線寬；以及步驟102：解除施予該軟性材料基板(2)之拉伸應力。其中該步驟100係利用機械拉伸(mechanical stretch)方式或熱膨脹(thermal expansion)方式完成，於本發明之一較佳實施例中，該步驟100係利用二拉伸單元(3)進行機械拉伸。該步驟101係利用沈積金屬之方式達成。該軟性材料基板(2)之材質係為聚合物或玻璃；該軟性材料基板(2)之形狀係為線形、方形、圓形、橢圓形或梯形。 在本發明之一較佳實施例中，該拉伸應力之施力方向係與該線寬平行，並藉由該軟性材料基板(2)遵守蒲松比之特性以及該軟性材料基板(2)本身之恢復力，微縮該圖形(20)之線寬。請參考第三至四B圖所示，該第二實施例(11)包括步驟：步驟110：於一軟性材料基板(2)上定義一圖形(20)之線寬；以及步驟111：對該軟性材料基板(2)施予一拉伸應力。其中該步驟110係利用沈積金屬之方式達成。該步驟111係利用機械拉伸(mechanical stretch)方式或熱膨脹(thermal expansion)方式完成，於本發明之一較佳實施例中，該步驟100係利用二拉伸單元(3)進行機械拉伸。該軟性材料基板(2)之材質係為聚合物或玻璃。該軟性材料基板(2)之形狀係為線形、方形、圓形、橢圓形或梯形。在本發明之一較佳實施例中，該拉伸應力之施力方向係與該線寬垂直，並藉由該軟性材料基板(2)遵守蒲松比之特性，微縮該圖形(20)之線寬。本發明藉由拉伸一軟性材料基板，並利用該軟性材料基板遵守蒲松比之特性，不但可達到繼續微縮電路板、面板以及濾光片之線路線寬的目的，且相對於習知之方法更具有成本較低以及製程簡單之優點；再者，其結構型態並非所屬技術領域中之人士所能輕易思及而達成者，實具有新穎性以及進步性無疑。透過上述之詳細說明，即可充分顯示本發明之目的及功效上均具有實施之進步性，極具產業之利用性價值，且為目前市面上前所未見之新發明，完全符合發明專利要件，爰依法提出申請。唯以上所述著僅為本發明之較佳實施例而已，當不能用以限定本發明所實施之範圍。即凡依本發明專利範圍所作之均等變化與修飾，皆應屬於本發明專利涵蓋之範圍內，謹請貴審查委員明鑑，並祈惠准，是所至禱。
(10)．．．第一實施例 步驟100 步驟101 步驟102
(11)．．．第二實施例 步驟110 步驟111
(2)．．．軟性材料基板
(20)．．．圖形
(3)．．．拉伸單元
第一圖係為本發明之微縮奈微米線寬之方法之第一實施例之方法流程圖；第二A圖係為本發明之步驟100之示意圖；第二B圖係為本發明之步驟101之示意圖；第二C圖係為本發明之步驟102之示意圖；第三圖係為本發明之微縮奈微米線寬之方法之第二實施例之方法流程圖；第四A圖係為本發明之步驟110之示意圖；以及第四B圖係為本發明之步驟111之示意圖
(10)．．．第一實施例 步驟100 步驟101 步驟102

Claims (10)

  1. 一種微縮奈微米線寬之方法，其包括步驟：對一軟性材料基板施予一拉伸應力；於該軟性材料基板上定義一圖形之線寬；以及解除施予該軟性材料基板之拉伸應力。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之微縮奈微米線寬之方法，其中該於該軟性材料基板上定義一圖形之線寬步驟係利用沈積金屬之方式達成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之微縮奈微米線寬之方法，其中該對一軟性材料基板施予一拉伸應力步驟係利用機械拉伸(mechanical stretch)方式或熱膨脹(thermal expansion)方式完成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之微縮奈微米線寬之方法，其中該軟性材料基板之材質係為聚合物或玻璃。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之微縮奈微米線寬之方法，其中該拉伸應力之施力方向係與該線寬平行。
  6. 一種微縮奈微米線寬之方法，包括步驟：於一軟性材料基板上定義一圖形之線寬；以及對該軟性材料基板施予一拉伸應力。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之微縮奈微米線寬之方法，其中該於一軟性材料基板上定義一圖形之線寬步驟係利用沈積金屬之方式達成。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之微縮奈微米線寬之方法，其中該對該軟性材料基板施予一拉伸應力步驟係利用機械拉伸(mechanical stretch)方式或熱膨脹(thermal expansion)方式完成。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之微縮奈微米線寬之方法，其中該軟性材料基板之材質係為聚合物或玻璃。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之微縮奈微米線寬之方法，其中該拉伸應力之施力方向係與該線寬垂直。
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