TW201308499A - 用以處理基板之裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用於處理一基板之裝置及方法。特定言之，提供一種用於經由一超臨界步驟處理一基板之裝置及方法。該裝置包含：一外殼，其提供用於執行一步驟之一空間；一支撐構件，其安置於該外殼中以支撐一基板；一供應埠，其被配置成將一步驟流體供應至該外殼；一屏蔽構件，其安置於該供應埠與該支撐構件之間以防止該步驟流體直接注入該基板；及一排放埠，其被配置成自該外殼排出該步驟流體。

Description

用以處理基板之裝置及方法
本文揭示之本發明係關於一種用於處理基板之裝置及方法，且更特定言之，係關於一種用於經由超臨界步驟處理基板之裝置及方法。
半導體器件可經由諸如光微影步驟之各種步驟加以製造，其中電路圖案形成於如矽晶圓之基板上。在此種步驟期間，會產生各種污染物，諸如微粒、有機污染物，及金屬雜質。此等污染物導致基板上之缺陷，且因此影響半導體器件之效能與步驟良率。從而，在半導體器件製造程序中包含清潔步驟以移除污染物。
例如，清潔步驟包含：化學步驟，其中使用化學品將污染物自基板移除；清洗步驟，其中使用純水清洗該化學品；及乾燥步驟，其中該基板被乾燥。在此乾燥步驟中，用諸如異丙醇(IPA)之具有相對低表面張力的有機溶劑替換純水，且蒸發該有機溶劑。
然而，雖然有機溶劑用於乾燥步驟中，但該乾燥步驟可能導致半導體器件中具有細微電路圖案(線寬30 nm或更小)之圖案皺縮。因此，替代此乾燥步驟，對超臨界乾燥步驟的使用增多。
提供本發明以藉由使用一超臨界流體來乾燥一基板之非圖案側及該基板之經圖案化側。
此外，提供本發明以防止基板在一超臨界步驟中傾斜。
本發明之特徵與態樣不局限於以上所述者，且熟習此項技術者經由以下描述與附圖將明顯理解本發明之其他特徵與態樣。
本發明之實施例提供用以處理基板之裝置，該裝置包含：一外殼，其提供一用於執行一步驟之空間；一支撐構件，其安置於該外殼中以支撐一基板；一供應埠，其被配置成將一步驟流體供應至該外殼；一屏蔽構件，其安置在該供應埠與該支撐構件之間以防止該步驟流體直接注入該基板；及一排放埠，其被配置成將該步驟流體排出該外殼。
在一些實施例中，該供應埠可包含一第一供應埠及一第二供應埠，第一供應埠與第二供應埠安置於外殼之不同表面，且屏蔽板可安置於支撐構件與該第一供應埠之間。
在其他實施例中，該第一供應埠可安置於外殼之下表面以將該步驟流體注入基板之後側之一中心區域，且該第二供應埠可安置於外殼之上表面以將該步驟流體注入基板之頂側之一中心區域。
在其他實施例中，該裝置可進一步包含一控制器，該控制器執行一控制操作以經由第一供應埠且接著經由第二供應埠供應步驟流體。
在其他實施例中，該裝置可進一步包含一支撐件，該支撐件自外殼之下表面延伸，其中該屏蔽板可置放於該支撐件上。
在其他實施例中，屏蔽板之半徑可大於基板之半徑。
在進一步之實施例中，該步驟可為一超臨界步驟，且步驟流體可處於超臨界流體相。
在進一步之實施例中，該外殼可包含一上外殼及安置 於該上外殼之下的一下外殼，其中該裝置可進一步包含一提升構件，該提升構件被配置成提升該上外殼及該下外殼中之一者。
在進一步之實施例中，該支撐構件可自該上外殼向下延伸，且該支撐構件之一下端可水平彎曲以支撐該基板之一邊緣區域。
在進一步之實施例中，該裝置可進一步包含一水平定位構件以調整該上外殼之水平位置。
在一些實施例中，該第一供應埠可安置於該下外殼處，且該第二供應埠可安置於該上外殼處。
在其他實施例中，該外殼可具有一打開側且包含一門，該門可垂直移動以用於打開及關閉該打開側。
在其他實施例中，該裝置可進一步包含一按壓構件，該按壓構件被配置成對該門施加壓力以關閉該外殼。
在本發明之其他實施例中，提供用於處理一基板之方法，該等方法包含：將一基板載運至一外殼中；將該基板置放於一支撐構件上；將一步驟流體供應至該基板；防止該步驟流體直接注入該基板；自該外殼排出該步驟流體；及載運該基板離開該外殼。
在一些實施例中，可使用一屏蔽板執行對該步驟流體之防止，該屏蔽板安置於該支撐構件與一供應埠之間，該步驟流體係經由該供應埠供應。
在其他實施例中，可藉由經由安置於該外殼之上表面處之第一供應埠向該基板之頂側注入該步驟流體，及經由安置於該外殼之下表面處之第二供應埠向該基板之後側注入該步驟流體來執行步驟流體埠之供應，且可使用安置於 該第二支撐件埠與該支撐構件之間的該屏蔽板來執行該步驟流體之防止，以防止向該基板之背側注入之該步驟流體直接注入該基板。
在其他實施例中，在該步驟流體之供應中，該步驟流體可經由該第二供應埠注入，且若該外殼之內部壓力到達一預設值，則該步驟流體可開始經由該第一供應埠注入。
在其他實施例中，該步驟流體可為一超臨界流體，且該超臨界流體可使殘留在基板上之有機溶劑溶解。
在其他實施例中，該外殼可包含一上外殼及安置於該上外殼之下的一下外殼，其中在該上外殼與該下外殼相互隔開之狀態下，該基板可置放於支撐構件上，且在基板被載運至外殼中之後，該上外殼與該下外殼中之一者可被提升或放低以關閉該外殼。
在本發明之其他實施例中，提供用於處理一基板之方法，該等方法包含：將殘留有有機溶劑之基板載運至一外殼中；藉由向該基板之未經圖案化側供應一超臨界流體同時防止該超臨界流體直接注入基板而在該外殼中產生一超臨界氣氛；及在產生該超臨界氣氛之後，向該基板之經圖案化側注入該步驟流體以溶解殘留於基板之電路圖案之間的有機溶劑，並乾燥該基板。
在一些實施例中，可藉由一屏蔽構件防止該超臨界流體直接注入基板，該屏蔽構件安置於該超臨界流體向基板之未經圖案化側注入之路徑上。
在其他實施例中，該超臨界流體可為超臨界二氧化碳。
包含附圖以提供對本發明的進一步理解，且附圖併入本說明書並構成本說明書之一部分。圖式說明本發明之示例性實施例，且與描述一起用於解釋本發明之原理。
在以下說明書中，術語及圖式用於解釋本發明之實施例而非限制本發明。
將不詳細解釋用於本發明但與本發明之概念無關之已知技術。
下文將根據本發明之示例性實施例描述一基板處理裝置100。
該基板處理裝置100可使用一超臨界流體作為步驟流體來執行一用以處理一基板(S)之超臨界步驟。
本文使用術語「基板(S)」表示用於製造其中電路圖案形成於一薄膜上之諸如半導體器件及平板顯示器(FPD)之產品的任何基板。基板(S)之實例包含晶圓，諸如矽晶圓、玻璃基板及有機基板。
術語「超臨界流體」意謂兼具氣體與液體特徵的任何物質，此係因為該物質之相處於高於其臨界溫度與壓力之超臨界狀態。超臨界流體之分子密度接近於液體之分子密度且黏性接近於氣體之黏性，且因此具有突出的漫射能力、滲透能力，且能溶解其他物質。因此，超臨界流體在化學反應中很有利。此外，超臨界流體之表面張力小，且因此對微觀結構施加小界面張力。
超臨界步驟使用超臨界流體之性質而執行，且超臨界步驟之實例包含超臨界乾燥步驟與超臨界蝕刻步驟。下文將基於超臨界乾燥步驟解釋超臨界步驟。雖然以下解釋為簡明起見而基於超臨界乾燥步驟給出，但可使用基板處理 裝置100執行其他超臨界步驟。
可執行超臨界乾燥步驟以使殘留在處於超臨界流體中的基板(S)之電路圖案上的有機溶劑溶解，並乾燥該基板(S)。在此狀況下，可在防止圖案皺縮之同時獲得令人滿意之乾燥效率。可與有機溶劑混溶之物質可在超臨界乾燥步驟中用作超臨界流體。例如，超臨界二氧化碳(scCO2)可用作超臨界流體。
圖1為二氧化碳之相圖。
因為二氧化碳具有相對低的臨界溫度31.1℃與臨界壓力7.38Mpa，所以容易使得二氧化碳為超臨界並藉由調整溫度及壓力來控制二氧化碳之相。此外，二氧化碳不昂貴。再者，二氧化碳無毒性、無害、不燃燒且為惰性的，且其漫射係數為水或其他有機溶劑的漫射係數之約十至百倍，使其可以快速地滲透並替換有機溶劑。再者，二氧化碳之表面張力小。亦即，二氧化碳之性質適合於乾燥具有細微圖案之基板(S)。此外，自各種化學反應之副產物中獲得之二氧化碳可再使用，且用於超臨界乾燥步驟之二氧化碳可藉由使二氧化碳汽化而與有機溶劑分離，從而再使用該二氧化碳。亦即，二氧化碳對環境無害。
下文將根據本發明之一實施例描述基板處理裝置100。該實施例之基板處理裝置100可用於執行一清潔步驟，該清潔步驟包含超臨界乾燥步驟。
圖2為示出根據本發明之一實施例的基板處理裝置100的平面圖。
參看圖2，基板處理裝置100包含一索引模組1000與一處理模組2000。
該索引模組1000可接收來自外部裝置之基板(S)，並將該等基板(S)載運至該處理模組2000，且該處理模組2000可執行超臨界乾燥步驟。
索引模組1000為一設備前端模組(EFEM)，且包含裝載埠1100及一傳送框1200。
儲存基板(S)之容器(C)置放於裝載埠1100上。正面開埠標準箱(FOUP)可用作容器(C)。容器(C)經由上方傳送(OHT)自外部區域載運至該裝載埠1100或自該裝載埠1100載運至一外部區域。
該傳送框1200在容器(C)之間載運基板(S)，該等容器置放於裝載埠1100與處理模組2000上。傳送框1200包含一索引機器人1210及一索引軌1220。該索引機器人1210可於基板(S)在索引軌1220上移動之同時載運基板(S)。
該處理模組2000為實際上執行步驟之模組。該處理模組2000包含一緩衝腔室2100、一傳送腔室2200、一第一處理腔室3000及一第二處理腔室4000。
當基板(S)在索引模組1000與處理模組2000之間載運時，基板(S)被暫時儲存於緩衝腔室2100中。一緩衝槽可形成於該緩衝腔室2100中以在其中置放基板(S)。例如，該索引機器人1210可自容器(C)拾取基板(S)，並將該基板(S)置放於該緩衝槽中，且該傳送腔室2200之傳送機器人2210可自該緩衝槽拾取該基板(S)，並將該基板(S)傳送至第一處理腔室3000或第二處理腔室4000。複數個緩衝槽可形成於該緩衝腔室2100中，使得可在該緩衝腔室2100中置放複數個基板(S)。
基板(S)經傳送腔室2200在緩衝腔室2100、第一處理 腔室3000及第二處理腔室4000之間載運。傳送腔室2200可包含傳送機器人2210及傳送軌2220。該傳送機器人2210可於基板(S)在該傳送軌2220上移動之同時載運基板(S)。
該第一處理腔室3000及該第二處理腔室4000可用於執行一清潔步驟。清潔步驟之程序可在第一處理腔室3000及第二處理腔室4000中依序執行。例如，可在第一處理腔室3000中執行清潔步驟之化學步驟、清洗步驟及有機溶劑步驟，且可在第二處理腔室4000中執行該清潔步驟之超臨界乾燥步驟。
第一處理腔室3000及第二處理腔室4000安置於傳送腔室2200之兩側上。例如，第一處理腔室3000及第二處理腔室4000可安置於傳送腔室2200之相對側上以面向彼此。
處理模組2000可包含複數個第一處理腔室3000及複數個第二處理腔室4000。在此狀況下，第一處理腔室3000及第二處理腔室4000可沿傳送腔室2200兩側排列成一行，或可垂直堆疊在傳送腔室2200兩側。此外，第一處理腔室3000及第二處理腔室4000可以上述方式的組合進行排列。
第一處理腔室3000及第二處理腔室4000之排列不限於上述方式。亦即，第一處理腔室3000及第二處理腔室4000可視基板處理裝置100之佔據面積或處理效率而以各種方式排列。
下文將詳細描述第一處理腔室3000。
圖3為示出圖2中所描繪之第一處理腔室3000的剖視圖。
第一處理腔室3000可用於執行化學步驟、清洗步驟及有機溶劑步驟。或者，第一處理腔室3000可用於執行此等步驟中的一些。可藉由施加清潔劑至基板(S)來執行該化學步驟以自基板(S)移除污染物，可藉由施加清洗劑至基板(S)來執行該清洗步驟以移除基板(S)上殘留的清潔劑，且可執行該有機溶劑步驟以用具有低表面張力之有機溶劑替換基板(S)之電路圖案之間殘留的清洗劑。
參看圖3，第一處理腔室3000包含支撐構件3100、噴嘴構件3200及收集構件3300。
支撐構件3100可支撐基板(S)，並使該基板(S)旋轉。該支撐構件3100可包含一支撐板3110、支撐銷3111、夾持銷3112、一旋轉軸3120及一旋轉致動器3130。
該支撐板3110具有形狀與基板(S)相似之頂表面，且在支撐板3110之該頂表面上提供有支撐銷3111及夾持銷3112。該支撐銷3111可支撐基板(S)，且該夾持銷3112可牢固地固持該基板(S)。
旋轉軸3120連接至該支撐板3110之底側。該旋轉軸3120接收來自旋轉致動器3130之旋轉動力以使該支撐板3110旋轉。因此，置放於該支撐板3110上之基板(S)可以旋轉。此時，夾持銷3112防止基板(S)脫離一設定位置。
噴嘴構件3200向基板(S)注入化學品。該噴嘴構件3200包含一噴嘴3210、一噴嘴桿3220、一噴嘴軸3230，及一噴嘴軸致動器3240。
該噴嘴3210用於向置放於該支撐板3110上之基板(S)注入化學品。該化學品可為清潔劑、清洗劑或有機溶劑。清潔劑之實例可包含：過氧化氫溶液(H2O2)；藉由將過氧化 氫溶液與氨(NH4OH)、鹽酸(HCl)或硫酸(H2SO4)混合而製備之溶液；及氫氟酸(HF)溶液。清洗劑可為純水。有機溶劑之實例可包含：異丙醇、乙二醇、1-丙醇、四氫呋喃、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、1-丁醇、2-丁醇、甲醇、乙醇、正丙醇及二甲醚。此等有機溶劑可以溶液或氣體形式使用。
噴嘴3210提供於噴嘴桿3220之一端之下側上。噴嘴桿3220耦接至噴嘴軸3230，且該噴嘴軸3230可被提升或旋轉。噴嘴軸致動器3240可提升該噴嘴軸3230或使之旋轉，以調整噴嘴3210之位置。
收集構件3300收集所供應之化學品。若化學品經該噴嘴構件3200供應至基板(S)，則支撐構件3100可使基板(S)旋轉以將該化學品均勻散佈於基板(S)之全部面積。當使基板(S)旋轉時，該化學品可自基板(S)擴散。收集構件3300收集自基板(S)擴散之化學品。
該收集構件3300可包含一收集罐3310、一收集管線3320、一提升桿3330及一提升致動器3340。
該收集罐3310具有圍繞該支撐板3110之環形。
可提供複數個收集罐3310。在此狀況下，該等收集罐3310可具有圍繞該支撐板3110之環形，且自頂側看來與支撐板3110依序隔開。該等收集罐3310距離支撐板愈遠，則該等收集罐3310愈高。收集槽3311形成於該等收集罐3310之間以接收自基板(S)擴散之化學品。
收集管線3320形成於收集罐3310之底側上。在收集罐3310中收集之化學品經收集管線3320被供應至化學品再循環系統(未圖示)。
提升桿3330連接至收集罐3310以接收來自提升致動 器3340之動力，且垂直移動收集罐3310。若提供複數個收集罐3310，則提升桿3330可連接至最外面的收集罐3310。當擴散化學品經收集槽3311中之一者收集時，提升致動器3340可使用提升桿3330提升或放低收集罐3310以調整收集槽3311中之一者的位置。
下文將詳細描述第二處理腔室4000。
第二處理腔室4000可用以使用超臨界流體執行超臨界乾燥步驟。如上所述，第二處理腔室4000除可用於執行超臨界乾燥步驟之外亦可用於執行其他步驟。
下文將根據本發明之一實施例詳細描述第二處理腔室4000。
圖4為示出圖2中所描繪之第二處理腔室4000之剖視圖。
參看圖4，該第二處理腔室4000可包含一外殼4100、一提升構件4200、一支撐構件4300、一加熱構件4400、供應埠4500、一屏蔽構件4600及一排放埠4700。
外殼4100提供可執行超臨界乾燥步驟之空間。外殼4100由可耐受等於或高於臨界壓力之高壓的材料形成。
外殼4100可包含一上外殼4110及一下外殼4120，該下外殼安置於該上外殼4110之下。亦即，外殼4100可具有上下結構。
上外殼4110可為固定的，且下外殼4120可垂直移動。
若下外殼4120遠離上外殼4110向下移動，則第二處理腔室4000之內部打開，使得可載運基板(S)進入或離開第二處理腔室4000。可將由於在第一處理腔室3000中執行之有機溶劑步驟而殘留有機溶劑之基板(S)載運進入第二處理 腔室4000。若下外殼4120向著上外殼4110向上移動，則第二處理腔室4000之內部關閉，且接著可在第二處理腔室4000中執行超臨界乾燥步驟。或者，外殼4100之下外殼4120可為固定的，且外殼4100之上外殼4110可垂直移動。
提升構件4200用於提升或放低下外殼4120。提升構件4200可包含提升氣缸4210及提升桿4220。提升氣缸4210耦接至下外殼4120以施加垂直驅動力，亦即，施加於下外殼4120之提升/放低力。在超臨界乾燥步驟期間，雖然第二處理腔室4000之內部壓力高達等於或高於臨界壓力之值，但提升氣缸4210產生足夠的驅動力向著上外殼4110推動下外殼4120以牢固地關閉第二處理腔室4000。該等提升桿4220之一端插入提升氣缸4210中，且自該等端在垂直方向上向上延伸之提升桿4220之另一端耦接至上外殼4110。在此結構中，若提升氣缸4210產生驅動力，則提升氣缸4210與提升桿4220相對移動，且因此耦接至提升氣缸4210之下外殼4120可被提升或放低。另外，當下外殼4120被提升汽缸4210提升或放低時，提升桿4220導引下外殼4120，且防止上外殼4110及下外殼4120水平移動，且因此上外殼4110及下外殼4120不會偏離常規位置或路徑。
支撐構件4300將基板(S)支撐於上外殼4110與下外殼4120之間的位置。支撐構件4300可在垂直方向上自上外殼4110之底側向下延伸，且支撐構件4300之下端可在水平方向上彎曲。因此，支撐構件4300可支撐基板(S)之邊緣區域。因為支撐構件4300僅與基板(S)之邊緣區域接觸並支撐基板(S)，所以超臨界乾燥步驟可於基板(S)之整個頂表面及基板(S)之大部分底表面上執行。基板(S)之頂表面可為經圖 案化之表面，且基板(S)之底表面可為未經圖案化之表面。此外，因為支撐構件4300安置於固定之上外殼4110上，所以當提升或放低下外殼4120時，支撐構件4300可穩定地支撐基板(S)。
一水平定位構件4111可安置於提供有支撐構件4300之上外殼4110上。該水平定位構件4111用於調整上外殼4110之水平位置。置放於上外殼4110之支撐構件4300上之基板(S)的水平位置可藉由調整上外殼4110之水平位置來調整。若基板(S)在超臨界乾燥步驟期間傾斜，則殘留於基板(S)上之有機溶劑可流下，且因此基板(S)之一部分可能未乾燥或過乾燥。水平定位構件4111可藉由調整基板(S)之水平位置來防止此情況。或者，若上外殼4110被提升或放低且下外殼4120固定或若支撐構件4300安置於下外殼4120上，則水平定位構件4111可安置於下外殼4120上。
加熱構件4400用於加熱第二處理腔室4000之內部。該加熱構件4400可將供應至第二處理腔室4000中之超臨界流體加熱至臨界溫度或更高溫度以將超臨界流體維持在超臨界狀態或使超臨界流體改變至超臨界狀態。加熱構件4400可埋置於上外殼4110與下外殼4120中之至少一者之壁中。例如，配置為用自外部電源接收之電力產生熱量之加熱器可用作加熱構件4400。
供應埠4500將超臨界流體供應至第二處理腔室4000。供應埠4500可連接至供應管線4550。閥門可安置於供應埠4500處以控制自供應管線4550供應之超臨界流體之流動速率。
供應埠4500包含一上供應埠4510與一下供應埠 4520。該上供應埠4510安置於上外殼4110處以將超臨界流體供應至置放於支撐構件4300上的基板(S)之頂表面。下供應埠4520安置於下外殼4120處以將超臨界流體供應至置放於支撐構件4300上的基板(S)之後表面。
供應埠4500(上供應埠4510與下供應埠4520)可將超臨界流體供應至基板(S)之中心區域。例如，上供應埠4510可位於被支撐構件4300支撐之基板(S)之上並與基板(S)之中心對準。例如，下供應埠4520可位於被支撐構件4300支撐之基板(S)之下並與基板(S)之中心對準。由此，當經供應埠4500供應之超臨界流體到達基板(S)之中心區域並展布至基板(S)之邊緣區域時，該超臨界流體可均勻散佈至基板(S)之全部。
超臨界流體可經下供應埠4520且接著經上供應埠4510而供應。在超臨界乾燥步驟之早期階段，第二處理腔室4000之內部壓力可低於臨界壓力，且因此可液化供應至第二處理腔室4000中之超臨界流體。因此，若超臨界流體係在超臨界乾燥步驟之早期階段經上供應埠4510供應，則該超臨界流體可液化並靠重力下落至基板(S)以損壞該基板(S)。超臨界流體可於經下供應埠4520將超臨界流體供應至第二處理腔室4000中且第二處理腔室4000之內部壓力到達臨界壓力之後經上供應埠4510供應，以防止超臨界流體液化並落下至基板(S)。
屏蔽構件4600防止經供應埠4500供應之超臨界流體直接到達基板(S)。屏蔽構件4600可包含一屏蔽板4610及一支撐件4620。
屏蔽板4610安置於供應埠4500中之一者與被支撐構 件4300支撐之基板(S)之間。例如，屏蔽板4610可安置於下供應埠4520與在基板(S)之下的支撐構件4300之間。在此狀況下，屏蔽板4610可防止經下供應埠4520供應之超臨界流體直接到達基板(S)之底側。
屏蔽板4610之半徑可類似於或大於基板(S)之半徑。由此，屏蔽板4610可完全防止超臨界流體直接注入基板(S)。或者，屏蔽板4610之半徑可小於基板(S)之半徑。在此狀況下，在防止超臨界流體直接注入基板(S)之同時，可最大限度地減小超臨界流體之速度，且因此該超臨界流體可穩定地到達基板(S)以達成有效的超臨界乾燥步驟。
支撐件4620支撐屏蔽板4610。屏蔽板4610可置放於支撐件4620之一端上。支撐件4620可在垂直於外殼4100之底表面的方向上自外殼4100之底表面向上延伸。支撐件4620與屏蔽板4610可不彼此耦接，而屏蔽板4610可僅置放於支撐件4620上並依靠重力保持於該位置。若支撐件4620與屏蔽板4610使用諸如螺栓與螺母之零件耦接，則可輕易滲入其他物質中之超臨界流體可滲入該等零件之間從而產生污染物。或者，支撐件4620與屏蔽板4610可以單件提供。
若超臨界流體係在超臨界乾燥步驟之早期階段經下供應埠4520供應，則因為外殼4100之內部壓力低，所以該超臨界流體可快速注入。若該高速超臨界流體直接到達基板(S)，則該基板(S)被直接注入超臨界流體之部分可能會彎曲(傾斜現象)。此外，基板(S)可由於超臨界流體之注入而震動，且因此殘留於基板(S)上之有機溶劑可流向該基板(S)之電路圖案從而損壞該電路圖案。
因此，屏蔽板4610安置於下供應埠4520與支撐構件4300之間以防止超臨界流體直接注入基板(S)，並因此防止基板(S)被超臨界流體所施加之物理力損壞。
屏蔽板4610之位置不限於下供應埠4520與支撐構件4300之間的位置。
圖5與圖6示出圖4中所示之第二處理腔室4000的修改實例。
參看圖5，屏蔽板4610可安置於上供應埠4510與置放於支撐構件4300上的基板(S)之間。參看圖6，屏蔽板4610a可安置於上供應埠4510與支撐構件4300之間，且屏蔽板4610b可安置於下供應埠4520與支撐構件4300之間。在屏蔽板4610(4610a)安置於上供應埠4510與支撐構件4300之間的狀況下，支撐件4620可在垂直方向上自上外殼4110之底側向下延伸，且支撐件4620之下端可在水平方向上彎曲。由此，屏蔽板4610可不用任何額外耦接零件而依靠重力支撐於支撐件4620上。
在此狀況下，屏蔽板4610可置放於自供應埠4500中之一者至基板(S)供應超臨界流體之路徑中，且因此超臨界流體可能不會有效地供應至基板(S)。因此，可藉由考慮基板(S)被超臨界流體損壞之程度與基板(S)被超臨界流體乾燥之效率來判定屏蔽板4610之位置。
特定言之，在複數個供應埠4500提供於第二處理腔室4000處的狀況下，可於在超臨界乾燥步驟之早期階段中自供應埠4500中之一者直接供應超臨界流體至基板(S)的路徑中置放屏蔽板4610。
排放埠4700自第二處理腔室4000排出超臨界流體。 排放埠4700可連接至一排放管線4750以排出超臨界流體。可於該排放埠4700處安置一閥門以控制經該排放管線4750排出的超臨界流體之流動速率。超臨界流體可排出至大氣或一超臨界流體再循環系統(未圖示)。
排放埠4700可形成於下外殼4120中。在超臨界乾燥步驟之後期階段中，當超臨界流體自第二處理腔室4000排出時，第二處理腔室4000之內部壓力可減小為低於臨界壓力之值，且因此填充入第二處理腔室4000中之超臨界流體可液化。經液化之超臨界流體可依靠重力流至下外殼4120之排放埠4700，且接著經排放埠4700流至外部。
下文將根據另一實施例描述第二處理腔室4000之另一實施例。
圖7為示出圖2中所示之第二處理腔室4000之另一實例的透視圖，且圖8為示出圖7之第二處理腔室4000的剖視圖。
參看圖7與圖8，第二處理腔室4000可包含一外殼4100、一門4130、按壓構件4800、一支撐構件4300、一加熱構件4400、供應埠4500、屏蔽構件4600與一排放埠4700。
與第二處理腔室4000之前述實施例不同，外殼4100具有單一結構。一開埠可形成於外殼4100之一側。基板(S)經該開埠載運進入或離開外殼4100。外殼4100之形成有開埠的一側可垂直於傳送腔室2200之安置第二處理腔室4000所沿之一側。
門4130面向該開埠。門4130可在水平方向上移動接近或遠離該開埠以關閉或打開外殼4100。
支撐構件4300可安置於門4130上。門4130之安置有 支撐構件4300之表面可面向該開埠。當移動門4130時，安置於門4130上之支撐構件4300可經該開埠滑入或滑出外殼4100。支撐構件4300之一側可固定至門4130之面向該開埠之表面，且支撐構件4300可以板形狀自門4130之表面水平延伸。
支撐構件4300可支撐基板(S)之邊緣區域。例如，具有類似於或等於基板(S)之形狀的形狀之凹部可形成於板形支撐構件4300中，且一孔可形成於該凹部中。基板(S)可置放於該凹部上，且該基板(S)之頂表面與後表面可由於形成於該凹部中之該孔而曝露。因此，在超臨界乾燥步驟期間，基板(S)之全部可被乾燥。
形成於外殼4100之一側之開埠可具有與支撐構件4300之側面形狀相同之形狀或可略大於外殼4100之側面。因為外殼4100之內部在超臨界乾燥步驟期間保持於等於或大於臨界壓力之高壓，故用門4130關閉外殼4100所必需之力與開埠之大小成比例。因此，開埠之大小可調整至支撐構件4300之側面積以減少關閉外殼4100所必需之力。
按壓構件4800移動門4130以關閉或打開外殼4100。按壓構件4800可包含按壓氣缸4810與按壓桿4820。
按壓氣缸4810可安置於外殼4100之兩側處。按壓桿4820可插入外殼4100之開埠之兩側，且按壓桿4820之兩端可耦接至門4130。例如，按壓桿4820之兩端可插入穿過門4130，且桿頭部4821可於門4130之與外殼4100之開埠相對的側處提供於門4130的兩端上。
在此結構中，按壓桿4820可藉由按壓氣缸4810而水平移動以水平移動門4130。若門4130遠離開埠移動，且支 撐構件4300曝露於外殼4100之外部，則傳送機器人2210可將基板(S)置放於支撐構件4300上。由此，可移動門4130以關閉開埠，且將置放於支撐構件4300上之基板(S)置放在外殼4100中。
此外，在超臨界乾燥步驟期間，按壓氣缸4810產生力以對抗趨於打開門4130之外殼4100的內部壓力而使門4130與開埠緊密接觸。由按壓氣缸4810產生之力經與開埠相對之門4130側上提供的按壓桿4820的桿頭部4821而被施加至門4130，使得外殼4100在超臨界乾燥步驟期間可保持關閉。
因為加熱構件4400、供應埠4500、屏蔽構件4600及排放埠4700與前述實施例之第二處理腔室4000之相應構件相同或類似，故將不重複對其之詳細描述。
下文將描述第二處理腔室4000之另一實施例。
圖9係示出第二處理腔室4000之另一實施例之剖視圖。
參看圖9，第二處理腔室4000可包含一外殼4100、一門4130、一支撐構件4300、一加熱構件4400、供應埠4500、屏蔽構件4600及一排放埠4700。
與前述實施例之外殼4100類似，外殼4100具有單一結構，具有在其一側處之開埠。門4130被配置成被垂直移動以打開或關閉外殼4100之開埠。門4130可包含一門板4131與一門驅動單元4132，且該門驅動單元4132可垂直地移動該門板4131以打開或關閉該開埠。
支撐構件4300在垂直於下側之方向上自外殼4100之下側向上延伸，且支撐構件4300之上端或上端部分可水平 彎曲。基板(S)可置放於支撐構件4300上，且超臨界流體可供應至置放於支撐構件4300上之基板(S)之頂側與底側。
已描述第二處理腔室4000之實施例，且複數個此等第二處理腔室4000可以堆疊方式提供於基板處理裝置100中。
圖10示出諸如圖4中所示之第二處理腔室4000的第二處理腔室4000a、4000b及4000c之堆疊狀態。
參看圖10，三個第二處理腔室4000a、4000b與4000c垂直堆疊。第二處理腔室4000a、4000b與4000c之數目可變化。
最上之第二處理腔室4000a之下外殼4120與中間第二處理腔室4000b之上外殼4110可以單件形成，且中間第二處理腔室4000b之下外殼4120與最下之第二處理腔室4000c之上外殼4110可以單件形成。
在此狀況下，除最上之第二處理腔室4000a之上外殼4110與最下之第二處理腔室4000c之下外殼4120外，形成於外殼4100中之供應埠4500與排放埠4700可經外殼4100之兩側分別連接至供應管線4550與排放管線4750。供應管線4550與排放管線4750可由彈性且可撓性之材料形成。
提升構件4200之提升桿4220可插入穿過第二處理腔室4000a、4000b與4000c，且提升桿4220之末端可耦接至最上之第二處理腔室4000a。提升氣缸4210可提升或放低提升桿4220以自下側或上側依序打開或關閉第二處理腔室4000a、4000b與4000c。
雖然已針對基板處理裝置100使用超臨界流體處理基板(S)之狀況解釋了本發明，但本發明之基板處理裝置100 不限於執行超臨界乾燥步驟。例如，基板處理裝置100可藉由經供應埠4500不供應超臨界流體而是將不同步驟流體供應至第二處理腔室4000中來處理基板(S)。例如，可使用有機溶劑、具有各種成分之氣體、電漿氣體或惰性氣體替代超臨界流體。
此外，基板處理裝置100可進一步包含用於控制基板處理裝置100之元件之控制器。例如，該控制器可控制加熱構件4400以調整外殼4100之內部溫度。在另一實施例中，控制器可控制安置於噴嘴構件3200、供應管線4550與排放管線4750處之閥門以調整化學品或超臨界流體之流動速率。在另一實施例中，控制器可控制提升構件4200或按壓構件4800以打開或關閉外殼4100。在另一實施例中，在控制器之控制下，超臨界流體可經上供應埠4510與下供應埠4520中之一者供應，且若第二處理腔室4000之內部壓力到達一預設值，則超臨界流體可經上供應埠4510與下供應埠4520中之另一者供應。
控制器可為硬體、軟體，或作為硬體與軟體之組合而提供之諸如電腦之器件。
例如，控制器可為硬體，諸如ASIC(特殊應用積體電路)、DSP(數位信號處理器)、DSPD(數位信號處理器件)、PLD(可程式化邏輯器件)、FPGA(場可程式化閘陣列)、處理器、微控制器、微處理器，及具有類似控制功能之電器件。
例如，控制器可為軟體，諸如軟體程式碼或以至少一種程式設計語言編寫之應用程式。軟體可由以硬體形式提供之控制器執行。或者，軟體可自諸如伺服器之外部器件傳輸至以硬體形式提供之控制器，且可安裝於該控制器上。
下文將使用根據本發明之一實施例之基板處理裝置100解釋基板處理方法。雖然在以下描述中使用基板處理裝置100解釋基板處理方法，但基板處理方法可使用與該基板處理裝置100類似之另一裝置執行。此外，本發明之基板處理方法可以可執行程式碼或程式之形式儲存於電腦可讀記錄媒介中。
下文將解釋本發明之基板處理方法之一實施例。該實施例大體係關於一清潔步驟。
圖11為用於解釋根據一實施例之基板處理方法之流程圖。
當前實施例之基板處理方法包含：操作S110，其中將基板(S)載運至第一處理腔室3000中；操作S120，其中執行一化學步驟；操作S130，其中執行一清洗步驟；操作S140，其中執行一有機溶劑步驟；操作S150，其中將基板(S)載運至第二處理腔室4000；操作S160，其中執行一超臨界乾燥步驟；及操作S170，其中將基板(S)放入置放於裝載埠1100中之容器(C)中。以上列舉之操作無需以列舉之次序執行。例如，後列舉之操作可於先列舉之操作之前執行。此在基板處理方法之另一實施方案中係相同的。現在將詳細解釋該等操作。
將基板(S)載運至第一處理腔室3000中(S110)。首先，藉由諸如OHT之載運器件將儲存基板(S)之容器置放於裝載埠1100上。接著，索引機器人1210自容器拾取基板(S)，並將該基板(S)置放於一緩衝槽中。傳送機器人2210自該緩衝槽拾取該基板(S)，並將該基板(S)載運至第一處理腔室3000中。將基板(S)置放於第一處理腔室3000中的支撐板 3110上。
之後，執行一化學步驟(S120)。在將基板(S)置放於支撐板3110上之後，藉由噴嘴軸致動器3240移動並旋轉噴嘴軸3230以將噴嘴3210直接置放於基板(S)上方。清潔劑經噴嘴3210被注入至基板(S)之頂側。當注入該清潔劑時，污染物自基板(S)移除。此時，旋轉致動器3130旋轉旋轉軸3120以旋轉基板(S)。當基板(S)旋轉時，雖然清潔劑自基板(S)擴散，但其可均勻地供應至基板(S)。自基板(S)擴散之清潔劑被收集於收集罐3310中，接著將該清潔劑排出至一流體再循環系統(未圖示)。此時，提升致動器3340提升或放低收集罐3310，使得擴散清潔劑可被收集於收集罐3310中之一者中。
在自基板(S)移除污染物之後，執行一清洗步驟(S130)。在執行該化學步驟以自基板(S)移除污染物之後，清潔劑殘留於基板(S)上。注入清潔劑之噴嘴3210移動遠離基板(S)之頂側，且另一噴嘴3210移動至基板(S)正上方位置以注入清洗劑至基板(S)之頂側。供應至基板(S)之清洗劑清潔殘留於基板(S)上之清潔劑。在該清洗步驟期間，基板(S)可旋轉，且化學品可被收集。提升致動器3340調整收集罐3310之高度，使得清洗劑可被收集於收集罐3310中之不同於用於收集清潔劑之一者。
在基板(S)被充分清洗之後，執行一有機溶劑步驟(S140)。在該清洗步驟之後，另一噴嘴3210移動至基板(S)正上方位置以將有機溶劑注入至基板(S)。殘留於基板(S)上之清洗劑被有機溶劑替換。在該有機溶劑步驟中，基板(S)可不旋轉或可低速旋轉。此原因為若該有機溶劑很快蒸 發，則該有機溶劑之表面張力可導致基板(S)之電路圖案之間產生界面張力，使電路圖案皺縮。
在第一處理腔室3000中之有機溶劑步驟之後，將基板(S)載運至第二處理腔室4000之內部(S150)，且在第二處理腔室4000中執行一超臨界乾燥步驟。稍後當解釋基板處理方法之另一實施例時將更詳細解釋操作S150與S160。
在該超臨界乾燥步驟之後，將基板(S)載運至置放於裝載埠1100上之容器中(S170)。打開第二處理腔室4000，且傳送機器人2210拾取該基板(S)。基板(S)可由傳送機器人2210載運至緩衝腔室2100，且索引機器人1210可將基板(S)自緩衝腔室2100載運至容器(C)。
下文將解釋本發明之基板處理方法之另一實施例。基板處理方法之另一實施例係關於在第二處理腔室4000中的超臨界乾燥步驟。
圖12為用於解釋基板處理方法之另一實施例的流程圖。
另一實施例之基板處理方法包含：操作S210，其中將基板(S)載運至第二處理腔室4000；操作S220，其中關閉外殼4100；操作S230，其中將超臨界流體供應至下供應埠4520；操作S240，其中防止該超臨界流體直接注入基板(S)；操作S250，其中將該超臨界流體供應至上供應埠4510；操作S260，其中排出該超臨界流體；操作S270，其中打開外殼4100；及操作S280，其中將基板(S)載運出第二處理腔室4000。現在將詳細解釋該等操作。
圖13至圖16為用於解釋圖12之基板處理方法之視圖。
將基板(S)載運入第二處理腔室4000中(S210)。傳送機 器人2210將基板(S)置放於第二處理腔室4000之支撐構件4300上。傳送機器人2210可自第一處理腔室3000拾取處於有機溶劑殘留於基板(S)上之狀態的基板(S)，並可將該基板(S)置放於支撐構件4300上。
參看圖13，在第二處理腔室4000具有上下結構(上外殼4110與下外殼4120)之狀況下，在上外殼4110與下外殼4120處於分離且打開之狀態中，傳送機器人2210將基板(S)置放於支撐構件4300上。
在第二處理腔室4000具有帶可水平滑動之門4130之滑動結構的狀況下，在該門4130移動遠離一開埠之狀態中，傳送機器人2210將基板(S)置放於支撐構件4300上。在置放基板(S)之後，可將門4130移動至外殼4100以將基板(S)置放於第二處理腔室4000中。
在第二處理腔室4000具有門板4131由門驅動單元4132移動之結構的狀況下，傳送機器人2210可移動進入外殼4100中以將基板(S)置放於支撐構件4300上。
在將基板(S)載運至外殼4100中之後，關閉外殼4100(S220)。
參看圖14，在第二處理腔室4000具有上下結構之狀況下，提升構件4200向著上外殼4110提升下外殼4120以關閉外殼4100(亦即，以關閉第二處理腔室4000)。
在第二處理腔室4000具有滑動結構之狀況下，按壓構件4800向著開埠水平移動門4130以關閉外殼4100。否則，門驅動單元4132移動門板4131以關閉開埠。
在關閉第二處理腔室4000之後，將超臨界流體供應至下供應埠4520(S230)。當初始供應超臨界流體時，外殼4100 之內部壓力可低於臨界壓力，且因此該超臨界流體可能液化。若將超臨界流體供應至基板(S)頂側上方之位置，則該超臨界流體可液化且依靠重力而落下至基板(S)之頂側從而損壞基板(S)。因此，超臨界流體可首先經下供應埠4520且接著經上供應埠4510供應。此時，外殼4100之內部可由支撐構件4300加熱。
防止超臨界流體直接注入基板(S)(S240)。再次參看第14，安置於下供應埠4520與支撐構件4300之間的屏蔽板4610可防止經下供應埠4520供應之超臨界流體直接注入基板(S)。因此，基板(S)可不被超臨界流體施加一物理力以防止基板(S)之傾斜。經下供應埠4520在垂直向上方向上注入之超臨界流體可與屏蔽板4610碰撞，且接著水平流動至基板(S)。
參看圖15，將超臨界流體供應至上供應埠4510(S250)。若超臨界流體經上供應埠4510連續供應，則外殼4100之內部壓力變成等於或大於臨界壓力，且若外殼4100之內部被加熱構件4400受熱，則外殼4100之內部溫度變成等於或大於臨界溫度。因此，外殼4100之內部可處於超臨界狀態。當外殼4100之內部進入超臨界狀態時，可經上供應埠4510供應超臨界流體。亦即，在控制器之控制下，當外殼4100之內部壓力變成等於或大於臨界壓力時，可經上供應埠4510供應超臨界流體。
此時，經上供應埠4510供應之超臨界流體可不被屏蔽板4610阻擋。此原因為外殼4100之內部壓力大於臨界壓力，故經上供應埠4510供應之超臨界流體之速度在外殼4100中大大減小。因此，當超臨界流體到達基板(S)時，超 臨界流體之速度過低而不足以導致基板(S)之傾斜。
因為經上供應埠4510供應之超臨界流體不受屏蔽板4610阻擋，故基板(S)之頂側可由超臨界流體有效地乾燥。因為基板(S)之頂側大體為經圖案化表面，故在上供應埠4510與支撐構件4300之間可不安置屏蔽板4610以有效地供應超臨界流體至基板(S)之頂側，用於移除殘留於基板(S)之頂側的電路圖案之間的有機溶劑。或者，根據步驟條件，屏蔽板4610可安置於上供應埠4510與支撐構件4300之間以防止超臨界流體直接注入基板(S)之頂側。
若隨著殘留於基板(S)上之有機溶劑溶解於超臨界流體中而充分乾燥基板(S)，則排出超臨界流體(S260)。超臨界流體經排放埠4700自第二處理腔室4000排出。可藉由使用控制器調整供應管線4550與排放管線4750中的超臨界流體之流動速率來控制超臨界流體之供應與排出。超臨界流體可排出至大氣或一超臨界流體再循環系統(未圖示)。
在排出超臨界流體之後，若第二處理腔室4000之內部壓力被充分減小至例如大氣壓力，則打開外殼4100(S270)。參看圖16，提升構件4200放低下外殼4120以打開外殼4100。
在第二處理腔室4000具有帶可水平滑動的門4130之滑動結構之狀況下，按壓構件4800使門4130移動遠離外殼4100之開埠以打開外殼4100。在第二處理腔室4000具有其中門板4131被門驅動單元4132移動之結構的狀況下，門驅動單元4132移動門板4131以打開外殼4100。
將基板(S)載運出第二處理腔室4000(S280)。在打開外殼4100之後，傳送機器人2210將基板(S)載運出第二處理 腔室4000。
根據本發明，可藉由將超臨界流體注入基板之頂側與後側來乾燥一基板之全部。
此外，根據本發明，屏蔽板防止超臨界流體直接注入基板，使得基板可不傾斜。
本發明之效果不限於上述效果。熟習此項技術者經由該描述與隨附圖式將明顯理解本發明之其他效果。
給出上述實施例以使得熟習相關技術者可輕易理解本發明，且上述實施例不意欲限制本發明。
因此，該等實施例及其要素可以其他方式或結合已知技術使用，且可在不脫離本發明之範疇的情況下在形式與細節上做出各種修改與改變。
此外，本發明之範疇由以下申請專利範圍界定，且該範疇內之所有差異將被認為包含於本發明中。
C‧‧‧容器
S‧‧‧基板
100‧‧‧基板處理裝置
1000‧‧‧索引模組
1100‧‧‧裝載埠
1200‧‧‧傳送框
1210‧‧‧索引機器人
1220‧‧‧索引軌
2000‧‧‧處理模組
2100‧‧‧緩衝腔室
2200‧‧‧傳送腔室
2210‧‧‧傳送機器人
2220‧‧‧傳送軌
3000‧‧‧第一處理腔室
3100‧‧‧支撐構件
3110‧‧‧支撐板
3111‧‧‧支撐銷
3112‧‧‧夾持銷
3120‧‧‧旋轉軸
3130‧‧‧旋轉致動器
3200‧‧‧噴嘴構件
3210‧‧‧噴嘴
3220‧‧‧噴嘴桿
3230‧‧‧噴嘴軸
3240‧‧‧噴嘴軸致動器
3300‧‧‧收集構件
3310‧‧‧收集罐
3311‧‧‧收集槽
3320‧‧‧收集管線
3330‧‧‧提升桿
3340‧‧‧提升致動器
4000‧‧‧第二處理腔室
4000a‧‧‧第二處理腔室
4000b‧‧‧第二處理腔室
4000c‧‧‧第二處理腔室
4100‧‧‧外殼
4110‧‧‧上外殼
4111‧‧‧水平定位構件
4120‧‧‧下外殼
4130‧‧‧門
4131‧‧‧門板
4132‧‧‧門驅動單元
4200‧‧‧提升構件
4210‧‧‧提升氣缸
4220‧‧‧提升桿
4300‧‧‧支撐構件
4400‧‧‧加熱構件
4510‧‧‧上供應埠
4510a‧‧‧上供應埠
4510b‧‧‧上供應埠
4510c‧‧‧上供應埠
4520‧‧‧下供應埠
4520a‧‧‧下供應埠
4520b‧‧‧下供應埠
4520c‧‧‧下供應埠
4550‧‧‧供應埠
4600‧‧‧滑動構件
4600a‧‧‧滑動構件
4600b‧‧‧滑動構件
4610‧‧‧屏蔽板
4610a‧‧‧屏蔽板
4610b‧‧‧屏蔽板
4620‧‧‧支撐件
4620a‧‧‧支撐件
4620b‧‧‧支撐件
4700‧‧‧排放埠
4700a‧‧‧排放埠
4700b‧‧‧排放埠
4700c‧‧‧排放埠
4750‧‧‧排放管線
4800‧‧‧按壓構件
4810‧‧‧按壓氣缸
4820‧‧‧按壓桿
4821‧‧‧桿頭部
圖1為二氧化碳之相圖。
圖2為示出根據本發明之一實施例的基板處理裝置的平面圖。
圖3為示出根據本發明之一實施例的圖2中所描繪的第一處理腔室的剖視圖。
圖4為示出根據本發明之一實施例的圖2中所描繪的第二處理腔室的剖視圖。
圖5與圖6為示出圖4所描繪之第二處理腔室之修改實例的視圖。
圖7為示出圖2中所描繪之第二處理腔室之另一實例 的透視圖。
圖8為示出圖7中所描繪之第二處理腔室的剖視圖。
圖9為示出圖2中所描繪之第二處理腔室之另一實例的剖視圖。
圖10為其中如圖4中所描繪之此等第二處理腔室被堆疊的視圖。
圖11為用於解釋根據本發明之一實施例的基板處理方法的流程圖。
圖12為用於解釋基板處理方法之另一實施例的流程圖。
圖13至圖16為用於解釋基板處理方法之操作的視圖。
4000‧‧‧第二處理腔室
4100‧‧‧外殼
4110‧‧‧上外殼
4111‧‧‧水平定位構件
4120‧‧‧下外殼
4200‧‧‧提升構件
4210‧‧‧提升氣缸
4220‧‧‧提升桿
4300‧‧‧支撐部
4400‧‧‧加熱構
4510‧‧‧上供應埠
4520‧‧‧下供應埠
4550‧‧‧供應管線
4600‧‧‧屏蔽構件
4610‧‧‧屏蔽板
4620‧‧‧支撐件
4700‧‧‧排放埠
4750‧‧‧排放管線

Claims (22)

  1. 一種用以處理一基板之裝置，該裝置包括：一外殼，其提供用於執行一步驟之一空間；一支撐構件，其安置於該外殼中以支撐一基板；一供應埠，其被配置成將一步驟流體供應至該外殼；一屏蔽構件，其安置在該供應埠與該支撐構件之間以防止該步驟流體直接注入該基板；及一排放埠，其被配置成自該外殼排出該步驟流體。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該供應埠包括一第一供應埠及一第二供應埠，該第一供應埠與該第二供應埠安置於該外殼之不同表面處，且該屏蔽板安置於該支撐構件與該第一供應埠之間。
  3. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中該第一供應埠安置於該外殼之一下表面處以將該步驟流體注入該基板之一後側之一中心區域，且該第二供應埠安置於該外殼之一上表面處以將該步驟流體注入該基板之一頂側之一中心區域。
  4. 如申請專利範圍第3項之裝置，其進一步包括一控制器，該控制器執行一控制操作以經該第一供應埠且接著經該第二供應埠供應該步驟流體。
  5. 如申請專利範圍第3項之裝置，其進一步包括一支撐件，該支撐件自該外殼之該下表面延伸，其中該屏蔽板置放於該支撐件上。
  6. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該屏蔽板之半徑大於該基板之半徑。
  7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該步驟為一超臨界步驟，且該步驟流體處於超臨界流體相。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項之裝置，其中該外殼包括一上外殼及安置於該上外殼之下的一下外殼，其中該裝置進一步包括一提升構件，該提升構件被配置成提升該上外殼及該下外殼中之一者。
  9. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中該支撐構件自該上外殼向下延伸，且該支撐構件之一下端可水平彎曲以支撐該基板之一邊緣區域。
  10. 如申請專利範圍第9項之裝置，其進一步包括一水平定位構件以調整該上外殼之一水平位置。
  11. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中該第一供應埠安置於該下外殼上，且該第二供應埠安置於該上外殼上。
  12. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項之裝置，其中該外殼具有一打開側，且包括一門，該門可垂直移動以用於打開及關閉該打開側。
  13. 如申請專利範圍第12項之裝置，其進一步包括一按壓構件，該按壓構件被配置成將一壓力施加至該門以關閉該外殼。
  14. 一種用以處理一基板之方法，該方法包括：將一基板載運至一外殼中；將該基板置放於一支撐構件上；將一步驟流體供應至該基板；防止該步驟流體直接注入該基板；自該外殼排出該步驟流體；及載運該基板離開該外殼。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中使用一屏蔽板執行對該步驟流體之該防止，該屏蔽板安置於該支撐構件與一供應 埠之間，該步驟流體經該供應埠而供應。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中藉由經安置於該外殼之一上表面處之一第一供應埠向該基板之一頂側注入該步驟流體及經安置於該外殼之一下表面處之一第二供應埠向該基板之一後側注入該步驟流體來執行該步驟流體埠之該供應，及使用安置於該第二支撐埠與該支撐構件之間的該屏蔽板來執行該步驟流體之該防止，以防止向該基板之該背側注入之該步驟流體直接注入該基板。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中在該步驟流體之該供應中，該步驟流體係經該第二供應埠注入，且若該外殼之一內部壓力到達一預設值，則該步驟流體開始經該第一供應埠注入。
  18. 如申請專利範圍第14項至第17項中任一項之方法，其中該步驟流體為一超臨界流體，且該超臨界流體使殘留於基板上之有機溶劑溶解。
  19. 如申請專利範圍第14項至第17項中任一項之裝置，其中該外殼包括一上外殼及安置於該上外殼之下的一下外殼，其中在該上外殼與該下外殼相互隔開之一狀態下，該基板可置放於支撐構件上，且在將該基板載運至該外殼中之後，提升或放低該上外殼與該下外殼中之一者以關閉該外殼。
  20. 一種用以處理一基板之方法，該方法包括：將殘留有一有機溶劑之一基板載運至一外殼中；藉由向該基板之一未經圖案化側供應一超臨界流體而在該外殼中產生一超臨界氣氛，同時防止該超臨界流體直接注入該基板；及在產生該超臨界氣氛之後，將該步驟流體注入該基板之一經圖案化側以溶解殘留於該基板之電路圖案之間的該有機溶劑，並乾燥該基板。
  21. 如申請專利範圍第20項之方法，其中可藉由一屏蔽構件防止該超臨界流體直接注入該基板，該屏蔽構件安置於向該基板之該未經圖案化側注入該超臨界流體所沿之一路徑上。
  22. 如申請專利範圍第20項或第21項之方法，其中該超臨界流體為超臨界二氧化碳。
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