CN103137781B - 具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法及该太阳能电池 - Google Patents

Abstract

一种具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法及该太阳能电池，是以印刷方式形成屏蔽，然后使用湿蚀刻或干蚀刻在一硅半导体基板上蚀刻出弯曲状沟槽的方法；操作时，以印刷方式形成的屏蔽作为阻挡蚀刻剂对覆盖屏蔽的硅半导体基板区域蚀刻，并使未受屏蔽覆盖的硅半导体基板区域受蚀刻剂蚀刻，以此产生具有图样的数条弯曲状沟槽。藉此，本发明以湿式或干式蚀刻出数条弯曲状沟槽，在制程上不易引起破片，且其深度可较传统直线形沟槽为深，更能形成较长波长光能转换成的电子被电极收集的效率较大的情况，为可以量产化生产且能够产生高制成良率的制程方法，其制程容易，设备成本低，更能制作具有较高性能的太阳能电池。

Description

具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法及该太阳能 电池

技术领域

本发明涉及一种具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，尤其涉及一种在硅基板上以化学湿式药剂或以干蚀刻制程蚀刻出弯曲状沟槽的方法，特别是指使用此方法制作具有埋入式电极的硅基板太阳能电池。

背景技术

一般具有埋入式电极的太阳能电池（Buried-Contact Solar Cell），是指在该太阳能电池的照光侧表面，亦即前表面制作沟槽数组（Trench Array），并于沟槽内镀制或铺设金属电极，如图6所示，其为中国台湾专利第201110372号「以印刷涂布形成屏蔽而制作埋入式电极太阳能电池之方法以及该太阳能电池」，此专利即为一个具有埋入式电极15的P-N接面太阳能电池。该已知太阳能电池的硅基板（Silicon Wafer）大多具有P型电性，其前表面的沟槽一般是以激光雕刻制成而呈直线状排列，且在沟槽内电极周边的硅区域为掺杂浓度较高的第一N型层14（即n⁺⁺层），非沟槽的硅区域则为掺杂浓度较低的第二N型层12（即n⁺层）。制作此具有选择性射极（Selective Emitter）与埋入式电极方法之一，是先在低掺杂浓度的P型硅基板11以磷扩散于其表面以下区域，形成浅薄的第二N型层12，然后再成长钝化层以及抗反射层（或兼具钝化功能的抗反射层13，例如氮化硅层）。接着以激光或机械方式在表面雕刻出数条沟槽，亦即沟槽数组，唯并不使用黄光制程技术（Photolithography）。其沟槽开口的表面以下薄薄一层区域是以磷扩散方式形成掺杂浓度较高的第一N型层14，之后制作金属电极于沟槽中，形成埋入式电极15。已知金属电极制作的另一例为使用含磷的银膏涂于沟槽中，然后以快速高温退火（Firing）方式使磷扩散至沟槽表面以下区域形成第一N型层14。图6所示的已知太阳能电池亦含有背电极16，在电池背面处亦含有背表面场层17（Layer of Back Surface Field ; BSF Layer），以及在前表面处具有表面粗纹化结构18（Texture）以造成光线捕捉（Light Trapping）效果，增加光电转换效率。上述已知技术以激光或机械方式雕刻出宽数十微米与数倍于宽度深度的沟槽，所形成的埋入式电极太阳能电池，其光电转换效率在文献中已有超过22%的报导。

已知的制作前述具有选择性射极与埋入式电极的方法，另有以一次扩散制程同时形成前述第一N型层与第二N型层的。其制程是首先在前表面具有粗化结构的P型硅基板上涂布一层介电质（Dielectric），例如氮化硅或氧化硅层。然后将介电质层图样化，以及向硅基板挖蚀而形成数条沟槽，因此形成在沟槽区的硅基板无介电质层覆盖，且其余前表面的硅基板区域受介电质层覆盖的情况。接着，将该硅基板置入扩散炉形成N型层。由于非沟槽区受适当厚度的介电质层覆盖，其所产生的掺杂浓度较沟槽区者为低，遂形成选择性射极结构。最后，将金属置于沟槽中，遂形成埋入式电极结构。

已知的埋入式电极太阳能电池，其沟槽深度影响较长波长光能转换电能的效率，一般说来，沟槽越深其效率越大。唯，传统上由激光雕刻而成的沟槽呈长条直线形，如图7所示，其是俯视硅基板太阳能电池正面的埋入式电极线22分布的例子，该电极线均以导流排（Busbar）21隔开。若沟槽太深则制程上产生破片（Wafer Break）的机率将大增，造成低良率情况。

使用埋入式电极的好处包括有：其一，可大为减少金属电极对光的屏蔽。其二，埋入式电极的线宽虽然比较窄，但因深入硅基板内部，使其金属的电阻值可与传统覆盖于晶圆表面的金属电阻值相若，并由于金属线宽较窄之故，前者电极的间距可以比后者电极的间距小很多，使得埋入式电极的太阳能电池内部因吸收光能而转换产生的电子行进至电极处的平均路径要比传统式太阳能电池内部电子行进长度短。因此，相较于传统式太阳能电池，埋入式电极电池的内阻便减少许多，此举便可增加填充因子F.F.（Fill Factor），对增加太阳能电池的光电转换效率有不少帮助。再者，因为电极系从硅基板表面深入内部数十微米乃至更深处，许多较长波长光能转换成的电子较容易移动至电极处，更而增加电极收集电子的数量，提高短流电流，而配合的选择性射极结构亦增加开路电压值，此举对太阳能电池效率的提升十分有帮助。而在埋入式电极周边制作低面电阻（Sheet Resistance）的n⁺⁺层的目的，是为了减低金属与半导体接口的接触电阻，以有利于达到高填充因子的目的。

目前以激光或机械方式雕刻产生数条沟槽，亦即沟槽数组，在实际上恐怕尚不能达到真正量产化目的，尤其在大面积硅基板上欲雕刻出为数不少的沟槽，将面临费时或制作良率不高的困境。其原因包括有：一，若使用激光熔烧雕刻，则其雕刻速度不足以达高产能的快速需求，若使用数个激光机台，则又将面临机具成本过高问题；二，若使用机械刀具则亦将面临雕刻速度缓慢问题，若使用机械排刀，其同时雕刻或许可以增加制作速度，亦免不了刀具在硅晶圆表面来回研磨，且其制作速度亦十分缓慢，并因为晶圆上具有数量不少的沟槽孔洞，使得晶圆益加脆弱，而其研磨产生的应力将使得脆弱的晶圆破裂，造成良率低的情况。

依前述，沟槽深度影响较长波长光能转换电能的效率，一般说来，沟槽越深，较长波长光能转换成的电子被电极收集的效率越大。唯，沟槽太深则制程上产生破片的机率大增，故，一般无法符合使用者于实际使用时所需。

发明内容

本发明所要解决技术问题是：针对上述已知技术中所遭遇的上述问题，提供一种可以量产且能够产生高制成良率的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，同时提供采用该方法制作的太阳能电池。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特点是：该方法是使用耐蚀刻的材料，以印刷方式涂布于一硅半导体基板的前表面上，经固化后作为屏蔽层，使受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域不受蚀刻剂侵蚀，而仅对未受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域进行蚀刻，以在该硅半导体基板的前表面产生数条弯曲状沟槽，且该些数条弯曲状沟槽在几何图形上至少具有一条轨迹不含有长度超过该硅半导体基板尺寸的最小径长五分之二的直线线段；

其中，上述硅半导体基板掺杂有致使其具有特定电性的掺杂元素，且该些数条弯曲状沟槽的深度至少为该硅半导体基板厚度的六分之一，以及该些数条弯曲状沟槽的开口宽度至少为30微米。

本发明方法是以湿式或干式蚀刻法蚀刻出弯曲状沟槽数组，可较不易在制程上引起破片，且其深度可较已知的直线形沟槽为深，更能形成较长波长光能转换成的电子被电极收集的效率较大的情况，是一个可以量产化生产且能够产生高制成良率的制程方法，不仅具有制程容易、设备成本低，且更能制作具有较高性能的太阳能电池组件。

附图说明：

图1是本发明具有弯曲状埋入式电极的太阳能电池结构示意图。

图2是本发明一较佳实施例的弯曲状埋入式电极太阳能电池的埋入式电极线分布的俯视示意图。

图3是本发明另一较佳实施例的弯曲状埋入式电极太阳能电池的埋入式电极线分布的俯视示意图。

图4是本发明第一实施例以P型硅基板制作弯曲状埋入式电极太阳能电池的流程示意图。

图5是本发明第二实施例以P型硅基板制作弯曲状埋入式电极太阳能电池的流程示意图。

图6是已知埋入式电极太阳能电池的结构示意图。

图7是已知埋入式电极太阳能电池的埋入式电极线分布的俯视示意图。

标号说明：

P型硅基板31 第二N型层32

抗反射层33 第一N型层34

弯曲状埋入式电极35 背电极36

背表面场层37 粗纹化表面38

导流排41、51 弯曲状埋入式电极线４２、５２

流程执行步骤s100～s108、s200～s208

P型硅基板11 第二N型层12

抗反射层13 第一N型层14

埋入式电极15 背电极16

背表面场层17 表面粗纹化结构18

导流排21 埋入式电极线22

具体实施方式：

本发明系一种具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，是使用耐蚀刻的材料，以印刷方式涂布于一硅半导体基板表面上，经固化后形成具有图案（Pattern）的屏蔽层（Mask），使受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域不受蚀刻剂（Etchant）侵蚀，而仅对未受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域进行蚀刻，藉此在该硅半导体基板的前表面产生数条弯曲状沟槽，且该些数条弯曲状沟槽在几何图形上至少具有一条轨迹为不含有长度超过该硅半导体基板尺寸的最小径长五分之二的直线线段。其中，该硅半导体基板掺杂有致使其具有特定电性的掺杂元素，且该些数条弯曲状沟槽的深度至少为该硅半导体基板厚度的六分之一，以及该些数条弯曲状沟槽的开口宽度至少为30微米（μm）。

待上述弯曲状沟槽蚀刻完成后，进行一系列制程程序，至少包括掺杂元素的扩散以在前表面形成浅薄的电性层、前表面涂布介电质层、在沟槽中填入导电材料、背表面涂布负电极、烧结与边缘绝缘（Edge Isolation），以完成具有弯曲状埋入式电极线的太阳能电池。

于一实施例中，该硅半导体基板的前表面含有粗纹化结构以及一介电质层，后表面则具有一背表面场层，且该前表面的硅半导体基板区域含有使其具有P-N接面的掺杂元素，可于该些弯曲状沟槽形成后，对该硅半导体基板进行高温掺杂元素的扩散，并于该些弯曲状沟槽区域的表面形成一与该硅半导体基板电性相反的电性层，其掺杂浓度不小于未受蚀刻的非沟槽区域的掺杂浓度。

其中，该硅半导体基板的前表面的介电质层，至少包含二氧化硅（SiO2）、氮化硅或氮氧化硅（Silicon Oxynitride）之一；该硅半导体基板进行高温扩散之后，系清除因扩散在硅基板表面产生的硅氧化合物以及该介电质层。

于另一实施例中，该硅半导体基板的前表面含有粗纹化结构，后表面则具有一背表面场层，且该些弯曲状沟槽区域之外的表面具有一作为减缓掺杂元素扩散进入该硅半导体基板内部的阻挡层，并在掺杂元素扩散进入该些弯曲状沟槽区域表面时形成与该硅半导体基板电性相反的第一电性层，以及同时在未受蚀刻的非沟槽区域表面形成一第二电性层，且该第一电性层的掺杂浓度不小于该第二电性层的掺杂浓度。

其中，在该第一电性层以及该第二电性层形成于该硅半导体基板之后，系成长一介电质层于该硅半导体基板前表面，该介电质层至少包含有氮化硅，且该介电质层系亦可包含第一介电质层以及第二介电质层；于其中，该第一介电质层至少含有氧化硅，该第二介电质层至少含有氮化硅，且该氧化硅可为二氧化硅或硅氧化物（SiOx），该x≠2。

请参阅图1至图3所示，分别为本发明具有弯曲状埋入式电极的太阳能电池结构示意图、本发明一较佳实施例的弯曲状埋入式电极太阳能电池的埋入式电极线的分布俯视示意图、及本发明另一较佳实施例的弯曲状埋入式电极太阳能电池的埋入式电极线的分布俯视示意图。如图所示：为本发明于一较佳实施方式的实施例，亦即为本发明所欲制作具有弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的一例。如图1所示，该太阳能电池包括有P型硅基板31、第一N型层34、第二N型层32、抗反射层33、数个弯曲状埋入式电极35、背表面场层37以及背电极36所构成。其中该抗反射层33可以单独由氮化硅组成，兼具钝化功能(SurfacePassivation)；亦可由二氧化硅与氮化硅先后成长组合而成。在后者的组合中，二氧化硅是以高温热氧化法(Thermal Oxidation)、化学气相沉积法、蒸镀、溅镀或经由浸泡硅基板于化学溶液而产生，具表面钝化功能；氮化硅则由化学气相沉积法、蒸镀或溅镀制成，同时兼具钝化及抗反射功能。为造成光线捕捉效应，该P型硅基板31的表面具有粗纹化表面38（Textured Surface）。而该P型硅基板31照光侧表面以下的第一N型层34及第二N型层32，是以N型掺杂元素，在高温至少700℃以上的炉管环境中经由扩散方式，在该P型硅基板31照光侧表面以下形成。于其中，该第一N型层34的掺杂浓度较该第二N型层32的N型掺杂浓度高。

该图1所示的弯曲状埋入式电极线可以系不交错的数条弯曲线呈现其分布情形，承如图2所示之例，其数条弯曲状沟槽的线条，在几何图形上是可由非直线线段的曲线构成；亦可以是图3所呈现的交错的数条直线分布情形，其数条弯曲状沟槽的线条，在几何图形上是由直线线段构成，且在该硅半导体基板相邻导流排（Busbar）之间至少可以找到一个1平方公分的正方形完整面积内至少具有一条直线的转折，且该转折系形成两直线线段夹角不属于160度与200度之间的角度。在图2与图3中，该导流排41、51的位置并不一定有如弯曲状埋入式电极线42、52一样深的沟槽。

此外，上述数条非直线线段的曲线亦可系至少含有一处交错的状态。并且，上述数条弯曲状沟槽的线条，在几何图形上亦可由非直线线段的曲线以及直线线段混合构成。

由于本发明所揭露的沟槽为弯曲状，不同于一般技术的直线状。但是，一般技术的直线状沟槽制作时，不免有产生非直线的公差，因此在此给予直线的定义，以厘清本发明所揭露技术与一般技术的差异。本发明所谓的直线是指一条连续的线条，若以几何图上的一条直线拟合（Fit）它，则在5cm的长度范围内该连续线条与直线的公差小于±1mm。因此，本发明所揭露的弯曲状沟槽，其弯曲状线型在几何图上并非本发明所定义的直线。

请参阅图4所示，是本发明第一实施例以P型硅基板制作弯曲状埋入式电极太阳能电池的流程示意图。如图所示：本发明制作上述太阳能电池较佳具体实施方式的第一实施例是以P型硅基板为说明例，而其主要制作流程执行步骤如下：

首先，该P型硅基板经过侵蚀处理形成表面粗纹化结构s100，然后以N型掺杂元素，在高温至少700℃以上的炉管环境中经由扩散方式，在该P型硅基板照光侧表面以下形成浅薄的第二N型层，即n⁺层s101。其次，在该第二N型层的上方成长介电质层s102，该介电质层系作为阻挡稍后再次N型掺杂元素的扩散。接着，以网版或滚筒印刷方式在该P型硅基板上涂布屏蔽层，使其可耐化学药水蚀刻，而其在该P型硅基板表面的分布图样，系使未涂布屏蔽层的P型硅基板表面区域于浸泡化学药水时受蚀刻而产生弯曲状沟槽s103。待产生弯曲状沟槽后，系将前述屏蔽层清除s104，然后将该P型硅基板置于700℃以上的炉管中使用N型掺杂元素，以扩散方式在沟槽内的表面形成浅薄的第一N型层，即n⁺⁺层s105，其N型掺杂浓度大于或等于前述n⁺层浓度。最后，以含有金属成份的膏状物涂布于前述弯曲状沟槽内，以及涂布于导流排区域，并经过高温烧结而形成弯曲状埋入式电极以及导流排；至于背电极的涂布，是以含金属的膏状物进行，并与弯曲状埋入式电极以及导流排一起同时烧结，进而在该P型硅基板后表面形成背表面场层，即P⁺层，以增加太阳能电池的开路电压值s106、s107。经烧结完成后，进行边缘绝缘程序即完成太阳能电池组件s108。

其中，上述N型掺杂元素的选项包括周期表VA族元素，其来源可为三氯磷氧（POCl₃）、磷化氢（PH₃）、氧化磷（P₂O₅）或其它气相、固相磷化合物，亦包括含有砷（As）或锑（Sb）的物质；上述蚀刻剂除了可为进行湿蚀刻所用的化学药水之外，可为进行干蚀刻所用的化学气体，且该屏蔽层的材料视蚀刻剂种类而定，可为含氧化硅或其它介电质（如高分子聚合物）的膏状物，亦可以为金属化合物或系含金属的膏状物；上述背表面场层除了经由后电极烧结方式形成，亦可经由扩散或涂布任一方式形成。

本发明所揭露制作沟槽的方法，除前述使用化学药水进行蚀刻之外，亦包含另一种蚀刻方法，亦即使用干蚀刻法（Dry Etching）将未覆盖屏蔽层的区域蚀刻而产生弯曲状沟槽。然而，不论是湿蚀刻抑或干蚀刻，对于不同的蚀刻剂，将使用适当的屏蔽材料，藉以阻挡蚀刻剂对屏蔽下方的介电质层与硅材质产生蚀刻，而仅能对裸露的区域进行蚀刻。不论作为湿蚀刻剂抑或作为干蚀刻剂的种类，皆不胜枚举。本发明所揭露的技术旨在阐述一项不使用黄光制程、激光或机械雕刻而产生数条弯曲状沟槽的方法，故与使用何种蚀刻剂与屏蔽材料无关。

请参阅图5所示，是本发明第二实施例以P型硅基板制作弯曲状埋入式电极太阳能电池的流程示意图。如图所示：本发明具体实施方式的第二实施例系与前述具体实施方式的第一实施例不相同，而其主要制作流程执行步骤如下：

首先，是在粗纹化后的P型硅基板上涂布阻挡层s200，其作用是减缓N型掺杂元素的扩散。接着以网版或滚筒印刷方式在该P型硅基板上涂布具有图样的屏蔽层，使其可耐化学药水蚀刻。其后，将该P型硅基板浸泡于化学药水受蚀刻而产生弯曲状沟槽s201，并在非沟槽区域的P型硅基板表面仍保留有前述的阻挡层。待产生弯曲状沟槽后，将前述屏蔽层清除s202，然后将该P型硅基板置于700℃以上的炉管中使用N型掺杂元素，以扩散方式在沟槽内的表面形成浅薄的第一N型层，即n⁺⁺层，且同时在非沟槽区域的硅基板表面的下方形成浅薄的第二N型层，即n⁺层s203。之后，除去阻挡层以及因扩散在该P型硅基板所产生的硅氧化合物s204，例如含磷的氧化硅。然后，成长介电质层s205以及涂布前、后面电极s206。最后，经烧结完成后s207，进行边缘绝缘程序即完成太阳能电池组件s208。

此外，本发明所揭露的技术，其实施方式亦包含在N型硅半导体基板的照光侧以网版或滚筒印刷方式形成屏蔽层，进而产生弯曲状沟槽。

藉此，本发明所揭露的弯曲状沟槽制作方法，并不使用费时的黄光制程技术以及激光或机械雕刻方式，故可达量产化生产目的。此外，使用本发明所揭露的方法，其制作前述弯曲状沟槽所需设备成本亦相较于传统技术低。除了前述使用化学药水进行蚀刻半导体未铺设屏蔽层的区域，以产生沟槽之外，本发明亦包括使用干蚀刻法对未铺设屏蔽层的区域进行蚀刻，以产生所需要图样的数条弯曲状沟槽。

综上所述，本发明的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池及其制作方法，可有效改善现有技术的种种缺点，是以湿式或干式蚀刻法蚀刻出弯曲状沟槽数组，可较不易在制程上引起破片，且其深度可较已知的直线形沟槽为深，更能形成较长波长光能转换成的电子被电极收集的效率较大的情况，是一个可以量产化生产且能够产生高制成良率的制程方法，不仅具有制程容易、设备成本低，且更能制作具有较高性能的太阳能电池组件，进而使本发明能产生更进步、更实用、更符合使用者所须，确已符合发明专利申请的要件，依法提出专利申请。

惟以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围；故，凡依本发明申请专利范围及发明说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆应仍属本发明专利涵盖的范围内。

Claims (15)

1.一种具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：该方法是使用耐蚀刻的材料，以印刷方式涂布于一硅半导体基板的前表面上，经固化后作为屏蔽层，使受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域不受蚀刻剂侵蚀，而仅对未受屏蔽层覆盖的硅半导体基板区域进行蚀刻，以在该硅半导体基板的前表面产生数条弯曲状沟槽；

其中，所述硅半导体基板掺杂有致使其具有特定电性的掺杂元素，且该些数条弯曲状沟槽的深度至少为该硅半导体基板厚度的六分之一，以及该些数条弯曲状沟槽的开口宽度至少为30微米；

所述数条弯曲状沟槽的线条在几何图形上由数条直线线段构成，至少具有一条轨迹不含有长度超过该硅半导体基板尺寸的最小径长五分之二的直线线段，且在该硅半导体基板相邻导流排之间的至少一个1平方公分的正方形完整面积内至少具有一条直线的转折，该转折形成两直线线段夹角不属于160度与200度之间的角度。

2.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述数条直线线段至少含有一处交错的状态。

3.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述蚀刻剂为进行干蚀刻所用的化学气体或进行湿蚀刻所用的化学药水。

4.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述耐蚀刻的材料为一种至少含氧化硅、高分子聚合物、金属或金属化合物的膏状物。

5.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述硅半导体基板的前表面含有粗纹化结构，且这些弯曲状沟槽区域之外的表面具有一作为减缓掺杂元素扩散进入该硅半导体基板内部的阻挡层，并在掺杂元素扩散进入该些弯曲状沟槽区域表面时形成一与该硅半导体基板电性相反的第一电性层，以及同时在未受蚀刻的非沟槽区域表面形成一第二电性层，且该第一电性层的掺杂浓度不小于该第二电性层的掺杂浓度。

6.如权利要求5所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一电性层以及该第二电性层形成于该硅半导体基板之后，成长一介电质层于该硅半导体基板前表面。

7.如权利要求5所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一电性层以及该第二电性层形成于该硅半导体基板之后，成长一第一介电质层以及一第二介电质层于该硅半导体基板前表面。

8.如权利要求7所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述第一介电质层至少含有氧化硅，该第二介电质层至少含有氮化硅，且该氧化硅为二氧化硅或硅氧化物SiOx，其中x≠2。

9.如权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述硅半导体基板的前表面含有粗纹化结构以及一介电质层，且前表面的硅半导体基板区域含有使其具有P-N接面的掺杂元素，于该些弯曲状沟槽形成后，对该硅半导体基板进行高温掺杂元素的扩散，并于该些弯曲状沟槽区域的表面形成与该硅半导体基板电性相反的电性层，其掺杂浓度不小于未受蚀刻的非沟槽区域的掺杂浓度。

10.如权利要求9所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述硅半导体基板的前表面的介电质层至少包含二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅之一。

11.如权利要求9所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述硅半导体基板进行高温扩散之后，清除因扩散在硅基板表面产生的硅氧化合物以及该介电质层。

12.一种采用权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法所制作的具有弯曲状埋入式电极的太阳能电池，其特征在于：其是在数条弯曲状沟槽、前表面第二电性层形成，且前表面具有介电质层之后，至少经过涂布前、后电极以及前表面第一电性层制成、烧结而成。

13.一种采用权利要求1所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池的制作方法所制作的具有弯曲状埋入式电极的太阳能电池，其特征在于：其是在数条弯曲状沟槽、前表面第一电性层以及第二电性层形成，且前表面具有介电质层之后，至少经过涂布前、后电极以及烧结而成。

14.如权利要求13所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池，其特征在于：所述硅半导体基板的后表面具有背表面场层。

15.如权利要求14所述的具弯曲状埋入式电极线的太阳能电池，其特征在于：所述背表面场层经由扩散、涂布或后电极烧结而成。