TW201320045A - 有機發光二極體畫素電路及其驅動電路與應用 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種有機發光二極體畫素電路，且其電路架構(5T2C)在搭配適當的操作波形下，可以使得流經有機發光二極體的電流不會隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變，而且也不會隨著用以驅動有機發光二極體之薄膜電晶體的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將可大大地提升所應用之有機發光二極體顯示器的亮度均勻性。

Description

有機發光二極體畫素電路及其驅動電路與應用
本發明是有關於一種平面顯示技術，且特別是有關於一種有機發光二極體畫素電路及其驅動電路與應用。
由於多媒體社會的急速進步，半導體元件及顯示裝置的技術也隨之具有飛躍性的進步。就顯示器而言，由於主動式矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)顯示器具有無視角限制、低製造成本、高應答速度(約為液晶的百倍以上)、省電、自發光、可使用於可攜式機器的直流驅動、工作溫度範圍大以及重量輕且可隨硬體設備小型化及薄型化等等優點以符合多媒體時代顯示器的特性要求。因此，主動式矩陣有機發光二極體顯示器具有極大的發展潛力，可望成為下一世代的新穎平面顯示器，藉以取代液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)。
目前主動式矩陣有機發光二極體顯示面板主要有兩種製作方式，其一是利用低溫多晶矽(LTPS)的薄膜電晶體(TFT)製程技術來製作，而另一則是利用非晶矽(a-Si)的薄膜電晶體(TFT)製程技術來製作。其中，由於低溫多晶矽的薄膜電晶體製程技術需要比較多道的光罩製程而導致成本上升。因此，目前低溫多晶矽的薄膜電晶體製程技術主要應用在中小尺寸的面板上，而非晶矽的薄膜電晶體製程技術則主要應用在大尺寸的面板上。
一般來說，採以低溫多晶矽之薄膜電晶體製程技術所製作出來的主動式矩陣有機發光二極體顯示面板，其畫素電路中的薄膜電晶體之型態可以為P型或N型，但由於P型薄膜電晶體傳導正電壓有較好的驅動能力，故而現今多以選擇P型薄膜電晶體來實施。然而，選擇P型薄膜電晶體來實現有機發光二極體畫素電路的條件下，流經有機發光二極體的電流不僅會隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變，而且還會隨著用以驅動有機發光二極體之薄膜電晶體的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將會連帶影響到有機發光二極體顯示器的亮度均勻性。
有鑒於此，本發明之一示範性實施例提供一種有機發光二極體畫素電路，其包括：有機發光二極體、第一至第五電晶體，以及第一與第二電容。其中，有機發光二極體用以於一發光階段，反應於一驅動電流而發光。第一電晶體用以於一資料寫入階段，反應於一第一掃描訊號而傳遞一資料電壓。第一電容耦接於第一電晶體與接地電位之間，用以於所述資料寫入階段，儲存所述資料電壓。第二電晶體耦接至一電源電壓，用以於所述發光階段，產生不受所述電源電壓與第二電晶體之臨界電壓影響的所述驅動電流。
第三電晶體串接於第二電晶體與有機發光二極體之間，用以於所述發光階段，反應於一發光訊號而傳遞所述驅動電流至有機發光二極體。第二電容耦接於第一電晶體與第二電晶體之間，用以於一電壓記憶階段，反應於一第二掃描訊號而記憶關聯於第二電晶體之臨限電壓的一充電電壓，且所述充電電壓將於所述資料寫入階段，反應於所述資料電壓的儲存而改變。第四電晶體耦接第三電晶體與第二電容，用以於一初始化階段，反應於一第二掃描訊號而協同第三電晶體以初始化第二電容的第一端電壓。第五電晶體耦接於第二電容與接地電位之間，用以於所述初始化階段，反應於所述第二掃描訊號而初始化第二電容的第二端電壓。
於本發明一示範性實施例中，有機發光二極體畫素電路先後進入所述初始化階段、所述電壓記憶階段、所述資料寫入階段，以及所述發光階段。
於本發明一示範性實施例中，第一至第五電晶體皆為P型電晶體。
本發明之另一示範性實施例提供一種具有前述所提之有機發光二極體畫素電路的有機發光二極體顯示面板。
於本發明一示範性實施例中，所提之有機發光二極體顯示面板係利用低溫多晶矽的薄膜電晶體製程技術來製作。
本發明之再一示範性實施例提供一種具有前述所提之有機發光二極體顯示面板的有機發光二極體顯示器。
本發明之又一示範性實施例提供一種架構在所提之有機發光二極體畫素電路下，不包括有機發光二極體，而由第一至第五電晶體以及第一與第二電容所組成的有機發光二極體的驅動電路。
本發明之更一示範性實施例提供一種有機發光二極體驅動電路，其包括：驅動單元、資料儲存單元，以及電壓記憶單元。其中，驅動單元耦接於一電源電壓與一有機發光二極體之間，且包含驅動電晶體，用以於一發光階段控制流經有機發光二極體的一驅動電流。資料接收單元包含耦接至接地電位的第一電容，用以於一資料寫入階段，接收並傳遞一資料電壓至第一電容。
電壓記憶單元耦接於驅動單元與資料接收單元之間，且包含第二電容，用以於一電壓記憶階段，記錄驅動電晶體的一臨界電壓。於所述發光階段，驅動單元反應於所述資料電壓與驅動電晶體之臨界電壓而產生流經有機發光二極體的所述驅動電流，且所述驅動電流不受所述電源電壓與驅動電晶體之臨界電壓的影響。
於本發明之一示範性實施例中，驅動電晶體的源極耦接至所述電源電壓，而驅動單元可以更包括：發光控制電晶體，其閘極用以接收一發光訊號，其源極耦接驅動電晶體的汲極，而其汲極則耦接有機發光二極體的陽極，且有機發光二極體的陰極耦接至所述接地電位。
於本發明之一示範性實施例中，資料儲存單元可以更包括：寫入電晶體，其閘極用以接收一第一掃描訊號，其源極用以接收所述資料電壓，而其汲極則耦接第一電容的第一端，且第一電容的第二端耦接至所述接地電位。
於本發明之一示範性實施例中，第二電容的第一端耦接寫入電晶體的汲極與第一電容的第一端，第二電容的第二端耦接驅動電晶體的閘極，而電壓記憶單元可以更包括：第一與第二傳輸電晶體。第一傳輸電晶體的閘極用以接收一第二掃描訊號，第一傳輸電晶體的源極耦接驅動電晶體的汲極與發光控制電晶體的源極，而第一傳輸電晶體的汲極則耦接驅動電晶體的閘極與第二電容的第二端。第二傳輸電晶體的閘極用以接收所述第二掃描訊號，第二傳輸電晶體的源極耦接寫入電晶體的汲極以及第一與第二電容的第一端，而第二傳輸電晶體的汲極則耦接至所述接地電位。
於本發明之一示範性實施例中，第一傳輸電晶體用以於一初始化階段，反應於所述第二掃描訊號而協同發光控制電晶體以初始化第二電容的第一端電壓；以及第二傳輸電晶體用以於所述初始化階段，反應於所述第二掃描訊號而初始化第二電容的第二端電壓。
於本發明之一示範性實施例中，驅動電晶體、發光控制電晶體、寫入電晶體以及第一與第二傳輸電晶體皆為P型電晶體。
於上述本發明之一示範性實施例中，有機發光二極體驅動電路會先後進入所述初始化階段、所述電壓記憶階段、所述資料寫入階段以及所述發光階段，而所述資料電壓可以為一負電壓。
於上述本發明之一示範性實施例中，於所述初始化階段，僅所述第二掃描訊號與所述發光訊號致能；於所述電壓記憶階段，僅所述第二掃描訊號致能；於所述資料寫入階段，僅所述第一掃描訊號致能；以及於所述發光階段，僅所述發光訊號致能。
基於上述，本發明提供一種有機發光二極體畫素電路，且其電路架構(5T2C)在搭配適當的操作波形下，可以使得流經有機發光二極體的電流不會隨著電源電壓(Vdd)受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變，而且也不會隨著用以驅動有機發光二極體之薄膜電晶體的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將可大大地提升所應用之有機發光二極體顯示器的亮度均勻性。
應瞭解的是，上述一般描述及以下具體實施方式僅為例示性及闡釋性的，其並不能限制本發明所欲主張之範圍。
現將詳細參考本發明之示範性實施例，在附圖中說明所述示範性實施例之實例。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件代表相同或類似部分。
圖1繪示為本發明一示範性實施例之有機發光二極體畫素電路(Organic Light Emitting Diode pixel circuit,OLED pixel circuit)10的示意圖，而圖2繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的電路圖。請合併參照圖1與圖2，本示範性實施例之有機發光二極體畫素電路10包括有機發光二極體(OLED)101與驅動電路(driving circuit)103。其中，驅動電路103包括驅動單元(driving unit)105、資料儲存單元(data storage unit)107，以及電壓記憶單元(voltage-memorizing unit)109。
於本示範性實施例中，驅動單元105耦接於電源電壓(power supply voltage)Vdd與有機發光二極體101之間，且包含驅動電晶體(driving transistor)T2(以下改稱為第二電晶體T2)，用以於發光階段(emission phase)，控制流經有機發光二極體101的驅動電流(driving current)IOLED。
資料儲存單元107包含耦接至接地電位的第一電容(capacitor)C1，用以於資料寫入階段(data-writing phase)，接收並儲存資料電壓(data voltage)-Vdata至第一電容C1。電壓記憶單元109耦接於驅動單元105與資料儲存單元107之間，且包含第二電容C2，用以於電壓記憶階段(voltage-memorizing phase)，記錄第二電晶體T2的臨界電壓(threshold voltage,Vth(T2))。
於本示範性實施例中，驅動單元105係於發光階段，反應於資料電壓-Vdata與第二電晶體T2之臨界電壓(Vth(T2))而產生流經有機發光二極體101的驅動電流IOLED，且此驅動電流IOLED不受電源電壓Vdd與第二電晶體T2之臨界電壓(Vth(T2))的影響。換言之，驅動電流IOLED與電源電壓Vdd以及第二電晶體T2之臨界電壓(Vth(T2)無關。
除此之外，驅動單元105更包括發光控制電晶體(emission control transistor)T3(以下改稱為第三電晶體T3)；資料儲存單元107更包括寫入電晶體(writing transistor)T1(以下改稱為第一電晶體T1)；以及電壓記憶單元109更包括第一與第二傳輸電晶體(transmission transistor)T4、T5(以下分別改稱為第四與第五電晶體T4、T5)。
於本示範性實施例中，第一至第五電晶體T1~T5皆可以為P型電晶體，例如P型薄膜電晶體(thin-film-transistor,TFT)。基此，應用有機發光二極體畫素電路10於其中的有機發光二極體顯示面板(OLED display panel)即可利用低溫多晶矽(LTPS)的薄膜電晶體(TFT)製程技術製作而成。
另外，在有機發光二極體畫素電路10的電路結構上，第一電晶體T1的閘極(gate)用以接收第一掃描訊號Scan1，而第一電晶體T1的源極(source)則用以接收資料電壓-Vdata(其為一負電壓(negative voltage))。第一電容C1的第一端耦接第一電晶體T1的汲極(drain)，而第一電容C1的第二端則耦接至接地電位(ground potential)。
第二電容C2的第一端耦接第一電晶體T1的汲極與第一電容C1的第一端。第二電晶體T2的閘極耦接第二電容C2的第二端，而第二電晶體T2的源極則耦接至電源電壓Vdd。第三電晶體T3的閘極用以接收發光訊號(emission signal)Em，而第三電晶體T3的源極則耦接第二電晶體T2的汲極。有機發光二極體101的陽極(anode)耦接第三電晶體T3的汲極，而有機發光二極體101的陰極(cathode)則耦接至接地電位。
第四電晶體T4的閘極用以接收第二掃描訊號Scan2，第四電晶體T4的源極耦接第二電晶體T2的汲極與第三電晶體T3的源極，而第四電晶體T4的汲極則耦接第二電晶體T2的閘極與第二電容C2的第二端。第五電晶體T5的閘極用以接收第二掃描訊號Scan2，第五電晶體T5的源極耦接第一電晶體T1的汲極以及第一與第二電容C1、C2的第一端，而第五電晶體T5的汲極則耦接至接地電位。
再者，在有機發光二極體畫素電路10的運作過程中，其會先後進入初始化階段(initialization phase)、電壓記憶階段、資料寫入階段，以及發光階段，各別例如圖3所示的P1~P4。從圖3可以清楚地看出，於初始化階段P1，僅有第二掃描訊號Scan2與發光訊號Em會致能。於電壓記憶階段P2，僅有第二掃描訊號Scan2會致能。於資料寫入階段P3，僅有第一掃描訊號Scan1會致能。於發光階段P4，僅有發光訊號Em會致能。
於此值得解釋的是，由於有機發光二極體畫素電路10中之第一至第五電晶體T1~T5的型態為P型，故而可知的是，第一至第五電晶體T1~T5為低準位致能(low active)。由此，先前針對第一掃描訊號Scan1、第二掃描訊號Scan2與發光訊號Em會致能的表述，即表示第一掃描訊號Scan1、第二掃描訊號Scan2與發光訊號Em處於低準位。
首先，在有機發光二極體畫素電路10處於初始化階段P1時，由於僅有第二掃描訊號Scan2與發光訊號Em會致能，所以如圖4A所示，第一與第二電晶體T1、T2會被關閉(turned-off，打X處)，而第三至第五電晶體T3~T5會被導通(turned-on，未被打X)。基此，第四電晶體T4會反應於第二掃描訊號Scan2而協同第三電晶體T3以初始化第二電容C2的第一端電壓(即，節點A處的電壓實質為接地電位)。另外，第五電晶體T5同樣會反應於第二掃描訊號Scan2而初始化第二電容C2的第二端電壓以及第一電容C1的第一端電壓(即，節點B處的電壓實質為接地電位)。
緊接著，在有機發光二極體畫素電路10處於電壓記憶階段P2時，由於僅有第二掃描訊號Scan2會致能，所以如圖4B所示，第一與第三電晶體T1、T3會被關閉(打X處)，而第二、第四與第五電晶體T2、T3、T4會被導通(未被打X)。基此，第二電容C2會反應於第二掃描訊號Scan2而記憶/儲存關聯於第二電晶體T2之臨限電壓(Vth(T2))的充電電壓(即，Vdd-Vth(T2))。換言之，在有機發光二極體畫素電路10處於電壓記憶階段P2時，電源電壓Vdd會對第二電容C2進行充電，藉以使得第二電容C2記憶/儲存充電電壓(Vdd-Vth(T2))。
隨後，在有機發光二極體畫素電路10處於資料寫入階段P3時，由於僅有第一掃描訊號Scan1會致能，所以如圖4C所示，第一與第二電晶體T1、T2會被導通(未被打X)，而第三至第五電晶體T3~T5會被關閉(打X處)。基此，第一電晶體T1會反應於第一掃描訊號Scan1而傳遞資料電壓-Vdata。另外，第一電容C1會據以儲存資料電壓-Vdata。
在資料寫入階段P3，基於電容耦合效應(Capacitive coupling effect)，第二電容C2於電壓記憶階段P2所記憶/儲存的充電電壓(Vdd-Vth(T2))會反應於資料電壓-Vdata的儲存而改變。更清楚來說，反應於第一電容C1於資料寫入階段P3儲存資料電壓-Vdata的緣故，此時節點B的電壓可視為資料電壓-Vdata，而節點A的電壓(即，第二電晶體T2的閘極電壓(Vg))將受第二電容C2之電容耦合效應的影響，而從原先的(Vdd-Vth(T2))改變至(-Vdata×(C1/C1+C2)+Vdd-Vth(T2))。而這也就是第二電容C2在資料寫入階段P3改變其於電壓記憶階段P2所記憶/儲存之充電電壓(Vdd-Vth(T2))的原因。
最後，在有機發光二極體畫素電路10處於發光階段P4時，由於僅有發光訊號Em會致能，所以如圖4D所示，第二與第三電晶體T2、T3會被導通(未被打X)，而第一、第四與第五電晶體T1、T4、T5會被關閉(打X處)。基此，第二電晶體T2將產生不受電源電壓Vdd與第二電晶體T2之臨界電壓(Vth(T2))影響的驅動電流IOLED。
更清楚來說，在發光階段P4，第二電晶體T2所產生的驅動電流IOLED可以表示為如下方程式 1 ：
其中，K為關聯於第二電晶體T2的電流常數。
另外，由於第二電晶體T2的源極電壓(Vs)與閘極電壓(Vg)為已知的，亦即如下：
Vs=Vdd；以及Vg=-Vdata×(C1/C1+C2)+Vdd-Vth(T2)。
因此，若將已知的第二電晶體T2的源極電壓(Vs)與閘極電壓(Vg)帶入方程式 1 的話，亦即如下方程式 2 ：
則方程式 2 可以進一步地簡化為如下方程式 3 ：
由此可知，第二電晶體T2可以於發光階段P4產生不受電源電壓Vdd與第二電晶體T2之臨界電壓(Vth(T2))影響的驅動電流IOLED。
另一方面，在發光階段P4，串接於第二電晶體T2與有機發光二極體101之間的第三電晶體T3會反應於發光訊號Em而傳遞不受電源電壓Vdd與第二電晶體T2之臨界電壓(Vth(T2))影響的驅動電流IOLED至有機發光二極體101。如此一來，有機發光二極體101即會反應於所傳遞的驅動電流IOLED而發光。
據此可知，上述示範性實施例所揭示的有機發光二極體畫素電路10之電路架構為5T2C(亦即5個薄膜電晶體+2個電容)，且若搭配適當的操作波形(如圖3所示)，即可使得流經有機發光二極體101的電流IOLED不會隨著電源電壓Vdd受到電流電阻電壓降(IR Drop)的影響而改變，而且也不會隨著用以驅動有機發光二極體101之驅動電晶體T2的臨限電壓漂移(Vth shift)而有所不同。如此一來，將可大大地提升所應用之有機發光二極體顯示器的亮度表現。除此之外，任何應用上述示範性實施例之有機發光二極體畫素電路10於其中的有機發光二極體顯示面板及其有機發光二極體顯示器，都屬於本發明所欲請求保護的範疇。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。另外，本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。
10．．．有機發光二極體畫素電路
101．．．有機發光二極體
103．．．驅動電路
105．．．驅動單元
107．．．資料儲存單元
109．．．電壓記憶單元
T1．．．第一電晶體(寫入電晶體)
T2．．．第二電晶體(驅動電晶體)
T3．．．第三電晶體(發光控制電晶體)
T4．．．第四電晶體(傳輸電晶體)
T5．．．第五電晶體(傳輸電晶體)
C1、C2．．．電容
Scan1．．．第一掃描訊號
Scan2．．．第二掃描訊號
Em．．．發光訊號
IOLED．．．驅動電流
-Vdata．．．資料電壓
P1．．．有機發光二極體畫素電路處於初始化階段
P2．．．有機發光二極體畫素電路處於電壓記憶階段
P3．．．有機發光二極體畫素電路處於資料寫入階段
P4．．．有機發光二極體畫素電路處於發光階段
A、B．．．節點
下面的所附圖式是本發明的說明書的一部分，繪示了本發明的示例實施例，所附圖式與說明書的描述一起說明本發明的原理。
圖1繪示為本發明一示範性實施例之有機發光二極體畫素電路10的示意圖。
圖2繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的電路圖。
圖3繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10的操作波形圖。
圖4A繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10處於初始化階段P1的示意圖。
圖4B繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10處於電壓記憶階段P2的示意圖。
圖4C繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10處於資料寫入階段P3的示意圖。
圖4D繪示為圖1之有機發光二極體畫素電路10處於發光階段P4的示意圖。
10．．．有機發光二極體畫素電路
101．．．有機發光二極體
103．．．驅動電路
105．．．驅動單元
107．．．資料儲存單元
109．．．電壓記憶單元
T1．．．第一電晶體(寫入電晶體)
T2．．．第二電晶體(驅動電晶體)
T3．．．第三電晶體(發光控制電晶體)
T4．．．第四電晶體(傳輸電晶體)
T5．．．第五電晶體(傳輸電晶體)
C1、C2．．．電容
Scan1．．．第一掃描訊號
Scan2．．．第二掃描訊號
Em．．．發光訊號
-Vdata．．．資料電壓
A、B．．．節點

Claims (24)

  1. 一種有機發光二極體畫素電路，包括：一有機發光二極體，用以於一發光階段，反應於一驅動電流而發光；一第一電晶體，用以於一資料寫入階段，反應於一第一掃描訊號而傳遞一資料電壓；一第一電容，耦接於該第一電晶體與一接地電位之間，用以於該資料寫入階段，儲存該資料電壓；一第二電晶體，耦接至一電源電壓，用以於該發光階段，產生不受該電源電壓與該第二電晶體之一臨界電壓影響的該驅動電流；一第三電晶體，串接於該第二電晶體與該有機發光二極體之間，用以於該發光階段，反應於一發光訊號而傳遞該驅動電流至該有機發光二極體；一第二電容，耦接於該第一電晶體與該第二電晶體之間，用以於一電壓記憶階段，反應於一第二掃描訊號而記憶關聯於該第二電晶體之該臨限電壓的一充電電壓，且該充電電壓將於該資料寫入階段，反應於該資料電壓的儲存而改變；一第四電晶體，耦接該第三電晶體與該第二電容，用以於一初始化階段，反應於一第二掃描訊號而協同該第三電晶體以初始化該第二電容的一第一端電壓；以及一第五電晶體，耦接於該第二電容與該接地電位之間，用以於該初始化階段，反應於該第二掃描訊號而初始化該第二電容的一第二端電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體畫素電路，其中該有機發光二極體畫素電路先後進入該初始化階段、該電壓記憶階段、該資料寫入階段，以及該發光階段。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體畫素電路，其中該資料電壓為一負電壓。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體畫素電路，其中：該第一電晶體的閘極用以接收該第一掃描訊號，而該第一電晶體的源極則用以接收該資料電壓；該第一電容的第一端耦接該第一電晶體的汲極，而該第一電容的第二端則耦接至該接地電位；該第二電容的第一端耦接該第一電晶體的汲極與該第一電容的第一端；該第二電晶體的閘極耦接該第二電容的第二端，而該第二電晶體的源極則耦接至該電源電壓；該第三電晶體的閘極用以接收該發光訊號，而該第三電晶體的源極則耦接該第二電晶體的汲極；該有機發光二極體的陽極耦接該第三電晶體的汲極，而該有機發光二極體的陰極則耦接至該接地電位；該第四電晶體的閘極用以接收該第二掃描訊號，該第四電晶體的源極耦接該第二電晶體的汲極與該第三電晶體的源極，而該第四電晶體的汲極則耦接該第二電晶體的閘極與該第二電容的第二端；以及該第五電晶體的閘極用以接收該第二掃描訊號，該第五電晶體的源極耦接該第一電晶體的汲極以及該第一與該第二電容的第一端，而該第五電晶體的汲極則耦接至該接地電位。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光二極體畫素電路，其中該第一至該第五電晶體皆為P型電晶體。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體畫素電路，其中：於該初始化階段，僅該第二掃描訊號與該發光訊號致能；於該電壓記憶階段，僅該第二掃描訊號致能；於該資料寫入階段，僅該第一掃描訊號致能；以及於該發光階段，僅該發光訊號致能。
  7. 一種具有如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體畫素電路的有機發光二極體顯示面板。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示面板，其中該有機發光二極體顯示面板係利用低溫多晶矽的薄膜電晶體製程技術來製作。
  9. 一種具有如申請專利範圍第8項所述之有機發光二極體顯示面板的有機發光二極體顯示器。
  10. 一種有機發光二極體驅動電路，包括：一第一電晶體，用以於一資料寫入階段，反應於一第一掃描訊號而傳遞一資料電壓；一第一電容，耦接於該第一電晶體與一接地電位之間，用以於該資料寫入階段，儲存該資料電壓；一第二電晶體，耦接至一電源電壓，用以於一發光階段，產生不受該電源電壓與該第二電晶體之一臨界電壓影響的該驅動電流；一第三電晶體，串接於該第二電晶體與該有機發光二極體之間，用以於該發光階段，反應於一發光訊號而傳遞該驅動電流至一有機發光二極體，藉以驅動該有機發光二極體發光；一第二電容，耦接於該第一電晶體與該第二電晶體之間，用以於一電壓記憶階段，反應於一第二掃描訊號而記憶關聯於該第二電晶體之該臨限電壓的一充電電壓，且該充電電壓將於該資料寫入階段，反應於該資料電壓的儲存而改變；一第四電晶體，耦接該第三電晶體與該第二電容，用以於一初始化階段，反應於一第二掃描訊號而協同該第三電晶體以初始化該第二電容的一第一端電壓；以及一第五電晶體，耦接於該第二電容與該接地電位之間，用以於該初始化階段，反應於該第二掃描訊號而初始化該第二電容的一第二端電壓。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光二極體驅動電路，其中該有機發光二極體驅動電路先後進入該初始化階段、該電壓記憶階段、該資料寫入階段，以及該發光階段。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光二極體驅動電路，其中該資料電壓為一負電壓。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體驅動電路，其中：該第一電晶體的閘極用以接收該第一掃描訊號，而該第一電晶體的源極則用以接收該資料電壓；該第一電容的第一端耦接該第一電晶體的汲極，而該第一電容的第二端則耦接至該接地電位；該第二電容的第一端耦接該第一電晶體的汲極與該第一電容的第一端；該第二電晶體的閘極耦接該第二電容的第二端，而該第二電晶體的源極則耦接至該電源電壓；該第三電晶體的閘極用以接收該發光訊號，而該第三電晶體的源極則耦接該第二電晶體的汲極；該有機發光二極體的陽極耦接該第三電晶體的汲極，而該有機發光二極體的陰極則耦接至該接地電位；該第四電晶體的閘極用以接收該第二掃描訊號，該第四電晶體的源極耦接該第二電晶體的汲極與該第三電晶體的源極，而該第四電晶體的汲極則耦接該第二電晶體的閘極與該第二電容的第二端；以及該第五電晶體的閘極用以接收該第二掃描訊號，該第五電晶體的源極耦接該第一電晶體的汲極以及該第一與該第二電容的第一端，而該第五電晶體的汲極則耦接至該接地電位。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光二極體驅動電路，其中該第一至該第五電晶體皆為P型電晶體。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光二極體驅動電路，其中：於該初始化階段，僅該第二掃描訊號與該發光訊號致能；於該電壓記憶階段，僅該第二掃描訊號致能；於該資料寫入階段，僅該第一掃描訊號致能；以及於該發光階段，僅該發光訊號致能。
  16. 一種有機發光二極體驅動電路，包括：一驅動單元，耦接於一電源電壓與一有機發光二極體之間，且包含一驅動電晶體，用以於一發光階段控制流經該有機發光二極體的一驅動電流；一資料儲存單元，包含耦接至一接地電位的一第一電容，用以於一資料寫入階段，接收並儲存一資料電壓至該第一電容；以及一電壓記憶單元，耦接於該驅動單元與該資料儲存單元之間，且包含一第二電容，用以於一電壓記憶階段，記錄該驅動電晶體的一臨界電壓，其中，於該發光階段，該驅動單元反應於該資料電壓與該驅動電晶體之該臨界電壓而產生流經該有機發光二極體的該驅動電流，且該驅動電流不受該電源電壓與該驅動電晶體之該臨界電壓的影響。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光二極體驅動電路，其中該驅動電晶體的源極耦接至該電源電壓，而該驅動單元更包括：一發光控制電晶體，其閘極用以接收一發光訊號，其源極耦接該驅動電晶體的汲極，而其汲極則耦接該有機發光二極體的陽極，其中該有機發光二極體的陰極耦接至該接地電位。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體驅動電路，其中該資料儲存單元更包括：一寫入電晶體，其閘極用以接收一第一掃描訊號，其源極用以接收該資料電壓，而其汲極則耦接該第一電容的第一端，其中該第一電容的第二端耦接至該接地電位。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光二極體驅動電路，其中該第二電容的第一端耦接該寫入電晶體的汲極與該第一電容的第一端，該第二電容的第二端耦接該驅動電晶體的閘極，而該電壓記憶單元更包括：一第一傳輸電晶體，其閘極用以接收一第二掃描訊號，其源極耦接該驅動電晶體的汲極與該發光控制電晶體的源極，而其汲極則耦接該驅動電晶體的閘極與該第二電容的第二端；以及一第二傳輸電晶體，其閘極用以接收該第二掃描訊號，其源極耦接該寫入電晶體的汲極以及該第一與該第二電容的第一端，而其汲極則耦接至該接地電位。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光二極體驅動電路，其中：該第一傳輸電晶體用以於一初始化階段，反應於該第二掃描訊號而協同該發光控制電晶體以初始化該第二電容的一第一端電壓；以及該第二傳輸電晶體用以於該初始化階段，反應於該第二掃描訊號而初始化該第二電容的一第二端電壓。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光二極體驅動電路，其中該有機發光二極體驅動電路先後進入該初始化階段、該電壓記憶階段、該資料寫入階段，以及該發光階段。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光二極體驅動電路，其中該資料電壓為一負電壓。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之有機發光二極體驅動電路，其中該驅動電晶體、該發光控制電晶體、該寫入電晶體以及該第一與該第二傳輸電晶體皆為P型電晶體。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之有機發光二極體驅動電路，其中：於該初始化階段，僅該第二掃描訊號與該發光訊號致能；於該電壓記憶階段，僅該第二掃描訊號致能；於該資料寫入階段，僅該第一掃描訊號致能；以及於該發光階段，僅該發光訊號致能。
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