TW201321537A - 鍍膜設備 - Google Patents

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TW201321537A
TW201321537A TW100144354A TW100144354A TW201321537A TW 201321537 A TW201321537 A TW 201321537A TW 100144354 A TW100144354 A TW 100144354A TW 100144354 A TW100144354 A TW 100144354A TW 201321537 A TW201321537 A TW 201321537A
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TW
Taiwan
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coating
wall
cooling
coolant flow
chamber
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TW100144354A
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Teng-Tsung Huang
Hua-Yong Xu
Zhen-Zhang Liu
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Hon Hai Prec Ind Co Ltd
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

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Abstract

一種鍍膜設備,包括鍍膜室,該鍍膜室包括腔壁,該鍍膜設備還包括設有冷卻液流道,該冷卻液流道設置於腔壁內,以便用於裝設冷卻液體鍍膜室進行冷卻。

Description

鍍膜設備
本發明涉及用於一種鍍膜設備,尤其涉及一種對條狀且尺寸較小的工件進行鍍膜的裝置。
在真空濺射鍍膜技術中為了提高鍍膜室內的真空度及提高膜層與基材的結合力,一般的真空鍍膜室的溫度須保持200℃~300℃,這就要求真空濺射鍍膜設備鍍膜室必須有一個非常良好的冷卻系統。冷卻效果不好,將會影響鍍膜性能,真空濺射鍍膜的腔體使用壽命也將大幅度縮短。目前被採用比較多的冷卻方式有冷板式﹑蜂槽式,兩種冷卻方式都係在腔體外壁焊接冷板及蜂槽。進行鍍膜時,鍍膜室內溫度須加熱到200℃~300℃,使傳統的冷卻方式,冷卻水溫度一般要低至9℃左右。當腔體長時間沒加熱但冷卻水卻長時間在腔體頂壁循環時,腔體頂壁外部會出現冷凝水。由於真空濺射鍍膜要求靶座與腔體之間必須絕緣,如果腔體頂壁冷凝水出現過多會導致它們導通,嚴重影響鍍膜的正常進行。另外如果冷凝水長期大面積出現,容易導致腔體外壁生銹,使之在生產應用領域受到了限制。
有鑒於此,本發明提供了一種工藝簡單,對鍍膜室冷卻效果好的鍍膜設備。
一種鍍膜設備,包括鍍膜室,該鍍膜室包括腔壁,該鍍膜設備還包括設有冷卻液流道,該冷卻液流道設置於腔壁內,以便用於裝設冷卻液體鍍膜室進行冷卻。
與習知技術相比,本發明的鍍膜設備相對於習知冷卻方式在冷卻水等條件相同的條件下能極大地提升冷卻效果,這樣鍍膜室頂壁或底壁外部出現的冷凝水將大幅度減少,從而有效地解決鍍膜設備頂壁出現冷凝水過多所導致的真空濺射鍍膜靶座與鍍膜室之間導通,嚴重影響鍍膜的正常進行問題。同時也解決了腔體外壁生銹所帶來的減少鍍膜設備使用壽命的問題。
參見圖1,本發明較佳實施方式的鍍膜設備10,包括一鍍膜室11,及設置在該鍍膜室11的鍍膜室頂壁13或鍍膜室底壁15內的冷卻裝置20。
該冷卻裝置20包括冷卻用冷卻液流道23、進液口25、一出液口25。
參見圖2,該冷卻裝置20籍由在鍍膜設備10的鍍膜室頂壁13或鍍膜室底壁15外表面車削或鐳射開槽的方式,形成冷卻液流道23,該冷卻液流道23的深度可為10mm-15mm,在籍由上述的方式形成冷卻液流道23後,在流道上方可焊接2mm-5mm厚的不銹鋼鋼板(未圖示)把冷卻液流道23完全密封,只留下一個進液口25,一個出液口27,用於形成一個對鍍膜室11冷卻的液體循環冷卻液流道23。
可以理解,該冷卻裝置20中的冷卻液流道23的排布方式和形狀可為不規則的排布,由圖2可知,在本優選的實施例中,其冷卻液流道23為對稱彎曲設計,其也可根據冷卻效果的不同,籍由增加彎曲次數來增加冷卻液流道23的總長度,使得其有效的冷卻的冷卻液流道23面積增加,提供冷卻效果。
可以理解,該冷卻裝置20也可籍由將預先水管埋置在鍍膜設備10的鍍膜室頂壁13或鍍膜室底壁15內,留有兩個進液口和出液口,即不需要在其鍍膜設備10的鍍膜室頂壁13或鍍膜室底壁15開設冷卻液流道23。
可以理解,該冷卻液可以採用水或冰水。
參見圖1及2,在鍍膜設備10的冷卻裝置20工作時,在本優選的實施例中,對該冷卻裝置20通入循環冷水,將冷水從冷卻裝置20進液口23流進流道,從該出液口25流出,使得該冷卻液流道23中一直保持有冷卻水的交換。從而,完成冷卻過程。
與習知技術相比,本發明的鍍膜設備10為一種新型的冷卻方式,即係在鍍膜設備10的鍍膜室頂壁13或鍍膜室底壁15的外側挖流道,與傳統的冷卻方式都係在腔體外壁焊接冷板﹑蜂槽的方式相比,此方法使冷卻水深入到需冷卻的鍍膜室11上下壁的鋼板的內部,在冷卻水等條件相同地條件下能極大地提升冷卻效果。進行鍍膜作業時,在保證冷卻效果的條件下,可以適當提高冷卻水溫度5℃~10℃,這樣鍍膜室頂壁13或鍍膜室底壁15外部出現的冷凝水將大幅度減少,從而有效解決鍍膜設備10的鍍膜室11外壁冷凝水出現過多導致靶座與腔體短路及鍍膜設備10外壁生銹的問題。
10...鍍膜設備
11...鍍膜室
13...鍍膜室頂壁
15...鍍膜室底壁
20...冷卻裝置
23...冷卻液流道
25...進液口
27...出液口
圖1係本發明鍍膜設備的整體示意圖。
圖2係安裝在鍍膜設備底壁內的冷卻裝置平面示意圖。
15...鍍膜室底壁
20...冷卻裝置
23...冷卻液流道
25...進液口
27...出液口

Claims (4)

  1. 一種鍍膜設備,包括鍍膜室,該鍍膜室包括腔壁,其改良在於:該鍍膜設備還包括設有冷卻液流道,該冷卻液流道設置於腔壁內,以便用於裝設冷卻液體鍍膜室進行冷卻。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜設備,其中所述腔壁包括頂壁及底壁,所述冷卻液流道為設置於頂壁及底壁內,且籍由對該頂壁及底壁外表面車削或鐳射開槽的方式形成,然後在該冷卻液流道上方焊接有不銹鋼板,把冷卻液流道完全密封,形成一個進液口,一個出液口用於對鍍膜室冷卻的水循環。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之鍍膜設備,其中所述冷卻液流道開設的深度為10mm-15mm,所述覆蓋在冷卻液流道不銹鋼板的厚度為2mm-5mm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之鍍膜設備,其中所述冷卻液流道為一水管,該水管設置於腔壁中的頂壁或底壁,該水管包括兩個進液口和出液口。
TW100144354A 2011-11-28 2011-12-02 鍍膜設備 TW201321537A (zh)

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