TWI386834B - 無偏壓駐極體三維多點之觸控裝置 - Google Patents

Description

無偏壓駐極體三維多點之觸控裝置

本發明係關於一種駐極體觸控裝置，特別係關於一種無偏壓駐極體三維多點觸控裝置，能判斷第一、第二方向之座標以及第三方向之外力大小，且無需額外之偏壓。

隨著科技進步，生活品質大幅提昇，消費性電子產品不斷地迅速更迭，符合人性習慣且結合顯示器的輸入介面一觸控裝置問世，進一步促使人機介面的互動朝精準、親和的方向邁進。觸控裝置能以手指或觸控筆等物體直接依照顯示器上顯示的功能指示點選輸入，甚至能於顯示器上直接書寫、圖繪，幾乎無需再學習。並且，結合觸控裝置之輸入介面較傳統輸入介面，即鍵盤及滑鼠等裝置能減少佔用空間，符合近年來電子產品短小、輕薄趨勢，故觸控裝置逐漸取代其他輸入介面。近來，PDA、PND、手機、迷你筆電、提款機等商品皆逐漸採用觸控裝置為主流。Apple於2007年春問世的iphone採用多點觸控之技術，更掀起一股產業界研發觸控裝置的巨大風潮，帶動觸控裝置產業整體的大躍進。手機大廠Nokia雖然較晚方才進入觸控領域，但其近來推出的數款手機亦均採用觸控輸入，觸控裝置儼然已成為未來Nokia手機之標準配備。

當今發展之觸控裝置技術主要包括光學式、超音波式、電磁式、電阻式及電容式等。其中又以電阻式及電容式為主流且發展較為成熟之產品，電阻式觸控裝置主要應用於低價產品，如消費性手機、PDA與PND等產品，而電容式觸控裝置則應用於較高價之產品，如提款機、工廠設備等。此外，如HP第二代TouchSmart PC、Apple iphone及筆電之Touch Pad也多採用電容式觸控裝置。惟，電阻式觸控裝置，表面易受刮損，且需較大之觸壓力量才能被偵測，靈敏性較差。而電容式觸控裝置雖然靈敏性高，但製程複雜許多，且無法使用非導體，例如：觸控筆、指套等做為觸控輸入之物體為其主要之缺點。

於美國公告第6,819,316B2，7,030,860B1及7,154,481B2號專利中係揭示一電容式之觸控裝置，藉由觸壓變形所產生之電容變化，以偵測觸控座標。並且所揭示電容式觸控裝置係為軟性可彎曲。於美國公告第7,260,999B2及7,511,702B2號專利中則揭示一電容式之觸控裝置，藉由觸壓變形所產生之電容變化，以偵測觸控座標及力量大小。惟，其偵測力量大小及觸控座標係由不同之感應導電線路偵測。再者，上述提及之任一觸控裝置均必需於觸控裝置之上下基板間，額外施加一偏壓或電訊號方能進行觸控。並且，均將增加電路及結構上之複雜度，而額外施加之偏壓必然具備一定的電力消耗，導致現有之電子產品使用時間無法更進一步延長，就近年來電子產品短小、輕薄的發展趨勢而言，使用時間無法延長以符合人性需求，是為無法更加普及化之主要因素之一。

有鑒於前述習知技術之問題，本發明之主要目的在提供一種無偏壓駐極體三維多點之觸控裝置，包括一第一駐極體薄膜、一第一電極、一第二電極以及一控制器。第一駐極體薄膜提供第一高偏壓電荷，用以形成靜電場。第一電極與駐極體薄膜接合，當駐極體薄膜因複數個外力觸壓變形(即多點觸壓)，使靜電場產生變化時，輸出第一訊號。靜電場產生變化時，第二電極輸出第二訊號。控制器對第一電極所具有獨立之第一電極圖案及第二電極所具有獨立之第二電極圖案掃描接收第一訊號及第二訊號後，即能辨析外力觸壓駐極體薄膜之位置以及駐極體薄膜於位置之法向量位移值(於駐極體薄膜上之位置與法向量位移值即三維)。並且，駐極體薄膜於觸壓位置中心點之變形量最大，電場變化亦最大。而隨著偏離中心點之距離增加，電場變化亦逐漸減小。本發明之控制器不僅藉此能辨析單單中心點之法向量位移值，更能辨析出外力觸壓中心點周遭細微之變化。

本發明之無偏壓駐極體三維多點之觸控裝置更包括保護膜、間隔層以及基板。保護膜設置於第一電極與第一駐極體薄膜接合之相對面，用以保護第一電極，避免外力觸壓所造成刮損並免於環境之破壞。間隔層用以隔開該第一駐極體薄膜與基板。基板則用以為觸控裝置之載體。其中基板為任何類型的顯示器之表面。並且由於本發明之駐極體薄膜具有軟性可彎曲結構之特性。因此，本發明對基板之形狀並未有特別之限定，例如：可為平板或弧形皆可。

再者，本發明可更進一步包括第二駐極體薄膜，以間隔層隔開而設置於第一駐極體薄膜製相對面，提供一第二高偏壓電荷，能與第一高偏壓電荷共同形成靜電場。第一高偏壓電荷與第二高偏壓電荷之電性相反，當觸控裝置受外力觸壓而變形時，第一駐極體膜與第二駐極體膜間之相對位置改變，同樣地共同形成之靜電場亦會隨之改變，進而產生第一訊號及第二訊號。

依據本發明提供之無偏壓駐極體三維多點之觸控裝置具有許多優點，例如：具備與電容式觸控裝置相同靈敏度高之觸感，但不論使用導體，例如：手指、探針或非導電體，例如：觸控筆、指套等均能為觸壓物體。並且相較於電容式或者電阻式觸控裝置，本發明之觸控裝置結構簡單、成本低廉。再者，由於無需額外施給之偏壓，能更進一步節省電力消耗，提升觸控裝置之續航力。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，配合所附圖式，作詳細說明如下，惟請注意本發明之目的並非以此為限：請參閱第1圖係根據本發明第一實施例之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置的截面示意圖。於本發明第一實施例中，無偏壓駐極體三維多點觸控裝置100包括第一駐極體薄膜110、第二駐極體薄膜115、第一電極120、第二電極125、導電傳輸線130、基板135、保護膜140、封裝材145、間隔層150以及控制器300。第一駐極體薄膜110設置於第一電極120之下側，第一電極120之上側係設置有保護膜140。第二駐極體薄膜115係以間隔層150隔開而設置於第一駐極體薄膜110之相對面。

第一駐極體薄膜110提供第一高偏壓電荷，第二駐極體薄膜115則提供第二高偏壓電荷，第一高偏壓電荷與第二高偏壓電荷共同形成分布於第一駐極體薄膜110與第二駐極體薄膜115間之靜電場。並且，第一高偏壓電荷係與第二高偏壓電荷之電性相反，若第一高偏壓電荷帶正電荷，則第二高偏壓電荷帶負電荷。第一電極120與第一駐極體薄膜110接合，當第一駐極體薄膜110因使用者190施予外力觸壓而變形，使靜電場產生變化時，第一電極120透過導電傳輸線130輸出第一訊號至控制器300。同時，第二電極125因使用者190對第一駐極體薄膜110施予外力觸壓而使靜電場產生變化時，輸出第二訊號至控制器300。

第一電極120與第二電極125係分別具有複數個獨立之第一電極圖案及第二電極圖案(於後詳述)。控制器300對前述獨立之第一電極圖案及第二電極圖案掃描接收第一訊號及第二訊號後，用以辨析外力觸壓第一駐極體薄膜之位置以及第一駐極體薄膜120於前述觸壓位置之法向量位移值(於後詳述)。本發明之保護膜140係設置於第一電極與第一駐極體薄膜接合之相對面，亦即使用者190施予外力觸壓之表面，用以保護第一電極120，避免外力觸壓所造成刮損並免於環境之破壞。

基板135係用以作為整個觸控裝置之載體。並且基板135可為任何類型顯示器之表面，例如：CRT、LCD、LED、OLED或電漿顯示器等之表面，本發明於此並未有特別之限定。並且，由於本發明之第一、第二駐極體薄膜110、115係具有軟性可彎曲結構之特性。因此，本發明之觸控裝置亦為軟性可彎曲之結構。是以，對基板135之形狀並未有特別之限定，例如：可為平板或弧形皆可，本發明無偏壓駐極體三維多點之觸控裝置係能設於任意形狀之表面。

間隔層150係用以隔開第一駐極體薄膜120與第二駐極體薄膜115、第二電極125、基板135。第二駐極體薄膜115係與基板135接合。於此第一實施例中，間隔層150可具有複數個獨立之間隔材155，利用封裝材145進行封裝，間隔材155則以平均配置之方式設置於第一駐極體薄膜110與第二駐極體薄膜115之間。

請參閱第2圖係根據本發明第二實施例之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置的截面示意圖。於本發明第二實施例中，無偏壓駐極體三維多點觸控裝置200同樣地包括第一駐極體薄膜110、第一電極120、第二電極125、導電傳輸線130、基板135、保護膜140、封裝材145、間隔層250。但與第一實施例不同的是間隔層250係為一整片具有恢復彈性之間隔材。當使用者190釋放對第一駐極體薄膜所施予之外力觸壓後，間隔層250具備如同矽膠般恢復原狀之特性。

值得一提的是，本發明第二實施例中，僅設置第一駐極體薄膜110，其所提供之第一高偏壓電荷即能形成靜電場。當僅設置第一駐極體薄膜110時，基板135藉由靜電感應，即具有與第一駐極體薄膜110提供之第一高偏壓電荷電性相反之第三高偏壓電荷。第一高偏壓電荷電性與第三高偏壓電荷共同形成分布於其間之靜電場。而於本發明前述第一實施例設置第二駐極體薄膜115，則能更進一步提高分布於其間之靜電場對外力觸壓之敏感度，提高本發明無偏壓駐極體三維多點之觸控裝置之精確性。並且於本發明前述第一實施例中亦能僅設置第一駐極體薄膜110即可。本發明之第二實施例亦能如第一實施例般設置第二駐極體薄膜115。

再者，對第一駐極體薄膜110或第二駐極體薄膜115之充電方式可為高電壓電暈法或極化法。由於第一駐極體薄膜110或第二駐極體薄膜125上具有複數個奈微米孔洞，充電後即能長時間保有高偏壓電荷。因此無需如習知之電容式觸控裝置施予額外偏壓之必要。並且，若應用於顯示器之觸控，則前述第一駐極體薄膜110、第二駐極體薄膜115、第一電極120、第二電極125、基板135、保護膜140以及間隔層150之材料皆可選用透明材質。更進一步具體而言，基板135之材質可為不導電透明玻璃或塑膠。間隔層150之材料可為透明橡膠、透明液態膠或透明塑膠材。

第一駐極體薄膜110與第二駐極體薄膜115之材料可選自聚四氟乙烯(PTFE)、氟代乙烯丙烯共聚物物(FEP)及聚偏氟乙烯(PVDF)等氟系高分子聚合物、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚酰亞胺(PI)、環烯共聚物(COC)及其複合物。第一電極120及第二電極125係以物理氣相沉積法(例如：蒸鍍法、濺鍍法及離子披覆)或化學氣相沉積法(例如：電漿技術法)製成導電層。第一電極120及第二電極125之材料則可選自氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,IZO)、氧化鋅錫(Zinc Tin Oxide,ZTO)、氧化鋅鋁(Aluminum Zinc Oxide,AZO)、氧化鎵鋁(Gallium Zinc Oxide,GZO)等之透明氧化導電物質(Transparent Conductive Oxide,TCO)，或是其他導電高分子材料、奈米碳管(Carbon Nano-Tube)等。

請參閱第3圖係根據本發明無偏壓駐極體三維多點之觸控裝置具有之第一電極120、第二電極125以及駐極體薄膜之一設置方式示意圖。第3圖係從上方俯視本發明之觸控裝置。如圖中所示第一電極120具有複數個第一電極圖案305，於此實施例中第一電極圖案305為長條狀以水平方向相互平行排列。第二電極125具有複數個第二電極圖案310，於此實施例中第一電極圖案310為長條狀以垂直方向相互平行排列。例如：第一駐極體薄膜則係設置於第一電極圖案305與第二電極圖案310之間。第一電極圖案305及第二電極圖案310雖以相互垂直之長條狀為例，惟本發明並未以此為限定，電極之圖案可視觸控需要而設計。並且第一電極圖案305與第二電極圖案310能以單層之結構或者多層之結構設置。

請參閱第4(a)及第4(b)圖係觸壓本發明第3圖中之觸控裝置，其觸壓變形量、力道(脈衝訊號振幅)及位置之關係圖。以前述第二電極圖案310為並列之長條狀作為本發明觸控裝置之實施例。如第4(a)圖中所示，當使用者觸壓本發明之觸控裝置時，觸壓中心點圓B1中心之觸壓變形量最大，隨著偏離中心點之距離增加，如圖中顯示之圓B2、圓B3之觸壓變形量亦逐漸變小。代表觸壓力道變小。如第4(b)圖中所示，為第4(a)圖中所示橫跨中心點之位置A-A'與觸壓力道(脈衝訊號振幅)之關係圖，隨著偏離中心點之距離增加，振幅亦逐漸變小。此外觸壓力道越大，脈衝訊號振幅亦隨之變大。即如前所述，本發明之控制器對第一電極圖案及第二電極圖案掃描第一訊號及第二訊號，透過導電傳輸線接收第一訊號及第二訊號之脈衝訊號，即可辨析其觸控位置以及觸壓力道之大小。本發明之控制器不僅藉此能辨析單單中心點之法向量位移值，更能辨析出外力觸壓中心點周遭細微之變化。

請參閱第5圖係根據本發明第三實施例之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置之平面圖。於本發明第三實施例中，觸控裝置係應用於例如：提款機等，觸壓位置之配置係為特定之位置，如1~9數字鍵之輸入。則如圖中所示，與第一電極120接合之駐極體薄膜505僅需設置於數字鍵位置之即可。再分別由導電傳輸線130連接至控制器。於本發明第三實施例中，第一電極圖案可為複數個獨立不相連區塊，第二電極圖案亦為複數個獨立不相連區塊，第一電極圖案與第二電極圖案相互對應，設置於數字鍵之位置。

請參閱第6圖係同時長按第5圖之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置所具有之兩獨立電極區塊(獨立電極圖案)之測試波形圖。若使用者同時對觸控裝置的兩個位置施予外力觸壓，則控制器能接收到兩個脈衝訊號，施予長按之外力觸壓即如圖中顯示，控制器所接收到的脈衝訊號為一具有峰值之脈衝訊號，其振幅會隨著時間逐漸變小。此波形圖係顯示本發明者雖以兩點觸控進行測試，但本發明之觸控裝置係能同時偵測出對觸控裝置多點之觸壓。並且每一點之觸壓變形量、力道亦能如第4(a)及第4(b)中所示，為控制器精確地辨析。

請參閱第7圖係前後分別短按第5圖之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置所具有之兩獨立電極區塊(獨立電極圖案)之測試波形圖。若使用者前後分別短按觸控裝置的兩個位置，即如圖中顯示，相對每個位置，控制器均接收到為具有兩個峰值(一正一負，正代表駐極體薄膜被按下，具有法向量位移值，負代表駐極體薄膜恢復至原來位置)之脈衝訊號，由於外力觸壓係為短按之方式，峰值之脈衝訊號時間較短。且可看出兩個位置分別於前後(上圖為前，下圖為後)接收外力之觸壓。

請參閱第8圖係以觸壓力道漸強之方式短按三次第5圖之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置所具有之兩獨立電極區塊(獨立電極圖案)之測試波形圖。若使用者以觸壓力道漸強之方式短按三次觸控裝置的兩個位置，即如圖中顯示，相對每個位置，控制器均接收到為具有三個峰值之脈衝訊號(三正三負，正代表駐極體薄膜被按下，具有法向量位移值，負代表駐極體薄膜恢復至原來位置)，由於外力觸壓係為短按之方式，峰值之脈衝訊號時間較短。且可看出兩個位置係大致同時接收外力之觸壓。

請參閱第9(a)及第9(b)圖係分別顯示習知技術及本發明之簡單功能方塊圖。第9(a)係顯示習知技術需要施加額外偏壓之觸控裝置的顯示習知技術。第9(b)圖則顯示本發明無需施加額外偏壓之觸控裝置及整個控制系統。本發明之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置100連接至控制器300。控制器300具有電荷放大器301、多工器302、A/D轉換單元303以及微處理器304。電荷放大器301接受來自無偏壓駐極體三維多點觸控裝置100之第一電極及第二電極，透過導電傳輸線所傳送之第一訊號與第二訊號並予以放大。A/D轉換單元303則將第一訊號與第二訊號轉換成為數位資訊。微處理器304則對前述數位資訊進行運算，即能辨析外力觸壓第一駐極體薄膜之位置以及第一駐極體薄膜於前述位置之法向量位移值。

總言之，本發明提供之無偏壓駐極體三維多點之觸控裝置能同時偵測、辨析多點觸控之位置及外力觸壓使駐極體薄膜產生之法向量位移值。是以，本發明不僅能與電容式觸控裝置靈敏度相當之觸感，無論使用導體，例如：手指、探針或非導電體，例如：觸控筆、指套等皆均能作為本發明觸壓裝置之觸壓物體。再者，相較於電容式、電阻式觸控裝置，本發明之觸控裝置結構更為簡單、成本更低、可靠度更高。更重要的優點是，由於無需額外之偏壓供給，是以能更進一步節省電力消耗，提升觸控裝置以及配置該觸控裝置之電子裝置的使用續航力。

100．．．無偏壓駐極體三維多點觸控裝置

110、115．．．駐極體薄膜

120．．．第一電極

125．．．第二電極

130．．．導電傳輸線

135．．．基板

140．．．保護膜

145．．．封裝材

150．．．間隔層

155．．．間隔材

190．．．使用者

200．．．無偏壓駐極體三維多點觸控裝置

250．．．間隔層

300．．．控制器

301．．．電荷放大器

302．．．多工器

303．．．A/D轉換單元

304．．．微處理器

305．．．第一電極圖案

310．．．第二電極圖案

505．．．駐極體薄膜

第1圖係根據本發明第一實施例之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置的截面示意圖。

第2圖係根據本發明第二實施例之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置的截面示意圖。

第3圖係根據本發明無偏壓駐極體三維多點觸控裝置具有之第一電極、第二電極以及駐極體薄膜之一設置方式示意圖。

第4(a)及第4(b)圖係觸壓本發明第3圖中之觸控裝置，其觸壓變形量、力道(脈衝訊號振幅)及位置之關係圖。

第5圖係根據本發明第三實施例之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置之平面圖。

第6圖係同時長按第5圖之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置所具有之兩獨立電極區塊之測試波形圖。

第7圖係前後分別短按第5圖之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置所具有之兩獨立電極區塊之測試波形圖。

第8圖係以觸壓力道漸強之方式短按三次第5圖之無偏壓駐極體三維多點觸控裝置所具有之兩獨立電極區塊之測試波形圖。

第9(a)圖係顯示習知技術需要供給偏壓之觸控裝置的簡單功能方塊圖。

第9(b)圖係顯示本發明之觸控裝置的簡單功能方塊圖。

100．．．無偏壓駐極體三維多點觸控裝置

110、115．．．駐極體薄膜

120．．．第一電極

125．．．第二電極

130．．．導電傳輸線

135．．．基板

140．．．保護膜

145．．．封裝材

150．．．間隔層

155．．．間隔材

190．．．使用者

Claims (39)

1. 一種無偏壓駐極體三維多點之觸控裝置，包括：一第一駐極體薄膜，提供一第一高偏壓電荷，用以形成一靜電場；一第一電極，與該第一駐極體薄膜接合，當該第一駐極體薄膜因複數個外力觸壓變形，使該靜電場產生變化時，輸出第一訊號；一第二電極，該靜電場產生變化時，輸出第二訊號；以及一控制器，接收該些第一訊號及該些第二訊號，用以辨析該些外力觸壓該第一駐極體薄膜之複數個位置以及該第一駐極體薄膜於該些位置之複數個法向量位移值。
2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該些外力觸壓之該些位置係為平行於該第一駐極體薄膜之複數個第一方向座標及複數個第二方向座標。
3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該些位置之該些法向量位移值係表示該些外力觸壓之大小。
4. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，係能以非導電體觸壓該第一駐極體薄膜。
5. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，係能以導電體觸壓該第一駐極體薄膜。
6. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，更包括一保護膜設置於該第一電極與該第一駐極體薄膜接合之相對面，用以保護該第一電極。
7. 如申請專利範圍第6項所述之觸控裝置，其中該保護膜為透明材質。
8. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該第一電極及該第二電極分別具有複數個獨立之第一電極圖案及第二電極圖案，用以分別傳送對應該些位置及該些位置之該些法向量位移值之該些第一訊號及該些第二訊號至該控制器，為該控制器辨析。
9. 如申請專利範圍第8項所述之觸控裝置，其中該些第一電極圖案係相互平行，該些第二電極圖案係相互平行，該些第一電極圖案與該些第二電極圖案相互垂直。
10. 如申請專利範圍第8項所述之觸控裝置，其中該些第一電極圖案係複數個獨立不相連區塊，該些第二電極圖案係複數個獨立不相連區塊，該些第一電極圖案與該些第二電極圖案係相互對應。
11. 如申請專利範圍第8項所述之觸控裝置，其中該些第一電極圖案與該些第二電極圖案係以單層之結構設置。
12. 如申請專利範圍第8項所述之觸控裝置，其中該些第一電極圖案與該些第二電極圖案係以多層之結構設置。
13. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，該第一駐極體薄膜之材料可選自聚四氟乙烯(PTFE)、氟代乙烯丙烯共聚物物(FEP)及聚偏氟乙烯(PVDF)等氟系高分子聚合物、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚酰亞胺(PI)、環烯共聚物(COC)及其複合物。
14. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該第一高偏壓電荷之電性為正電或負電。
15. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該第一駐極體薄膜係由駐極體所組成，可於充電後長時間保有該第一 高偏壓電荷。
16. 如申請專利範圍第15項所述之觸控裝置，其中對該第一駐極體薄膜之充電方式為高電壓電暈法或極化法。
17. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，更包括一第二駐極體薄膜，提供一第二高偏壓電荷，用以與該第一高偏壓電荷共同形成該靜電場。
18. 如申請專利範圍第17項所述之觸控裝置，其中該第二駐極體薄膜係為透明材質。
19. 如申請專利範圍第17項所述之觸控裝置，其中該第二駐極體薄膜之材料可選自聚四氟乙烯(PTFE)、氟代乙烯丙烯共聚物物(FEP)及聚偏氟乙烯(PVDF)等氟系高分子聚合物、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚酰亞胺(PI)、環烯共聚物(COC)及其複合物。
20. 如申請專利範圍第17項所述之觸控裝置，其中該第二高偏壓電荷之電性為正電或負電。
21. 如申請專利範圍第17項所述之觸控裝置，其中該第二駐極體薄膜係由駐極體所組成，可於充電後長時間保有該第二高偏壓電荷。
22. 如申請專利範圍第21項所述之觸控裝置，其中對該第二駐極體薄膜之充電方式為高電壓電暈法或極化法。
23. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，更包括一基板，用以為該觸控裝置之載體。
24. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該第二電極係與該第一駐極體薄膜接合該第一電極之相對面接合。
25. 如申請專利範圍第23項所述之觸控裝置，其中該第二 電極係與該基板接合。
26. 如申請專利範圍第23項所述之觸控裝置，更包括一間隔層，用以隔開該第一駐極體薄膜與基板。
27. 如申請專利範圍第26項所述之觸控裝置，其中該間隔層具有複數個獨立設置之間隔材。
28. 如申請專利範圍第26項所述之觸控裝置，其中該間隔層係為一具有恢復彈性之間隔材。
29. 如申請專利範圍第26項所述之觸控裝置，其中該間隔層之材料為透明橡膠、透明液態膠或透明塑膠材。
30. 如申請專利範圍第23項所述之觸控裝置，其中該基板係為一顯示器之表面。
31. 如申請專利範圍第23項所述之觸控裝置，其中該基板之形狀為平板。
32. 如申請專利範圍第23項所述之觸控裝置，其中該基板之形狀為弧形。
33. 如申請專利範圍第23項所述之觸控裝置，其中該基板係為透明材質。
34. 如申請專利範圍第23項所述之觸控裝置，其中該基板之材質為不導電透明玻璃或塑膠。
35. 如申請專利範圍第23項所述之觸控裝置，其中與該基板接合之該第二電極藉由靜電感應，具有與該第一高偏壓電荷電性相反之第三高偏壓電荷。
36. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該第一電極及該第二電極係以物理氣相沉積法或化學氣相沉積法形成。
37. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該第一電極及該第二電極形成之材料選自氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,IZO)、氧化鋅錫(Zinc Tin Oxide,ZTO)、氧化鋅鋁(Aluminum Zinc Oxide,AZO)、氧化鎵鋁(Gallium Zinc Oxide,GZO)等之透明氧化導電物質(Transparent Conductive Oxide,TCO)或是透明導電高分子材料、奈米碳管(Carbon Nano-Tube)。
38. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，係為軟性可彎曲之結構。
39. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該第一駐極體薄膜、第一電極、第二電極係為透明材質。