TW201323860A - 用於預測沈積之汙染物的成長率之方法和設備 - Google Patents

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Abstract

一種微影系統(10)係包括一用於投射輻射到一基板上的輻射投射系統(20)、一用於載入及定位該待處理的基板在該投射的輻射的路徑中的基板傳輸系統(30)、一用於控制該基板傳輸系統以移動該基板的控制系統(40)、以及一配置以用於判斷一特定類型的光阻是否適合藉由在該微影系統內的輻射加以曝光的光阻特性分析系統(50)。該光阻特性分析系統(50)可被配置以用於利用一或多個輻射射束來曝光在該基板的一表面上的該光阻、量測從該光阻發出的分子片段的一質量分布、根據一成長率模型以及該量測到的質量分布來預測沉積的分子片段的一成長率、並且比較該預期的成長率與一預設的臨界成長率。

Description

用於預測沈積之汙染物的成長率之方法和設備
本發明係有關於沉積的污染物在處理系統中的成長，並且尤其有關於一種用於預測沉積的污染物的成長率之方法和設備，該沉積的污染物係產生自一藉由一或多個輻射射束進行處理的物質所排氣之氣體污染物的沉積。本發明亦有關於一種包括一光阻特性分析系統之微影系統以及一種用於判斷一光阻用在一微影系統的合適性之方法。
半導體產業對於製造不斷變小的裝置結構以例如用於積體電路(IC)之渴望係驅使利用非常低波長的微影系統之開發。此種系統的例子係包含(但不限於)極紫外線(EUV)的微影系統以及帶電粒子的微影系統，其係利用電子或離子射束以提供一圖案到一目標基板的表面之上。
在微影系統內的構件容易受到在該微影系統的動作期間，在構件表面上逐漸沉積的污染物之影響。尤其，污染物可能會因為卡在系統表面上的分子片段在該微影系統內的輻射影響下的反應而形成。例如，在利用EUV或帶電粒子射束的照射下，氣體的碳氫化合物可能會在系統構件的曝光表面上形成一層碳。氣體的化合物在系統構件的表面上沉積的結果是該微影系統的可靠度及/或操作正確性會隨著時間而降低。最終，該微影系統係無法在預設的要求下操作，並且故障的構件需要被清淨或是替換。然而，構件 的清淨及替換都是耗時且昂貴的，並且導致該微影系統停機時間顯著的增長。
在微影系統中之氣體的碳氫化合物之一重要來源是光阻層，該光阻層係設置在一待曝光的基板表面的頂端上，並且接著曝光到例如是EUV的輻射、或例如是電子之帶電的微粒。可選擇合適的光阻以限制在一微影系統中因為從光阻排出的分子片段，尤其是因為該光阻曝光到輻射射束而排出的分子片段所引起的污染。然而，目前所使用的用於特性分析光阻之方法是勞力密集且耗時的。
本發明之一目的是提供一種用於特性分析一用於一微影系統的光阻層之方法和設備，其可以輕易地在有限的時間期間內加以應用。為此目的，本發明係提供一種微影系統，其係包括一用於投射輻射到一基板上的輻射投射系統、一用於載入及定位該待處理的基板在該投射的輻射的路徑中的基板傳輸系統、一用於控制該基板傳輸系統以移動該基板的控制系統、以及一配置以用於判斷一特定類型的光阻是否適合藉由在該微影系統內的輻射加以曝光的光阻特性分析系統。該光阻特性分析系統可被配置以用於利用一或多個輻射射束來曝光在該基板的一表面上的該光阻、量測從該光阻發出的分子片段的一質量分布、根據一成長率模型以及該量測到的質量分布來預測沉積的分子片段的一成長率、並且比較該預期的成長率與一預設的臨界 成長率。該光阻特性分析系統係被配置以用於：利用一或多個輻射射束來曝光在該基板的一表面上的該光阻；量測從該光阻發出的分子片段的一質量分布；根據一成長率模型以及該量測到的質量分布來預測沉積的分子片段的一成長率；並且比較該預期的成長率與一預設的臨界成長率。
習知用於量測沉積的污染物的影響之方法是聚焦在量測污染的可能性或風險，而不是根據該些量測來計算一成長率。一計算出的成長率於是可以直接和一特定的微影系統所允許的最大成長率做比較。一個用以轉換一量測到的排氣速率至沉積的污染物的一成長率之模型可被利用以致能此種沉積的污染物之成長率的計算。
利用習知的方法，一光阻的排氣頻譜可以顯示出低質量的分子片段之高的排氣率，並且產生一指示為一"高風險"光阻類型。然而，沉積的污染物對於此排氣率之一計算出的成長率可能是低於一微影系統之最大成長率臨界值，因而該光阻可能是該系統可接受的。
習知的量測排氣率並且和一臨界的排氣位準做比較之方法可能是適合用於利用例如是反射鏡與玻璃透鏡的光學元件之微影系統，其可能會受到非常低位準的沉積的污染物之影響。在帶電粒子的微影及檢查系統中，該些透鏡係藉由帶電粒子射束可通過的孔來加以形成，因而沉積的污染物一般只有在孔的尺寸因為在該孔中形成沈積而顯著縮小時才變成是有問題的。在帶電粒子系統中，該沈積的成長率對於適當地判斷一光阻對於該系統的合適性而言是更 重要的。
本發明進一步的特點係被描述在所附的申請專利範圍以及以下的本發明的實施例的說明中。
以下是本發明的各種實施例的說明，其只是舉例而已並且參考該些圖。該些圖並未按照比例繪製，而且僅欲為了說明的目的而已。
本發明的某些實施例將會參考帶電粒子的微影系統，尤其是電子射束的微影系統來加以描述。因此，碳的沉積係被假設為產生自電子射束的使用，並且此種在電子射束的影響下之碳層的形成將會被稱為電子射束引發的沉積(EBID)。熟習技術者將會理解到此種碳層亦可能在其它類型的輻射，例如離子射束輻射以及EUV輻射的影響下發展出。
整份說明書係參照到"光阻"。此詞句應該被理解為有關於一種對於輻射是敏感的材料，例如通常用在圖案化一例如是矽晶圓的基板之微影系統中的材料類型。該光阻可以是一種正光阻，其中在進一步的顯影製程中，該光阻被曝光至該輻射的部分係變成可溶的。或者是，該光阻可以是一種負光阻，其中在進一步顯影製程中，被曝光至輻射的光阻部分係變成不可溶的。光阻一般是以薄層的形式施加在待曝光的基板的頂端上，以將曝光到其上之圖案轉印到其所處的基板。
整份說明書係參照到"光阻排氣"。此詞句係指輻射(例如EUV、帶電粒子、等等)引發光阻的氣體的化合物及/或分子片段的釋放。
圖1係展示可被利用在本發明的實施例中的一種微影系統10之簡化的概要示意圖。該微影系統10係包括一用於投射輻射到一待處理的例如是晶圓的基板上之輻射投射系統20。該輻射投射系統20可包含一用於產生複數個小射束(beamlet)的小射束產生器21、一用於圖案化該些小射束以形成調變的小射束之小射束調變器22、以及一用於投射該些調變的小射束到一目標的一表面上之小射束投射器23。在該輻射投射系統20內的構件通常配置成一柱，並且通常被稱為電子-光學柱或是光學柱，但亦可以被簡稱為"柱"。該輻射投射系統20可被配置以投射任何種類之適合的輻射，例如該系統20可以投射帶電粒子射束、光束、或是其它類型的射束。
該微影系統10進一步包括一用於載入一基板並且定位該待處理的基板在該些帶電粒子射束的路徑中之基板傳輸系統30。該系統10接著可進一步包括一用於控制該基板傳輸系統30以相對於該輻射投射系統20來移動該基板之控制系統40。該控制系統40可以根據藉由在該輻射投射系統20內的量測，例如是藉由干涉測量法(interferometry)的使用所獲得的位置資訊來移動。
該微影系統進一步包括一光阻特性分析系統50。該光阻特性分析系統50係被配置以用於判斷一特定類型的光阻 是否可藉由在該微影系統10內的輻射來加以曝光。該光阻特性分析系統50例如是經由一負載鎖定單元60而可耦接至該基板傳輸系統30。該負載鎖定單元60接著可傳輸一設置有一光阻層之例如是晶圓的基板至該微影設備以用於微影曝光。
圖2係概要地展示一光阻特性分析系統50的一實施例。該光阻特性分析系統50係被配置以用於量測尤其是當曝光至一輻射射束時，來自該光阻的"排氣"，亦即由該光阻發出的氣體的質量分布。該設備50係包括一腔室51，該腔室51可利用在此項技術中已知的一泵系統52而被抽空，以降低在該腔室內的壓力。該設備50係包括一用於產生一或多個輻射射束54的輻射源53、一在該表面上設置有一光阻層57的基板56、以及一量測裝置59。
該光阻層57係被曝光到該些輻射射束54，並且源自於該光阻層57之氣體的化合物係利用量測裝置59來加以量測。該量測裝置59可以是一殘留氣體分析器，例如MKS儀器公司的Microvision殘留氣體分析器。該量測裝置59係提供一光阻排氣的質量分布。此係產生該光阻層57之一量測到的"指紋"，其可被利用來預測在該微影系統中之排氣的污染物沉積的成長率，即如將會參考圖3更詳細論述者。
圖3係展示根據本發明的一實施例的一種評估一光阻用在一微影系統的合適性之方法的流程圖。該方法將會參考圖2中所描繪的光阻特性分析系統50來加以描述，儘管該方法也可被利用在一不同的系統中。
首先，在動作101中，待評估的光阻係被提供至該光阻特性分析系統50。該光阻可被提供在一例如是晶圓的基板之樣本上。或者是，該光阻可被設置在一已經存在於該光阻特性分析系統50內的樣本上。
接著，在動作102中，該光阻係藉由一或多個輻射射束來加以曝光。該輻射射束可包括複數個小射束。較佳的是，用於曝光的輻射類型係對應於將會使用該光阻的微影系統中所用的輻射類型。由於該輻射曝光，分子片段係從該光阻釋放出。該量測裝置59係在動作103中量測這些分子片段的質量分布。
該些量測結果接著在動作104中被用來預測在該微影系統中的沉積的成長率。該預測是根據在動作103中獲得的量測結果。此外，一模型110係被使用。該模型係根據由已知的分子成分所產生之輻射(較佳的是利用不同的輻射強度)引發的沉積之先前的量測。有關該模型110的進一步細節將會參考圖4及5a-5c來加以論述。
較佳的是，該成長率的預測亦根據微影系統的一幾何因數120。該幾何因數係代表特定的微影系統或是微影系統的類型對於輻射引發的沉積之成長率的影響。因此，對於不同類型的微影系統而言，幾何因數可能是不同的。有關獲得一微影系統的幾何因數之進一步細節將會參考圖6來加以論述。
最後，在動作105中，該微影系統中的沉積之預測的成長率係相較於一預設的臨界成長率值。較佳的是，該預 設的臨界成長率值係對應於考慮到該微影系統所要的正常工作時間需求之最大可允許的成長率。若該預測的成長率超出該預設的臨界成長率值，則該光阻係被視為不適合用於該微影系統，並且因此被排除。在另一方面，若該預測的成長率是低於此種預設的臨界成長率，則該光阻係被視為適合用於該特定類型的微影系統，並且因此被接受。
此種評估一光阻用在一微影系統的合適性之方法是相當容易執行的，並且在不引起高成本下提供快速的結果。
該方法的實施例或部分可藉由一處理器來加以執行。該處理器可被配置以執行一電腦程式。此種電腦程式可被儲存在一電腦可讀取的媒體上，該電腦可讀取的媒體可被載入到一包括該處理器的電腦系統中。
該用於評估一光阻用在一微影系統的合適性之方法並不限於預測由於曝光到輻射射束所引起的污染物成長率，而是亦可在無曝光下或是在曝光前，被利用來應用到量測由於升高的溫度以及其它因素所引起的污染物的排氣以及所產生的污染物成長。
對於光阻的要求可能隨著每一種微影類型而變化。例如，在EUV微影中，難以藉由清淨方法移除的元素及/或分子(例如，包含矽、磷光體及硫的分子及/或由矽、磷光體及硫所構成的分子)的分子片段係和碳氫化合物產生實質等同重要的作用。若在清淨後有一層僅有幾奈米的不可清除的殘留物留在一反射鏡的表面上，則該反射鏡的光學性質(尤其是其反射度)的品質仍然會顯著地降低。在另一方面，在 帶電粒子射束微影(例如，電子射束微影)的情形中，此種"不可清除的"分子及/或元素係產生較不重要的作用，因為在一電子光學元件的使用壽命期間，一較厚的不可清除的殘留物層是可接受的。已經發現到對於一具有大於100nm的厚度的殘留物層，透射損失會開始產生作用。
再者，在EUV微影系統中的光學構件的表面性質是非常不同於在帶電粒子射束的微影系統中的光學構件的表面性質。一般而言，在EUV微影系統中的某些不可清除的分子片段在帶電粒子射束的微影系統中實際上可能是可移除的。
圖4係概要地展示一種可被利用於形成一輻射引發的沉積成長率模型以用於圖3的方法之設備200的一實施例。該設備200係包括一適合用於包含真空的腔室201，其可以利用一泵系統202而被抽空，且較佳的是設置有一可控制的開口，例如其係包括一閥214。該腔室係包含一可控制的入口215(例如藉由一適合的閥來達成)，以用於容許預設的氣體的化合物進入該腔室201。該設備200進一步包含一輻射源203、一用於定位一樣本205在該輻射射束的路徑中的樣本保持器204、一輻射轉換元件207、一相機209以及一量測裝置210。
在該所示的實施例中，該輻射源203是一電子源，其係被配置以用於在該樣本205的方向(在圖4中概要地表示為箭頭220)上產生一電子射束。該樣本205可具有一孔隙板的形式，亦即一設置有複數個穿孔的板(例如在帶電粒子 的微影系統中所使用者)。此可以是一孔徑陣列或射束阻擋板，例如在帶電粒子射束的微影系統中所使用者、或者可以是一特別被建構以用於該測試設備的板。該孔隙板的存在係導致複數個電子小射束的產生，該些電子小射束的圖案係對應於在該板中的孔的圖案。該複數個電子小射束係概要地藉由虛線箭頭222來表示。該電子射束的其餘部分係被該樣本板所阻擋。
該相機209係設置有一輻射轉換元件207，該輻射轉換元件207係被配置以利用藉由電子撞擊到該轉換元件207上所獲得的能量，以產生並且發出光子。此種轉換元件207的一例子將會是YAG(釔鋁石榴石)閃爍體。藉由該孔隙板所形成的複數個電子小射束係撞擊在該轉換元件207上，並且形成具有一圖案為對應於電子小射束的圖案之複數個光點。該些光點係接著藉由該相機209來加以記錄。
一孔隙板的使用係容許輻射引發的沉積能夠在線上記錄，而不需移開該樣本205才能做進一步分析。因此，該輻射引發的沉積的量及成長率可以在較長的連續時間期間加以監測。利用該相機209來監視該輻射引發的沉積參數係容許有直接的回授。再者，在該量測後並不需要特性分析，儘管此種事後的特性分析可為了檢查的目的而被執行。
該可控制的入口215係被配置以致能預設的例如是分子片段之氣體的化合物之受控制的進入。該量測裝置210係被配置以用於量測由於在該電子射束/小射束以及該預設的氣體的化合物之間的交互作用而形成的污染物的質量。 該量測裝置210可以是一質譜儀，例如，MKS設備公司的Microvision殘留氣體分析器。
該量測裝置210係通訊地連接至一處理器211。該處理器211亦通訊地連接至該相機209。該處理器211可進一步通訊地連接至一記憶體213。該記憶體213以及該處理器211可以是單一電腦系統的部分，但是它們亦可被設置在不同的位置處。該處理器係被配置以執行致能一模型的形成之計算。有關此模型形成的更多細節將會參考圖5a-5c加以解說。
圖5a係展示在圖4的設備中所做的一範例的相機影像。該影像係顯示複數個點，該些點的位置係對應於該孔隙板中的孔的位置。該些點的尺寸係由於輻射引發的沉積阻塞在該樣本205中的孔而改變。該相機209係被配置以記錄該孔隙板205(的部分)的整體透射。由於該些孔受到污染物(例如EBID)的阻塞，因此射束通過該樣本孔隙板的透射將會在時間上隨著該沉積的污染物累積且該些孔的直徑縮減而降低。藉由量測該孔隙板相對時間的透射損失，該輻射引發的沉積的成長率可被計算出。
圖5b係展示利用該量測裝置210(在此特定的例子中是殘留氣體分析器(RGA))而得到的質譜量測之一範例的結果。在此例子中係假設具有質量45及更高的微粒在輻射引發的沉積中產生作用。根據利用該量測裝置210所得到的質譜量測，一部分壓力可藉由加總(summation)而被推導出。此種加總的使用是相當容易並且特別適合使用在對於 非可清除的分子片段較不敏感的微影系統，例如帶電粒子的微影系統。圖5c係概要地展示對於不同的電流密度，代表成長率為污染物的部分壓力的一函數之曲線。在此特定的例子中，曲線I、II及III係分別對應於電子射束的電流密度1A/m2、30A/m2及45A/m2。該模型係根據成長率曲線，例如曲線I、II及III來加以形成。該模型的形成可藉由處理器(例如，圖4中的處理器211)來加以執行。該處理器可被配置以執行一電腦程式。此種電腦程式可包括容許執行一種形成該模型的方法之元件。該電腦程式可被儲存在一電腦可讀取的媒體上，該電腦可讀取的媒體可被載入到一包括該處理器的電腦系統中。
圖6係概要地展示一種用於決定一微影系統的幾何因數之設備300的一實施例。該設備300係包括一腔室301，該腔室301可利用一泵系統302而被抽空。該設備300係包括一用於產生一或多個輻射射束320的輻射源303、一用於定位一樣本305在該輻射射束的路徑中的樣本保持器、一可以移動在一實質垂直於由該輻射源所發射的輻射方向上的捲帶307、以及一量測裝置310。
該捲帶307係設置有一光阻層308(被展示為只在該捲帶的一部分上，儘管其可被施加至該捲帶的整個表面)，較佳的是進行該光阻層308的一光阻的質譜量測以發展出該模型。該光阻層308係以仿效在一特定類型的微影系統中的曝光之方式來加以曝光。為此理由，該捲帶307係持續地加以輸送，使得施加至該光阻的輻射劑量實質對應於此 種光阻在被研究的微影系統類型中將會接收到的劑量。為了輸送，該捲帶例如可藉由如同在圖6中所示的兩個捲軸312a、312b來加以傳送。然而，替代的用於傳送該捲帶307之方法也是可行的。為了降低原本不會發生在被研究的微影系統內的熱影響，該捲帶307可以適當地藉由一冷卻元件314來加以冷卻。
此外，該樣本305較佳的是對應於被研究的微影系統中之最重要的元件，並且其尺寸、形狀以及其相對該光阻的位置較佳的是實質相同於被研究的微影設備內的此種元件的尺寸、形狀以及位置。
在所展示的例子中，該設備300係被配置以用於模仿多個小射束的電子射束微影設備。因此，該樣本305具有一孔徑陣列的形式。實際的曝光參數現在可以藉由選擇一適合的射束能量以及該捲帶307的一適合的傳輸速度(藉由以一適合的轉速來旋轉該捲軸312a、312b)來加以模仿。
藉由模仿撞擊在光阻上的輻射能量結合被研究的微影系統的最容易受影響的部分之幾何，可以獲得該光阻排氣之一可靠的量測。該排氣可以利用該量測裝置310來加以量測。在一對應於在被研究的微影系統中之大量(例如大約1000或更多次)的晶圓曝光的曝光期間後，該樣本305係從該設備300被移除，並且輻射引發的沉積量係被量測。
因此，該設備300係提供有關被研究的微影系統的幾何對於輻射引發的沉積的成長率之影響的資訊，並且因此被稱為該幾何因數。該幾何因數可以改善在該微影系統中 的輻射引發的沉積成長率的預測品質。該幾何因數可以利用一通訊地耦接至該量測裝置310的處理器(例如圖4中所描繪的處理器211)來加以計算出。
一種用於決定一微影系統的幾何因數之設備300的使用是特別有用於其中輻射到光阻的排氣源(亦即待曝光的基板)上之最後的投射係藉由一具有被設置成非常靠近該光阻排氣源的透鏡之透鏡系統來執行的微影系統設計。就真空傳導性而論，此種投射系統的模擬是極其複雜的，並且理論上要獲得該投射系統內的位置之實際的壓力實際上是不可行的。該設備300於是致能根據實驗來判斷此種壓力。
本發明已經參考以上所論述的一些實施例來加以敘述。將會體認到的是，這些實施例是容許有對於具有此項技術者而言為眾所週知的各種修改及替代的形式，而不脫離本發明的精神與範疇。於是，儘管特定的實施例已經加以敘述，但這些實施例只是例子而已，並且不對本發明的範疇有所限制，本發明的範疇係界定在所附的申請專利範圍中。
10‧‧‧微影系統
20‧‧‧輻射投射系統
21‧‧‧小射束產生器
22‧‧‧小射束調變器
23‧‧‧小射束投射器
30‧‧‧基板傳輸系統
40‧‧‧控制系統
50‧‧‧光阻特性分析系統
51‧‧‧腔室
52‧‧‧泵系統
53‧‧‧輻射源
54‧‧‧輻射射束
56‧‧‧基板
57‧‧‧光阻層
59‧‧‧量測裝置
60‧‧‧負載鎖定單元
101-105‧‧‧動作
110‧‧‧模型
120‧‧‧幾何因數
200‧‧‧設備
201‧‧‧腔室
202‧‧‧泵系統
203‧‧‧輻射源
204‧‧‧樣本保持器
205‧‧‧樣本
207‧‧‧輻射轉換元件
209‧‧‧相機
210‧‧‧量測裝置
211‧‧‧處理器
213‧‧‧記憶體
214‧‧‧閥
215‧‧‧可控制的入口
220‧‧‧樣本205的方向
222‧‧‧電子小射束
300‧‧‧設備
301‧‧‧腔室
302‧‧‧泵系統
303‧‧‧輻射源
305‧‧‧樣本
307‧‧‧捲帶
308‧‧‧光阻層
310‧‧‧量測裝置
312a、312b‧‧‧捲軸
314‧‧‧冷卻元件
本發明的各種特點將會參考在圖式中所示的實施例來進一步解說，其中：圖1係展示根據本發明的一實施例的微影系統之簡化的概要示意圖；圖2係概要地展示用於量測光阻排氣的質譜的設備的 一實施例；圖3係展示根據本發明的一實施例的一種評估一光阻用在一微影系統的合適性之方法的流程圖；圖4係概要地展示一種可被利用於形成一成長輻射引發的沉積成長率模型之設備的一實施例；圖5a係展示在圖4的設備中做出的一範例的相機影像；圖5b係展示在圖4的設備中做出的一質譜量測的一範例的結果；圖5c係概要地展示對於不同的電流密度，代表成長率為污染物的部分壓力的一函數之曲線；以及圖6係概要地展示一種用於決定一微影系統的幾何因數的設備的一實施例。
101-105‧‧‧動作
110‧‧‧模型
120‧‧‧幾何因數

Claims (22)

  1. 一種微影系統(10)，其係包括：一用於投射輻射到一基板上的輻射投射系統(20)；一用於載入及定位該待處理的基板在該投射的輻射的路徑中的基板傳輸系統(30)；一用於控制該基板傳輸系統以移動該基板的控制系統(40)；以及一配置以用於判斷一特定類型的光阻是否適合藉由在該微影系統內的輻射加以曝光的光阻特性分析系統(50)，其中該光阻特性分析系統(50)係被配置以用於：利用一或多個輻射射束來曝光在該基板的一表面上的該光阻；量測從該光阻發出的分子片段的一質量分布；根據一成長率模型以及該量測到的質量分布來預測沉積的分子片段的一成長率；以及比較該預期的成長率與一預設的臨界成長率。
  2. 如申請專利範圍第1項之系統，其中預測該成長率係包括根據該量測到的質量分布來導出一部分壓力，並且其中該成長率模型是根據較早對於藉由已知的分子成分就不同的部分壓力所引起之輻射引發的沉積的量測。
  3. 如申請專利範圍第2項之系統，其中該輻射係具有一或多個帶電粒子小射束的形式，並且其中該較早的輻射引發的沉積的量測係對於該一或多個帶電粒子小射束之不同的電流密度來加以執行的。
  4. 如申請專利範圍第1-3項中的任一項之系統，其中該輻射投射系統(20)係包括一用於產生複數個小射束的小射束產生器(21)、一用於圖案化該些小射束以形成調變的小射束的小射束調變器(22)、以及一用於投射該些調變的小射束到該基板的一表面上的小射束投射器(23)。
  5. 如申請專利範圍第1-3項中的任一項之系統，其中該光阻特性分析系統(50)係耦接至該基板傳輸系統(30)，該基板傳輸系統(30)係用於傳輸一基板至該微影系統以用於微影曝光。
  6. 如申請專利範圍第1-3項中的任一項之系統，其中該光阻特性分析系統(50)係包括一腔室(51)、一配置用於抽空該腔室以降低在該腔室內的壓力的泵系統(52)、一用於產生一或多個輻射射束(54)的輻射源(53)、一在該表面上設置有一光阻層(57)的基板(56)、以及一量測裝置(59)。
  7. 如申請專利範圍第6項之系統，其中該量測裝置(59)係提供一光阻排氣質量分布。
  8. 如申請專利範圍第6項之系統，其中該量測裝置(59)係包括一殘留氣體分析器。
  9. 一種用於判斷一光阻用在一微影系統的合適性之方法，該方法係包括：提供一基板，其係在該基板的一表面上具有該光阻；利用一或多個輻射射束來曝光該光阻；量測從該光阻發出的分子片段的一質量分布；根據一成長率模型以及該量測到的質量分布來預測沉 積的分子片段的一成長率；以及比較該預期的成長率與一預設的臨界成長率。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中預測該成長率係包括根據該量測到的質量分布來導出一部分壓力，並且其中該成長率模型是根據較早對於藉由已知的分子成分就不同的部分壓力所引起之輻射引發的沉積的量測。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該輻射係具有一或多個帶電粒子小射束的形式，並且其中該較早的輻射引發的沉積的量測係對於該一或多個帶電粒子小射束之不同的電流密度來加以執行的。
  12. 如申請專利範圍第9-11項中的任一項之方法，其中該臨界成長率係對應於一低於該微影系統可允許的一最大成長率之成長率。
  13. 如申請專利範圍第9-11項中的任一項之方法，其中預測沉積的分子片段的成長率係進一步根據一幾何因數，該幾何因數係代表該微影系統的一或多個性質的影響。
  14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該幾何因數係代表該微影系統的幾何對於該沉積的成長率的影響。
  15. 如申請專利範圍第9-11項中的任一項之方法，其中該模型係有關於該些分子片段的輻射引發的沉積的成長率。
  16. 如申請專利範圍第9-11項中的任一項之方法，其中該模型係包含複數個不同的分子片段的成長率。
  17. 如申請專利範圍第9-11項中的任一項之方法，其中 該模型係包含對於該輻射射束的不同強度的成長率。
  18. 如申請專利範圍第9-11項中的任一項之方法，其中導出該部分壓力係包括利用該些分子片段之量測到的質量分布的加總。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該模型係包含成長率為部分壓力的一函數。
  20. 一種電腦可讀取的媒體，其係在藉由一處理器執行時，用於執行根據申請專利範圍第9-19項中任一項之用於評估一光阻用在一微影系統的合適性之方法。
  21. 一種用於預測沉積的污染物的一成長率之方法，該些沉積的污染物係產生自一藉由一或多個輻射射束來進行處理的物質所排氣之氣體污染物的沉積，該方法係包括：利用該一或多個輻射射束來曝光該物質；量測從該物質發出的該些污染物的分子以及分子片段的一質量分布；根據一成長率模型以及該量測到的質量分布來預測該些污染物的沉積的分子以及分子片段的一成長率；以及比較該預期的成長率與一預設的臨界成長率。
  22. 一種用於預測沉積的污染物的一成長率之設備，該些沉積的污染物係產生自一藉由一或多個輻射射束來進行處理的物質所排氣之氣體污染物的沉積，該設備係包括：一腔室(51)；一配置用於抽空該腔室以降低在該腔室內的壓力的泵系統(52)： 一用於產生該一或多個輻射射束(54)的輻射源(53)；一基板(56)，其係在該基板的一表面上設置有該物質(57)；一用於量測從一物質排氣的該些氣體污染物的一質量分布的量測裝置(59)；以及一處理器，其係被配置以根據一成長率模型以及該量測到的質量分布來預測該些沉積的污染物的一成長率。
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