TW201307620A - 銅膜蝕刻工序控制方法及銅膜蝕刻液組合物的再生方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種銅膜蝕刻工序控制方法及銅膜蝕刻液組合物的再生方法。本發明提供的利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制方法，包括：(a)步驟，利用近紅外分光儀，同時分析液晶顯示裝置或半導體裝置製造工序中的銅膜蝕刻工序所用的銅膜蝕刻液組合物的至少1種成份的濃度及銅膜蝕刻液組合物中的銅離子濃度；(b)步驟，把所述成份分析結果與基準值進行對比，判別銅膜蝕刻液組合物的壽命；及(c)步驟，判別所述銅膜蝕刻液組合物的壽命的結果，在銅膜蝕刻液組合物的壽命耗盡的情況下，更換使用中的銅膜蝕刻液組合物，在銅膜蝕刻液組合物的壽命未耗盡的情況下，把銅膜蝕刻液組合物移送到下一銅膜蝕刻工序。
Description
本發明涉及利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制方法及銅膜蝕刻液組合物的再生方法。尤其涉及利用近紅外分光儀，即時地同時自動分析液晶顯示裝置(LCD)或半導體裝置等的製造工序中的銅膜蝕刻液組合物成份的濃度變化及蝕刻後溶出的銅離子濃度，不僅能夠高效地管理銅膜蝕刻工序，而且能夠縮短銅膜蝕刻工序時間及銅膜蝕刻液組合物再生時間的利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制方法及銅膜蝕刻液組合物再生方法。
在半導體裝置中，在基板上形成金屬佈線的程序，通常由基於濺射法等的金屬膜形成工序、基於光刻膠塗敷、曝光及顯影的光刻膠圖案形成工序及蝕刻工序構成。作為最近倍受矚目的顯示裝置的液晶顯示(LCD)裝置，最廣泛使用的是TFT-LCD(thin film transistor LCD)裝置，而用於設置金屬佈線的蝕刻工序在該裝置在製造中對於表現準確而鮮明的圖像而言極為重要。
在用於製造TFT-LCD基板的以往技術的工序中，作為TFT的柵電極和源/漏電極用佈線材料，經常使用鋁或鋁合金
層，具體而言，多使用鋁-鉬合金。但是，為實現TFT-LCD的大型化，減小RC信號延遲是不可或缺的，為此，把作為電阻低且相對廉價的金屬的諸如銅或銅/鈦合金、銅/鉬合金的銅合金用於形成金屬佈線的嘗試十分活躍。若對此進行舉例，可參考韓國公開專利第2010-0040352號。
另一方面，隨著LCD裝置的大型化趨勢，用於形成金屬佈線的蝕刻液組合物的使用量正在增加，因此，蝕刻液組合物的高效管理及使用成為了最佳化LCD裝置製造工序的重要課題。蝕刻液組合物用於以既定圖案的光刻膠為掩模，蝕刻基板上塗敷的銅膜，從而形成所需圖案的銅佈線。這種蝕刻液組合物在對銅膜進行蝕刻後，重新收集並投入下一銅膜蝕刻工序。如果銅膜蝕刻液組合物的使用次數增加，則蝕刻液組合物內的銅離子含量增多，蝕刻液組合物的成份發生變化。因此，如果蝕刻液組合物的成份組成及銅離子含量超出基準值，則其本身將無法繼續使用，應經過去除蝕刻液組合物內的銅離子雜質並補充銅膜蝕刻液組合物中消耗的成份這樣的蝕刻液組合物再生工序後，重新投入銅膜蝕刻工序。
在這種工序中，決定銅膜蝕刻液組合物能否使用的普通方法，是在銅膜蝕刻工序中，目測觀察在基板上是否變花，及/或蝕刻液組合物的顏色變綠的程度，憑經驗判斷銅膜蝕刻液組合物的銅離子污染程度及成份變化程度。但是，利用這種方法，不僅無法在一定規則下科學地管理銅膜蝕刻液組合
物，而且存在由於使用壽命耗盡的銅膜蝕刻液組合物而工序不合格率增大、或者在銅膜蝕刻液組合物壽命用盡之前就把銅膜蝕刻液組合物作為廢液進行處理的問題。
另外，就銅膜蝕刻液組合物的再生工序而言，為使在再生用成份調整反應器中再生的銅膜蝕刻液組合物的成份組成保持恒定，需要隨時分析銅膜蝕刻液組合物的成份。為進行這種分析，在以往是由作業者直接在反應器中採集樣品實施分析，因此，不僅導致分析時間延長、作業量增加，而且，由於是在長時間的分析後，為了調整成份而再投入所需成份，此時存在的不合理之處在於，根據情況，由於超過反應器的容量，需要把一部分剝離液從反應器排出後，執行成份調整作業。因此，成份調整用反應器的運轉管理不連續，運轉不穩定，不僅導致生產成本上升，而且，準確的成份配比及內容物的準確分析需要耗費大量時間。
進而，為分析銅膜蝕刻液組合物的多種成份，不僅需要根據銅膜蝕刻液組合物的構成成份來利用另外的分析儀器，而且，為進行成份的分析，需要另外在生產線上採集試樣。而且，就進行分析而言，還需要調節試樣的濃度或對試樣進行預處理以適合各分析儀器，分析需要30分鐘以上，存在難以進行即時分析的缺點。
為克服這種缺點，最近提出了使用線上分析儀器的方法，但目前提出的線上分析儀器一般只是自動進行採樣而
已，無法即時獲得對使用中的銅膜蝕刻液組合物或使用後的銅膜蝕刻液組合物進行處理和管理所需的綜合資訊，因此，為實現銅膜蝕刻液組合物的壽命管理及壽命用盡銅膜蝕刻液組合物的適宜管理及再生，需要一種能夠即時掌握各成份的組成並應用於工序的方法。另外，利用以往的線上分析方法，無法同時即時地自動分析銅膜蝕刻液組合物成份的濃度變化及蝕刻後溶出的銅離子濃度。
本發明的一個目的是提供一種銅膜蝕刻工序控制方法，即時掌握LCD裝置或半導體裝置的製造工序中銅膜蝕刻液組合物的成份濃度變化及銅離子濃度變化，管理銅膜蝕刻液組合物的壽命。
本發明的另一目的是提供一種銅膜蝕刻工序控制方法，在決定關於銅膜蝕刻液組合物壽命的基準點的同時，決定作廢液處理的基準，從而能夠提高銅膜蝕刻液組合物的使用效率，並節省LCD裝置或半導體裝置的製造費用。
本發明的再一目的是提供一種銅膜蝕刻液組合物的再生方法，即時分析銅膜蝕刻液組合物的成份，即時控制向成份調整用再生反應器供應的原料的量和比例，從而能夠獲得期望組成的銅膜蝕刻液組合物。
本發明的又一目的是提供一種能夠同時即時地分析LCD裝置或半導體裝置的製造工序中使用的銅膜蝕刻液組合物或壽命耗盡的銅膜蝕刻液組合物的多種成份的濃度變化及蝕刻後溶出的銅離子濃度的銅膜蝕刻工序控制方法及銅膜蝕刻液組合物的再生方法。
為達成上述目的中的至少某一個目的，本發明的一個方面提供一種利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制方法，包括：(a)步驟，利用近紅外分光儀，同時分析液晶顯示裝置或半導體裝置製造工序中的銅膜蝕刻工序所用的銅膜蝕刻液組合物的至少1種成份的濃度及銅膜蝕刻液組合物中的銅離子濃度；(b)步驟，把所述成份分析結果與基準值進行對比，判別銅膜蝕刻液組合物的壽命；及(c)步驟，判別所述銅膜蝕刻液組合物的壽命的結果，在銅膜蝕刻液組合物的壽命耗盡的情況下，更換使用中的銅膜蝕刻液組合物，在銅膜蝕刻液組合物的壽命未耗盡的情況下，把銅膜蝕刻液組合物移送到下一銅膜蝕刻工序。
所述基準值可以是在4,000~12,000cm-1波長中的特定波長下的近紅外線吸光度。
所述銅膜蝕刻液組合物可以包括酸、酸的鹽、銨鹽及水，
所述酸成份包括在由鹽酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)組成的組中選擇的至少1種以上的化合物，另外，所述酸的鹽可以是述及之酸成份的鹽。
所述近紅外分光儀可以使用具有4,000~12,000cm-1波長的光源。
所述近紅外分光儀可以把檢測探針浸入到儲存有所述銅膜蝕刻液組合物的銅膜蝕刻液組合物儲存槽，測量吸光度，或者，所述近紅外分光儀可以測量流動池的吸光度，所述流動池中流動著從儲存有所述銅膜蝕刻液組合物的銅膜蝕刻液組合物儲存槽移送的銅膜蝕刻液組合物。
根據本發明的一個方面的銅膜蝕刻工序控制方法中，優選所述(c)步驟由自動控制裝置進行。
為達成上述目的中的至少某一個目的，本發明的另一方面提供一種利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻液組合物的再生方法，包括：成份分析步驟，利用近紅外分光儀，對用於調整銅膜蝕刻液組合物成份的再生反應器內的銅膜蝕刻液組合物的至少1種成份的濃度進行成份分析；成份掌握步驟，把所述成份分析結果與各成份的基準值進行對比，掌握需要的成份；及
供應步驟，把所述需要的成份供應到所述反應器內。
所述基準值可以是在4,000~12,000cm-1波長中的特定波長下的近紅外線吸光度。
當所述銅膜蝕刻液組合物中的銅離子濃度超過基準值時，可以廢棄再生反應器內的銅膜蝕刻液組合物。
所述銅膜蝕刻液組合物可以包括酸、酸的鹽、銨鹽及水，所述酸成份包括在由鹽酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)組成的組中選擇的至少1種以上的化合物，另外，所述酸的鹽可以是述及之酸成份的鹽。
如上所述，根據本發明的利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制方法及蝕刻液組合物的再生方法，能夠達成如下技術效果的至少一種：
(1)能夠即時掌握LCD裝置或半導體裝置的製造工序中銅膜蝕刻液組合物的成份濃度變化及銅離子濃度變化，管理銅膜蝕刻液組合物的壽命。借此，通過科學地設定銅膜蝕刻液組合物的廢液處理基準，能夠有效地控制銅膜蝕刻工序。
(2)在決定關於銅膜蝕刻液組合物壽命的基準點的同時，決定作廢液處理的基準，從而能夠提高銅膜蝕刻液組合物的使用效率，並節省LCD裝置或半導體裝置的製造費用。
(3)即時分析銅膜蝕刻液組合物的成份，即時控制向成份調整用再生反應器供應的原料的量和比例，從而能夠高效地獲得期望組成的銅膜蝕刻液組合物。借此，能夠可靠地實現銅膜蝕刻液組合物的再生，獲得節省原材料的效果。
(4)能夠同時即時地自動分析LCD裝置或半導體裝置的製造工序中使用的銅膜蝕刻液組合物或壽命耗盡的銅膜蝕刻液組合物的多種成份的濃度變化及蝕刻後溶出的銅離子濃度。借此，能夠即時檢驗生產線中的其他異物的混入可能性，從而能夠提高銅膜蝕刻工序收率。
下面參照附圖，對本發明進行詳細說明。
在LCD裝置或半導體裝置的製造工序中，銅膜蝕刻液組合物通過噴嘴，噴霧於在銅膜上塗敷有既定圖案光刻膠的基板上，蝕刻未經光刻膠圖案化的部分的銅膜。然後，去除光刻膠則可獲得形成有期望圖案的銅膜佈線的基板。此時，包含由蝕刻的銅膜產生的銅離子的銅膜蝕刻液組合物就彙集於設置在基板下部的銅膜蝕刻液組合物收集槽，如果銅膜蝕刻液組合物的量達到預先決定的基準值，則通過移送泵移送到銅膜蝕刻液組合物儲存槽。利用近紅外分光光度計，對這樣移送到構成工序生產線一部分的銅膜蝕刻液組合物儲存槽的銅膜蝕刻液組合物的各成份所具有的固有波長的近紅
外線吸光度進行測量，從而能夠同時即時地分析多成份銅膜蝕刻液組合物的濃度，即組成及銅離子濃度。
本發明的近紅外分光光度計使用的近紅外線，使用存在於可見光(12,000~25,000cm-1)與中紅外線(400~4000cm-1)之間的波長(4,000~12,000cm-1)區域，因此，能量低於可見光，高於中紅外線。處於所述近紅外波長範圍的光線，以中紅外區域出現的-CH、-OH、-NH官能團的分子運動能的組合譜帶(combination band)和倍頻譜帶(overtone band)表現。以這種組合和倍頻表現的近紅外線的吸光度相當弱，所以，相對於近紅外線吸收光譜的單位濃度變化，吸光度變化小，只相當於中紅外線的1/10~1/1000程度。因此，如果使用近紅外線區域的光線，那麼，不稀釋試樣，便可直接進行主要成份的分析，由多個倍頻或合頻的吸收重疊，或是由氫鍵或分子間相互作用而在特定吸收波長下出現取向，因此，具有能夠同時執行多種成份的定量分析的優點。在進行這種多成份試樣的定量分析時，向目標成份照射特徵性波長的光，測量與之相應的吸光度，求出濃度與吸光度的關係，從而能夠求出校準曲線。如果各成份的吸光度相互重疊，則利用考慮其他成份影響的多元回歸分析，製作校準曲線後，可以對試樣進行分析，因此，基於近紅外線的分析即使同時處理多種成份，1分鐘左右即可完成，可實現高速測量。
為利用近紅外分光光度計，即時地分析銅膜蝕刻工序中使用的蝕刻液組合物成份，可以使用多種方法，在本發明
中，有把檢測探針浸入銅膜蝕刻液組合物儲存槽測量吸光度的方法，以及測量流動著從銅膜蝕刻液組合物儲存槽移送的試樣(銅膜蝕刻液組合物)的流動池的吸光度的方法。
使用檢測探針的方法是，使用傳裡葉變換(Fourier transformation)式近紅外分光光度計，把連接有光纜的探針插入要分析的銅膜蝕刻液組合物直至淹沒，針對各個成份，即時測量分析固有波長的近紅外線吸光度，從而檢測出銅膜蝕刻液組合物的構成成份的變化及銅膜蝕刻液組合物中溶解的銅離子(Cu2+)的濃度變化。由於在所述探針中設置有近紅外線照射及接收部，所以可以針對多種成份即時測量固有波長的近紅外線吸光度。利用流動著銅膜蝕刻液組合物的流動池的方法是，採用聲光可調諧掃瞄技術(acousto-optical tunable scanning,AOTS)的方法，利用了電子輻射(electromagnetic radiation)與超聲波(ultrasound)的相互作用。該方法是設置能夠從包含銅膜蝕刻液組合物的反應器或儲存槽中線上採集銅膜蝕刻液組合物一部分的取樣口，利用近紅外分光光度計測量採集的銅膜蝕刻液組合物的吸光度，從而測量組合物的各成份及溶出的銅離子的濃度。
這兩種系統可以根據試樣的溫度、異物的含有程度及性狀適宜地選擇使用，但採用了聲光可調諧掃瞄技術的方式在構成上更優秀。圖1是利用了採用這種聲光可調諧掃瞄技術的近紅外分光光度計的銅膜蝕刻工序控制系統的構成圖。所
述控制系統包括利用了近紅外分光光度計的分析系統100，所述分析系統100包括：溫度調節及異物去除裝置30；流動池40；多工系統50；包括近紅外發光燈、單色化裝置及檢測儀的近紅外分光儀60；及輸出裝置70。作為所述近紅外發光燈，可以使用鹵鎢燈，作為單色化裝置，可以使用聲光可調諧掃瞄器，作為檢測儀，可以使用銦鎵砷(InGaAs)檢測儀。
下面說明試樣的分析程序，即，構成銅膜蝕刻工序生產線的一部分的銅膜蝕刻液組合物儲存槽10內的試樣，通過快速迴路20，移送到利用近紅外分光儀的分析系統100的溫度調節及異物去除裝置30。所述溫度調節及異物去除裝置30把試樣的溫度調節為常溫，去除異物，去除了異物的試樣則為了進行近紅外線吸光度分析而被移送到流動池40。近紅外分光儀60的分析結果因試樣溫度而異，所以，應把要分析的試樣的溫度調節成與標準試樣相同的溫度。近紅外分光儀60利用近紅外發光燈、單色化裝置及檢測儀，測量流動池40內的試樣的吸收光譜。其測量結果利用輸出裝置70輸出。分析所使用的試樣通過回收系統80重新循環，移送到銅膜蝕刻廢液儲存槽10。在圖1中，多工系統50是用於當利用1台近紅外分光儀同時即時地分析多條工序生產線的試樣時，對光譜儀60分析的流動池40進行轉換的裝置。如此配備連接於各工序生產線的多個快速迴路20及流動池40，構成分析系統，利用一台分析裝置分析多條工序生產線的試
樣，從而能夠提高工序的效率和收率。
為了利用這種近紅外分光儀，定量地分析工序中使用的銅膜蝕刻液組合物的各構成成份及溶出的銅離子的濃度，應預先針對各個成份製作出根據濃度變化的校準曲線。即，變化標準銅膜蝕刻液組合物的成份濃度及該組合物中的銅離子濃度的同時測量吸光度，製作校準曲線，通過對照製作的校準曲線與測量的蝕刻液組合物的吸光度，計算出銅膜蝕刻液組合物的各成份含量及溶出的銅離子的含量，把如此獲得的成份分析結果與基準值進行對比，判別銅膜蝕刻液組合物的壽命。
通過這種判別步驟，當銅膜蝕刻液組合物的各構成成份的含量處於不少於基準值的狀態，溶出的銅離子的含量處於不超過預先決定的基準值的狀態時，即，在剝離液壽命未耗盡的情況下，啟動另外的移送泵，無需再生處理，把銅膜蝕刻液組合物移送到下一銅膜蝕刻工序；在銅膜蝕刻液組合物的壽命耗盡的情況下，把新的銅膜蝕刻液組合物投入工序，把壽命耗盡的銅膜蝕刻液組合物移送到另外的再生裝置進行再生工序或廢棄(參照圖1)。
如上所述，利用與工序生產線聯動的線上近紅外分光光度計，按一定時間間隔自動分析銅膜蝕刻液組合物的成份及溶出的銅離子的濃度，從而能夠制定關於銅膜蝕刻液組合物成份的歷史記錄管理、壽命及廢液處理的基準，能夠實現銅
膜蝕刻液組合物的準確、高效的壽命管理。
下面說明本發明的利用近紅外分光光度計的銅膜蝕刻液組合物的再生方法。圖2是包括利用近紅外分光儀的分析系統100的銅膜蝕刻液組合物再生系統的構成圖，所述再生系統包括與圖1所示銅膜蝕刻工序控制系統相同的分析系統100。
本發明的利用近紅外分光光度計的銅膜蝕刻液組合物再生方法，也利用與銅膜蝕刻工序控制方法相同的原理。首先，利用利用了近紅外分光光度計的分析系統100，對用於調整銅膜蝕刻液組合物成份的再生反應器110內的銅膜蝕刻液組合物的成份及溶出的銅離子的濃度進行即時分析。其中近紅外分光光度計的成份分析波長範圍為600~3,500nm，優選為700~2,500nm。在利用近紅外分光光度計測量溶出的銅離子濃度的情況下，把組合物中的羥基與銅離子(OH-)相互作用形成的物質的羥基離子的吸光度與基準值進行比較分析，從而能夠間接地測量銅離子的濃度。此時，能夠區別數十ppm左右的銅離子濃度。在利用紫外線/可見光(UV/VIS)分光光度計測量溶出的銅離子濃度的情況下，與基準試樣相比，被銅離子污染的試樣顯現綠色，所以，在屬於可見光區域的810nm附近，表現出最大吸收光譜。因此，通過測量810nm附近的吸光度或透過度，能夠測量銅離子濃度。因此，在只測量銅膜蝕刻液組合物中的銅離子的濃度並進行管理的情況下，即使利用UV/VIS分光光度計，也足以能夠應用
於線上系統。
然後，把分析的銅膜蝕刻液組合物成份與各成份的基準值進行對比，掌握需要補充的成份，根據該結果，開合供應各個成份化合物的成份供應閥120、130，向所述再生反應器110供應需要的成份。再生反應器110壓力未特別限定，無論減壓、加壓、常壓反應等均可應用。經過如上工序，不足的銅膜蝕刻液成份得到了補充，再產生為具有與最初銅膜蝕刻液組合物相同或相似組成的銅膜蝕刻液組合物，再生的銅膜蝕刻液組合物重新投入銅膜蝕刻工序。
通過把這種利用近紅外分光儀的分析系統100連接於對成份供應閥120、130進行控制的控制器(圖中未示出)，自動補充不足的成份，從而能夠實現工序自動化，以製備預先設定的組成的銅膜蝕刻液組合物。這種工序自動化不僅可應用於銅膜蝕刻液組合物的再生工序，還可以應用於銅膜蝕刻工序控制。能夠利用本發明的近紅外分光光度計進行分析的銅膜蝕刻液組合物成份不受特別限定，但是，例如是酸、酸的鹽、銨鹽及水。所述酸成份可以是在由鹽酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)組成的組中選擇的至少1種以上的化合物。所述酸的鹽是述及之酸成份的鹽，例如，可以是這些酸成份的諸如鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽或過渡金屬鹽等的金屬鹽或銨鹽。
下面，參照下述實施例，對本發明的優選實施例進行詳
細說明。下述實施例是出於示例目的，用於進一步詳細說明本發明，並非用於把本發明限定於下述實施例的範圍。在下述實施例中，如未另行提及，百分率及混合比以重量為基準。
為評價利用了近紅外分光光度計的分析系統的工序適合性，如下表1所示，變化下述銅膜蝕刻用蝕刻液組合物成份的濃度，與此同時，利用圖1所示銅膜蝕刻工序控制系統進行即時測量，將測量的成份分析值結果列於表1中。此時，使用10mm石英比色池，測量了近紅外線吸光度，各試樣反覆測量5次並進行了平均。
在表1中，作為酸成份使用的是硫酸，作為酸鹽成份使用的是硝酸鉀(potassium nitrate)，作為銨鹽使用的是過硫酸
銨(ammonium persulfate)。
由表1可知，本發明的分析方法的測量相關係數值較高，為0.998~0.9999，均方差值最大為0.245左右，本發明的測量方法表現出與原有測量方法實質上相同的分析結果。
圖3及圖4是為了示例本發明的近紅外分光光度計的輸出結果，分別顯示出所述蝕刻液組合物在波長約5,500~約11,000cm-1區域的吸光度光譜及其1次導函數的光譜。圖5至9是顯示針對各成份化合物及溶出的銅離子，使用近紅外分光光度計獲得的校準曲線結果的附圖。由圖5至9可知，使用本發明的近紅外分光光度計的結果，具有與實際濃度值非常優秀的相關係數。
圖1是本發明一個實施例的利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制系統的構成圖。
圖2是本發明一個實施例的利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻液組合物再生系統的構成圖。
圖3及圖4分別是示例本發明近紅外分光儀的輸出結果的在波長約5,500~11,000cm-1範圍的吸光度光譜及其第1次導函數的光譜。
圖5是顯示針對銅膜蝕刻液組合物中酸鹽成份，根據本發明使用近紅外分光儀獲得的校準(calibration)結果的圖。
圖6是顯示針對銅膜蝕刻液組合物中酸成份，根據本發明使用近紅外分光儀獲得的校準結果的圖。
圖7是顯示針對銅膜蝕刻液組合物中銨鹽，根據本發明使用近紅外分光儀獲得的校準結果的圖。
圖8是顯示針對銅膜蝕刻液組合物中去離子水，根據本發明使用近紅外分光儀獲得的校準結果的圖。
圖9是顯示針對銅膜蝕刻液組合物中包含的溶出的銅離子，根據本發明使用近紅外分光儀獲得的校準結果的圖。
10‧‧‧銅膜蝕刻液組合物儲存槽
20‧‧‧快速迴路
30‧‧‧溫度調節及異物去除裝置
40‧‧‧流動池
50‧‧‧多工系統
60‧‧‧包括近紅外發光燈、單色化裝置及檢測儀的近紅外分光儀
70‧‧‧輸出裝置
100‧‧‧利用近紅外分光光度計的分析系統
110‧‧‧再生反應器
120、130‧‧‧成份供應閥
Claims (12)
- 一種利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制方法，包括：(a)步驟，利用近紅外分光儀，同時分析液晶顯示裝置或半導體裝置製造工序中的銅膜蝕刻工序所用的銅膜蝕刻液組合物的至少1種成份的濃度及銅膜蝕刻液組合物中的銅離子濃度；(b)步驟，把所述成份分析結果與基準值進行對比，判別銅膜蝕刻液組合物的壽命；及(c)步驟，判別所述銅膜蝕刻液組合物的壽命的結果，在銅膜蝕刻液組合物的壽命耗盡的情況下，更換使用中的銅膜蝕刻液組合物，在銅膜蝕刻液組合物的壽命未耗盡的情況下，把銅膜蝕刻液組合物移送到下一銅膜蝕刻工序。
- 根據請求項1述及之銅膜蝕刻工序控制方法，其中：所述基準值是在4,000~12,000cm-1波長中的特定波長下的近紅外線吸光度。
- 根據請求項1述及之銅膜蝕刻工序控制方法，其中：所述銅膜蝕刻液組合物包括酸、酸的鹽、銨鹽及水。
- 根據請求項3述及之銅膜蝕刻工序控制方法，其中：所述酸成份包括從由鹽酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)組成的組中選擇的至少1種以上的化合物，所述酸的鹽是述及之酸成份的鹽。
- 根據請求項1述及之銅膜蝕刻工序控制方法，其中：所述近紅外分光儀使用具有4,000~12,000cm-1波長的光源。
- 根據請求項1述及之銅膜蝕刻工序控制方法，其中：所述近紅外分光儀把檢測探針浸入到儲存有所述銅膜蝕刻液組合物的銅膜蝕刻液組合物儲存槽，測量吸光度。
- 根據請求項1述及之銅膜蝕刻工序控制方法，其中：所述近紅外分光儀測量流動池的吸光度，所述流動池中流動著從儲存有所述銅膜蝕刻液組合物的銅膜蝕刻液組合物儲存槽移送的銅膜蝕刻液組合物。
- 根據請求項1述及之銅膜蝕刻工序控制方法，其中： 所述(c)步驟是由自動控制裝置進行。
- 一種利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻液組合物的再生方法，包括：成份分析步驟，利用近紅外分光儀，對用於調整銅膜蝕刻液組合物成份的再生反應器內的銅膜蝕刻液組合物的至少1種成份的濃度進行成份分析；成份掌握步驟，把所述成份分析結果與各成份的基準值進行對比，掌握需要的成份；及供應步驟，把所述需要的成份供應到所述反應器內。
- 根據請求項9述及之銅膜蝕刻液組合物的再生方法，其中：所述基準值是在4,000~12,000cm-1波長中的特定波長下的近紅外線吸光度。
- 根據請求項9述及之銅膜蝕刻液組合物的再生方法，其中：當所述銅膜蝕刻液組合物中的銅離子濃度超過基準值時，廢棄再生反應器內的銅膜蝕刻液組合物。
- 根據請求項9述及之銅膜蝕刻液組合物的再生方法，其中： 所述銅膜蝕刻液組合物包括酸、酸的鹽、銨鹽及水，所述酸成份包括從由鹽酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)組成的組中選擇的至少1種以上的化合物，所述酸的鹽是述及之酸成份的鹽。
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