TW201334038A - 離子植入方法、搬送容器及離子植入裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種離子植入方法、搬送容器及離子植入裝置，其課題為提高對太陽能電池用基板表面進行離子植入之裝置的生產性之技術，本發明的離子植入方法，包括：配置製程，在大氣中，將與收容太陽能電池用基板之托盤一體使用之掩模，以相對基板定位之狀態配置於第1位置或第2位置，前述第1位置為覆蓋該基板表面的局部區域之位置，前述第2位置為從基板表面退避之位置；第1植入製程，在真空中，以掩模處於第1位置之狀態，對基板表面的第1區域進行離子植入；及第2植入製程，在真空中，以掩模處於第2位置之狀態，對基板表面的第2區域進行離子植入。

Description

離子植入方法、搬送容器及離子植入裝置
本發明係有關一種離子植入方法、搬送容器及離子植入裝置。
太陽能電池中，矽等半導體材料吸收光時產生之電子電洞對，藉由基於形成於電池內部之pn接合等之電場，電子向n層側移動，電洞向p層側移動，從而作為電流向外部電路輸出。形成pn接合或接觸層時，需要局部進行使雜質的濃度或種類不同之處理。作為這種處理之一利用離子植入技術。
例如，專利文獻1中公開有為了實現提高太陽能電池的效率之雜質分佈剖面，而對基板表面進行多次離子植入之裝置。該裝置中，在真空狀態的裝置內，對基板進行第1離子植入之後，在裝置內部將掩模配置於基板上，隨後進行第2離子植入。
(先前技術文獻)
(專利文獻)
專利文獻1：日本特表2011-513997號公報
然而，在真空中的裝置內部很難進行基板與掩模的定 位。並且，掩模被消耗或污染時需要進行更換時，不得不解除真空狀態並使裝置停止，因裝置停止時間增大而導致太陽能電池的生產成本上昇。
本發明的一種態樣的例示性目的之一為，提供一種提高對太陽能電池用基板表面進行離子植入之裝置的生產性之技術。
為了解決上述課題，本發明的一種態樣的離子植入方法，包括：配置製程，在大氣中，將與收容太陽能電池用基板之托盤一體使用之掩模，以相對基板定位之狀態配置於第1位置或第2位置，前述第1位置為覆蓋該基板表面的局部區域之位置，前述第2位置為從基板表面退避之位置；第1植入製程，在真空中，以掩模處於第1位置之狀態，對基板表面的第1區域進行離子植入；及第2植入製程，在真空中，以掩模處於第2位置之狀態，對基板表面的第2區域進行離子植入。
本發明的另一態樣為搬送容器。該搬送容器向離子植入裝置的內部搬送太陽能電池用基板，其具備：托盤，能夠收容基板；掩模，能夠以相對基板定位之狀態，在覆蓋該基板表面的局部區域之第1位置與從基板表面退避之第2位置之間移動；及連結機構，連結掩模和托盤，以便掩模能夠在第1位置與第2位置之間移動。
本發明的又一態樣為離子植入裝置。該離子植入裝置 向太陽能電池用基板植入離子，其具備：載置部，載置搬送容器；離子植入源，對收容於搬送容器之基板進行離子植入；真空裝置，使配置有離子植入源之處理室成為真空狀態；搬送部，將搬送容器從載置部搬送到處理室；及移動機構，在處於真空狀態之處理室內，使搬送容器的掩模在第1位置與第2位置之間移動。
依本發明，能夠提高對太陽能電池用基板表面進行離子植入之裝置的生產性。
以下，對用於實施本發明之形態進行詳細說明。另外，以下敘述之結構為例示，並非對本發明的範圍進行任何限定。
本實施形態之離子植入方法，包括：配置製程，在大氣中，將與收容太陽能電池用基板之托盤一體使用之掩模，以相對基板定位之狀態配置於第1位置或第2位置，前述第1位置為覆蓋該基板表面的局部區域之位置，前述第2位置為從基板表面退避之位置；第1植入製程，在真空中，以掩模處於第1位置之狀態，對基板表面的第1區域進行離子植入；及第2植入製程，在真空中，以掩模處於第2位置之狀態，對基板表面的第2區域進行離子植入。在此，“表面”並不限定於基板的上、下任一面，包括表 裏兩面。
這樣，至少包括2階段將雜質作為離子植入之製程之離子植入方法時，能夠藉由利用掩模來分別使各植入製程中植入離子之區域不同。在製造太陽能電池單元時，例如在形成選擇性射極時能夠採用這種植入製程。例如，能夠在形成選擇性射極時使用第1植入製程。作為太陽能電池用基板，利用矽的單晶晶圓等。
掩模藉由覆蓋基板的預定區域，而容許離子植入到被覆蓋之區域以外的基板表面。掩模上形成有預定圖案的狹縫，離子依據該圖案植入到基板表面，因此需要在基板的預定區域高精確度地摻雜雜質時，基板與掩模的定位精確度變得重要。
例如，還能夠在真空中的裝置內部相對基板移動掩模，來進行基板與掩模的定位，但很難迅速地進行高精確度的定位，還使裝置複雜化。並且，掩模被消耗或污染時需要進行更換時，不得不解除真空狀態並使裝置停止，因裝置停止時間增大而還導致太陽能電池的生產成本上昇。
相對於此，本實施形態之離子植入方法，在大氣中進行如下製程：將與收容太陽能電池用基板之托盤一體使用之掩模，以相對基板定位之狀態配置於第1位置或第2位置，前述第1位置為覆蓋該基板表面的局部區域之位置，前述第2位置為從基板表面退避之位置。因此，能夠容易地進行掩模相對托盤的配置。尤其，在大氣中將掩模配置於第1位置時，在進行植入離子之真空裝置內，無需重新 進行基板與掩模的定位。並且，由於在大氣中相對托盤配置掩模，因此容易確認掩模的消耗或污染，更換亦變得極為容易。另外，“大氣中”不一定是指1氣壓左右的氣氛，還可包括無需真空裝置之類的大規模裝置，就能夠簡單地實現之作業氣氛。
掩模只要是能夠與托盤一體使用之形狀即可，例如與托盤相同程度的大小，且像覆蓋基板該種板狀罩形狀為較佳。藉此，能夠使收容基板之托盤與掩模成為一體之搬送容器狀態的厚度變薄，且能夠縮小積載空間或搬送空間。掩模例如以矽、碳、玻璃等中至少1種作為主成份之材料為較佳。並且，掩模例如還能夠使用金屬或陶瓷等。
在此，掩模“與托盤一體使用”不僅是指局部相互連結以免分離之情況，還包括能夠分離之情況。這些情況時，亦可使其他構件介於掩模與托盤之間。並且，掩模“相對基板定位之狀態”不僅是指掩模相對基板直接定位之狀態，還包括掩模經其他構件(例如托盤)相對基板間接定位之狀態。亦即，其為掩模與托盤被定位，托盤與基板被定位之結果，掩模與基板被定位之類的情況。並且，掩模“從基板表面退避”不僅是指完全從基板表面退避之情況，還包括從基板表面移動與植入離子時掩模不發揮作用之程度之情況。
[第1實施形態]
接著，例示離子植入裝置的結構，並且對本實施形態 之搬送容器及離子植入方法進行說明。
(搬送容器)
第1圖(a)係第1實施形態之搬送容器的頂視圖，第1圖(b)係第1圖(a)的A-A截面圖。第2圖係搬送容器的托盤部份的頂視圖。另外，第2圖中省略掩模的圖示。
第1圖所示之搬送容器10係用於向後述的離子植入裝置的內部，搬送太陽能電池用基板者。搬送容器10，具備：托盤12，將太陽能電池用基板11收容於預定位置；掩模14，覆蓋基板表面的局部區域；連結機構(第1圖中未圖示)，連結托盤12與掩模14。另外，關於連結機構的具體例子將進行後述。
如第2圖所示，托盤12具有複數個收容部12a，每個收容部將複數個基板11按每一個基板進行收容。本實施形態之托盤12的例子中，作為收容部12a形成有以縱向3個橫向3個劃分之9個凹部，在各凹部中收容基板11。各凹部為與基板尺寸相稱之正方區域，係具有基板的容許誤差和收納空間上的余裕者。各凹部例如為一邊為150~250mm左右之正方區域。
掩模14上形成有複數個狹縫14a。在現行選擇性射極的例子中，鄰接狹縫之間的間隔為2~4mm左右，模版(stencil)寬度為100~500μm左右。
第3圖係第1圖(b)所示之B區域的放大圖。托盤12形成為收容部12a的外緣部12b，朝向底部12c傾斜(所謂 錐形)。因此將基板11安裝於托盤12時，即使基板11相對收容部12a的底部12c呈偏移之狀態，基板11的緣部11a亦會沿著外緣部12b，漸漸朝向預定位置亦即底部12c修正其位置。藉此，基板11最終定位到底部12c的預定位置。這樣，基板11藉由外緣部12b和底部12c定位到預定位置。
第4圖(a)、第4圖(b)係示意地表示托盤與掩模的連結機構的一例之圖。第4圖(a)表示掩模以相對基板定位之狀態，處於覆蓋該基板表面的局部區域之第1位置P1之狀態，第4圖(b)表示處於從基板表面退避之第2位置P2之狀態。
第4圖(a)所示之處於第1位置P1之托盤12與掩模14，例如藉由形成於彼此的其中一方之槽12d(或者凸條14b)與凸條14b(或者槽12d)接合，來實現連結機構。藉此，能夠使掩模14在第1位置P1與第2位置P2之間可靠地移動。並且，掩模14具有抵接部14c，前述抵接部藉由在第1位置P1抵接到基板11或托盤12而被定位。藉此，僅藉由使掩模14向第1位置P1移動並進行配置，能夠實現掩模14相對基板11之定位。
(離子植入裝置)
第5圖係示意地表示第1實施形態之離子植入裝置100的結構之圖。如第5圖所示，離子植入裝置100係用於提供本實施形態之離子植入方法之裝置。離子植入裝置 100，具備：負載鎖定室(load lock chamber)(以下適當稱為“LC”)114，暫時收容由搬送機械手112搬送過來之搬送容器10，且具有用於從大氣連結到真空之粗抽機構和基於氮等之通風機構；處理腔室(以下適當稱為“PC”)118a、118c，維持真空狀態或與其接近之狀態，且分別具有離子植入源132、134；3個緩衝腔室(以下適當稱為“BC”)116、118b、120，配置於處理腔室前後，內部具有掩模驅動機構，且能夠維持真空狀態或與其接近之狀態；導出腔(Unload Lock.Chamber)(以下適當稱為“ULC”)122，當向真空腔室的外部排出搬送容器10時，暫時留存搬送容器10，且具有用於從真空連結到大氣之基於氮等之通風機構。在此，BC116、188b、120以緩和由真空連結所產生之影響，使PC118a與PC118c的壓力穩定作為目的而設置，因此亦可藉由LC、PC的尺寸設計、掩模驅動機構的配置位置變更為其他機構來省略。
並且，離子植入裝置100，具備：載置部124，載置由搬送機械手112從前製程搬送過來之搬送容器10；搬送部125，從載置部124朝向各腔室搬送前述搬送容器10。作為前製程，能夠舉出在基板表面形成凹凸(紋理)結構之製程。該製程係為了實現在應提高太陽能電池中光吸收之基板表面上的光散射而進行之製程。搬送部125例如藉由帶驅動系統實現。本實施形態之搬送部125設置成搬送容器10能夠直線且連續地在離子植入裝置100內部移動。
第5圖所示之離子植入裝置100中，搬送容器10以 在大氣中將掩模配置於第1位置P1之狀態，置於載置部124。載置於載置部124之搬送容器10，藉由搬送部125送出至LC114。若搬送容器被搬入至LC114，則與載置部124之間的閘閥126被關閉，若LC114藉由與LC114連接之粗抽泵達到預定的粗抽真空度，則與BC116之間的閘閥128被打開。並且，在搬送容器10被送出至BC116之後，閘閥128被關閉，LC114為了下一個搬送容器的搬入，而藉由氮等進行換氣。
BC116的內部藉由渦流分子泵(以下適當稱為“TMP”)129始終維持高真空，因此搬入到BC116的搬送容器瞬間達到高真空氣氛，並且在該階段將搬送容器10的掩模位置移動到第2位置P2。完成掩模的移動後，設置於BC116與進行離子植入之PC118之間之閘閥130被打開，搬送容器10乘傳送帶從BC116搬送到PC118的內部，其後閘閥130被關閉。
PC118由中途未配置閘閥，且在高真空下連結之3個處理室PC118a、BC118b、PC118c構成。在PC118a、118c上分別配置有能夠在不同的條件下，設置之離子植入源132、134。並且，設置有與PC118a、BC118b、PC118c對應之3個TMP136、138、140。TMP136、138、140能夠使PC118成為真空狀態。
第6圖(a)~第6圖(c)係用於說明藉由第1實施形態之離子植入方法改變基板內的雜質濃度之示意圖。以下，對基板11為p型矽晶圓(第6圖(a))之情況進行說明，但 當然亦可為n型矽晶圓之情況或其他種類的半導體基板之情況。
搬送到PC118的內部之搬送容器10，在PC118a的階段處於掩模14配置於第2位置P2之狀態。該狀態下，離子植入源132藉由電弧放電或高頻放電，使包含n型雜質之PH3氣體等離子化，將其電場加速之後，對基板11的整個表面植入離子。藉此，如第6圖(b)所示，在基板11的整個表面形成n層11b。
之後，收容基板11之搬送容器10搬送到下一個BC118b。在維持真空之處理室118b中，搬送容器10的掩模14從第2位置P2向第1位置P1移動。將掩模14從第2位置向第1位置移動之移動機構160有多種，例如可藉由配置於PC118的內部之機械手臂160A實現(參閱第4圖)。或者，可將卡合部配置於PC118的內部，前述卡合部藉由與搬送過來之搬送容器10或掩模14的一部份卡合，來使掩模14相對托盤12移動。總之，這些移動機構不要求掩模14與基板11的高精確度定位，只要具有能夠使掩模14在第1位置P1與第2位置P2之間移動之作用即可，因此能夠簡化結構。並且，只要可使掩模14在第1位置P1與第2位置P2之間移動，則即使在真空中亦沒有特別的困難。
掩模14配置於第1位置P1之狀態的搬送容器10，搬送到下一個PC118c。離子植入源134藉由電弧放電或高頻放電，使包含n型雜質之PH3氣體等離子化，將其電 場加速之後，對基板11表面的預定區域進行離子植入。藉此，如第6圖(c)所示，在基板11表面的預定區域，形成雜質濃度高於n層11b之n+層11c。這種射極結構被稱為選擇性射極層，有助於降低在太陽能電池製造的後製程中形成之指狀(櫛齒)電極與基板11之間的接觸電阻。
若2階段的植入製程結束，則閘閥142被打開，搬送容器10搬送到下一個BC腔室120之後，閘閥142被關閉。真空腔室120中設置有用於實現預定真空度之TMP144。若閘閥142被關閉，則處於真空腔室120與ULC122之間的閘閥145被打開，搬送容器10搬送到ULC122，且閘閥145被關閉。之後，ULC122藉由氮等進行換氣，接著閘閥146被打開，搬送容器10搬出至大氣中。若搬送容器10搬出至大氣中，則閘閥146再次被關閉，ULC122為了搬出下一個搬送容器10，而藉由粗抽泵進行粗抽。離子植入裝置100的下游側，配置有搬送機械手148，前述搬送機械手用於將保持已進行離子植入之基板11之搬送容器10，搬送到之後的製程中。並且，搬送過來之搬送容器10，依次收容於搬送機械手148並搬送到後製程中。另外，在該時刻掩模上發現異常時能夠容易地進行更換，因此無需如真空裝置內的掩模更換那樣停止裝置，從而能夠謀求降低裝置的停機時間而提高生產性。
第7圖係用於說明第1實施形態之離子植入方法的概要之流程圖。如上述，準備在大氣中將掩模14相對托盤12，配置於第1位置P1之搬送容器10(S10)。並且，將搬 送容器10搬送到離子植入裝置100的內部(S12)。在BC116的內部，搬送容器10的掩模14被移動到第2位置P2(S16)。並且，在PC118的PC118a中，為了對基板11進行整面植入而執行第2植入製程(S18)。
接著，在BC118b中，搬送容器10的掩模14被移動到第1位置P1(S20)。並且，在PC118c中，為了對基板11進行選擇植入而執行第1植入製程(S20)，完成植入後，搬送容器10搬送到裝置外(S22)。
如上述，在真空中無需藉由搬送容器10重新準確地檢測托盤或掩模的位置。該搬送容器預先被構成為相對收容有基板11的托盤12，且配置掩模14的位置成為預定的第1位置P1或第2位置P2。因此，無需進行位置的檢測或校正，能夠提高離子植入裝置的生產性。假設，即使在以掩模處於第2位置之狀態對基板進行離子植入後，使掩模移動到第1位置來進行離子植入時，僅藉由使掩模相對托盤移動到預定的第1位置，就能夠進行掩模與基板的高精確度的校正。
[第2實施形態]
第8圖係示意地表示第2實施形態之離子植入裝置200的結構之圖。另外，關於與第1實施形態之離子植入裝置100相同的結構，添加相同符號適當省略說明。本實施形態之離子植入裝置200的主要特徵為，設置有對已進行離子植入之基板進行退火處理之退火室，且在第1植入 製程後執行第2植入製程。
與第1實施形態相同，搬送容器10以在大氣中將掩模配置於第1位置P1之狀態，置於載置部124。該狀態下，搬送容器10經由LC114及BC116，搬送到進行離子植入之PC118內。這樣，第2實施形態中，在BC116中並不將搬送容器10的掩模的位置從第1位置P1向第2位置P2移動，因此無需在BC116中設置用於移動掩模的位置之移動機構。
第9圖(a)~第9圖(c)係用於說明藉由第2實施形態之離子植入方法，改變基板內的雜質濃度之示意圖。與第1實施形態相同，基板11為p型矽晶圓(第9圖(a))。
在處理室118a的階段，被搬送到PC118內部之搬送容器10處於掩模14配置於第1位置P1之狀態。該狀態下，離子植入源132藉由電弧放電或高頻放電，使包含n型雜質之PH3氣體等離子化，將其電場加速之後，對基板11表面的預定區域植入離子。藉此，如第9圖(b)所示，在基板11表面的預定區域形成雜質濃度較高的n+層11c。
之後，收容基板11之搬送容器10，被搬送到下一個處理室118b。在維持真空之處理室118b中，搬送容器10的掩模14藉由上述移動機構，從第1位置P1向第2位置P2移動。處理室118b中設置有使掩模14從第1位置向第2位置移動之移動機構。
掩模14配置於第2位置P2之狀態的搬送容器10， 被搬送到下一個處理室118c。離子植入源134藉由電弧放電或高頻放電，使包含n型雜質的PH3氣體等離子化，將其電場加速之後，對基板11的整個表面植入離子。藉此，如第9圖(c)所示，在包括n+層11c之基板11的整個表面形成n層11b。這樣，在第2實施形態之離子植入方法中，第1植入製程、掩模移動製程、第2植入製程，不會破壞真空且能夠以該順序連續進行。
若2階段的植入製程結束，則閘閥142被打開，搬送容器10被搬送到下一個真空腔室120之後，閘閥142被關閉。真空腔室120中，設置有用於實現預定真空度之TMP144。若閘閥142被關閉，則處於真空腔室120與鄰接之真空腔室150之間之閘閥145被打開，搬送容器10搬送到下一個真空腔室(緩衝腔室)150之後，閘閥145被關閉。該緩衝腔室不維持高真空，接著藉由氮等進行換氣處理，連接至下一個退火室，但退火室為燈退火等，在高真空下也能夠處理之類型時，還能夠省略該緩衝腔室自身。
接著，閘閥152被打開，搬送容器10被搬送到下一個退火室154之後，閘閥152被關閉。退火室154中設置有用於對基板進行退火之加熱手段156。作為加熱手段156例如除電熱線外，還可使用雷射加熱、加熱燈等。退火製程中，需要加熱整個基板，因此掩模覆蓋基板表面之狀態(掩模處於第1位置之狀態)為不佳。在離子植入裝置200中，由於在第2植入製程之後執行對基板11進行退火 之退火製程，因此能夠以掩模處於第2位置之狀態，將搬送容器10搬送到退火室154。此時，在退火室154中基板表面相對加熱手段156露出，能夠在掩模處於第2位置之狀態下進行均勻的退火。並且，無需將移動掩模位置之移動機構設置於PC118的下游側。
接著，處於與ULC122之間之閘閥157被打開，搬送容器10被搬送到ULC122，閘閥157被關閉。並且，最後閘閥146被打開，搬送容器10搬出至大氣中。
如上所說明，根據本發明的一實施形態，能夠提高對太陽能電池用基板表面進行離子植入之離子植入裝置的生產性。並且，將基板與掩模預先被定位之搬送容器導入到裝置內部，因此進行基板與掩模的定位時，無需XY載物台、光學檢測系統等複雜且高價的定位機構，能夠降低製造裝置的成本。並且，在如真空腔室之類的處理程序室的內部，可使基板與掩模的定位處理簡化、省力化，因此能夠提高太陽能電池用基板的處理能力。並且，掩模經過一系列程序處理後，與托盤一同排出至大氣中，因此伴隨掩模狹縫的磨損、雜質的堆積等之掩模更換、清洗等維護及其管理變得容易。
以上參閱上述各實施形態對本發明進行了說明，但本發明不限定於上述實施形態，適當組合或替換各實施形態的結構者亦包括在本發明中。並且，根據本領域技術人員的知識，還能夠在各實施形態中的離子植入方法、離子植入裝置、搬送容器等中，對實施形態施加各種設計變更等 變形，施加這種變形之實施形態亦包括在本發明的範圍內。
搬送容器不僅可為能夠同時裝填如上述之複數個基板之分批(batch)托盤類型，亦可為只能裝填1片基板之片狀類型。並且，當搬送容器為能夠同時裝填如上述之複數個基板之分批托盤類型時，能夠裝填到搬送容器之基板片數不限於9片，亦可將其他片數(例如，4片或16片等)的基板裝填到搬送容器中。
托盤的形狀只要為裝填基板時能夠在機械允許誤差範圍內，相對托盤定位並對其進行裝填之機構即可，亦可不是上述形狀。並且，設置於托盤之收容部不限於正方形形狀，亦可與基板的形狀對應地設為其他形狀。
第1植入製程及第2植入製程不限於形成選擇性射極層和整面射極層之情況，亦可使用於太陽能電池或半導體的其他製造製程中。
掩模不限於相對如上述之托盤沿一個方向滑動之機構，可為以與托盤的一邊平行之旋轉軸為中心開閉之結構，並且亦可為分割類型且向複數個方向開閉之結構。
P1‧‧‧第1位置
P2‧‧‧第2位置
10‧‧‧搬送容器
11‧‧‧基板
11a‧‧‧緣部
12‧‧‧托盤
12a‧‧‧收容部
12b‧‧‧外緣部
12c‧‧‧底部
14‧‧‧掩模
14a‧‧‧狹縫
14c‧‧‧抵接部
100‧‧‧離子植入裝置
124‧‧‧載置部
125‧‧‧搬送部
132、134‧‧‧離子植入源
154‧‧‧退火室
156‧‧‧加熱手段
160‧‧‧移動機構
200‧‧‧離子植入裝置
第1圖(a)係第1實施形態之搬送容器的頂視圖，第1圖(b)係第1圖(a)的A-A截面圖。
第2圖係搬送容器的托盤部份的頂視圖。
第3圖係第1圖(b)所示之B區域的放大圖。
第4圖(a)、第4圖(b)係示意地表示托盤與掩模的連結機構的一例之圖。
第5圖係示意地表示第1實施形態之離子植入裝置的結構之圖。
第6圖(a)~第6圖(c)係用於說明藉由第1實施形態之離子植入方法，改變基板內的雜質濃度之示意圖。
第7圖係用於說明第1實施形態之離子植入方法的概要之流程圖。
第8圖係示意地表示第2實施形態之離子植入裝置的結構之圖。
第9圖(a)~第9圖(c)係用於說明藉由第2實施形態之離子植入方法，改變基板內的雜質濃度之示意圖。

Claims (9)

  1. 一種離子植入方法，其特徵為，包括：配置製程，在大氣中，將與收容太陽能電池用基板之托盤一體使用之掩模，以相對前述基板定位之狀態配置於第1位置或第2位置，前述第1位置為覆蓋該基板表面的局部區域之位置，前述第2位置為從前述基板表面退避之位置；及第1植入製程，在真空中，以前述掩模處於前述第1位置之狀態，對前述基板表面的第1區域進行離子植入；及第2植入製程，在真空中，以前述掩模處於前述第2位置之狀態，對前述基板表面的第2區域進行離子植入。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之離子植入方法，其中，在前述配置製程中，將前述掩模配置於第1位置，在前述第1植入製程後，執行前述第2植入製程。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之離子植入方法，其中，包括對前述基板進行退火之退火製程，在前述第2植入製程後，以將前述掩模配置於前述第2位置之狀態執行前述退火製程。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之離子植入方法，其中，在真空中，使前述掩模在前述第1位置與前述第2位置之間移動。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之離子植入方法，其中，在前述第1植入製程與前述第2植入製程之間，執行前述移動製程。
  6. 一種搬送容器，向離子植入裝置的內部搬送太陽能電池用基板，其特徵為，具備：托盤，能夠收容前述基板；掩模，能夠以相對前述基板定位之狀態，在覆蓋該基板表面的局部區域之第1位置與從前述基板表面退避之第2位置之間移動；及連結機構，連結前述掩模和前述托盤，以便前述掩模能夠在前述第1位置與前述第2位置之間移動。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之搬送容器，其中，前述托盤具有定位部，前述定位部將前述基板定位到預定位置，前述掩模具有抵接部，前述抵接部藉由在前述第1位置抵接於前述基板或前述托盤而被定位。
  8. 如申請專利範圍第6或7項所述之搬送容器，其中，前述托盤具有複數個收容部，每個收容部將複數個前述基板按每一個基板進行收容。
  9. 一種離子植入裝置，對太陽能電池用基板植入離子，其特徵為，具備：載置部，載置申請專利範圍第6至8項中任一項所述之搬送容器；及離子植入源，對收容於前述搬送容器之基板進行離子 植入；及真空裝置，使配置有前述離子植入源之處理室成為真空狀態；及搬送部，將前述搬送容器從前述載置部搬送到前述處理室；及移動機構，在處於真空狀態之前述處理室內，使前述搬送容器的掩模在前述第1位置與前述第2位置之間移動。
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