TW201327302A - 調整觸控面板靈敏度之方法 - Google Patents
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Abstract
一種調整觸控面板靈敏度之方法,包括以下步驟:建立查詢表,該查詢表包括充電狀態查詢表及非充電狀態查詢表,所述充電狀態查詢表包括一觸控訊號門檻值(V0m),與該觸控訊號門檻值(V0m)對應之電量(A0i),及一運算方法(g1);所述非充電狀態查詢表包括一觸控訊號門檻值(V0m),與該觸控訊號門檻值(V0m)對應之電量(A0i),及一運算方法(g2);檢測目前電量,並確定是否處於充電狀態;根據所述目前電量、充電或非充電狀態及所述查詢表中之運算方法(g1) 及(g2),調整觸控訊號門檻值(V0m)。
Description
本發明涉及一種調整觸控面板靈敏度之方法。
近年來,伴隨著移動電話與觸摸導航系統等各種電子設備之高性能化及多樣化之發展,在液晶等顯示設備之前面安裝透光性之觸控面板之電子設備逐步增加。這樣之電子設備之使用者通過觸控面板,一邊對位於觸控面板背面之顯示設備之顯示內容進行視覺確認,一邊利用手指或觸控筆等按壓觸控面板來進行操作。由此,可以操作電子設備之各種功能。
按照觸控面板之工作原理及傳輸介質之不同,先前之觸控面板分為四種類型,分別為電阻式、電容式、紅外線式及表面聲波式。其中電容式觸控面板因敏感度較高、所需觸碰力度較小而應用較為廣泛(李樹本, 王清弟, 吉建華, 光電子技術, Vol. 15, P62 (1995))。
電容式觸控面板主要是利用感應人體電容之方式來達到觸控之目之,然,電容式觸控面板易受環境電場、靜電等之干擾。當電容式觸控面板連接充電器充電時,充電器接地使得電容式觸控面板所在之整個電路板與人體產生共地電容加乘效應,使感應量上升,進而使電容式觸控面板過度靈敏;當電容式觸控面板之電量逐漸損耗時,電容式觸控面板之靈敏度會持續降低。上述電容式觸控面板過度靈敏或靈敏度降低,均影響電容式觸控面板之使用。
有鑒於此,提供一種調整觸控面板靈敏度之方法實為必要。
一種調整觸控面板靈敏度之方法,包括以下步驟:建立查詢表,該查詢表包括充電狀態查詢表及非充電狀態查詢表,所述充電狀態查詢表包括一觸控訊號門檻值V0m,與該觸控訊號門檻值V0m對應之電量A0i,及一運算方法g1;所述非充電狀態查詢表包括一觸控訊號門檻值V0m,與該觸控訊號門檻值V0m對應之電量A0i,及一運算方法g2;檢測目前電量,並確定是否處於充電狀態;根據所述目前電量、充電或非充電狀態及所述查詢表中之運算方法g1及g2,調整觸控訊號門檻值V0m。
與先前技術相比較,本發明利用裝置系統告知觸控面板目前是否在充電及目前之電量,然後觸控面板利用查詢建立在控制器中之查詢表來改變觸控訊號門檻值。如此,隨著觸控訊號強度之不同,可以調整相對應之觸控訊號門檻值,進而調整了觸控面板之靈敏度。
下面將結合附圖及具體實施例,對本發明提供之調整觸控面板靈敏度之方法作進一步之詳細說明。
請參見圖1,本發明提供一種調整觸控面板靈敏度之方法,其包括以下步驟:
S1、建立查詢表,該查詢表包括充電狀態查詢表及非充電狀態查詢表,所述充電狀態查詢表包括一觸控訊號門檻值V0m,與該觸控訊號門檻值V0m對應之電量A0i,及一運算方法g1;所述非充電狀態查詢表包括一觸控訊號門檻值V0m,與該觸控訊號門檻值V0m對應之電量A0i,及一運算方法g2。
S2、檢測目前電量,並確定是否處於充電狀態。
S3、根據所述目前電量、充電或非充電狀態及所述查詢表中之運算方法g1及g2,調整觸控訊號門檻值V0m。
本發明所述調整觸控面板靈敏度之方法適用於電容式觸控面板,該電容式觸控面板可具有如下所述之結構。
請參見圖2及圖3,本發明實施例提供一電容式觸控面板10,該電容式觸控面板10包括一絕緣基底12,一黏膠層13,一透明導電層14,複數個電極16,多條導線18。
所述電容式觸控面板10定義有兩區域:一觸控區域10A與一走線區域10B。所述觸控區域10A為所述電容式觸控面板10可被觸碰實現觸控功能之區域,所述走線區域10B為所述電容式觸控面板10內多條導線18之設置區域。所述走線區域10B為電容式觸控面板10靠近邊緣之較小面積之區域,其可以位元於觸控區域10A之至少一側。所述觸控區域10A為包括電容式觸控面板10中心區域之較大面積之區域。所述走線區域10B通常位元於所述觸控區域10A之週邊。即,該電容式觸控面板10位於中部佔主要面積部位之區域定義為觸控區域10A,位元於觸控區域10A周圍之邊緣區域定義為走線區域10B,所述觸控區域10A與走線區域10B之位置關係不限,可以根據需要選擇。本實施例中,所述觸控區域10A為電容式觸控面板10之中心區域,所述走線區域10B環繞觸控區域10A。所述觸控區域10A之形狀與電容式觸控面板10之形狀相同且面積小於電容式觸控面板10之面積,所述走線區域10B為觸控區域10A以外之其他區域。
所述黏膠層13設置於絕緣基底12之一表面,所述透明導電層14、多條導線18均設置於黏膠層13之一表面,所述電極16設置於透明導電層14之表面。其中,所述透明導電層14設置於絕緣基底12位元於觸控區域10A之表面,所述多條導線18設置於絕緣基底12位元於走線區域10B之表面。所述複數個電極16相互間隔設置於所述透明導電層14之一側邊或者相對之兩側邊並且每一電極16均與所述透明導電層14電連接。所述導線18之數量與所述電極16之數量相等,每一導線18之一端與一電極16電連接,另一端與外部之控制器11電連接。該導線18通過電極16將所述透明導電層14與一外部之控制器11電連接,用於所述電極16與一外部之控制器11之間電訊號之傳輸。所述控制器11與一裝置系統20連接,用於該裝置系統20與控制器11之間電訊號之傳輸。
可以理解,所述黏膠層13為一可選元件,即,所述透明導電層14、電極16、導線18可以是鍍在絕緣基底12上,或者,透明導電層14之黏結性較好,可以不使用膠黏劑而直接黏在絕緣基底12上。
所述透明導電層14之材料不限,可以為一奈米碳管層、一ITO(氧化銦錫)導電層、一TAO(氧化錫銻)導電層等中之任意一種。
所述奈米碳管層包括至少一奈米碳管膜。當所述奈米碳管層包括複數個奈米碳管膜時,該奈米碳管膜可以基本平行無間隙共面設置或層疊設置。請參見圖4,所述奈米碳管膜是由若干奈米碳管組成之自支撐結構。所述若干奈米碳管沿同一方向擇優取向排列。該奈米碳管膜中大多數奈米碳管之整體延伸方向基本朝同一方向。而且,所述大多數奈米碳管之整體延伸方向基本平行於奈米碳管膜之表面。進一步地,所述奈米碳管膜中復數個奈米碳管是通過凡得瓦(Van Der Waals)力首尾相連。所述奈米碳管膜不需要大面積之載體支撐,而只要相對兩邊提供支撐力即能整體上懸空而保持自身膜狀狀態,即將該奈米碳管膜置於(或固定於)間隔設置之兩支撐體上時,位於兩支撐體之間之奈米碳管膜能夠懸空保持自身膜狀狀態。
上述步驟S1中所述查詢表可以建立在控制器中,所述查詢表包括兩部分內容:一、充電狀態之查詢表,二、非充電狀態之查詢表。
一、請參見圖5,充電狀態之查詢表可通過如下步驟來建立:
S11、檢測某一時刻t之電量A0i,在該時刻t觸摸所述觸控面板,獲得該觸摸點19之感測訊號V0i,並設定一觸控訊號門檻值V0m,V0i>V0m。
S12、檢測下一時刻t+1之電量A1i,並在該時刻t+1觸摸所述觸控面板,獲得該觸摸點19之感測訊號V1i,並設定一觸控訊號門檻值V1m,V1i>V1m,A1i>A0i,且V0i-V0m=V1i-V1m。
S13、建立變化關係f1、f2,f1(V0i,A0i,A1i)=V1i,f2(V0m,V1i,V0i)=V1m,根據所述變化關係f1及f2,得到根據V0m,A0i,A1i換算觸控訊號門檻值Vnm之運算方法g1,g1(V0m,A0i,Ani)=Vnm,所述Ani是檢測時刻t+n之電量,所述Vnm是時刻t+n之觸控訊號門檻值。
充電狀態下,由於觸控面板之電量迅速上升,所以某一時刻t之電量A0i小於下一時刻t+1之電量A1i。
上述符號i、n代表觸摸所述觸控面板之某個時刻,i=1,2,3……(i>0),m=0,1,2,3……(m≧0),n=0,1,2,3……(n≧0)。
所述變化關係f1、f2之建立可以有複數種方式,只需滿足f1(V0i,A0i,A1i)=V1i,f2(V0m,V1i,V0i)=V1m。本發明實施例中,所述變化關係f1為V0i、A1i之乘積與A0i之比值關係,即,其中L0i為將換算為V1i需要乘之係數;所述變化關係f2為V0m、V1i之乘積與V0i之比值關係,即,其中K0i為將換算為V1m需要乘之係數;根據所述變化關係f1、f2,獲得根據V0m、Ani、A0i得到Vnm之運算方法g1,即。
二、請參見圖6,非充電狀態之查詢表可通過如下步驟來建立:
S11、檢測某一時刻t之電量A0i,在該時刻t觸摸所述觸控面板,獲得該觸摸點19之感測訊號V0i,並設定一觸控訊號門檻值V0m,V0i>V0m。
S12、檢測下一時刻t+1之電量A1i’,並在該時刻t+1觸摸所述觸控面板,獲得該觸摸點19之感測訊號V1i’,並設定一觸控訊號門檻值V1m’,V1i’>V1m’,A1i’<A0i,且V0i-V0m=V1i’-V1m’。
S13、建立變化關係f1’、f2’,f1’(V0i,A0i,A1i’)=V1i’,f2’(V0m,V1i’,V0i)=V1m’,根據所述變化關係f1’及f2’,得到根據V0m,A0i,A1i’換算觸控訊號門檻值Vnm’之運算方法g2,g2(V0m,A0i,Ani’)=Vnm’,所述Ani’是檢測時刻t+n之電量,所述Vnm’是時刻t+n之觸控訊號門檻值。
非充電狀態下,由於觸控面板之電量隨時間之推移而逐漸下降,所以某一時刻t之電量A0i大於下一時刻t+1之電量A1i’。
上述符號i、n代表觸摸所述觸控面板之某個時刻,i=1,2,3……(i>0),m=0,1,2,3……(m≧0),n=0,1,2,3……(n≧0)。
所述變化關係f1’、f2’之建立可以有複數種方式,只需滿足f1’(V0i,A0i,A1i’)=V1i’,f2’(V0m,V1i’,V0i)=V1m’。本發明實施例中,所述變化關係f1’為V0i、A1i’之乘積與A0i之比值關係,即,其中M0i為將換算為V1i’需要乘之係數;所述變化關係f2’為V0m、V1i’之乘積與V0i之比值關係,即,其中N0i為將換算為V1m’需要乘之係數;根據所述變化關係f1’、f2’,獲得根據V0m、Ani’、A0i得到Vnm’之運算方法g2,即。
所述觸摸點19可以是一單獨之點,也可以由複數個觸摸物在該電容式觸控面板上同時觸摸而形成之複數個觸摸點19,該複數個觸摸點19在同一時刻之觸控訊號門檻值相同。所述觸控訊號門檻值與感測訊號可以同時為電壓值或電容值。
步驟S2中,利用一裝置系統20首先檢測目前之觸控面板是處於充電狀態還是處於非充電狀態,及目前之電量Ani,然後將是否充電之訊號及目前之電量Ani傳送給所述觸控面板。所述裝置系統20將是否充電之訊號及目前之電量Ani傳送給所述觸控面板之時機不限,可以在沒有發生觸控期間,由裝置系統20定時傳送至觸控面板;或者在發生觸控之第一時間傳送至觸控面板。所述裝置系統20將是否充電之訊號及目前之電量Ani傳送給所述觸控面板之傳輸方式不限,例如,I2C、SPI、UART,甚至利用GPIO之傳輸方式均可。
步驟S3中,所述觸控面板接收到裝置系統20傳送過來之充電狀態及該充電狀態下之電量,或者非充電狀態及該非充電狀態下之電量後,根據建立在控制器內之所述查詢表中之觸控訊號門檻值、對應之電量及運算方法g,調整觸控訊號門檻值。
請一併參見圖2及圖7,本發明舉例來具體說明如何建立充電狀態下之查詢表。所述i=1,m=0。
首先,裝置系統20檢測到觸控面板在時刻t之電量A01為20毫安培,並在該時刻t觸摸所述觸控面板,獲得該觸摸點19之感測電壓V01為2伏特,並設定一觸控電壓門檻值V00,假使V00=1伏特。
其次,裝置系統20檢測到觸控面板在下一時刻t+1之電量A11為30毫安培,並在該時刻t+1觸摸所述觸控面板,獲得該觸摸點19之感測電壓V11為4伏特,並設定一觸控電壓門檻值V10,由於V01-V00=V11-V10,那麼V10=3伏特。
要使L01×V01A11/A01=V11,即L01×A11/A01=V11/V01,則L01×30/20= 4/2,所以L01為4/3,即f1(V01,A01,A11)=(4/3)×V01A11/A01=V11。要使K01×V00V11/V01=V10,即K01×V11/V01=V10/V00,則K01×4/2=3/1,所以K01為3/2,即f2(V00,V11,V01) =(3/2)×V00V11/V01=V10。根據變化關係f1及f2,得出運算方法g,即(4/3)×(3/2)×V00An1/ A01=2×V00An1/ A01=Vn0。n=0,1,2,3……(n≧0)。如此,充電狀態下之查詢表包括一觸控訊號門檻值V00;與該觸控訊號門檻值V00對應之電量A01;及一運算方法g1,該運算方法g1滿足g1(V00,A01)= 2×V00An1/ A01=Vn0。
在時刻t+n,假使裝置系統20檢測到觸控面板之目前電量An1為40毫安培,則此時,所述觸控面板接收到裝置系統20傳送過來之充電狀態及該充電狀態下之電量An1後,根據建立在控制器內之所述查詢表中之觸控訊號門檻值V00=1伏特、對應之電量A01=20毫安培及運算方法g1(V00,A01)=2×V00An1/ A01=Vn0,調整觸控訊號門檻值Vn0為4伏特。
請一併參見圖2及圖8,本發明舉例來具體說明如何建立非充電狀態下之查詢表。所述i=1,m=0。
首先,裝置系統20檢測到觸控面板在時刻t之電量A01為60毫安培,並在該時刻t觸摸所述觸控面板,獲得該觸摸點19之感測電壓V01為5伏特,並設定一觸控電壓門檻值V00,假使V00=4伏特。
其次,裝置系統20檢測到觸控面板在下一時刻t+1之電量A11’為50毫安培,並在該時刻t+1觸摸所述觸控面板,獲得該觸摸點19之感測電壓V11’為4.5伏特,並設定一觸控電壓門檻值V10’,由於V01-V00=V11’-V10’,那麼V10’=3.5伏特。
要使L01×V01A11’/A01=V11’,即L01×A11’/A01=V11’/V01,則L01×50/60= 4.5/5,所以L01為54/50,即f1’(V01,A01,A11’)= (54/50)×V01A11’/A01=V11’。要使K01×V00V11’/V01=V10’,即K01×V11’/V01=V10’/V00,則K01×4.5/5=3.5/4,所以K01為35/36,即f2(V00,V11’,V01) =(35/36)×V00V11’/V01=V10。根據變化關係f1’及f2’,得出運算方法g2,即(54/50)×(35/36)×V00An1’/A01=(105/4)×V00An1’/A01=Vn0’。n=0,1,2,3……(n≧0)。如此,充電狀態下之查詢表包括一觸控訊號門檻值V00;與該觸控訊號門檻值V00對應之電量A01;及一運算方法g2,該運算方法g2滿足g2(V00,A01)=(21/20)×V00An1’/ A01=Vn0’。
在時刻t+n,假使裝置系統20檢測到觸控面板之目前電量An1’為40毫安培,則此時,所述觸控面板接收到裝置系統20傳送過來之充電狀態及該充電狀態下之電量An1’後,根據建立在控制器內之所述查詢表中之觸控訊號門檻值V00=4伏特、對應之電量A01=60毫安培及運算方法g(V00,A01)= (21/20)×V00An1’/ A01=Vn0,調整觸控訊號門檻值Vn0’為2.8伏特。
可以理解,所述變化關係f1、f2、f1’、f2’之建立可以有複數種形式,比如差值、比值或更複雜之形式;所述變化關係f1、f2、f1’、f2’可以根據某一時刻t及下一時刻t+1分別檢測之電量、觸摸點19之感測訊號及對應之觸控訊號門檻值建立,也可以根據三個及三個以上時刻分別檢測之電量、觸摸點19之感測訊號及對應之觸控訊號門檻值建立。而且,可以理解,根據不同時刻分別檢測之電量、觸摸點19之感測訊號及對應之觸控訊號門檻值建立之變化關係f1、f2、f1’、f2’時,所檢測之時刻越多,如此建立之變化關係f1、f2、f1’、f2’越準確,進而所述運算方法g1、g2越準確。
本發明提供之調整觸控面板靈敏度之方法之優點為,本發明利用裝置系統告知觸控面板目前是否在充電及目前之電量,然後觸控面板利用查詢建立在控制器中之查詢表來改變觸控訊號門檻值。如此,隨著觸控訊號強度之不同,可以調整相對應之觸控訊號門檻值,進而調整了觸控面板之靈敏度。
綜上所述,本發明確已符合發明專利之要件,遂依法提出專利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施例,自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化,皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
10...電容式觸控面板
10A...觸控區域
10B...走線區域
12...絕緣基底
13...黏膠層
14...透明導電層
16...電極
18...導線
11...控制器
20...裝置系統
19...觸摸點
圖1為本發明實施例提供之調整觸控面板靈敏度之方法之流程圖。
圖2為本發明實施例提供之調整觸控面板靈敏度之方法所採用之電容式觸控面板之俯視結構示意圖。
圖3為本發明實施例提供之調整觸控面板靈敏度之方法所採用之電容式觸控面板之剖面結構示意圖。
圖4為本發明實施例提供之調整觸控面板靈敏度之方法所採用之電容式觸控面板中奈米碳管膜之掃描電鏡照片。
圖5為本發明實施例提供之調整觸控面板靈敏度之方法中充電狀態下查詢表之建立步驟之流程圖。
圖6為本發明實施例提供之調整觸控面板靈敏度之方法中非充電狀態下查詢表之建立步驟之流程圖。
圖7為本發明實施例提供之調整觸控面板靈敏度之方法中充電狀態下查詢表之具體建立之過程示意圖。
圖8為本發明實施例提供之調整觸控面板靈敏度之方法中非充電狀態下查詢表之具體建立之過程示意圖。
無
Claims (10)
- 一種調整觸控面板靈敏度之方法,包括以下步驟:
建立查詢表,該查詢表包括充電狀態查詢表及非充電狀態查詢表,所述充電狀態查詢表包括一觸控訊號門檻值V0m,與該觸控訊號門檻值V0m對應之電量A0i,及一運算方法g1;所述非充電狀態查詢表包括一觸控訊號門檻值V0m,與該觸控訊號門檻值V0m對應之電量A0i,及一運算方法g2;
檢測目前電量,並確定是否處於充電狀態;及
根據所述目前電量、充電或非充電狀態及所述查詢表中之運算方法g1及g2,調整觸控訊號門檻值V0m。 - 如申請專利範圍第1項所述之調整觸控面板靈敏度之方法,其中,所述充電狀態查詢表之建立步驟為:
檢測某一時刻t之電量A0i,在該時刻t觸摸所述觸控面板,獲得該觸摸點之感測訊號V0i,並設定一觸控訊號門檻值V0m,V0i>V0m;
檢測下一時刻t+1之電量A1i,並在該時刻t+1觸摸所述觸控面板,獲得該觸摸點之感測訊號V1i,並設定一觸控訊號門檻值V1m,V1i>V1m,A1i>A0i,且V0i-V0m=V1i-V1m;及
建立變化關係f1、f2,f1(V0i,A0i,A1i)=V1i,f2(V0m,V1i,V0i)=V1m,根據所述變化關係f1及f2,得到根據V0m,A0i,Ani換算觸控訊號門檻值Vnm之運算方法g1,g1(V0m,A0i,Ani)=Vnm,所述Ani是檢測時刻t+n之電量,所述Vnm是時刻t+n之觸控訊號門檻值。 - 如申請專利範圍第2項所述之調整觸控面板靈敏度之方法,其中,所述變化關係f1(V0i,A0i,A1i)滿足:,其中L0i為將換算為V1i需要乘之係數;所述變化關係f2(V0m,V1i,V0i)滿足:,其中K0i為將換算為V1m需要乘之係數。
- 如申請專利範圍第3項所述之調整觸控面板靈敏度之方法,其中,所述運算方法g1(V0m,A0i,Ani)滿足:。
- 如申請專利範圍第1項所述之調整觸控面板靈敏度之方法,其中,所述非充電狀態查詢表之建立步驟為:
檢測某一時刻t之電量A0i,在該時刻t觸摸所述觸控面板,獲得該觸摸點之感測訊號V0i,並設定一觸控訊號門檻值V0m,V0i>V0m;
檢測下一時刻t+1之電量A1i’,並在該時刻t+1觸摸所述觸控面板,獲得該觸摸點之感測訊號V1i’,並設定一觸控訊號門檻值V1m’,V1i’>V1m’, A0i>A1i’,且V0i-V0m=V1i’-V1m’;及
建立變化關係f1’、f2’,f1’(V0i,A0i,A1i’)=V1i’,f2’ (V0m,V1i’,V0i)=V1m’,根據所述變化關係f1’及f2’,得到根據V0m,A0i,Ani’換算觸控訊號門檻值Vnm’之運算方法g2,g2(V0m,A0i,Ani’)=Vnm’,所述Ani’是檢測時刻t+n之電量,所述Vnm’是時刻t+n之觸控訊號門檻值。 - 如申請專利範圍第5項所述之調整觸控面板靈敏度之方法,其中,所述變化關係f1’(V0i,A0i,A1i’)滿足:,其中M0i為將換算為V1i’需要乘之係數;所述變化關係f2’(V0m,V1i’,V0i)滿足:,其中N0i為將換算為V1m’需要乘之係數。
- 如申請專利範圍第6項所述之調整觸控面板靈敏度之方法,其中,所述運算方法g2(V0m,A0i,Ani’)滿足:。
- 如申請專利範圍第1項所述之調整觸控面板靈敏度之方法,其中,所述觸控訊號門檻值與感測訊號同時為電壓值或電容值。
- 如申請專利範圍第1項所述之調整觸控面板靈敏度之方法,其中,所述觸控面板為電容式觸控面板。
- 如申請專利範圍第9項所述之調整觸控面板靈敏度之方法,其中,所述電容式觸控面板中之透明導電層為一奈米碳管層、一氧化銦錫導電層、一氧化錫銻導電層中之任意一種。
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