TW201320366A - 具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法及其太陽能電池 - Google Patents

具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法及其太陽能電池 Download PDF

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Abstract

一種具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法及其太陽能電池，係以印刷方式形成遮罩，然後使用濕蝕刻或乾蝕刻在一矽半導體基板上蝕刻出彎曲狀溝槽之方法；當操作時，其以印刷方式形成之遮罩作為阻擋蝕刻劑對覆蓋遮罩之矽半導體基板區域蝕刻，並使未受遮罩覆蓋之矽半導體基板區域受蝕刻劑蝕刻，以此產生具有圖樣之複數條溝槽，且該些溝槽為彎曲狀。藉此，本發明以濕式或乾式蝕刻出前述彎曲狀溝槽陣列，可較不易在製程上引起破片，且其深度係可較傳統直線形溝槽為深，更能形成較長波長光能轉換成之電子被電極收集之效率較大之情況，係一個可以量產化生產且能夠產生高製成良率之製程方法，不僅具有製程容易、設備成本低，且更能製作具有較高性能之太陽能電池元件者。

Description

具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法及其太陽能電池
本發明係有關於一種具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法及其太陽能電池，尤指涉及一種在矽基板上以化學濕式藥劑或以乾蝕刻製程蝕刻出彎曲狀溝槽之方法，特別係指使用此方法製作具有埋入式電極之矽基板太陽能電池。
一般具有埋入式電極之太陽能電池(Buried-Contact Solar Cell)，係指在該太陽能電池之照光側表面，亦即前表面製作溝槽陣列(Trench Array)，並於溝槽內鍍製或鋪設金屬電極，如第6圖所示，其為中華民國專利第201110372號「以印刷塗佈形成遮罩而製作埋入式電極太陽能電池之方法以及該太陽能電池」，此專利即為一個具有埋入式電極15之P-N接面太陽能電池。該習用太陽能電池之矽基板(Silicon Wafer)大多具有P型電性，其前表面之溝槽一般係以雷射雕刻製成而呈直線狀排列，且在溝槽內電極周邊之矽區域為摻雜濃度較高之第一N型層14(即n++層)，非溝槽之矽區域則為摻雜濃度較低之第二N型層12(即n+層)。製作此具有選擇性射極(Selective Emitter)與埋入式電極方法之一，係先在低摻雜濃度之P型矽基板11，以磷擴散於其表面以下區域形成淺薄之第二N型層12，然後再成長鈍化層以及抗反射層(或兼具鈍化功能之抗反射層13，例如氮化矽層)。接著以雷射或機械方式在表面雕刻出複數條溝槽，亦即溝槽陣列，唯並不使用黃光製程技術(Photolithography)。其溝槽開口之表面以下薄薄一層區域係以磷擴散方式形成摻雜濃度較高之第一N型層14，之後製作金屬電極於溝槽中，形成埋入式電極15。習用金屬電極製作之另一例為使用含磷之銀膏塗於溝槽中，然後以快速高溫退火(Firing)方式使磷擴散至溝槽表面以下區域形成第一N型層14。第6圖所示之習用太陽能電池亦含有背電極16，在電池背面處亦含有背表面場層17(Layer of Back Surface Field;BSF Layer)，以及在前表面處具有表面粗紋化結構18(Texture)以造成光線捕捉(Light Trapping)效果，增加光電轉換效率。上述習用技術以雷射或機械方式雕刻出寬數十微米與數倍於寬度之深度之溝槽，所形成之埋入式電極太陽能電池，其光電轉換效率在文獻已有超過22%之報導。
習知之製作前述具有選擇性射極與埋入式電極之方法，另有以一次擴散製程同時形成前述第一N型層與第二N型層者。其製程係首先在前表面具有粗化結構之P型矽基板上塗佈一層介電質(Dielectric)，例如氮化矽或氧化矽層。然後將介電質層圖樣化，以及向矽基板挖蝕而形成複數條溝槽，因此形成在溝槽區之矽基板無介電質層覆蓋，且其餘前表面之矽基板區域受介電質層覆蓋之情況。接著，將該矽基板置入擴散爐形成N型層。由於非溝槽區受適當厚度之介電質層覆蓋，其所產生之摻雜濃度較溝槽區者為低，遂形成選擇性射極結構。最後，將金屬置於溝槽中，遂形成埋入式電極之結構。
習知之埋入式電極太陽能電池，其溝槽深度影響較長波長光能轉換電能之效率，一般說來，溝槽越深其效率越大。唯，傳統上由雷射雕刻而成之溝槽呈長條直線形，如第7圖所示，其係俯視矽基板太陽能電池正面之埋入式電極線22分佈之例子，該電極線均以導流排(Busbar)21隔開。若溝槽太深則製程上產生破片(Wafer Break)之機率將大增，造成低良率情況。
使用埋入式電極之好處包括有：其一，可大為減少金屬電極對光之遮罩。其二，埋入式電極之線寬雖然比較窄，但因深入矽基板內部，使其金屬之電阻值可與傳統覆蓋於晶圓表面之金屬電阻值相若，並由於金屬線寬較窄之故，前者電極之間距可以比後者電極之間距小很多，使得埋入式電極之太陽能電池，其內部因吸收光能而轉換產生之電子行進至電極處之平均路徑要比傳統式太陽能電池內部電子行進長度短。因此，相較於傳統式太陽能電池，埋入式電極電池之內阻便減少許多，此舉便可增加填充因子F.F.(Fill Factor)，對增加太陽能電池之光電轉換效率有不少助益。再者，因為電極係從矽基板表面深入內部數十微米乃至更深處，許多較長波長光能轉換成之電子較容易移動至電極處，更而增加電極收集電子之數量，提高短流電流，而配合之選擇性射極結構亦增加開路電壓值，此舉對太陽能電池效率之提升十分有助益。而在埋入式電極周邊製作低面電阻(Sheet Resistance)之n++層之目的，係為了減低金屬與半導體介面之接觸電阻，以有利於達到高填充因子之目的。
目前以雷射或機械方式雕刻產生複數條溝槽，亦即溝槽陣列，在實務上恐怕尚不能達到真正量產化目的，尤其在大面積矽基板上欲雕刻出為數不少之溝槽，將面臨費時或製作良率不高之困境。其原因包括有：其一，若使用雷射熔燒雕刻，則其雕刻速度不足以達高產能之快速需求；若使用複數個雷射機台，則又將面臨機具成本過高問題。其二，若使用機械刀具則亦將面臨雕刻速度緩慢問題；若使用機械排刀，其同時雕刻或許可以增加製作速度，然亦免不了刀具在矽晶圓表面來回研磨，且其製作速度亦十分緩慢，並因為晶圓上具有數量不少之溝槽孔洞，使得晶圓益加脆弱，而其研磨產生之應力將使得脆弱之晶圓破裂，造成良率低之情況。
依前述，溝槽深度影響較長波長光能轉換電能之效率，一般說來，溝槽越深，較長波長光能轉換成之電子被電極收集之效率越大。唯，溝槽太深則製程上產生破片之機率大增，故，一般習用者係無法符合使用者於實際使用時之所需。
本發明之主要目的係在於，克服習知技藝所遭遇之上述問題並提供一種可以量產且能夠產生高製成良率之製程技術，作為製作具有埋入式電極之矽基板太陽能電池之方法。
為達以上之目的，本發明係一種具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，於一較佳實施例中，係以化學藥液蝕刻出彎曲狀溝槽陣列。具體而言，本發明係揭露在具有N型半導體層與兼具鈍化效能之抗反射層之P型矽基板上，使用印刷方式塗佈具有圖樣(Pattern)之遮罩層(Mask)，作為阻擋化學藥劑溶液之侵蝕，使未塗佈遮罩處之矽基板裸露於化學藥劑溶液中遭受蝕刻而形成複數條彎曲狀溝槽，並且，該些複數條彎曲狀溝槽在幾何圖形上係至少具有一條之軌跡不含有長度超過該矽半導體基板尺寸之最小徑長五分之二之直線線段，且該些複數條彎曲狀溝槽之深度係至少為該矽半導體基板厚度之六分之一，以及該些複數條彎曲狀溝槽之開口寬度係至少為30微米(μm)。
本發明係一種具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，係使用耐蝕刻之材料，以印刷方式塗佈於一矽半導體基板表面上，經固化後形成具有圖案(Pattern)之遮罩層(Mask)，使受遮罩層覆蓋之矽半導體基板區域不受蝕刻劑(Etchant)侵蝕，而僅對未受遮罩層覆蓋之矽半導體基板區域進行蝕刻，藉此在該矽半導體基板之前表面產生複數條彎曲狀溝槽，且該些複數條彎曲狀溝槽在幾何圖形上係至少具有一條之軌跡不含有長度超過該矽半導體基板尺寸之最小徑長五分之二之直線線段。其中，該矽半導體基板係掺雜有致使其具有特定電性之掺雜元素，且該些複數條彎曲狀溝槽之深度係至少為該矽半導體基板厚度之六分之一，以及該些複數條彎曲狀溝槽之開口寬度係至少為30微米(μm)。
待上述彎曲狀溝槽蝕刻完成後，進行一系列製程程序，至少包括摻雜元素之擴散以在前表面形成淺薄之電性層、前表面塗佈介電質層、在溝槽中填入導電材料、背表面塗佈負電極、燒結與邊緣絕緣(Edge Isolation)，以完成具有彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池。
於一實施例中，該矽半導體基板之前表面係含有粗紋化結構以及一介電質層，後表面則具有一背表面場層，且該前表面之矽半導體基板區域係含有使其具有P-N接面之掺雜元素，可於該些彎曲狀溝槽形成後，對該矽半導體基板進行高溫掺雜元素之擴散，並於該些彎曲狀溝槽區域之表面形成一與該矽半導體基板電性相反之電性層，其掺雜濃度係不小於未受蝕刻之非溝槽區域之掺雜濃度。
其中，該矽半導體基板之前表面之介電質層，係至少包含二氧化矽(SiO2)、氮化矽或氮氧化矽(Silicon Oxynitride)之一；該矽半導體基板進行高溫擴散之後，係清除因擴散在矽基板表面產生之矽氧化合物以及該介電質層。
於另一實施例中，該矽半導體基板之前表面係含有粗紋化結構，後表面則具有一背表面場層，且該些彎曲狀溝槽區域之外之表面具有一作為減緩掺雜元素擴散進入該矽半導體基板內部之阻擋層，並在掺雜元素擴散進入該些彎曲狀溝槽區域表面時係形成一與該矽半導體基板電性相反之第一電性層，以及同時在未受蝕刻之非溝槽區域表面形成一第二電性層，且該第一電性層之掺雜濃度係不小於該第二電性層之掺雜濃度。
其中，在該第一電性層以及該第二電性層形成於該矽半導體基板之後，係成長一介電質層於該矽半導體基板前表面，該介電質層係至少包含有氮化矽，且該介電質層係亦可包含第一介電質層以及第二介電質層；於其中，該第一介電質層至少含有氧化矽，該第二介電質層至少含有氮化矽，且該氧化矽係可為二氧化矽或矽氧化物(SiOx)，該x≠2。
請參閱『第1圖～第3圖』所示，係分別為本發明具有彎曲狀埋入式電極之太陽能電池結構示意圖、本發明一較佳實施例之彎曲狀埋入式電極太陽能電池之埋入式電極線分佈俯視示意圖、及本發明另一較佳實施例之彎曲狀埋入式電極太陽能電池之埋入式電極線分佈俯視示意圖。如圖所示：係本發明於一較佳實施方式之說明例子，亦即為本發明所欲製作具有彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池之一例。如第1圖所示，該太陽能電池係包括有一P型矽基板31、一第一N型層34、一第二N型層32、一抗反射層33、複數個彎曲狀埋入式電極35、一背表面場層37以及一背電極36所構成。其中該抗反射層33係可以單獨由氮化矽組成，兼具鈍化功能(Surface Passivation)；亦可由二氧化矽與氮化矽先後成長組合而成。在後者之組合中，二氧化矽係以高溫熱氧化法(Thermal Oxidation)、化學氣相沉積法、蒸鍍、濺鍍或經由浸泡矽基板於化學溶液而產生，具表面鈍化功能；氮化矽則由化學氣相沉積法、蒸鍍或濺鍍製成，同時兼具鈍化及抗反射功能。為造成光線捕捉效應，該P型矽基板31之表面係具有粗紋化表面38(Textured Surface)。而該P型矽基板31照光側表面以下之第一N型層34及第二N型層32，係以N型掺雜元素，在高溫至少700℃以上之爐管環境中經由擴散方式，在該P型矽基板31照光側表面以下形成。於其中，該第一N型層34之摻雜濃度係較該第二N型層32之N型摻雜濃度為高。
該第1圖所示之彎曲狀埋入式電極線可以係不交錯之複數條彎曲線呈現其分佈情形，承如第2圖所示之例，其複數條彎曲狀溝槽之線條，在幾何圖形上係可由非直線線段之曲線構成；亦可以係第3圖所呈現之交錯之複數條直線分佈情形，其複數條彎曲狀溝槽之線條，在幾何圖形上係由直線線段構成，且在該矽半導體基板相鄰導流排(Busbar)之間至少可以找到一個1平方公分之正方形完整面積內至少具有一條直線之轉折，且該轉折係形成兩直線線段夾角不屬於160度與200度之間之角度。在第2圖與第3圖中，該導流排41、51之位置並不一定有如彎曲狀埋入式電極線42、52一樣深之溝槽。
此外，上述複數條非直線線段之曲線亦可係至少含有一處交錯之狀態。並且，上述複數條彎曲狀溝槽之線條，在幾何圖形上亦可由非直線線段之曲線以及直線線段混合構成。
由於本發明所揭露之溝槽為彎曲狀，係不同於一般技術之直線狀。唯，一般技術之直線狀溝槽製作時，不免有產生非直線之公差，因此在此給予直線之定義，以釐清本發明所揭露技術與一般技術之差異。本發明所謂之直線係指一條連續之線條，若以幾何圖上之一條直線配充(Fit)它，則在5cm之長度範圍內該連續線條與直線之公差小於±1mm。因此，本發明所揭露之彎曲狀溝槽，其彎曲狀線型在幾何圖上並非本發明所定義之直線。
請參閱『第4圖』所示，係本發明第一實施例以P型矽基板製作彎曲狀埋入式電極太陽能電池之流程示意圖。如圖所示：本發明製作上述太陽能電池較佳具體實施方式之第一實施例係以P型矽基板為說明例，而其主要製作流程執行步驟如下：首先，該P型矽基板係經過侵蝕處理形成表面粗紋化結構s100，然後以N型掺雜元素，在高溫至少700℃以上之爐管環境中經由擴散方式，在該P型矽基板照光側表面以下形成淺薄之第二N型層，即n+層s101。其次，在該第二N型層之上方成長介電質層s102，該介電質層係作為阻擋稍後再次N型摻雜元素之擴散。接著，以網版或滾筒印刷方式在該P型矽基板上塗佈遮罩層，使其可耐化學藥水蝕刻，而其在該P型矽基板表面之分佈圖樣，係使未塗佈遮罩層之P型矽基板表面區域於浸泡化學藥水時受蝕刻而產生彎曲狀溝槽s103。待產生彎曲狀溝槽後，係將前述遮罩層清除s104，然後將該P型矽基板置於700℃以上之爐管中使用N型掺雜元素，以擴散方式在溝槽內之表面形成淺薄之第一N型層，即n++層s105，其N型摻雜濃度係大於或等於前述n+層濃度。最後，以含有金屬成份之膏狀物塗佈於前述彎曲狀溝槽內，以及塗佈於導流排區域，並經過高溫燒結而形成彎曲狀埋入式電極以及導流排；至於背電極之塗佈，係以含金屬之膏狀物進行，並與彎曲狀埋入式電極以及導流排一起同時燒結，進而在該P型矽基板後表面形成背表面場層，即P+層，俾以增加太陽能電池之開路電壓值s106、s107。經燒結完成後，進行邊緣絕緣程序即完成太陽能電池元件s108。
其中，上述N型掺雜元素之選項係包括週期表VA族元素，其來源可為三氯磷氧(POCl3)、磷化氫(PH3)、氧化磷(P2O5)或其他氣相、固相磷化合物，亦包括含有砷(As)或銻(Sb)之物質；上述蝕刻劑除了可為進行濕蝕刻所用之化學藥水之外，可為進行乾蝕刻所用之化學氣體，且該遮罩層之材料係視蝕刻劑種類而定，可為含氧化矽或其他介電質(如高分子聚合物)之膏狀物，亦可以為金屬化合物或係含金屬之膏狀物；上述背表面場層除了經由後電極燒結方式形成，亦可經由擴散或塗佈任一方式形成。
本發明所揭露製作溝槽之方法，除前述使用化學藥水進行蝕刻之外，亦包含另一種蝕刻方法，亦即使用乾蝕刻法(Dry Etching)將未覆蓋遮罩層之區域蝕刻而產生彎曲狀溝槽。然而，不論係濕蝕刻抑或乾蝕刻，對於不同之蝕刻劑，將使用適當之遮罩材料，藉以阻擋蝕刻劑對遮罩下方之介電質層與矽材質產生蝕刻，而僅能對裸露之區域進行蝕刻。不論作為濕蝕刻劑抑或作為乾蝕刻劑之種類，皆不勝枚舉。本發明所揭露之技術旨在闡述一項不使用黃光製程、雷射或機械雕刻而產生複數條彎曲狀溝槽之方法，故與使用何種蝕刻劑與遮罩材料無關。
請參閱『第5圖』所示，係本發明第二實施例以P型矽基板製作彎曲狀埋入式電極太陽能電池之流程示意圖。如圖所示：本發明具體實施方式之第二實施例係與前述具體實施方式之第一實施例不相同，而其主要製作流程執行步驟如下：首先，係在粗紋化後之P型矽基板上塗佈阻擋層s200，其作用係減緩N型掺雜元素之擴散。接著以網版或滾筒印刷方式在該P型矽基板上塗佈具有圖樣之遮罩層，使其可耐化學藥水蝕刻。其後，將該P型矽基板浸泡於化學藥水受蝕刻而產生彎曲狀溝槽s201，並在非溝槽區域之P型矽基板表面仍保留有前述之阻擋層。待產生彎曲狀溝槽後，將前述遮罩層清除s202，然後將該P型矽基板置於700℃以上之爐管中使用N型掺雜元素，以擴散方式在溝槽內之表面形成淺薄之第一N型層，即n++層，且同時在非溝槽區域之矽基板表面之下方形成淺薄之第二N型層，即n+層s203。之後，除去阻擋層以及因擴散在該P型矽基板所產生之矽氧化合物s204，例如含磷之氧化矽。然後，成長介電質層s205以及塗佈前、後面電極s206。最後，經燒結完成後s207，進行邊緣絕緣程序即完成太陽能電池元件s208。
此外，本發明所揭露之技術，其實施方式亦包含在N型矽半導體基板之照光側以網版或滾筒印刷方式形成遮罩層，進而產生彎曲狀溝槽。
藉此，本發明所揭露之彎曲狀溝槽製作方法，並不使用費時之黃光製程技術以及雷射或機械雕刻方式，故可達量產化生產目的。此外，使用本發明所揭露之方法，其製作前述彎曲狀溝槽所需設備成本亦相較於傳統技術者為低。除了前述使用化學藥水進行蝕刻半導體未鋪設遮罩層之區域，以產生溝槽之外，本發明亦包括使用乾蝕刻法對未鋪設遮罩層之區域進行蝕刻，以產生所需要圖樣之複數條彎曲狀溝槽。
綜上所述，本發明係一種具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法及其太陽能電池，可有效改善習用之種種缺點，係以濕式或乾式蝕刻法蝕刻出彎曲狀溝槽陣列，可較不易在製程上引起破片，且其深度係可較習用之直線形溝槽為深，更能形成較長波長光能轉換成之電子被電極收集之效率較大之情況，係一個可以量產化生產且能夠產生高製成良率之製程方法，不僅具有製程容易、設備成本低，且更能製作具有較高性能之太陽能電池元件，進而使本發明之產生能更進步、更實用、更符合使用者之所須，確已符合發明專利申請之要件，爰依法提出專利申請。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍；故，凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
(本發明部分)
31．．．P型矽基板
32．．．第二N型層
33．．．抗反射層
34．．．第一N型層
35．．．彎曲狀埋入式電極
36．．．背電極
37．．．背表面場層
38．．．粗紋化表面
41、51．．．導流排
42、52．．．彎曲狀埋入式電極線
s100～s108、s200～s208．．．流程執行步驟
(習用部分)
11．．．P型矽基板
12．．．第二N型層
13．．．抗反射層
14．．．第一N型層
15．．．埋入式電極
16．．．背電極
17．．．背表面場層
18．．．表面粗紋化結構
21．．．導流排
22．．．埋入式電極線
第1圖，係本發明具有彎曲狀埋入式電極之太陽能電池結構示意圖。
第2圖，係本發明一較佳實施例之彎曲狀埋入式電極太陽能電池之埋入式電極線分佈俯視示意圖。
第3圖，係本發明另一較佳實施例之彎曲狀埋入式電極太陽能電池之埋入式電極線分佈俯視示意圖。
第4圖，係本發明第一實施例以P型矽基板製作彎曲狀埋入式電極太陽能電池之流程示意圖。
第5圖，係本發明第二實施例以P型矽基板製作彎曲狀埋入式電極太陽能電池之流程示意圖。
第6圖，係習式之埋入式電極太陽能電池之結構示意圖。
第7圖，係習式埋入式電極太陽能電池之埋入式電極線分佈之俯視示意圖。
31．．．P型矽基板
32．．．第二N型層
33．．．抗反射層
34．．．第一N型層
35．．．彎曲狀埋入式電極
36．．．背電極
37．．．背表面場層
38．．．粗紋化表面

Claims (20)

  1. 一種具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，係使用耐蝕刻之材料，以印刷方式塗佈於一矽半導體基板之前表面上，經固化後作為遮罩層(Mask)使受遮罩層覆蓋之矽半導體基板區域不受蝕刻劑(Etchant)侵蝕，而僅對未受遮罩層覆蓋之矽半導體基板區域進行蝕刻，藉此在該矽半導體基板之前表面產生複數條彎曲狀溝槽，且該些複數條彎曲狀溝槽在幾何圖形上係至少具有一條之軌跡不含有長度超過該矽半導體基板尺寸之最小徑長五分之二之直線線段；其中，上述矽半導體基板係掺雜有致使其具有特定電性之掺雜元素，且該些複數條彎曲狀溝槽之深度係至少為該矽半導體基板厚度之六分之一，以及該些複數條彎曲狀溝槽之開口寬度係至少為30微米(μm)。
  2. 依申請專利範圍第1項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該些複數條彎曲狀溝槽之線條，在幾何圖形上係由非直線線段之曲線構成。
  3. 依申請專利範圍第2項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該些複數條非直線線段之曲線係至少含有一處交錯之狀態。
  4. 依申請專利範圍第1項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該些複數條彎曲狀溝槽之線條，在幾何圖形上係由複數條直線線段構成。
  5. 依申請專利範圍第4項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該些複數條直線線段係至少含有一處交錯之狀態。
  6. 依申請專利範圍第1項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該些複數條彎曲狀溝槽之線條，在幾何圖形上係由非直線線段之曲線以及直線線段混合構成。
  7. 依申請專利範圍第1項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該些複數條彎曲狀溝槽之線條，在幾何圖形上係由複數條直線線段構成，且在該矽半導體基板相鄰導流排之間之至少一個1平方公分之正方形完整面積內係至少具有一條直線之轉折，該轉折係形成兩直線線段夾角不屬於160度與200度之間之角度。
  8. 依申請專利範圍第1項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該蝕刻劑係可為進行乾蝕刻所用之化學氣體或進行濕蝕刻所用之化學藥水。
  9. 依申請專利範圍第1項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該耐蝕刻之材料係一種至少含氧化矽、高分子聚合物、金屬或金屬化合物之膏狀物。
  10. 依申請專利範圍第1項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該矽半導體基板之前表面係含有粗紋化結構，且該些彎曲狀溝槽區域之外之表面具有一作為減緩掺雜元素擴散進入該矽半導體基板內部之阻擋層，並在掺雜元素擴散進入該些彎曲狀溝槽區域表面時係形成一與該矽半導體基板電性相反之第一電性層，以及同時在未受蝕刻之非溝槽區域表面形成一第二電性層，且該第一電性層之掺雜濃度係不小於該第二電性層之掺雜濃度。
  11. 依申請專利範圍第10項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，在該第一電性層以及該第二電性層形成於該矽半導體基板之後，係成長一介電質層於該矽半導體基板前表面。
  12. 依申請專利範圍第10項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，在該第一電性層以及該第二電性層形成於該矽半導體基板之後，係成長一第一介電質層以及一第二介電質層於該矽半導體基板前表面。
  13. 依申請專利範圍第12項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該第一介電質層至少含有氧化矽，該第二介電質層至少含有氮化矽，且該氧化矽係可為二氧化矽(SiO2)或矽氧化物(SiOx)，於其中x≠2。
  14. 依申請專利範圍第1項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該矽半導體基板之前表面係含有粗紋化結構以及一介電質層，且前表面之矽半導體基板區域係含有使其具有P-N接面之掺雜元素，可於該些彎曲狀溝槽形成後，對該矽半導體基板進行高溫摻雜元素之擴散，並於該些彎曲狀溝槽區域之表面形成一與該矽半導體基板電性相反之電性層，其掺雜濃度係不小於未受蝕刻之非溝槽區域之掺雜濃度。
  15. 依申請專利範圍第14項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該矽半導體基板之前表面之介電質層，係至少包含二氧化矽、氮化矽或氮氧化矽(Silicon Oxynitride)之一。
  16. 依申請專利範圍第14項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該矽半導體基板進行高溫擴散之後，係清除因擴散在矽基板表面產生之矽氧化合物以及該介電質層。
  17. 一種依申請專利範圍第1項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，所形成之具有彎曲狀埋入式電極之太陽能電池，係在複數條彎曲狀溝槽、前表面第二電性層形成，且前表面具有介電質層之後，至少經過塗佈前、後電極以及前表面第一電性層製成、燒結程序所構成者。
  18. 一種依申請專利範圍第1項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，所形成之具有彎曲狀埋入式電極之太陽能電池，係在複數條彎曲狀溝槽、前表面第一電性層以及第二電性層形成，且前表面具有介電質層之後，至少經過塗佈前、後電極以及燒結程序所構成者。
  19. 依申請專利範圍第1項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該矽半導體基板之後表面係具有一背表面場層。
  20. 依申請專利範圍第19項所述之具彎曲狀埋入式電極線之太陽能電池製作方法，其中，該背表面場層係經由擴散、塗佈或後電極燒結任一方式形成。
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