TW201326877A - 可撓性基板及其製作方法與環境敏感電子元件之封裝體的製作方法 - Google Patents

Abstract

一種可撓性基板的製作方法。提供一承載器。承載器上已形成有一材料層，且材料層具有彼此相對的一上表面與一下表面以及多個由上表面朝向下表面延伸的凹陷部。形成一離型層於材料層的上表面上，其中離型層與材料層共形。塗佈一混合聚合物層於離型層上，其中混合聚合物層中具有多個散射粒子。進行一沈降步驟，以使混合聚合物層中的散射粒子沈降至混合聚合物層之底部，以與離型層直接接觸。使混合聚合物層與承載器分離，而形成一具有多個突出部且部分散射粒子暴露於突出部之外的可撓性基板。

Description

可撓性基板及其製作方法與環境敏感電子元件之封裝體的製作方法

本發明是有關於一種基板及其製作方法以及封裝體的製作方法，且特別是有關於一種可撓性基板及其製作方法與環境敏感電子元件之封裝體的製作方法。

有機電激發光二極體是一種可將電能轉換成光能的半導體元件，其具有高轉換效率、自發光、結構超薄、高亮度、高發光效率、高對比、響應時間(response time)短(可到達數微秒之內)、超廣視角、低功率消耗、可操作溫度範圍大，以及面板可撓曲(flexible)等優點，因此經常被應用於許多的電子產品上。

為了增加有機電激發光二極體的出光效率，最簡易的方式是透過改變承載基板的結構設計來達成。一般來說，承載基板可透過外貼一具有結構性表面之膠層，亦或是，透過微影蝕刻的方式製作光子晶體或奈米結構來達到所需之光散射的效果。然而，若採用外貼的方式，則承載基板與外貼之膠層之間的黏附力易受到外力而產生脫落，而導致結構可靠度不佳的問題產生。若採用微影蝕刻的方式，則在製作光子晶體或奈米結構的過程中，所需的製程步驟及製程設備也較多，因而無法降低製作成本。

本發明提供一種可撓性基板的製作方法，以製作出同時具有較佳的結構可靠度及可提高發光元件之光取出效率的可撓性基板。

本發明提供一種環境敏感電子元件之封裝體的製作方法，以製作出具有較佳光取出效率之環境敏感電子元件之封裝體。

本發明提供一種可撓性基板，其具有較佳的結構可靠度，且於後續產品應用中，可提高發光元件之光取出效率。

本發明提出一種可撓性基板的製作方法，其包括下述步驟。提供一承載器。承載器上已形成有一材料層，其中材料層具有彼此相對的一上表面與一下表面以及多個凹陷部，而下表面與承載器接觸，且凹陷部由材料層之上表面朝向下表面延伸。形成一離型層於材料層的上表面上，其中離型層與材料層共形。塗佈一混合聚合物層(hybrid polymer layer)於離型層上，其中混合聚合物層中具有多個散射粒子。進行一沈降步驟，以使混合聚合物層中的散射粒子沈降至混合聚合物層之底部，以與離型層直接接觸。以使混合聚合物層與承載器分離，而形成一具有多個突出部且部分散射粒子暴露於突出部之外的可撓性基板。

本發明還提出一種環境敏感電子元件之封裝體的製作方法，其包括下述步驟。提供一承載器。承載器上已形成有一材料層，其中材料層具有彼此相對的一上表面與一下表面以及多個凹陷部，而下表面與承載器接觸，且凹陷部由材料層之上表面朝向下表面延伸。形成一離型層於材料層的上表面上，其中離型層與材料層共形。塗佈一混合聚合物層於離型層上，其中混合聚合物層中具有多個散射粒子。進行一沈降步驟，以使混合聚合物層中的散射粒子沈降至混合聚合物層之底部，以與離型層直接接觸。形成一環境敏感電子元件於混合聚合物層上。使混合聚合物層及其上之環境敏感電子元件與承載器分離，而形成一具有多個突出部且部分散射粒子暴露於突出部之外的環境敏感電子元件之封裝體。

本發明還提出一種可撓性基板的製作方法，其包括下述步驟。提供一承載器。承載器具有彼此相對的一第一表面與一第二表面以及多個凹陷部，其中凹陷部由第一表面朝向第二表面延伸。形成一離型層於承載器的第一表面上，其中離型層與承載器共形。塗佈一混合聚合物層於離型層上，其中混合聚合物層中具有多個散射粒子。進行一沈降步驟，以使混合聚合物層中的散射粒子沈降至混合聚合物層之底部，以與離型層直接接觸。使混合聚合物層與承載器分離，而形成一具有多個突出部且部分散射粒子暴露於突出部之外的可撓性基板。

本發明另提出一種可撓性基板，其包括一基材以及多個散射粒子。基材具有彼此相對的之一第一表面與一第二表面以及多個位於第二表面上的突出部。散射粒子分布於基材中，且位於突出部，其中部分散射粒子暴露於突出部之外，且每一散射粒子之折射率與基材之折射率之差值的絕對值除以每一散射粒子的折射率的比值大於等於25%。

基於上述，由於本發明是透過沈降步驟使混合聚合物層中的散射粒子沈降至混合聚合物層的底部以與離型層直接接觸，因此當進行掀離步驟而使混合聚合物層與離型層分離時，具有突出部且部分散射粒子暴露於突出部之外的可撓性基板即可形成。換言之，本發明可製作出同時具有較佳的結構可靠度及可提高發光元件之光取出效率的可撓性基板。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A至圖1F為本發明之一實施例之一種可撓性基板的製作方法的剖面示意圖。請先參考圖1A，關於本實施例之可撓曲基板的製造方法，首先，提供一承載器10，其中承載器10上已形成有一材料層20，而材料層20具有彼此相對的一上表面21與一下表面23以及多個凹陷部22，而下表面23與承載器10接觸，且凹陷部22由上表面21朝向下表面23延伸。在本實施例中，承載器10的材質例如是一玻璃基板，而材料層20的材質例如是高分子材料，例如是光阻材料。當然，材料層20的材質亦可為金屬(例如是鈦或鉬)、金屬氧化物(例如是氧化鋁)、非金屬氧化物(例如是氧化矽、氧化鈦)、非金屬氮化物(例如是氮化矽)、非金屬氮氧化物(例如是氮氧化矽)、陶瓷材料或上述材料所組成的複合材料。需說明的是，本實施例之材料層20可為一連續膜層，而凹陷部22可為各自獨立的凹陷部22，或者是，材料層20為一非連續膜層，即材料層20可由多個各自獨立的圓柱(未繪示)所組成，而相鄰兩圓柱之間構成凹陷部22，於此並不加以限制材料層20及凹陷部22的型態。此外，如圖1A所示，本實施例之凹陷部22會從上表面21延伸至下表面23且暴露出部分承載器10，但於其他未繪示的實施例中，凹陷部22亦可不暴露出承載器10。

接著，請參考圖1B，形成一離型層30於材料層20的上表面21上，其中離型層30與材料層20共形。意即，離型層30亦具有多個凹陷部32。於此，離型層30的材質例如是聚對二甲苯(Poly-para-xylylene，parylene)，但並不以此為限。

接著，請參考圖1C，塗佈一混合聚合物層110於離型層30上，其中混合聚合物層110中具有多個散射粒子112。在本實施例中，混合聚合物層110的材質例如是聚亞醯胺(PI)。

接著，請參考圖1D，進行一沈降步驟，例如：重力沉降、離心沉降或靜電吸附沉降，以使混合聚合物層110中的散射粒子112沈降至混合聚合物層110之底部，以與離型層30直接接觸。也就是說，混合聚合物層110中的散射粒子112沈降至離型層30的凹陷部32中，且至少部分散射粒子112與離型層30直接接觸。

之後，請參考圖1E，使混合聚合物層110與承載器10分離，而形成一具有多個突出部114且部分散射粒子112的表面暴露於突出部114之外的可撓性基板100。詳細來說，進行一掀離步驟，以使混合聚合物層110與離型層30分離，而形成具有突出部114且部分散射粒子112暴露於突出部114之外的可撓性基板100。至此，已完成可撓性基板100的製作。

由於本實施例是以材料層20為模型，依序形成離型層30與混合聚合物層110於其上，並透過沈降步驟使混合聚合物層110中的散射粒子112沈降至混合聚合物層110之底部以與離型層30直接接觸。因此，當進行掀離步驟而使混合聚合物層110與離型層30分離時，具有突出部114且部分散射粒子112暴露於突出部114之外的可撓性基板100即可形成。相較於習知形成具有散射表面之可撓性基板的方法而言，本實施例之可撓性基板100的製作方法除了具有製成簡單及可降低製作成本等優勢外，亦可製作出同時具有較佳結構可靠度及可提高發光元件之光取出效率的可撓性基板100。

值得一提的是，為了增加可撓性基板100對一發光元件(未繪示)的光取出效率，亦可於圖1E之步驟後，即於進行掀離步驟之後，請參考圖1F，更包括進行一表面處理步驟，以增加部分散射粒子112暴露於突出部114之外的面積，而完成可撓性基板100a的製作。再者，本實施例並不限制使混合聚合物層110與承載器10分離的步驟。於其他未繪示的實施例中，亦可進行一掀離步驟，使離型層30及其上之混合聚合物層110與材料層20分離。之後，再對離型層30進行一表面處理步驟(例如是蝕刻程序)，以暴露出混合聚合物層110中的部分散射粒子112，而形成具有突出部114且部分散射粒子112暴露於突出部114之外的可撓性基板100。上述之製作步驟仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。

此外，需說明的是，本發明並不限定材料層20之凹陷部22的形狀，雖然此處所提及的凹陷部22的形狀具體化為半圓形。但於其他未繪示的實施例中，凹陷部22的形狀亦可為矩形、三角形、梯形或其他多邊形，仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。

在結構上，請再參考圖1F，在本實施例中，可撓性基板100a包括混合聚合物層110以及散射粒子112，其中混合聚合物110可視為一基材，且具有彼此相對的之一第一表面111與一第二表面113以及位於第二表面113上的突出部114。散射粒子112分布於混合聚合物110中，且位於突出部114，其中部分散射粒子112暴露於突出部114之外。特別是，每一散射粒子112的折射率為n1，而混合聚合物110之折射率為n2，且∣n1-n2∣/n1≧25%。意即，每一散射粒子112之折射率n1與基材110之折射率n2之差值的絕對值除以每一散射粒子112的折射率n1的比值大於等於25%。簡言之，本實施例之可撓性基板100a除了具有較佳的結構可靠度之外，於後續產品應用中，亦可有效提高發光元件(未繪示)之光取出效率。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖2A至圖2B為本發明之另一實施例之一種可撓性基板的製作方法之局部步驟的剖面示意圖。請先參考圖2B，本實施例之可撓性基板100b與圖1F之可撓性基板100a相似，惟二者主要差異之處在於：本實施例之可撓性基板100b更包括一阻氣層120，其中阻氣層120配置於混合聚合物層110上，而阻氣層120是由至少一有機材料層122(圖2B中僅示意地繪示兩層)與至少一無機材料層124(圖2B中僅示意地繪示兩層)相互交替堆疊所構成，且有機材料層122的折射率不同於無機材料層124的折射率。於其他未繪示的實施例中，阻氣層亦可是由至少二無機材料層相互堆疊所構成，其中無機材料層的折射率彼此不同；或者是，阻氣層亦可為單層具適當阻氣性的有機材料層、單層具適當阻氣性的無機材料層或單層具適當阻氣性的有機-無機混合之複合材料層，此仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。

在製程上，本實施例的可撓性基板100b可以採用與前述實施例之可撓性基板100a大致相同的製作方式，並且在圖1D之步驟後，即進行完沈降步驟之後以及進行掀離步驟之前，請參考圖2A，形成阻氣層120於混合聚合物層110的第一表面111上，其中阻氣層120是透過沈積的方式由有機材料層122與無機材料層124相互交替堆疊所構成，且有機材料層122的折射率不同於無機材料層124的折射率。接著，再進行圖1E，即可完成圖2B之可撓性基板100b的製作。之後，亦可選擇性的進行圖1F的步驟，即進行表面處理步驟，以達成所需之技術效果。

由於本實施例之可撓性基板100b的相對兩表面上分別具有阻氣層120以及散射結構(即突出部114且部分散射粒子112暴露於突出部114之外)的設計，因此於後續應用中，將一發光元件(未繪示)配置於可撓性基板100b之阻氣層120上時，發光元件所發出的光可先透過阻氣層120產生折射的效果，之後，再經由突出部114及散射粒子112的散射，而達到提高發光元件之光取出效率的效果。

圖3A至圖3C為本發明之一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的製作方法之局部步驟的剖面示意圖。本實施例的環境敏感電子元件之封裝體的製作，可於前述製作可撓性基板100(或100a)之圖1D之步驟後，即進行完沈降步驟之後以及進行掀離步驟之前，請參考圖3A，形成一環境敏感電子元件210於混合聚合物層110上。之後，請同時參考圖3B與圖3C，進行一掀離步驟，以使混合聚合物層110及其上之環境敏感電子元件210與離型層30分離，而形成一環境敏感電子元件之封裝體200。於此，環境敏感電子元件之封裝體200是由可撓性基板100以及環境敏感電子元件210所組成，其中可撓性基板100的第一表面111上配置環境敏感電子元件210，而可撓性基板100的第二表面113上具有突出部114且部分散射粒子112暴露於突出部114。

當然，為了增加可撓性基板100對環境敏感電子元件210的光取出效率，亦可於圖3B之步驟後，即於進行掀離步驟之後，請參考圖3C，更包括進行一表面處理步驟，以增加部分散射粒子112暴露於突出部114之外的面積，而完成環境敏感電子元件之封裝體200a的製作。值得一提的是，本實施例並不限制使混合聚合物層110及其上之環境敏感電子元件210與承載器10分離的步驟。於其他未繪示的實施例中，亦可進行一掀離步驟，使離型層30及其上之混合聚合物層110及環境敏感電子元件210與材料層20分離。之後，再對離型層30進行一表面處理步驟(例如是蝕刻程序)，以暴露出混合聚合物層110中的部分散射粒子112，而形成具有突出部114且部分散射粒子112暴露於突出部114之外的可撓性基板100。上述之製作步驟仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。

由於本實施例之環境敏感電子元件之封裝體200(或200a)的製作可將可撓性基板100(或100a)與環境敏感電子元件210的製程整合在一起。也就是說，可撓性基板100(或100a)與環境敏感電子元件210可以在同一腔體中完成製作。因此，本實施例之環境敏感電子元件之封裝體200(或200a)的製作方法具有製程步驟簡單且可降低購買製程設備之成本的優勢。再者，本實施例之環境敏感電子元件210所發出的光可透過其下方之突出部114及散射粒子112的散射，而達到提高環境敏感電子元件210之光取出效率的效果。也就是說，本實施例之環境敏感電子元件之封裝體200(或200a)具有較佳光取出效率。

圖4A至圖4C為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的製作方法之局部步驟的剖面示意圖。本實施例的環境敏感電子元件之封裝體的製作，可於前述製作可撓性基板100b之圖2A之步驟後，即形成阻氣層120之後，請參考圖4A，形成一環境敏感電子元件210於阻氣層120上。之後，請同時參考圖4B與圖4C，進行一掀離步驟，以使混合聚合物層110及其上之阻氣層120及環境敏感電子元件210與離型層30分離，而形成一環境敏感電子元件之封裝體200b。於此，環境敏感電子元件之封裝體200b是由可撓性基板100b’以及環境敏感電子元件210所組成。

當然，為了增加可撓性基板100b’對環境敏感電子元件210的光取出效率，亦可於圖4B之步驟後，即於進行掀離步驟之後，請參考圖4C，更包括進行一表面處理步驟，以增加部分散射粒子112暴露於突出部114之外的面積，即形成可撓性基板100b，而完成環境敏感電子元件之封裝體200c的製作。

由於本實施例之環境敏感電子元件之封裝體200b(或200c)的製作可將可撓性基板100b與環境敏感電子元件210的製程整合在一起。也就是說，可撓性基板100b與環境敏感電子元件210可以在同一腔體中完成製作。因此，本實施例之環境敏感電子元件之封裝體200b(或200c)的製作方法具有製程步驟簡單且可降低購買製程設備之成本的優勢。再者，本實施例之環境敏感電子元件210所發出的光可先透過阻氣層120產生折射的效果，之後，再經由突出部114及散射粒子112的散射，而達到提高環境敏感電子元件210之光取出效率的效果。也就是說，本實施例之環境敏感電子元件之封裝體200b(或200c)具有較佳光取出效率。

值得一提的是，本發明並不限定承載器10與材料層20的搭配形態，雖然此處所提及的承載器10的表面為一平面，而材料層20配置於承載器10的表面上且具有凹陷部22。但於其他實施例中，請參考圖5，本實施例之承載器10a具有彼此相對的一第一表面12a與一第二表面14a以及多個凹陷部16a，其中凹陷部16a由第一表面12a朝向第二表面14a延伸。上述之方式亦能達到使後續完成之可撓性基板具有突出部且部分散射粒子暴露於突出部之外的結構設計，仍屬於本發明可採用的技術方案，不脫離本發明所欲保護的範圍。因此，於其他未繪示的實施例中，亦可選用於如上述實施例所提及之具有凹陷部16a之承載器10a，本領域的技術人員當可參照前述實施例的說明，即於承載器10a上依序形成離型層、塗佈混合聚合物層、對散射粒子進行一沈降步驟以及使混合聚合物層與承載器分離等步驟，而完成可撓性基板的製作。

綜上所述，由於本發明是透過沈降步驟使混合聚合物層中的散射粒子沈降至混合聚合物層之底部，以與離型層直接接觸，因此當進行掀離步驟而使混合聚合物層與離型層分離時，具有突出部且部分散射粒子暴露於突出部之外的可撓性基板即可形成。換言之，本發明可製作出同時具有較佳的結構可靠度以及能夠提高發光元件之光取出效率的可撓性基板。再者，本發明之環境敏感電子元件之封裝體的製作方法可將可撓性基板與環境敏感電子元件的製程整合在一起，可減少製程步驟且可降低購買製程設備之成本。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10、10a．．．承載器

12a．．．第一表面

14a．．．第二表面

16a、22、32．．．凹陷部

20．．．材料層

21．．．上表面

23．．．下表面

30．．．離型層

100、100a、100b、100b’．．．可撓性基板

110．．．混合聚合物層

111．．．第一表面

112．．．散射粒子

113．．．第二表面

114．．．突出部

120．．．阻氣層

122．．．有機材料層

124．．．無機材料層

200、200a、200b、200c．．．環境敏感電子元件之封裝體

210．．．環境敏感電子元件

圖1A至圖1F為本發明之一實施例之一種可撓性基板的製作方法的剖面示意圖。

圖2A至圖2B為本發明之另一實施例之一種可撓性基板的製作方法之局部步驟的剖面示意圖。

圖3A至圖3C為本發明之一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的製作方法之局部步驟的剖面示意圖。

圖4A至圖4C為本發明之另一實施例之一種環境敏感電子元件之封裝體的製作方法之局部步驟的剖面示意圖。

圖5為本發明之一實施例之一種承載器的剖面示意圖。

100a．．．可撓性基板

110．．．混合聚合物層

111．．．第一表面

112．．．散射粒子

113．．．第二表面

114．．．突出部

Claims (28)

1. 一種可撓性基板的製作方法，包括：提供一承載器，該承載器上已形成有一材料層，其中該材料層具有彼此相對的一上表面與一下表面以及多個凹陷部，而該下表面與該承載器接觸，且該些凹陷部由該材料層之該上表面朝向該下表面延伸；形成一離型層於該材料層的該上表面上，其中該離型層與該材料層共形；塗佈一混合聚合物層於該離型層上，其中該混合聚合物層中具有多個散射粒子；進行一沈降步驟，以使該混合聚合物層中的該些散射粒子沈降至該混合聚合物層之底部，以與該離型層直接接觸；以及使該混合聚合物層與該承載器分離，而形成一具有多個突出部且部分該些散射粒子暴露於該些突出部之外的可撓性基板。
2. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性基板的製作方法，其中該材料層的材質包括高分子材料。
3. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性基板的製作方法，其中該材料層的材質包括光阻材料。
4. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性基板的製作方法，其中該材料層的材質包括單一金屬、金屬氧化物、非金屬氧化物、非金屬氮化物、非金屬氮氧化物、陶瓷材料或或上述材料所組成的複合材料。
5. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性基板的製作方法，其中該離型層的材質包括聚對二甲苯(Poly-para-xylylene，parylene)。
6. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性基板的製作方法，其中該混合聚合物層的材質包括聚亞醯胺(PI)。
7. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性基板的製作方法，更包括：使該混合聚合物層與該承載器分離之前，形成一阻氣層於該混合聚合物層上，其中該阻氣層是由至少一有機材料層與至少一無機材料層相互堆疊所構成，且該有機材料層的折射率不同於該無機材料層的折射率。
8. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性基板的製作方法，更包括：使該混合聚合物層與該承載器分離之前，形成一阻氣層於該混合聚合物層上，其中該阻氣層是由至少二無機材料層相互堆疊所構成，且該些無機材料層的折射率彼此不同。
9. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性基板的製作方法，更包括：使該混合聚合物層與該承載器分離之前，形成一阻氣層於該混合聚合物層上，其中該阻氣層包括一單層有機-無機之複合材料層、一單層有機層或一單層無機層。
10. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性基板的製作方法，其中使該混合聚合物層與該承載器分離的步驟，包括：進行一掀離步驟，以使該混合聚合物層與該離型層分離，而形成具有該些突出部且部分該些散射粒子暴露於該些突出部之外的該可撓性基板。
11. 如申請專利範圍第10項所述之可撓性基板的製作方法，更包括：於進行該掀離步驟之後，更包括進行一表面處理步驟，以增加部分該些散射粒子暴露於該些突出部之外的面積。
12. 如申請專利範圍第1項所述之可撓性基板的製作方法，其中使該混合聚合物層與該承載器分離的步驟，包括：進行一掀離步驟，使該離型層及其上之該混合聚合物層與該材料層分離；以及於進行該掀離步驟之後，對該離型層進行一表面處理步驟，以暴露出該混合聚合物層中的部分該些散射粒子，而形成具有該些突出部且部分該些散射粒子暴露於該些突出部之外的該可撓性基板。
13. 一種環境敏感電子元件之封裝體的製作方法，包括：提供一承載器，該承載器上已形成有一材料層，其中該材料層具有彼此相對的一上表面與一下表面以及多個凹陷部，而該下表面與該承載器接觸，且該些凹陷部由該材料層之該上表面朝向該下表面延伸；形成一離型層於該材料層的該上表面上，其中該離型層與該材料層共形；塗佈一混合聚合物層於該離型層上，其中該混合聚合物層中具有多個散射粒子；進行一沈降步驟，以使該混合聚合物層中的該些散射粒子沈降至該混合聚合物層之底部，以與該離型層直接接觸；形成一環境敏感電子元件於該混合聚合物層上；以及使該混合聚合物層及其上之該環境敏感電子元件與該承載器分離，而形成一具有多個突出部且部分該些散射粒子暴露於該些突出部之外的環境敏感電子元件之封裝體。
14. 如申請專利範圍第13項所述之可撓性基板的製作方法，其中該材料層的材質包括高分子材料。
15. 如申請專利範圍第13項所述之環境敏感電子元件之封裝體的製作方法，其中該材料層的材質包括光阻材料。
16. 如申請專利範圍第13項所述之環境敏感電子元件之封裝體的製作方法，其中該材料層的材質包括單一金屬、金屬氧化物、非金屬氧化物、非金屬氮化物、非金屬氮氧化物、陶瓷材料或或上述材料所組成的複合材料。
17. 如申請專利範圍第13項所述之環境敏感電子元件之封裝體的製作方法，其中該離型層的材質包括聚對二甲苯(Poly-para-xylylene，parylene)。
18. 如申請專利範圍第13項所述之環境敏感電子元件之封裝體的製作方法，其中該混合聚合物層的材質包括聚亞醯胺(PI)。
19. 如申請專利範圍第13項所述之環境敏感電子元件之封裝體的製作方法，更包括：於形成該環境敏感電子元件於該混合聚合物層上之前，形成一阻氣層於該混合聚合物層上，其中該阻氣層是由至少一有機材料層與至少一無機材料層相互堆疊所構成，且該有機材料層的折射率不同於該無機材料層的折射率。
20. 如申請專利範圍第13項所述之環境敏感電子元件之封裝體的製作方法，更包括：於形成該環境敏感電子元件於該混合聚合物層上之前，形成一阻氣層於該混合聚合物層上，其中該阻氣層是由至少二無機材料層相互堆疊所構成，且該些無機材料層的折射率彼此不同。
21. 如申請專利範圍第13項所述之環境敏感電子元件之封裝體的製作方法，更包括：於形成該環境敏感電子元件於該混合聚合物層上之前，形成一阻氣層於該混合聚合物層上，其中該阻氣層包括一單層有機-無機之複合材料層、一單層有機層或一單層無機層。
22. 如申請專利範圍第13項所述之可撓性基板的製作方法，其中使該混合聚合物層及其上之該環境敏感電子元件與該承載器分離的步驟，包括：進行一掀離步驟，以使該混合聚合物層及其上之該環境敏感電子元件與該離型層分離，而形成具有該些突出部且部分該些散射粒子暴露於該些突出部之外的該環境敏感電子元件之封裝體。
23. 如申請專利範圍第22項所述之環境敏感電子元件之封裝體的製作方法，更包括：於進行該掀離步驟之後，更包括進行一表面處理步驟，以增加部分該些散射粒子暴露於該些突出部之外的面積。
24. 如申請專利範圍第13項所述之可撓性基板的製作方法，其中使該混合聚合物層及其上之該環境敏感電子元件與該承載器分離的步驟，包括：進行一掀離步驟，使該離型層及其上之該混合聚合物層及該環境敏感電子元件與該材料層分離；以及於進行該掀離步驟之後，對該離型層進行一表面處理步驟，以暴露出該混合聚合物層中的部分該些散射粒子，而形成具有該些突出部且部分該些散射粒子暴露於該些突出部之外的該環境敏感電子元件之封裝體。
25. 一種可撓性基板的製作方法，包括：提供一承載器，該承載器具有彼此相對的一第一表面與一第二表面以及多個凹陷部，其中該些凹陷部由該第一表面朝向該第二表面延伸；形成一離型層於該承載器的該第一表面上，其中該離型層與該承載器共形；塗佈一混合聚合物層於該離型層上，其中該混合聚合物層中具有多個散射粒子；進行一沈降步驟，以使該混合聚合物層中的該些散射粒子沈降至該混合聚合物層之底部，以與該離型層直接接觸；以及使該混合聚合物層與該承載器分離，而形成一具有多個突出部且部分該些散射粒子暴露於該些突出部之外的可撓性基板。
26. 一種可撓性基板，包括：一基材，具有彼此相對的之一第一表面與一第二表面以及多個位於該第二表面上的突出部；以及多個散射粒子，分布於該基材中，且位於該些突出部，其中部分該些散射粒子暴露於該些突出部之外，且各該散射粒子之折射率與該基材之折射率之差值的絕對值除以各該散射粒子的折射率的比值大於等於25%。
27. 如申請專利範圍第26項所述之可撓性基板，其中該基材的材質包括一混合聚合物。
28. 如申請專利範圍第27項所述之可撓性基板，其中該混合聚合物包括聚亞醯胺(PI)。