TW201332016A - 碳化矽的分子層沉積 - Google Patents

碳化矽的分子層沉積 Download PDF

Info

Publication number
TW201332016A
TW201332016A TW101149545A TW101149545A TW201332016A TW 201332016 A TW201332016 A TW 201332016A TW 101149545 A TW101149545 A TW 101149545A TW 101149545 A TW101149545 A TW 101149545A TW 201332016 A TW201332016 A TW 201332016A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ruthenium
hydrogen
containing carbon
tantalum carbide
precursor
Prior art date
Application number
TW101149545A
Other languages
English (en)
Inventor
Brian Underwood
Abhijit Basu Mallick
Nitin K Ingle
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of TW201332016A publication Critical patent/TW201332016A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02529—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

在此描述碳化矽的分子層沉積。沉積前驅物包括含有矽、碳與氫的前驅物分子。將表面暴露至該前驅物分子造成自我限制的單層生長。雖然生長為自我限制，但每一分子層沉積循環期間所沉積的厚度涉及多個「原子」層，因此每一循環可沉積大於一般在原子層沉積期間所見的厚度。前驅物流出物從基材處理區域移除，然後在將該層再度暴露至沉積前驅物之前，該表面先經照射。

Description

碳化矽的分子層沉積 【相關申請案的交互參照】
此申請案主張美國臨時申請案61/587,397之權益，該臨時申請案由Underwood等人於2012年1月17日提出申請，且發明名稱為「MOLECULAR LAYER DEPOSITION OF SILICON CARBIDE」，該案之全文併入本文以供所有目的之用。
此發明關於半導體製造技術。
氮化矽介電膜用作為蝕刻終止物及化學性質上為惰性的擴散阻障物。其他應用受惠於相對高的介電常數，該介電常數使電訊號得以快速地傳輸通過氮化矽層。習知上透過化學氣相沉積而沉積氮化矽的方法是在超過250℃(經常更高)的基材溫度下運作。
碳化矽提供改良的性能以作為蝕刻停止物、擴散阻障物，且具有更高的介電常數。碳化矽已一般用作併入主動元件的基材，但不作為半導體元件形成期間圖案化基材上沉積的一層。這種屏棄現象的原因涉及蝕刻碳化矽時的困難性。該原因可進一步與許多先前技藝的碳化矽化學氣相沉積 技術所需的一般高沉積基材溫度相關。高溫至少可能造成會劣化細微電子元件特性的擴散。
因此，在此技藝中需要適合用於低沉積基材溫度且也能夠強化控制沉積參數的碳化矽沉積製程。此需求與其他需求在本申請案中獲得解決。
在此描述碳化矽的分子層沉積。沉積前驅物包括含有矽、碳與氫的前驅物分子。將表面暴露至該前驅物分子造成自我限制的單層生長。雖然生長為自我限制，但每一分子層沉積循環期間所沉積的厚度涉及多個「原子」層，因此每一循環可沉積大於一般在原子層沉積期間所見的厚度。前驅物流出物從基材處理區域移除，然後在將該層再度暴露至沉積前驅物之前，該表面先經照射。
本發明的實施例包括在基材處理區域中定位的基材表面上形成碳化矽層的方法。該等方法包括至少三個依照順序的步驟：(i)照射該基材的該表面，(ii)將該表面暴露至含矽碳與氫的前驅物，該前驅物包含含矽碳與氫的分子，以及(iii)從該基材處理區域移除製程流出物，該製程流出物包括未反應的含矽碳與氫的前驅物。該含矽碳與氫分子具有至少兩個Si-C單鍵。將該表面暴露至含矽碳與氫的前驅物的步驟造成碳化矽單分子層生長。
額外實施例與特徵部分在隨後的說明書中提出，而對於此技術領域中具有通常知識者而言在詳閱此說明書後可易於瞭解部分額外實施例與特徵，或者此技術領域中具有通 常知識者可透過操作該等揭露的實施例而學習部分額外實施例與特徵。透過在說明書中描述的設備、組合與方法，可實現與獲得所揭露的實施例之特徵與優點。
100‧‧‧方法
102、104、106、108、110‧‧‧步驟
109‧‧‧決定
透過參考說明書之其餘部份及圖式，可進一步瞭解本發明的本質與優點，其中，在多個圖式中使用類似的元件符號指示相似的部件。一些例子中，次符號與元件符號相連，且跟在破折號之後，以註明多個相似部件中的一個部件。當參考一元件符號而不對既存的次符號詳加規定時，申請人希望參考所有此類的多個相似部件。
第1圖是流程圖，說明根據所揭露之實施例用於形成碳化矽層的所選步驟。
第2A圖是根據所揭露之實施例的分子層沉積的化學物質示意圖。
第2B圖是根據所揭露之實施例的分子層沉積的化學物質示意圖。
第3圖顯示根據所揭露的實施例用於分子層沉積的額外含矽碳與氫的前驅物分子。
在此描述碳化矽的分子層沉積。沉積前驅物包括含有矽、碳與氫的前驅物分子。將表面暴露至該前驅物分子造成自我限制的單層生長。雖然生長為自我限制，但每一分子層沉積循環期間所沉積的厚度涉及多個「原子」層，因此每一循環可沉積大於一般在原子層沉積期間所見的厚度。前驅 物流出物從基材處理區域移除，然後在將該層再度暴露至沉積前驅物之前，該表面先經照射。
許多情況中，傳統的原子層沉積仰賴「金屬」-氧鍵的彈性或羰基的存在。在這兩種情況中，沉積膜最後轉為有氧內含物(oxygen content)的狀態。氧內含物非常難以移除，且使碳化矽膜在蝕刻抵抗力中的性能(以及絕大多數其他特質)打折。在此介紹以一層接著一層的方式生長碳化矽的方法，該方法避免氧、金屬、或其他會使這些特質打折的污染物存在。
為了較佳地瞭解與認識本發明，現在請參考第1圖至第2圖，這些圖式是流程圖，顯示根據本發明實施例之代表性分子層沉積期間執行分子層沉積的示範性所選步驟以及化學物質示意圖。方法100包括照射矽表面(步驟102)，該矽表面具有甲基基團，該甲基基團與表面上的第一矽吸附原子(adatom)黏結，該照射矽表面之步驟使接近該表面的第一吸附原子與第二矽原子之間的Si-Si單鍵斷開。該照射因此使Si(CH3)3基團從基材表面脫附。為了簡化，在此脫附的化學物質片段可被稱作Si(Me)3，以簡寫Me取代甲基基團。脫附的化學物質片段不限於Si(Me)3，且可更廣泛地在此被稱為保護性基團(PG)，以表達未來反應位置被化學物質基團所「保護」。保護性基團總是具有矽原子，該矽原子透過Si-Si鍵而鍵結至表面。於步驟104，脫附的化學物質片段(PG)隨後從基材處理區域移除。
照射之後，暴露部分可變成高度反應性的矽烯 (silene，暴露的矽原子，具有兩個自由電子可供鍵結)抑或該暴露部分可以為氫封端式(hydrogen-terminated)，如第2圖的左欄中所示。在此時，於步驟106中，含矽碳與氫前驅物被遞送至基材處理區域。該含矽碳與氫前驅物包含具有至少兩個矽碳單鍵(Si-C)的含矽碳與氫分子。如第2A圖的範例中所示，含矽碳與氫分子可具有乙烯基團(C=C)，且在本發明的多個實施例中，該乙烯基團可接近碳鏈的末端。
前驅物分子的示意圖是以工業標準簡寫顯示，以透過簡化每一示意圖而使閱讀者更佳地瞭解。單線代表共價式共享的電子，且雙線代表兩個共價式共享的電子，即雙鍵。無字母的線段終點是指存在碳原子。具有「Si」的線段終點是指存在矽原子而非碳原子。例如，在第2A圖的最左邊顯示為接近氫封端的矽表面的含矽碳與氫分子具有化學式C3H5-Si-C2H6-PG。在此將使用該示意性方法，因為示意性方法更全面地界定前驅物分子的結構。
揭露的實施例中，乙烯基團(C=C)可存在或可不存在於含矽碳與氫分子中。當存在時，乙烯基團強化前驅物與基材表面上暴露的氫的反應速率。可透過在暴露期間(步驟106)將光線照耀在表面上或提供另一形式的激發，而在乙烯基團存在(或不存在)下，促進反應。此催化光源的波長可比稍早用於移除保護性基團的UV光源長。
將含矽碳與氫前驅物流至基材後，該表面呈現於第2A圖左側的第二示圖中。換言之，表面是以Si(CH3)2PG基團封端。在步驟108中，製程流出物(包括任何未反應的含矽 碳與氫前驅物)現在可從基材處理區域移除。若已達成目標厚度(決定109)，可停止沉積，且於步驟110中，該沉積基材可從基材處理區域移除。在尚未達成目標厚度的情況中，重覆步驟102-108以沉積另一分子層。再次以UV光照射基材，而將Si-Si鍵斷開而釋放保護性基團(PG)。當重覆步驟106時，釋放保護性基團使額外碳化矽分子層的沉積得以進行。
第2B圖是根據所揭露的實施例的分子層沉積的另一化學物質示意圖。在此示意圖中，保護性基團以示範性的SiMe3代表，且三個保護性基團存在於含矽碳與氫前驅物的含矽碳與氫分子上。本發明的一些實施例中，超過一個保護性基團存在於含矽碳與氫分子上。第2B圖左欄上接近表面的分子的化學式是C3H5-Si-(PG)3。再一次，碳碳雙鍵提供將Si-C鍵鍵結形成至基材表面的反應性。該表面隨後經照射以斷開Si-Si鍵，且釋放保護性基團。之後，不同的含矽碳與氫分子暴露至碳化矽的生長網絡。第二投劑(dosing)涉及一種前驅物，該前驅物包括兩個共軛的二烯分子(如圖所示)的一者。頂部分子具有化學式C7H8-Si-(PG)3，且底部分子具有化學式C6H8-Si-PG。
在步驟108中，從基材處理區域移除製程流出物(包括未反應的H2O)。可透過將惰性物種流入基材處理區域以將製程流出物沖離處理區域，而移除製程流出物。以替代方式或結合方式，可通過泵送通口將製程流出物泵送至泵送系統。可重覆四個依序的步驟(步驟102-108)，直到達成目標 厚度(決定109)為止。包含重覆應用四個依序步驟的沉積順序在基材上產生碳化矽層。
在所揭露的實施例中，碳化矽分子層沉積的循環(步驟102-108)持續低於20秒、10秒、5秒、或2秒。該方法使在每一循環內額外材料得以沉積，而與根據傳統製程順序、以傳統前驅物執行的原子層沉積循環成對比。碳化矽分子層沉積的循環(四個依序步驟102-108)在所揭露的實施例中，在基材上沉積超過0.5 nm、超過1 nm、低於6 nm、介於約0.5 nm至約6 nm之間或介於約1 nm至約6 nm之間的碳化矽。在暴露表面至含矽碳與氫之前驅物的步驟期間，基材處理區域內的壓力於所揭露的實施例中為低於40 mTorr、20 mTorr、或10 mTorr。在本發明的實施例中，在暴露表面至含矽碳與氫之前驅物的步驟期間，基材溫度可低於300℃、200℃、或150℃。
前述的優點與製程參數擴及比之前所描述的含矽碳與氫前驅物更加繁多的含矽碳與氫前驅物。示範性含矽碳與氫前驅物呈現於第3圖中的化學物質示意圖。每一所呈現的前驅物分子中，是以示範性位置顯示保護性基團。保護性基團可位在其他位置，取代H抑或甲基基團(Me)。多重(例如兩個或三個)保護性基團可顯現在呈現的示範性前驅物之任一者上。在將該表面暴露至含矽碳與氫前驅物之步驟期間，可進一步納入自由基捕獲劑，諸如TEMPO。進一步納入自由基捕獲劑可作用於避免高度反應性的含矽碳與氫前驅物的過早的反應。透過在基材處理區域中納入自由基捕獲劑， 可保留雙鍵，因而可更易於取得雙鍵以供碳化矽分子層沉積。
在此所使用的「基材」可為具有(或不具有)形成在上面的多個層的支撐基材。該支撐基材可為有各種摻雜濃度及摻雜輪廓的絕緣體或半導體，可例如為用在積體電路製造上的類型的半導體基材。「碳化矽」層用作為含矽與碳化物之材料的簡寫，且可與含矽與碳化物之材料互換。就此而言，碳化矽可包括多種濃度的其他元素組份(諸如氮、氫及類似物)。一些實施例中，碳化矽基本上由矽與碳構成。「前驅物」之用語是指任何參與反應而從表面移除材料或沉積材料在表面上的製程氣體。處於「激發態」的氣體是描述這樣的氣體：該氣體中，至少有一些氣體分子處於振動型式的激發、解離及/或離子化的狀態。「氣體」(或「前驅物」)可以是兩種或更多種氣體(或「前驅物」)的組合，且可包括正常狀態下為液體或固體但暫時與其他「載氣」一同搭載的物質。「惰氣」一詞是指在蝕刻或被併入膜中時不形成化學鍵結的任何氣體。示範性的惰氣包括稀有氣體，但可包括其他氣體，只要當(一般)在膜中補捉到痕量的該氣體時不形成化學鍵結即可。
全文中所用之「溝槽」(trench)之用語毫無暗指意味地是指蝕刻過的幾何形狀具有大的水平深寬比。由表面上方所視，溝槽可顯現圓形、卵形、多邊形、矩形或各種其他形狀。「介層窗」(via)一詞是用於指低深寬比溝槽(由上方觀看)，該介層窗可或可不被金屬填充而形成垂直的電連接。如在此所用，共形層指的是在一表面上與該表面相同形 狀的大體上均勻的材料層，即該層的表面與被覆蓋的表面大體上平行。發明所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解沉積的材料可能不會100%共形，因此「大體上」之用語容許可接受的容忍度。
已在此描述數個實施例，發明所屬技術領域中具有通常知識者應知可使用多種修飾例、替代架構與等效例而不背離所揭示之實施例的精神。此外，說明書中不對多種習知處理與元件做描述，以避免不必要地混淆了本發明。故，上述說明不應被視為對本發明範疇之限制。
當提供一範圍的數值時，除非文本中另外清楚指明，應知亦具體揭示介於該範圍的上下限值之間各個區間值至下限值單位的十分之一。亦涵蓋了所陳述範圍中之任何陳述數值(或區間值)至該陳述範圍中任何另一陳述數值(或區間值)之間的每個較小範圍。該等較小範圍的上限值與下限值可獨立地被包括於該範圍中或於該範圍中排除，且各範圍(其中，在該較小範圍內包含任一個極限值、包含兩個極限值，或不含極限值)皆被本發明涵蓋，除非在該陳述的範圍中有任何特別排除之極限。在所陳述之範圍包括極限值的一者或兩者之處，該範圍也包括該些排除其中任一者或兩者被包括的極限值的範圍。
在此與如附申請專利範圍中所使用之單數形式「一」與「該」等用語也包括複數形式，除非上下文中另外清楚指明。因此，舉例而言，「一種製程」所指的參考物包括複數個此類製程，而「該前驅物」所指的參考物包括一或多種前 驅物以及該領域技術人士所熟知的該等前驅物之等效例等。
同樣，申請人希望此說明書與下述申請專利範圍中所用的「包括」與「包含」等用語是專指存在所陳述之特徵、整體、部件或步驟，但該等用語不排除存在或增加一或多種其他特徵、整體、部件、步驟、動作或群組。
100‧‧‧方法
102、104、106、108、110‧‧‧步驟
109‧‧‧決定

Claims (18)

  1. 一種在一基材處理區域中所定位的一基材之一表面上形成一碳化矽層的方法，該方法包含：至少三個依序的步驟，包含：(i)照射該基材的該表面；(ii)將該表面暴露至一含矽碳與氫前驅物，該含矽碳與氫前驅物包含一含矽碳與氫分子，其中該含矽碳與氫分子具有至少兩個Si-C單鍵，其中該將該表面暴露至一含矽碳與氫前驅物之步驟造成一碳化矽單分子層生長；以及(iii)從該基材處理區域移除包括未反應的含矽碳與氫前驅物的製程流出物。
  2. 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：再度重覆該至少三個依序的步驟，直到該碳化矽層達到一目標厚度為止。
  3. 如請求項1所述之方法，其中照射該表面之該步驟包含以下步驟：將UV光照耀在該基材的該表面上。
  4. 如請求項1所述之方法，其中照射該表面之該步驟包含以下步驟：將氣體流進該基材處理區域中，並且在該基材處理區域中點燃一電漿。
  5. 如請求項1所述之方法，其中將該表面暴露至一含矽碳與 氫前驅物的該步驟造成該碳化矽單分子層自我限制式生長。
  6. 如請求項1所述之方法，其中步驟(i)-(iii)的反覆在該基材上沉積介於0.5 nm至6 nm之間的碳化矽。
  7. 如請求項1所述之方法，其中該含矽碳與氫分子包含一碳碳雙鍵。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該含矽碳與氫分子包含一保護性基團，該保護性基團使該碳化矽單分子層生長為自我限制式，還容許透過照射該表面而移除該保護性基團。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該保護性基團包含一矽原子，該矽原子與在該含矽碳與氫分子內的另一矽原子鍵結。
  10. 如請求項8所述之方法，其中該保護性基團包含Si(CH3)3。
  11. 如請求項1所述之方法，其中該含矽碳與氫分子包含下述分子之一者，該等下述分子具有與一矽原子鍵結的一或多個保護性基團，該保護性基團取代一末端的H或Me基團，該等分子為：
  12. 如請求項1所述之方法，其中該碳化矽層基本上缺乏氧。
  13. 如請求項1所述之方法，其中該含矽碳與氫分子基本上缺乏氧。
  14. 如請求項1所述之方法，其中該含矽碳與氫分子包含氧， 但該碳化矽層基本上缺乏氧。
  15. 如請求項1所述之方法，其中照射該表面之該步驟包含以下步驟：斷開一Si-Si鍵。
  16. 如請求項1所述之方法，其中照射該表面之該步驟包含以下步驟：從該表面移除一保護性化學物質基團。
  17. 如請求項16所述之方法，其中照射該表面之該步驟包含以下步驟：從該表面移除超過一個保護性化學物質基團。
  18. 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：在沉積該碳化矽之後，處理該表面以減少該碳化矽層中的氫含量。
TW101149545A 2012-01-17 2012-12-24 碳化矽的分子層沉積 TW201332016A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261587397P 2012-01-17 2012-01-17
US13/628,355 US8753985B2 (en) 2012-01-17 2012-09-27 Molecular layer deposition of silicon carbide

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201332016A true TW201332016A (zh) 2013-08-01

Family

ID=48799579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101149545A TW201332016A (zh) 2012-01-17 2012-12-24 碳化矽的分子層沉積

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8753985B2 (zh)
TW (1) TW201332016A (zh)
WO (1) WO2013109381A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112825299A (zh) * 2019-11-20 2021-05-21 中国科学院微电子研究所 一种沉积碳化硅薄膜的方法
TWI830206B (zh) * 2021-04-21 2024-01-21 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 矽前驅物化合物及形成含矽膜之方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9873940B2 (en) 2013-12-31 2018-01-23 Lam Research Corporation Coating system and method for coating interior fluid wetted surfaces of a component of a semiconductor substrate processing apparatus
US9922818B2 (en) 2014-06-16 2018-03-20 Versum Materials Us, Llc Alkyl-alkoxysilacyclic compounds
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
SG11201807211XA (en) * 2016-02-26 2018-09-27 Versum Materials Us Llc Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film
EP3676417A4 (en) 2017-08-30 2021-06-02 Versum Materials US, LLC ALCOXYSILACYCLIC OR ACYLOXYSILACYCLIC COMPOUNDS AND METHOD FOR DEPOSITING LAYERS THEREOF
US20190134663A1 (en) 2017-10-27 2019-05-09 Versum Materials Us, Llc Silacyclic Compounds and Methods for Depositing Silicon-Containing Films Using Same
WO2022072258A1 (en) 2020-09-30 2022-04-07 Gelest, Inc. Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4459338A (en) 1982-03-19 1984-07-10 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of deposition of silicon carbide layers on substrates and product
US4560589A (en) 1982-09-22 1985-12-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for providing a coating layer of silicon carbide on substrate surface
JPS60154521A (ja) 1984-01-23 1985-08-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭化珪素被膜作製方法
US4923716A (en) 1988-09-26 1990-05-08 Hughes Aircraft Company Chemical vapor desposition of silicon carbide
US5374412A (en) * 1992-07-31 1994-12-20 Cvd, Inc. Highly polishable, highly thermally conductive silicon carbide
US5354580A (en) 1993-06-08 1994-10-11 Cvd Incorporated Triangular deposition chamber for a vapor deposition system
KR100366621B1 (ko) 2000-06-28 2003-01-09 삼성전자 주식회사 반도체 소자의 도전성 콘택체를 형성하는 방법
TWI361469B (en) 2007-03-09 2012-04-01 Rohm & Haas Elect Mat Chemical vapor deposited silicon carbide articles
US8703624B2 (en) 2009-03-13 2014-04-22 Air Products And Chemicals, Inc. Dielectric films comprising silicon and methods for making same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112825299A (zh) * 2019-11-20 2021-05-21 中国科学院微电子研究所 一种沉积碳化硅薄膜的方法
TWI830206B (zh) * 2021-04-21 2024-01-21 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 矽前驅物化合物及形成含矽膜之方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013109381A1 (en) 2013-07-25
US8753985B2 (en) 2014-06-17
US20130267079A1 (en) 2013-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201332016A (zh) 碳化矽的分子層沉積
KR102662636B1 (ko) 유전체 표면들에 대하여 금속 또는 금속성 표면들 상에서의 선택적 퇴적
TWI666336B (zh) 選擇性地在基板上沈積材料的方法
TWI394858B (zh) 用於沉積具有降低電阻率及改良表面形態之鎢膜的方法
KR102444697B1 (ko) Tsv/mems/전력 장치 식각용 화학품
JP2020127004A (ja) シリコン酸化物の形態選択的な膜形成の方法
US8956971B2 (en) Selective formation of metallic films on metallic surfaces
CN206494968U (zh) 低蒸汽压气溶胶辅助的cvd
JP2017216448A (ja) 有機膜の堆積
TW202033812A (zh) 形成氮碳氧化矽薄膜的方法
US20210217615A1 (en) Methods For Enhancing Selectivity In Sam-Based Selective Deposition
JP2013102174A (ja) 優勢エッチング抵抗性を具備する低ｋ誘電バリアを得る方法
JP2008244298A (ja) 金属膜の成膜方法、多層配線構造の形成方法、半導体装置の製造方法、成膜装置
JP2011146711A5 (zh)
US11664219B2 (en) Selective deposition of SiOC thin films
JP5330747B2 (ja) 半導体装置用絶縁膜、半導体装置用絶縁膜の製造方法及び製造装置、半導体装置及びその製造方法
JP2005029821A (ja) 成膜方法
JP5825683B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN1663031A (zh) 半导体装置的制造方法
JP5680892B2 (ja) Ｃｏ膜形成方法
US20070128553A1 (en) Method for forming feature definitions
JP5015705B2 (ja) 層間絶縁膜形成方法、層間絶縁膜、半導体デバイス、および半導体製造装置
JP7495569B2 (ja) 有機膜の堆積
JP5054890B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5262144B2 (ja) 半導体デバイス及びその製造方法