TWI455003B - 電容式觸控面板及防止其漏電流之驅動方法 - Google Patents

Description

電容式觸控面板及防止其漏電流之驅動方法

本發明涉及一種電容式觸控面板及防止其漏電流之驅動方法，尤其涉及一種奈米碳管層作為透明導電層之電容式觸控面板及防止其漏電流之驅動方法。

近年來，伴隨著移動電話與觸摸導航系統等各種電子設備之高性能化和多樣化之發展，在液晶等顯示設備之前面安裝透光性之觸摸屏之電子設備逐步增加。這樣之電子設備之使用者通過觸摸屏，一邊對位於觸摸屏背面之顯示設備之顯示內容進行視覺確認，一邊利用手指或觸控筆等按壓觸摸屏來進行操作。由此，可以操作電子設備之各種功能。

按照觸摸屏之工作原理和傳輸介質之不同，先前之觸摸屏分為四種類型，分別為電阻式、電容式、紅外線式及表面聲波式。其中電容式觸摸屏因敏感度較高、所需觸碰力度較小而應用較為廣泛(李樹本，王清弟，吉建華，光電子技術，Vol.15,P62(1995))。

在先前之電容式觸控面板中，透明導電層一般採用具有導電特性之銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)層或者奈米碳管層。其 中，當透明導電層採用奈米碳管層時，電容式觸控面板藉由奈米碳管層之阻抗異向性來驅動電極。然而，由於奈米碳管層之阻抗有限異向性，即，奈米碳管層中垂直於奈米碳管延伸方向之方向雖然具有較差之導電性，但並非沒有導電性，因此，在驅動某個電極時，在奈米碳管層之高阻抗方向會有漏電流產生，使得感測信號衰減，不容易感測到信號，降低了電容式觸控面板之靈敏度。

有鑒於此，提供一種可以防止漏電流之電容式觸控面板及防止漏電流之電容式觸控面板之驅動方法實為必要。

一種電容式觸控面板，包括：一基板、一透明導電層、複數個驅動感測電極、至少一感測單元及至少一電壓補償單元；所述透明導電層設置於基板上，所述透明導電層具有阻抗異向性，以定義出一低阻抗方向和一高阻抗方向，所述高阻抗方向與低阻抗方向垂直；所述驅動感測電極設置於透明導電層沿垂直於低阻抗方向相對之兩側邊；所述感測單元與一驅動感測電極連接，該感測單元用於掃描所述驅動感測電極；所述電壓補償單元具有兩端，一端至少與一驅動感測電極連接，另一端連接至一接地電位，所述電壓補償單元用於提供一補償電壓。

一種電容式觸控面板之驅動方法，以防止電容式觸控面板在觸控操作時發生漏電流，該電容式觸控面板包括：一基板、一透明導電層、複數個驅動感測電極、至少一感測單元及至少一電壓補償單元；所述透明導電層設置於基板上，所述透明導電層具有阻抗異向性，以定義出一低阻抗方向和一高阻抗方向，所述高阻抗方 向與低阻抗方向垂直；所述驅動感測電極設置於透明導電層沿垂直於低阻抗方向相對之兩側邊；所述感測單元與一驅動感測電極連接，該感測單元用於掃描所述驅動感測電極；所述電壓補償單元具有兩端，一端至少與一驅動感測電極連接，另一端連接至一接地電位，所述電壓補償單元用於提供一補償電壓，所述驅動方法具體包括以下步驟：步驟一、觸摸觸控區域，產生一接觸電容；步驟二、感測單元逐一掃描驅動感測電極，並且感測單元在掃描某一驅動感測電極時，其他驅動感測電極均通過電壓補償單元補償一補償電壓；步驟三、感測單元包括一讀取電路，該讀取電路讀取接觸電容之充電量，作為觸碰位置之判斷依據。

與先前技術相比較，本發明提供之電容式觸控面板，除了連接感測單元之驅動感測電極之外，對其餘之驅動感測電極均連接一電壓補償單元，該電壓補償單元提供一補償電壓，以降低或消除漏電流之影響，並提高了電容式觸控面板之靈敏度。

100，200‧‧‧電容式觸控面板

102‧‧‧基板

110‧‧‧透明導電層

120‧‧‧驅動感測電極

112‧‧‧第一側邊

116‧‧‧第二側邊

114‧‧‧第三側邊

118‧‧‧第四側邊

D‧‧‧低阻抗方向

H‧‧‧高阻抗方向

130‧‧‧感測單元

132‧‧‧電壓補償單元

X1~X8‧‧‧電極

C‧‧‧充電電路

P‧‧‧存儲電路

R‧‧‧讀取電路

Cout‧‧‧外部電容

SW1~SW4‧‧‧開關

W1‧‧‧長度

W2‧‧‧間距

A-A’‧‧‧剖線

C_Finger‧‧‧接觸電容

V_i‧‧‧驅動電壓

C_i‧‧‧存儲電容

V_Background‧‧‧補償電壓

V_Out‧‧‧輸出電壓

R_Leakage‧‧‧電阻

圖1為本發明具體實施例一提供之電容式觸控面板之結構示意圖。

圖2為本發明具體實施例一提供之電容式觸控面板沿剖線A-A’繪製之局部剖面示意圖。

圖3為本發明具體實施例一提供之電容式觸控面板中奈米碳管層之電鏡掃描照片。

圖4為本發明具體實施例二提供之電容式觸控面板之結構示意圖。

圖5為本發明具體實施例二提供之另一種電容式觸控面板之結構示意圖。

圖6為本發明具體實施例一及具體實施例二提供之電容式觸控面板在掃描驅動感測電極時之電路圖。

下面將結合附圖及具體實施例，對本發明提供之電容式觸控面板作進一步之詳細說明。

具體實施例一

請參見圖1，本發明提供一種電容式觸控面板100，該電容式觸控面板100包括一基板102、一透明導電層110、複數個驅動感測電極120、複數個電壓補償單元132及複數個感測單元130。所述透明導電層110設置於基板102上，所述透明導電層110具有阻抗異向性，以定義出一低阻抗方向D和一高阻抗方向H，所述透明導電層110具有相對之第一側邊112和第二側邊116，所述低阻抗方向D為由第一側邊112指向第二側邊116，且所述第一側邊112和第二側邊116垂直於所述低阻抗方向D；所述驅動感測電極120設置於透明導電層110之第一側邊112和第二側邊116；所述感測單元130與所述電壓補償單元132並聯連接於同一個驅動感測電極120；其中所述電壓補償單元132具有兩端，一端與一驅動感測電極120連接，另一端連接至一接地電位。本發明提供之電容式觸控面板100可以是觸控面板之驅動裝置或驅動系統等。

請參見圖2，在電容式觸控面板100沿剖線A-A’繪製之局部剖面圖中，電容式觸控面板100包括一基板102及設置於基板102上之 透明導電層110。

所述基板102為一曲面型或平面型之結構。該基板102具有適當之透明度及良好之絕緣性能，且主要起支撐之作用。該基板102由玻璃、石英、金剛石或塑膠等硬性材料或柔性材料形成。具體地，所述柔性材料可選擇為聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚醯亞胺(PI)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等聚酯材料，或聚醚碸(PES)、纖維素酯、聚氯乙烯(PVC)、苯並環丁烯(BCB)或丙烯酸樹脂等材料。本實施例中，所述基板102為一平面型之結構，該基板102為柔性聚碳酸酯(PC)。可以理解，形成所述基板102之材料並不限於上述列舉之材料，只要能使基板102起到支撐之作用，並具有適當之透明度即可。

所述透明導電層110可為一奈米碳管層，該奈米碳管層可為一層奈米碳管膜或複數個相互層疊之奈米碳管膜。當所述奈米碳管層為複數個相互層疊之奈米碳管膜時，相鄰兩個奈米碳管膜中之奈米碳管排列方向相同。所述奈米碳管膜包括複數個相互平行且軸向沿同一方向擇優取向排列之奈米碳管。進一步地，該奈米碳管膜包括複數個沿同一方向擇優取向排列之奈米碳管束，該奈米碳管束具有基本相等之長度W1且首尾相連地排列成連續之奈米碳管膜。

由於所述奈米碳管沿著平行於奈米碳管之軸向方向具有良好之導電性，因此，奈米碳管層平行於其中奈米碳管之軸向方向之電阻率遠小於其他方向，該方向被定義為低阻抗方向D。本實施例中，所述透明導電層110為一奈米碳管層，該奈米碳管層(例如為矩形)具有四側邊，依序為第一側邊112、第三側邊114、第二側 邊116及第四側邊118。所述第一側邊112與第二側邊116相對且均垂直於低阻抗方向D。奈米碳管層垂直於奈米碳管之軸向方向之電阻率遠大於其他方向，因此該方向可被進一步地定義為一高阻抗方向H。即，第三側邊114與第四側邊118相對且垂直於高阻抗方向H。此外，所述奈米碳管層中基本朝同一方向延伸之大多數奈米碳管中每一奈米碳管與在延伸方向上相鄰之奈米碳管通過凡得瓦力首尾相連，且所述奈米碳管層中也存在少數隨機排列之奈米碳管，這些隨機排列之奈米碳管會與相鄰之其他奈米碳管相互接觸，從而使得該奈米碳管層在高阻抗方向H仍具有導電性，只是相較於其他方向該奈米碳管層在該高阻抗方向H之電阻較大，電導率較低。可以理解，所述透明導電層110在低阻抗方向D具有相對較好之導電性，而在垂直於低阻抗方向D之高阻抗方向H具有相對較差之導電性。

本實施例中，所述奈米碳管層為一層奈米碳管膜，該奈米碳管膜之製備方法主要包括以下步驟：

步驟一：提供一奈米碳管陣列，優選地，該陣列為超順排奈米碳管陣列。

本實施例中，超順排奈米碳管陣列之製備方法採用化學氣相沈積法，其具體步驟包括：(a)提供一平整基底，該基底可選用P型或N型矽基底，或選用形成有氧化層之矽基底，本實施例優選為採用4英寸之矽基底；(b)在基底表面均勻形成一催化劑層，該催化劑層材料可選用鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)或其任意組合之合金之一；(c)將上述形成有催化劑層之基底在700℃至900℃之空氣中退火約30分鐘至90分鐘；(d)將處理過之基底置 於反應爐中，在保護氣體環境下加熱到500℃至740℃，然後通入碳源氣體反應約5分鐘至30分鐘，生長得到超順排奈米碳管陣列，其高度為200微米至400微米。該超順排奈米碳管陣列為複數個彼此平行且垂直於基底生長之奈米碳管形成之純奈米碳管陣列。通過上述控制生長條件，該超順排奈米碳管陣列中基本不含有雜質，如無定型碳或殘留之催化劑金屬顆粒等。該奈米碳管陣列中之奈米碳管彼此通過凡得瓦力緊密接觸形成陣列。本實施例中碳源氣可選用乙炔等化學性質較活潑之碳氫化合物，保護氣體可選用氮氣、氨氣或惰性氣體。

步驟二：採用一拉伸工具從奈米碳管陣列中拉取獲得一奈米碳管膜。其具體包括以下步驟：(a)從上述奈米碳管陣列中選定一定寬度之複數個奈米碳管片斷，本實施例優選為採用具有一定寬度之膠帶接觸奈米碳管陣列以選定一定寬度之複數個奈米碳管片斷；(b)以一定速度沿基本垂直於奈米碳管陣列生長方向拉伸該複數個奈米碳管片斷，以形成一連續之奈米碳管膜。

在上述拉伸過程中，該複數個奈米碳管片斷在拉力作用下沿拉伸方向逐漸脫離基底之同時，由於凡得瓦力作用，該選定之複數個奈米碳管片斷分別與其他奈米碳管片斷首尾相連地連續地被拉出，從而形成一奈米碳管膜。並且，在上述拉伸之過程中，奈米碳管層中之奈米碳管沿拉伸方向排列，故奈米碳管層具有阻抗異向性。

請參見圖3，該奈米碳管層為擇優取向排列之複數個奈米碳管束首尾相連形成之具有一定寬度之一層奈米碳管膜。該奈米碳管膜中奈米碳管之延伸方向基本平行於奈米碳管膜之拉伸方向。

可以理解，由於本實施例超順排奈米碳管陣列中之奈米碳管非常純淨，且由於奈米碳管本身之比表面積非常大，故所述奈米碳管層本身具有較強之黏性。由於所述奈米碳管層本身具有較強之黏性，可以直接黏附於所述基板102上。當然，也可以使用膠黏劑將奈米碳管層黏附於基板102上。

所述驅動感測電極120均由導電材料形成，可選擇為金屬、導電聚合物、導電膠、金屬性奈米碳管、銦錫氧化物等。所述驅動感測電極120之形狀和結構不限，可選擇為層狀、條狀、塊狀、棒狀或其他形狀。本實施例中，所述驅動感測電極120均為條狀銀電極，設置於透明導電層110之第一側邊112及第二側邊116且與該透明導電層110電連接。每個驅動感測電極120之長度W1方向可為平行於所述透明導電層110之高阻抗方向H，所述長度W1不能太長，太長容易使檢測所述觸摸點之位置時不精確，優選為1毫米至5毫米。相鄰兩個驅動感測電極120之間距W2應適中，若太大則使檢測觸摸點之位置時不精確，優選為1毫米至5毫米。本實施例中，驅動感測電極120之數量為8個，每個驅動感測電極120之長度W1為1毫米，且相鄰兩個驅動感測電極120之間距W2為3毫米。設置於透明導電層110之第一側邊112之驅動感測電極120與設置於透明導電層110之第二側邊116之驅動感測電極120一一相對設置，或者相互交錯設置，即每個設置於透明導電層110之第一側邊112之驅動感測電極120與其中之一個設置於透明導電層110之第二側邊116之驅動感測電極120之連線與所述透明導電層110之低阻抗方向D平行，或者每個設置於透明導電層110之第一側邊112之驅動感測電極120與其中之任意第二個設置於透明導電層110之第二側邊116之驅動感測電極120之連線均與所述透明導電 層110之低阻抗方向D相交而不平行。本實施例中，設置於透明導電層110之第一側邊112之驅動感測電極120與設置於透明導電層110之第二側邊116之驅動感測電極120一一相對設置。

所述感測單元130包括一充電電路C、一存儲電路P及一讀取電路R，其中充電電路C與存儲電路P並聯，而讀取電路R連接至存儲電路P。所述充電電路C連接一電壓源(未繪製)，存儲電路P連接一外部電容Cout。感測單元130設置有三個切換開關，其分別為開關SW1、開關SW2及開關SW3，開關SW1用以控制感測單元130中之充電電路C、存儲電路P及讀取電路R是否導通至驅動感測電極120；開關SW2用以控制充電電路C是否連接至開關SW1；開關SW3用以控制存儲電路P與讀取電路R是否連接至開關SW1。可以理解，所述感測單元130也可由各種不同之元件設計及連接關係來組成。

所述電壓補償單元132具有兩端，一端與所述驅動感測電極120連接，另一端連接一接地電位，即，電壓補償單元132一端連接至所述驅動感測電極120，另一端接地。另，在驅動感測電極120與電壓補償單元132之間設置一開關SW4，用以控制電壓補償單元132是否導通至驅動感測電極120。所述電壓補償單元132可以為電源、電容器等能夠提供一補償電壓之裝置。所述電壓補償單元132可以為一提供恒定補償電壓例如直流電壓之裝置；也可以為一提供非恒定補償電壓例如交流電壓之裝置。

具體地，每個驅動感測電極120均同時連接有一電壓補償單元132及一感測單元130。即，每個電壓補償單元132一對一地連接一個驅動感測電極120，每個感測單元130一對一地連接一個驅動感測 電極120，並且所述電壓補償單元132與所述感測單元130並聯設置。另，請參見圖1，本實施例為了使圖面清晰僅繪製了一個電壓補償單元132與一個感測單元130並聯連接至一個驅動感測電極120之狀態。

電容式觸控面板100被使用者用手指或導電介質觸碰時，透明導電層110與手指或導電介質之間產生一接觸電容。此時，通過控制開關逐步地掃描驅動感測電極120以接受被掃描之驅動感測電極120之信號。在每次掃描驅動感測電極120時，感測單元130中之充電電路C與存儲電路P將交替地對接觸電容進行充放電，讀取電路R便可以讀取接觸電容之充電量，比如電壓值，用以作為觸碰位置之判斷依據。所述逐步地掃描是指驅動感測電極120會批次地或是一個接一個地與感測單元130導通。當其中一個驅動感測電極120與一個感測單元130導通時，其他之驅動感測電極120都與電壓補償單元132導通。可以理解，所述驅動感測電極120被掃描時，驅動感測電極120連接至所述感測單元130；而驅動感測電極120未被掃描時，驅動感測電極120連接至所述電壓補償單元132。本發明之掃描順序不一定依照驅動感測電極120在空間中之排列位置。例如，圖1中之驅動感測電極120可以由左而右、由右而左、間隔一個、間隔複數個或是依照無特定規則之順序被掃描。具體地，電容式觸控面板100之驅動感測電極120例如依序排列為電極X1、電極X2、電極X3、電極X4、電極X5、電極X6、電極X7及電極X8。比如，要掃描電極X2，即，使電極X2與感測單元130導通，則感測單元130中之開關SW1需導通且電壓補償單元132中之開關SW4需斷開，並且其餘驅動感測電極120中每一個驅動感測電極120均與電壓補償單元132導通而與感測單元130斷開。要使 X2與電壓補償單元132導通時，則電壓補償單元132中之開關SW4會導通且感測單元130中之開關SW1會斷開。所述感測單元130也可以由其他功能單元組成，即，只要是可以連接至驅動感測電極120以判別出接觸電容之電路設計都可以成為感測單元130之佈局設計。

本實施例進一步提供一種防止電容式觸控面板100漏電流之驅動方法。

本實施例僅以電容式觸控面板100掃描驅動感測電極120中之一個電極X2為例詳細說明防止漏電流之驅動方法，但並非用以限定本發明。

請一併參見圖1和圖4，一種防止電容式觸控面板漏電流之驅動方法，具體包括以下步驟：

步驟一、觸摸觸控區域10A，產生一接觸電容C_Finger；

使用者用手指或導電介質觸碰電容式觸控面板100或200時，透明導電層110與手指或導電介質之間產生一接觸電容C_Finger。

步驟二、感測單元130逐一掃描驅動感測電極120，並且感測單元130在掃描某一驅動感測電極120時，其他驅動感測電極120均通過電壓補償單元補償一補償電壓V_Background。

所述感測單元130包括一充電電路C、一存儲電路P及一讀取電路R，其中充電電路C與存儲電路P並聯，而讀取電路R連接至存儲電路P。所述充電電路C連接一電壓源(未繪製)，存儲電路P連接一外部電容Cout。感測單元130設置有三個切換開關，其分別為開關SW1、開關SW2及開關SW3，開關SW1用以控制感測單元130中 之充電電路C、存儲電路P及讀取電路R是否導通至驅動感測電極120；開關SW2用以控制充電電路C是否連接至開關SW1；開關SW3用以控制存儲電路P與讀取電路R是否連接至開關SW1。

當透明導電層110與手指或導電介質之間產生一接觸電容C_Finger時，感測單元130逐一掃描驅動感測電極120，並且感測單元130在掃描某一驅動感測電極120時，其他驅動感測電極120均補償一補償電壓V_Background。具體地，開關SW1導通且開關SW4斷開，即，驅動感測電極120中之電極X2與感測單元130導通，與電壓補償單元132斷開。同時，通過開關控制電極X1、電極X3、電極X4、電極X5、電極X6、電極X7、電極X8均與感測單元130斷開，與電壓補償單元132導通。並且，與電極X2導通之感測單元130中，開關SW2導通，開關SW3斷開，以使感測單元130對所述接觸電容C_Finger進行充電。當充電電路C提供一驅動電壓V_i時，由於電極X3、電極X4、電極X5、電極X6、電極X7、電極X8均與一電壓補償單元132導通，該電壓補償單元132在透明導電層110之高阻抗方向H之電阻R_Leakage兩端提供一補償電壓V_Background，且0<V_Background<2V_i，該補償電壓V_Background可以為恒定補償電壓也可以為非恒定補償電壓。本實施例為了使圖面清晰僅繪製了電極X3與一電壓補償單元132導通之電路圖，請參見圖4。因此，充入到奈米碳管高阻抗方向H之電量會減少，甚至為零，即，在奈米碳管高阻抗方向H之漏電流會減少，甚至為零。相應地，充入到接觸電容C_Finger中之電量會增加，甚至電量會全部充入到接觸電容C_Finger中。

當充電電路C充電結束後，開關SW1依然導通，開關SW2斷開，開關SW3導通，以使感測單元130對所述接觸電容C_Finger進行放電。 存儲電路P提供一存儲電容為C_i，接觸電容C_Finger中之電量會全部放出並存儲到存儲電路P中。

步驟三、感測單元130包括一讀取電路R，該讀取電路R讀取接觸電容C_Finger之充電量，作為觸碰位置之判斷依據。

當接觸電容C_Finger中之電量全部放出並存儲到存儲電路P中時，感測單元130中之讀取電路R會讀取存儲電路P中之電量，也就是說，感測單元130中之讀取電路R可以讀取接觸電容C_Finger之充電量，比如電壓值，產生一輸出電壓V_Out，用以作為觸碰位置之判斷依據。

具體實施例二

請參見圖5，本發明具體實施例二進一步提供一電容式觸控面板200，該電容式觸控面板200包括一基板102、一透明導電層110、複數個驅動感測電極120、一感測單元130及至少一電壓補償單元132。所述透明導電層110設置於基板102上，所述透明導電層110具有阻抗異向性，以定義出一低阻抗方向D和一高阻抗方向H，所述透明導電層110具有相對之第一側邊112和第二側邊116，所述低阻抗方向D為由第一側邊112指向第二側邊116，所述高阻抗方向H與低阻抗方向D垂直；所述驅動感測電極120設置於透明導電層110之第一側邊112和第二側邊116；所述感測單元130與一驅動感測電極120連接；所述電壓補償單元132具有兩端，一端與一驅動感測電極120連接，另一端連接至一接地電位；並且所述感測單元130與所述電壓補償單元132分別連接至不同之驅動感測電極120。

所述感測單元130之數量為一個，該一個感測單元130可以通過開關等器件或處理模式逐一連接至每個驅動感測電極120，並且當所述感測單元130連接至一驅動感測電極120時，其餘驅動感測電極120通過開關等器件均與電壓補償單元132連接。

所述電壓補償單元132之數量可為一個也可為複數個。當電壓補償單元132為一個時，該一個電壓補償單元132同時連接至未連接有感測單元130之其他所有驅動感測電極，例如，電容式觸控面板200之驅動感測電極120依序排列為電極X1、電極X2、電極X3、電極X4、電極X5、電極X6、電極X7及電極X8，使電極X1連接一感測單元130，則電極X2、電極X3、電極X4、電極X5、電極X6、電極X7及電極X8連接至同一個電壓補償單元132。當電壓補償單元132之數量為複數個時，除連接有感測單元130之驅動感測電極120以外，其他所有驅動感測電極120可一對一或多對一地均連接有電壓補償單元132。例如，電容式觸控面板200之驅動感測電極120依序排列為電極X1、電極X2、電極X3、電極X4、電極X5、電極X6、電極X7及電極X8，使電極X1連接一感測單元130，則電極X2、電極X3、電極X4、電極X5、電極X6、電極X7及電極X8分別連接一電壓補償單元132，本實施例為了使圖面清晰僅繪製了一個電壓補償單元132連接至一個驅動感測電極120之狀態，請參見圖5；或者，電極X2、電極X3與電極X4連接至同一個電壓補償單元132，電極X5、電極X6、電極X7與電極X8連接至同一個電壓補償單元132，請參見圖6。

具體實施例二與具體實施例一之區別是：具體實施例一提供之電容式觸控面板100中，每一個驅動感測電極120均同時連接一感測 單元130與一電壓補償單元132；具體實施例二提供之電容式觸控面板200中，感測單元130與電壓補償單元132分別連接至不同之驅動感測電極120。除此之外，具體實施例二與具體實施例一之其他結構、材料及防止漏電流之方法等均相同。

本發明提供之觸摸屏具有以下優點：第一，本發明提供之電容式觸控面板，除了連接感測單元之驅動感測電極之外，對其餘之驅動感測電極均連接一電壓補償單元，該電壓補償單元提供一補償電壓，以降低或消除漏電流之影響，並提高了電容式觸控面板之靈敏度；第二，結構簡單，容易實現。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

100‧‧‧電容式觸控面板

110‧‧‧透明導電層

120‧‧‧驅動感測電極

112‧‧‧第一側邊

116‧‧‧第二側邊

114‧‧‧第三側邊

118‧‧‧第四側邊

D‧‧‧低阻抗方向

H‧‧‧高阻抗方向

130‧‧‧感測單元

132‧‧‧電壓補償單元

X1~X8‧‧‧電極

C‧‧‧充電電路

P‧‧‧存儲電路

R‧‧‧讀取電路

Cout‧‧‧外部電容

SW1~SW4‧‧‧開關

W1‧‧‧長度

W2‧‧‧間距

A-A’‧‧‧剖線

Claims (14)

1. 一種電容式觸控面板，包括：一基板、一透明導電層、複數個驅動感測電極、至少一感測單元；所述透明導電層設置於基板上，所述透明導電層具有阻抗異向性，以定義出一低阻抗方向和一高阻抗方向，所述高阻抗方向與低阻抗方向垂直；所述驅動感測電極設置於透明導電層沿垂直於低阻抗方向相對之兩側邊；所述感測單元選擇性地與一驅動感測電極連接，該感測單元用於掃描所述驅動感測電極；其改良在於，所述電容式觸控面板進一步包括至少一電壓補償單元，該電壓補償單元具有兩端，一端選擇性地與至少一所述驅動感測電極連接，另一端連接至一接地電位，所述電壓補償單元用於提供一補償電壓，該補償電壓大於0伏，當某一所述驅動感測電極與所述感測單元連接時，該驅動感測電極不與所述電壓補償單元電連接，且其它所述驅動感測電極均與所述所述電壓補償單元連接以輸入所述補償電壓。
2. 如請求項1所述之電容式觸控面板，其中，每個驅動感測電極均同時連接一感測單元和一電壓補償單元，且所述感測單元與所述電壓補償單元並聯。
3. 如請求項1所述之電容式觸控面板，其中，一感測單元逐一連接至每個驅動感測電極，並且當所述感測單元連接至一驅動感測電極時，其餘之驅動感測電極連接至一個或複數個電壓補償單元。
4. 如請求項1所述之電容式觸控面板，其中，所述電壓補償單元為一提供恒定補償電壓之裝置或為一提供非恒定補償電壓之裝置。
5. 如請求項4所述之電容式觸控面板，其中，所述恒定補償電壓為直流電壓，所述非恒定補償電壓為交流電壓。
6. 如請求項1所述之電容式觸控面板，其中，所述電壓補償單元為電源、電容器。
7. 如請求項1所述之電容式觸控面板，其中，所述感測單元包括一充電電路、一存儲電路及一讀取電路，所述充電電路與存儲電路並聯，所述讀取電路連接至存儲電路。
8. 如請求項1所述之電容式觸控面板，其中，所述驅動感測電極被掃描時，驅動感測電極連接至所述感測單元；而所述驅動感測電極未被掃描時，驅動感測電極連接至所述電壓補償單元。
9. 如請求項1所述之電容式觸控面板，其中，所述透明導電層為一奈米碳管層，該奈米碳管層為一層奈米碳管膜或複數個相互層疊之奈米碳管膜。
10. 如請求項9所述之電容式觸控面板，其中，所述奈米碳管膜包括複數個相互平行且軸向沿同一方向擇優取向排列之奈米碳管。
11. 如請求項9所述之電容式觸控面板，其中，所述奈米碳管膜包括複數個沿同一方向擇優取向排列之奈米碳管束，該奈米碳管束具有基本相等之長度且首尾相連地排列成連續之奈米碳管膜。
12. 如請求項1所述之電容式觸控面板，其中，所述驅動感測電極平行於所述透明導電層高阻抗方向之長度為1毫米至5毫米，所述驅動感測電極之間距為1毫米至5毫米。
13. 一種如請求項1至12任一項所述之電容式觸控面板之驅動方法，具體包括以下步驟：步驟一、觸摸觸控區域，產生一接觸電容；步驟二、感測單元逐一掃描驅動感測電極，並且感測單元在掃描某一驅動感測電極時，其他驅動感測電極均通過電壓補償單元補償一補償電壓，該補償電壓大於0伏，且該正被掃描的所述驅動感測電極不與電壓電壓補償單元電連接；及 步驟三、感測單元包括一讀取電路，該讀取電路讀取接觸電容之充電量，作為觸碰位置之判斷依據。
14. 如請求項13所述之電容式觸控面板之驅動方法，其中，掃描某一所述驅動感測電極時，提供一驅動電壓到該正被掃描的驅動感測電極，該驅動電壓定義為V_i，所述補償電壓定義為V_Background，則0<V_Background<2V_i。