TW201324801A - 結晶矽太陽能電池的製造方法 - Google Patents

Abstract

結晶矽太陽能電池的製造方法，先於結晶矽基材的第一表面設置阻障層單元，阻障層單元包括由摻雜五族元素的氧化矽構成的阻擋層和至少一層由氧化矽構成的隔離層，再自結晶矽基材第二表面摻雜硼，阻擋層阻擋硼進入該第一表面，而使結晶矽基材自第二表面形成p型層體，再來，選擇性地移除阻障層單元，最後，於該結晶矽基材第一表面對該結晶矽基材摻雜而形成n型層體。本發明利用阻擋層阻擋硼擴散路徑，使其無法自結晶矽基材的第二表面進入結晶矽基材，以製得特性穩定的結晶矽太陽能電池。

Description

結晶矽太陽能電池的製造方法

本發明是有關於一種太陽能電池的製造方法，特別是指一種結晶矽太陽能電池的製造方法。

太陽能電池主要是將光能轉換為電能而供後續使用。而目前太陽能電池分為結晶矽太陽能電池、非晶矽太陽能電池為主流。其中，結晶矽太陽能電池有多種結構，其中一種結構例如圖1所示，包含一主體11、一形成於該主體11頂面的p型層體12、一形成於該主體11底面的n型層體13、二分別形成於該p型層體12與該n型層體13表面的抗反射層15，及一與該p型層體12及該n型層體13電連接的電極單元14。

當太陽能電池吸收來自外界的光能時，電子自價帶躍遷至導帶而產生電子電洞對，並經由pn接面(pn junction)的空乏區所形成的電場將電子往該n型層體13牽引，電洞往該p型層體12牽引而形成電位勢，進而將光能轉換為電能，且電能經由該電極單元14傳送至外界。

參閱圖2，目前結晶矽太陽能電池的製造方法主要是先準備一結晶矽基材16，該結晶矽基材16具有一第一表面161及一與該第一表面161相反的第二表面162。

接著，於該結晶矽基材16的第一表面161上形成一緩衝層20，再自該第二表面162摻雜硼而成為該p型層體12。

再來，移除設置於該結晶矽基材16的第一表面161的緩衝層20，並於該結晶矽基材16的第二表面162設置另一緩衝層20。

繼續，自該結晶矽基材16的第一表面161摻雜例如磷或砷等V族元素而構成該n型層體13，並於摻雜後移除位於該結晶矽基材16的第二表面162上的緩衝層20，則該結晶矽基材16未成為p型層體12或n型層體13的區域為該主體11。

最後，分別於該p型層體12及該n型層體13的表面形成一第一電極141及一第二電極142而構成該電極單元14，及一分別於該p型層體12及該n型層體13未形成電極單元14的區域形成的抗反射層15，而製得該結晶矽太陽能電池；其中，該緩衝層20是以氧化矽的結構初步阻擋硼進入該結晶矽基材16，或自該結晶矽基材16散逸而減少硼的擴散。然而，若欲更進一步降低硼的擴散機率時，也只能被動地增加該緩衝層20的厚度，但這也增加更多的材料成本與製作時間。因此，如何在製作結晶矽太陽能電池的過程中更有效率地抑制硼擴散的機率，是業界持續研究的目標之一。

因此，本發明之目的，即在提供一種可以限制硼擴散的結晶矽太陽能電池的製造方法。

於是，本發明結晶矽太陽能電池的製造方法，包含以下四個步驟。

首先，於一結晶矽基材的一第一表面設置一阻障層單元，其中，該阻障層單元包括一由摻雜五族元素的氧化矽為主要材料構成的阻擋層，及至少一由氧化矽為主要材料構成的隔離層。

其次，於該結晶矽基材相反於該第一表面的一第二表面摻雜硼，該阻擋層阻擋硼，而使該結晶矽基材自該第二表面向該阻擋層方向形成一p型層體。

再來，選擇性地移除該阻障層單元的預定結構。

最後，於該第一表面對該結晶矽基材進行摻雜，而使該結晶矽基材自該第一表面向該第二表面方向形成一n型層體。

較佳地，該阻障層單元包括二由氧化矽為主要材料構成的隔離層，且該二隔離層與該阻擋層交錯疊置。

較佳地，該結晶矽基材上依序設置該阻擋層及一隔離層而構成該阻障層單元。

較佳地，移除該阻障層單元的隔離層和阻擋層。

較佳地，在對該結晶矽基材摻雜前，先於該結晶矽基材的第二表面形成一輔助阻障層單元，該輔助阻障層單元包括一n型的氧化矽為主要材料構成的輔助阻擋層，及至少一由氧化矽為主要材料構成的輔助隔離層，並在摻雜後移除該輔助阻障層單元。

較佳地，於該結晶矽基材設置二輔助隔離層而與該輔助阻擋層交錯疊置構成該輔助阻障層單元。

較佳地，先於該結晶矽基材設置一輔助隔離層，再於該輔助隔離層上設置輔助阻擋層，而構成該輔助阻障層單元。

較佳地，本發明還包含一形成一與該p型層體及該n型層體電連接的電極單元的步驟。

較佳地，自該阻障層單元最遠離該結晶矽基材的層體移除該隔離層和該阻擋層，並至少留下與該結晶矽基材連接的該隔離層的預定厚度層體結構而成一抗反射層。

較佳地，在對該結晶矽基材摻雜前，先於該結晶矽基材的第二表面設置一輔助阻障層單元，該輔助阻障層單元由二層由n型的氧化矽為主要材料構成的輔助隔離層及一層由氧化矽為主要材料構成的輔助阻擋層交錯疊置構成，並在摻雜後自該輔助阻障層單元最遠離該結晶矽基材的層體移除該輔助阻障層單元，並留下預定厚度的輔助阻障層單元層體結構而成一抗反射層。

較佳地，在對該結晶矽基材摻雜前，先於該結晶矽基材的第二表面設置一依序由一以氧化矽為主要材料構成的輔助阻擋層及一成n型的氧化矽為主要材料構成的輔助隔離層疊置構成的輔助阻障層單元，並在摻雜後移除該輔助阻障層單元。

本發明之功效：該阻障層單元遮覆該結晶矽基材的第二表面，使硼無法自該結晶矽基材的第二表面進入該結晶矽基材，而維持該結晶矽基材鄰近該阻擋層區域的原有的半導體特性。

有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之6個較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。

在本發明被詳細描述之前，要注意的是，在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

參閱圖3、圖4，本發明結晶矽太陽能電池的製造方法的一第一較佳實施例主要包含一步驟31--於一結晶矽構成的結晶矽基材16的一第一表面161設置一阻障層單元5，其中，該阻障層單元5包括一由摻雜五族元素的氧化矽為主要材料構成的阻擋層52，及至少一層由氧化矽為主要材料構成且與該阻擋層52成交錯疊置的隔離層51、一步驟32--該結晶矽基材16相反於該第一表面161的一第二表面162向該阻擋層52方向對該結晶矽基材16摻雜硼，該阻擋層52阻擋硼，而使該結晶矽基材16自該第二表面162向該阻擋層52方向形成一p型層體12、一步驟33─選擇性地移除該阻障層單元5的預定結構、一步驟34─於該結晶矽基材16的第一表面161向該第二表面162方向對該結晶矽基材16進行摻雜，而使該結晶矽基材16自該第一表面161向該第二表面162方向形成一n型層體13，及一步驟35─形成一與該p型層體12及該n型層體13電連接的電極單元14。

以下再就該第一較佳實施例給予更仔細的說明。

首先，該步驟31是先準備一以結晶矽構成的結晶矽基材16，該結晶矽基材16可為p型半導體、本質型半導體，或n型半導體。該結晶矽基材16具有該第一表面161，及位於該第一表面161相反側的第二表面162，並粗化該第一表面161及該第二表面162，由於粗化後的表面是屬微結構，故在圖式中仍以平面表示。

接著，於該第一表面161形成該阻障層單元5：先於該第一表面161以化學氣相沉積法(CVD)或物理氣相沉積法(PVD)形成一層隔離層51，也可以利用旋轉塗佈沉積(SOD)氧化矽溶液的方式形成該隔離層51，接著，再於該隔離層51上類似地以化學氣相沉積法(CVD)、物理氣相沉積法(PVD)，或旋轉塗佈沉積(SOD)氧化矽溶液的方式形成一氧化矽層體；繼續，再以離子佈植、熱擴散，或電漿的方式將n型元素摻雜進入該氧化矽層體或旋轉塗佈含五族元素的氧化矽凝膠或溶液，而形成由摻雜五族元素的氧化矽構成的阻擋層52。

其中，n型元素為選自氮、磷或砷等VA族元素。再來，於該阻擋層52的表面再形成一層以氧化矽構成的隔離層51。則在該第一較佳實施例中，該阻障層單元5具有二隔離層51及一阻擋層52，且該等隔離層51及該阻擋層52彼此交錯疊置。

夾置於該第一表面161及該阻擋層52間的隔離層51可防止該阻擋層52中的n型元素擴散進入該結晶矽基材16，而形成於最外層的隔離層51可避免該阻擋層52中的n型元素擴散至外界。

還需說明的是，若是用離子佈值的方式摻雜n型元素而形成該阻擋層52，則需於離子佈植前先於該第二表面162再形成一層氧化層以避免所摻雜的n型元素汙染該結晶矽基材16的第二表面162附近的區域，並於離子佈植後將該第二表面162的氧化層移除；若是以例如爐管使用熱擴散的方式或是電漿的方式於該氧化矽層體中摻雜n型元素，則在摻雜n型元素完成後，於該結晶矽基材16的第二表面162以濕蝕刻或是研磨的方式移除受n型摻雜而汙染的區域，且維持該第二表面162為原有結晶矽的性質的方式而不受n型元素摻染，此方法為本技術領域中的技術人士所熟習，在此不再多加贅述。

繼續，進行該步驟32，於該結晶矽基材16的第二表面162向該第一表面161的方向以離子佈植或是熱擴散的方式摻雜硼，而使該結晶矽基材16自該第二表面162向該第一表面161的方向形成一層鄰近該第二表面162區域的p型層體12。

再來，進行該步驟33，於形成該結晶矽基材16的p型層體12後，利用電漿乾式蝕刻、以該結晶矽基材16及該阻障層單元5間具有蝕刻選擇比高的蝕刻液進行濕式蝕刻，或是以研磨的方式，將該結晶矽基材16的第一表面161上的阻障層單元5移除，而留下形成有p型層體12的結晶矽基材16，且該p型層體12位於鄰近該第二表面162的區域。

繼續，進行該步驟34，於該結晶矽基材16的第一表面161朝向該第二表面162的方向以離子佈植或是熱擴散的方式摻雜n型元素，而使該結晶矽基材16自該第一表面161朝向該第二表面162的方向，即鄰近該第一表面161的區域形成一n型層體13，則該結晶矽基材16區分為經摻雜後所形成的p型層體12、n型層體13，及該未受摻雜的主體11。

最後，進行該步驟35，分別於該p型層體12及該n型層體13的表面設置一第一電極141，及一第二電極142，而構成與該p、n層體12、13電連接的電極單元14，而製得該結晶矽太陽能電池(如圖1所示)。

較佳地，還可於該p型層體12與該n型層體13裸露的表面分別設置一透明的抗反射層15，且該抗反射層15也可作為保護層，而將該p型層體12及該n型層體13與外界的水氣或雜質隔離，且該二抗反射層15通常是以透明可透光的材質構成，例如氧化矽或氮化矽。

硼元素填於氧化矽間的結構空隙所需的能量是2.95電子伏特，而選自氮、磷或砷的n型元素填於氧化矽間的結構空隙所需要的能量是0.7電子伏特～2.59電子伏特，則n型元素填於氧化矽層體的結構空隙中所需要的能量明顯低於硼元素填於氧化矽層體的結構空隙所需的能量，所以較硼元素更易於容填在氧化矽中；因此，當氮、磷或砷已先存在於該阻擋層52中時，則硼元素較不易穿經該阻擋層52而進入該結晶矽基材16，進而避免該結晶矽基材16鄰近該第一表面161的區域受到硼元素的摻雜。

再者，由於該阻擋層52與該結晶矽基材16間夾置該隔離層51，則可避免該阻擋層52中的n型元素擴散至該結晶矽基材16，而該阻障層單元5中位於最外層的隔離層51也可避免該阻擋層52中的n型元素擴散至外界，甚或是擴散至外界後再進入該結晶矽基材16的第二表面162。

本發明第一較佳實施例利用在該阻擋層52摻雜於結構空隙中填置能量較硼填置能量低的n型元素，，進而保持該結晶矽基材16鄰近該第一表面161的區域不會受到硼元素的汙染。

此外，該阻障層單元5不只如同該第一較佳實施例具有該阻擋層52與夾置於該二隔離層51，視需求該阻障層單元5也可是具超過二層的隔離層51和與其交錯疊置的阻擋層52，同樣地也避免硼元素擴散至鄰近該結晶矽基材16第一表面161的區域。

參閱圖5、圖6，本發明一第二較佳實施例與該第一較佳實施例相似，其不同處在於該步驟34是先於該結晶矽基材16的第二表面162形成一輔助阻障層單元，該輔助阻障層單元6包括由一層成n型的氧化矽為主要材料構成的輔助阻擋層62，及至少一層由氧化矽為主要材料構成的輔助隔離層61，再於該結晶矽基材16的第一表面161向該第二表面162方向對該結晶矽基材16進行摻雜，而使該結晶矽基材16自該第一表面161向該第二表面162方向形成該n型層體13，並在摻雜後移除該輔助阻障層單元6。

更詳細地說，該第二較佳實施例的該步驟34是先於該結晶矽基材16的第二表面162形成一與該阻障層單元5結構類似的輔助阻障層單元6。該輔助阻障層單元6具有依序形成於該結晶矽基材16的第二表面162的一輔助隔離層61、一形成於該輔助隔離層61表面的輔助阻擋層62，及一形成於該輔助阻擋層62表面的輔助隔離層61；換句話說，該輔助阻擋層62夾置於此二輔助隔離層61間，且該輔助阻障層單元6的形成方式與該阻障層單元5類似。並於形成該n型層體13後，將該輔助阻障層單元6移除。

該輔助阻障層單元6的形成方式是先於該第二表面162以化學氣相沉積法、物理氣相沉積法，或旋轉塗佈沉積氧化矽形成該輔助隔離層61，接著，再於該輔助隔離層61上類似地的方式形成一氧化矽層體；繼續，再以離子佈植、熱擴散，或電漿的方式將n型元素摻雜進入該氧化矽層體，而形成由摻雜n型元素的氧化矽構成的輔助阻擋層62。其中，n型元素為選自氮、磷或砷等VA族元素；再來，於該輔助阻擋層62的表面再以化學氣相沉積法、物理氣相沉積法，或是旋轉塗佈沉積氧化矽溶液的方式形成該以氧化矽構成的另一輔助隔離層61。

需說明地，類似該阻擋層52的形成過程，若是在形成該輔助阻擋層62的過程中以離子佈值的方式摻雜n型元素，則需於離子佈值前先於該結晶矽基材16的第一表面161形成一層氧化層，並於離子佈植後再將該第一表面161的氧化層移除；若以熱擴散的方式或是電漿的方式進行n型元素的摻雜，則在摻雜n型元素完成後，再自該結晶矽基材16的第一表面161以濕蝕刻或是研磨的方式移除受摻雜而汙染的區域，以維持鄰近該結晶矽基材16的第一表面161不受n型元素摻雜所汙染。

當該第二較佳實施例在形成該n型層體13的過程時，由於氮、磷或砷已先存在於該輔助阻擋層62，則硼元素就不易穿過該輔助阻擋層62至外界，進而避免硼元素自該p型層體12散逸至外界後再擴散進入該結晶矽基材16鄰近該第一表面161的區域(即所形成的n形區域)；此外，位於該p型層體12與該輔助阻擋層62間的輔助隔離層61可將輔助阻擋層62與該p型層體12隔離；位於最外層的輔助隔離層61可將該輔助阻擋層62與外界隔離，以避免該輔助阻擋層62的n型元素散逸至外界，甚或是自該結晶矽基材16的第一表面161擴散進入該結晶矽基材16。

此外，該輔助阻障層單元6不只可為將該輔助阻擋層62夾置於該二輔助隔離層61間的三明治結構，視需求也可是交錯疊置超過二層的輔助隔離層61及輔助阻擋層62。

在此先說明的是，第一、第二較佳實施例中所述以化學氣相沉積法、物理氣相沉積法，或旋轉塗佈沉積氧化矽等方式形成阻擋層、隔離層、輔助阻擋層及輔助隔離層的方法亦可適用於以下各實施例，因此不再贅述。

參閱圖5、圖7，本發明一第三較佳實施例與該第二較佳實施例相似，其不同處在於該步驟31是於該結晶矽基材16的第一表面161依序設置一阻擋層52及一隔離層51，而構成該阻障層單元5。

當進行該步驟32時，該阻障層單元5的阻擋層52可減少硼元素自結晶矽基材16的第一表面161進入結晶矽基材16的機率，該隔離層51將該阻擋層52的n型元素與外界隔離，以防止該阻擋層52的n型元素擴散進入該p型層體12。另一方面，由於該阻擋層52成n型，而該結晶矽基材16鄰近該第一表面161的區域也會於該步驟34時經摻雜而成n型層體13，故該阻擋層52中少量的n型元素擴散進入該將成為n型層體13的區域時並不會對電特性造成大影響，並可再次降低該阻障層單元5整體厚度。

參閱圖5、圖8，本發明一第四較佳實施例與該第一較佳實施例相似，其不同處在於該步驟34是於該結晶矽基材16的第二表面162依序設置一輔助隔離層61及一輔助阻擋層62，而構成該輔助阻障層單元6。

當該結晶矽基材16的第一表面161摻雜n型元素以形成該n型層體13時，該輔助阻擋層62減少該p型層體12中的硼元素與外界隔離，再藉由該輔助隔離層61防止該輔助阻擋層62的n型元素擴散進入該p型層體12。另一方面，由於該輔助阻擋層62成n型，而該結晶矽基材16鄰近該第一表面161的區域正摻雜成n型，故即使該輔助阻擋層62中少量的n型元素外散進入該將成為n型層體13的區域，n型層體13的電特性並不會受到太大影響，且較具有二層輔助隔離層61的輔助阻障層單元6的整體厚度薄。

參閱圖5、圖9，本發明一第五較佳實施例與該第四較佳實施例相似，其不同處在於該步驟31是於該結晶矽基材16的第一表面161依序設置一阻擋層52及一隔離層51，而構成該阻障層單元5，該阻擋層52和第一表面161間未設置該隔離層51，以減少該阻障層單元5的厚度。

當進行該步驟32時，該阻障層單元5的阻擋層52用以降低硼元素自該結晶矽基材16的第一表面161進入該結晶矽基材16的機率，而該隔離層51則用以以防止該阻擋層52的n型元素散出而進入該p型層體12。另一方面，由於該結晶矽基材16鄰近該第一表面161的區域會於該步驟34時經摻雜而成n型，即使該阻擋層52中的n型元素擴散至未來成為n型層體13的區域時影響亦不大。

參閱圖10、圖11，本發明一第六較佳實施例與該第一較佳實施例相似，其不同處在於該第六較佳實施例提前該步驟34，也就是先自該結晶矽基材16的第一表面161摻雜而形成該n型層體13，其餘步驟順延，即再繼續進行該步驟31、該步驟32、該步驟33，及該步驟35，同樣也可製得本發明該結晶矽太陽能電池。

本發明在移除該阻障層單元5時可選擇性地留下全部或部分隔離層51，即留下預定厚度的氧化矽層體結構作為後續的抗反射層15。

類似地，在移除該輔助阻障層單元6時也可選擇性地留下全部或部分輔助隔離層61作為後續的抗反射層15。

綜上所述，本發明藉由該阻擋層52的阻擋而降低硼元素進入自該結晶矽基材16的第一表面161進入該結晶矽基材16的機率，及利用輔助阻擋層62防止硼元素自該p型層體12散逸，而維持所形成的結晶矽太陽能電池的n型層體13的半導體特性，故確實能達成本發明之目的。

惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

11．．．主體

12．．．p型層體

13．．．n型層體

14．．．電極單元

141．．．第一電極

142．．．第二電極

16．．．結晶矽基材

161．．．第一表面

162．．．第二表面

15．．．抗反射層

20．．．緩衝層

31．．．步驟

32．．．步驟

33．．．步驟

34．．．步驟

35．．．步驟

5．．．阻障層單元

51．．．隔離層

52．．．阻擋層

6．．．輔助阻障層單元

61．．．輔助隔離層

62．．．輔助阻擋層

圖1是一剖視示意圖，說明一結晶矽太陽能電池；

圖2是一剖視示意圖，習知的結晶矽太陽能電池的製造方法；

圖3是一流程圖，說明本發明結晶矽太陽能電池的製造方法一第一較佳實施例；

圖4是一剖視示意圖，說明本發明該第一較佳實施例；

圖5是一流程圖，說明於本發明結晶矽太陽能電池的製造方法的步驟34還先製作一輔助阻障層單元；

圖6是一剖視示意圖，說明本發明一第二較佳實施例；

圖7是一剖視示意圖，說明本發明一第三較佳實施例；

圖8是一剖視示意圖，說明本發明一第四較佳實施例；

圖9是一剖視示意圖，說明本發明一第五較佳實施例；

圖10是一流程圖，說明本發明一第六較佳實施例；及

圖11是一剖視示意圖，說明該第六較佳實施例。

31．．．步驟

32．．．步驟

33．．．步驟

34．．．步驟

35．．．步驟

Claims (11)

1. 一種結晶矽太陽能電池的製造方法，包含：(a)於一結晶矽基材的一第一表面設置一阻障層單元，其中，該阻障層單元包括一由摻雜五族元素的氧化矽為主要材料構成的阻擋層，及至少一由氧化矽為主要材料構成的隔離層；(b)於該結晶矽基材相反於該第一表面的一第二表面摻雜硼，該阻擋層阻擋硼，而使該結晶矽基材自該第二表面向該阻擋層方向形成一p型層體；(c)選擇性地移除該阻障層單元的預定結構；及(d)於該第一表面對該結晶矽基材進行摻雜，而使該結晶矽基材自該第一表面向該第二表面方向形成一n型層體。
2. 根據申請專利範圍第1項所述之結晶矽太陽能電池的製造方法，其中，該步驟(a)的該阻障層單元包括二由氧化矽為主要材料構成的隔離層，且該二隔離層與該阻擋層交錯疊置。
3. 根據申請專利範圍第1項所述之結晶矽太陽能電池的製造方法，其中，該步驟(a)於該結晶矽基材上依序設置該阻擋層及一隔離層而構成該阻障層單元。
4. 根據申請專利範圍第2或3項所述之結晶矽太陽能電池的製造方法，其中，該步驟(c)移除該阻障層單元的隔離層和阻擋層。
5. 根據申請專利範圍第4項所述之結晶矽太陽能電池的製造方法，其中，該步驟(d)在對該結晶矽基材摻雜前，先於該結晶矽基材的第二表面形成一輔助阻障層單元，該輔助阻障層單元包括一由n型的氧化矽為主要材料構成的輔助阻擋層及至少一由氧化矽為主要材料構成的輔助隔離層，並在摻雜後移除該輔助阻障層單元。
6. 根據申請專利範圍第5項所述之結晶矽太陽能電池的製造方法，其中，該步驟(d)於該結晶矽基材設置二輔助隔離層而與該輔助阻擋層交錯疊置構成該輔助阻障層單元。
7. 根據申請專利範圍第5項所述之結晶矽太陽能電池的製造方法，其中，該步驟(d)先於該結晶矽基材設置一輔助隔離層，再於該輔助隔離層上設置輔助阻擋層，而構成該輔助阻障層單元。
8. 根據申請專利範圍第6或7項所述之結晶矽太陽能電池的製造方法，還包含一於該步驟(d)後的步驟(e)，該步驟(e)是形成一與該p型層體及該n型層體電連接的電極單元。
9. 根據申請專利範圍第2或3項所述之結晶矽太陽能電池的製造方法，其中，該步驟(c)自該阻障層單元最遠離該結晶矽基材的層體移除該隔離層和該阻擋層，並至少留下與該結晶矽基材連接的該隔離層的預定厚度層體結構而成一抗反射層。
10. 根據申請專利範圍第9項所述之結晶矽太陽能電池的製造方法，其中，該步驟(d)在對該結晶矽基材摻雜前，先於該結晶矽基材的第二表面設置一由二層成n型的氧化矽為主要材料構成的輔助隔離層，及一層由氧化矽為主要材料構成的輔助阻擋層層交錯疊置構成的輔助阻障層單元，並在摻雜後自該輔助阻障層單元最遠離該結晶矽基材的層體移除該輔助隔離層和該輔助阻擋層，並至少留下與該結晶矽基材連接的輔助隔離層的預定厚度層體結構而成一抗反射層。
11. 根據申請專利範圍第9項所述之結晶矽太陽能電池的製造方法，其中，該步驟(d)在對該結晶矽基材摻雜前，先於該結晶矽基材的第二表面設置一依序由一以氧化矽為主要材料構成的輔助阻擋層及一成n型的氧化矽為主要材料構成的輔助隔離層疊置構成的輔助阻障層單元，並在摻雜後移除該輔助阻障層單元。