TW201304375A - 適於電源的接地方法 - Google Patents

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Abstract

一種適於電源的接地方法，例如：適配器電源、三相交流轉直流電源、直流轉直流電源等，但並不限制於此。所提之接地方法包括：(a)提供對應於電源的電路本體，其中電路本體包含輸入部與輸出部；(b)提供屏蔽層，並將電路本體置於屏蔽層中；以及(c)致使輸入部與輸出部的至少其中之一透過至少一電容以耦接至屏蔽層。在此條件下，本發明可以有效地解決電源中共模干擾的問題。

Description

適於電源的接地方法
本發明是有關於一種電源裝置，且特別是有關於一種可於電源中降低電磁干擾(EMI)的具體方法，例如：例如：適配器電源(adapter power supply)、三相交流轉直流電源(three-phase AC-to-DC power supply)、直流轉直流電源(DC-to-DC power supply)等，但並不限制於此。
採用屏蔽(遮罩)技術(shielding technologies)可以有效地抑制切換式電源的電磁輻射干擾。屏蔽技術一般分為兩種：一種是靜電屏蔽，其主要用於防止靜電場和恆定磁場的影響；而另一種則是電磁屏蔽，其主要用於防止交變電場、磁場以及交變電磁場的影響。在電源應用中，重現有兩種類型的屏蔽：一種是對發出電磁波部位的屏蔽；而另一種則是受電磁波影響的元器件的屏蔽。在切換式電源中，可發出電磁波的元器件是指變壓器、電感器、功率器件等，通常在其周圍採用銅板或鐵板作為屏蔽，以使電磁波產生衰減。
此外，為了要抑制切換式電源所產生的輻射向外部發散，而且為了要減少電磁干擾對其他電子設備的影響，應採取整體屏蔽。可完全按照對磁場屏蔽的方法來加工屏蔽罩，然後將整個屏蔽罩與系統的機殼和地連接為一體，就能對電磁場進行有效的屏蔽。
為使電磁屏蔽能同時發揮靜電屏蔽的作用，加強屏蔽效果，同時保障人身和設備的安全，應將系統與大地相連，此即為接地技術。接地是指在系統的某個選定點與某個接地面之間建立導電的通路設計。這一過程是至關重要的，將接地和屏蔽正確結合起來可以更好地解決電磁干擾問題，又可提高電子產品的抗干擾能力。
舉例來說，圖1所示是傳統適配器電源中屏蔽層的接地方法示意圖。請參閱圖1，傳統適配器電源包括具有輸入部(L,N)與輸出部(41,42)的電路本體(circuit body)(3)。在圖1所示的這種連接方式中，屏蔽層(1)與直流輸出地(42)係直接連接。如此一來，共模干擾電流(ICM)將會經過大地(EARTH,Z)與阻抗平衡網路(line impedance stabilization network)電阻LISN而回流到輸入部(L,N)。這樣就不能衰減阻抗平衡網路電阻LISN上的共模干擾電流。
有鑒於此，本發明係提供一種在電源中之屏蔽層的新型接地方法，藉以解決現有技術中電磁干擾的問題。
為了要解決先前技術所述及的問題，本發明之一示範性實施例提供一種適於電源的接地方法，其包括：(a)提供對應於所述電源的電路本體，其中電路本體包含輸入部與輸出部；(b)提供屏蔽層，並將電路本體置於屏蔽層中；以及(c)致使輸入部與輸出部的至少其中之一透過至少一 電容以耦接至屏蔽層。
於本發明的一示範性實施例中，在所述電源可以為適配器電源(adapter power supply)的條件下，電路本體更包含輸入濾波電路、整流電路、直流轉直流轉換電路以及輸出濾波電路。其中，輸入部、輸入濾波電路、整流電路、直流轉直流轉換電路、輸出濾波電路以及輸出部依次連接。
於本發明的一示範性實施例中，在所述電源可以為適配器電源的條件下，輸入部用以接收交流電源，並包含火線(L-line)與零線(N-line)。輸出部用以輸出直流電源，並包含輸出正極與輸出地。直流轉直流轉換器的輸入具有正端與負端。
於本發明的一示範性實施例中，在所述電源可以為適配器電源的條件下，適配器電源可以為適配器電源供應器，而屏蔽層的材質可以為金屬。基此，當適配器電源供應器之外殼的材料為金屬時，則屏蔽層可以為適配器電源供應器的外殼與相異於適配器電源供應器之外殼的元件的其中之一，且當適配器電源供應器之外殼的材料非為金屬時，則屏蔽層不為適配器電源供應器的外殼。
於本發明的一示範性實施例中，在所述電源可以為適配器電源的條件下，所述至少一電容包括第一安規電容與第二安規電容，而步驟(c)包括：耦接火線與零線至屏蔽層；以及耦接輸出正極與輸出地的其中之一至屏蔽層。在此條件下，火線、零線以及所述輸出正極與輸出地的其中之一三者中的兩者分別透過第一與第二安規電容以耦接至 屏蔽層，而火線、零線與所述輸出正極與輸出地的其中之一三者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層。
於本發明的另一示範性實施例中，在所述電源可以為適配器電源的條件下，所述至少一電容包括安規電容，而步驟(c)包括：耦接火線與零線的其中之一至屏蔽層；以及耦接輸出正極與輸出地的其中之一至屏蔽層。在此條件下，所述火線與零線的其中之一以及所述輸出正極與輸出地的其中之一兩者中的一者透過安規電容以耦接至屏蔽層，而所述火線與零線的其中之一以及所述輸出正極與輸出地的其中之一兩者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層。
於本發明的另一示範性實施例中，在所述電源可以為適配器電源的條件下，所述至少一電容包括安規電容，而步驟(c)包括：耦接正端與負端的其中之一至屏蔽層；以及耦接輸出正極與輸出地的其中之一至屏蔽層。在此條件下，所述正端與負端的其中之一以及所述輸出正極與輸出地的其中之一兩者中的一者透過安規電容以耦接至屏蔽層，而所述正端與負端的其中之一以及所述輸出正極與輸出地的其中之一兩者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層。
於本發明的另一示範性實施例中，在所述電源可以為適配器電源的條件下，所述至少一電容包括第一安規電容與第二安規電容，而步驟(c)包括：耦接正端與負端至屏蔽層；以及耦接輸出正極與輸出地的其中之一至屏蔽層。在此條件下，正端、負端與所述輸出正極與輸出地的其中之一三者中的兩者分別透過第一與第二安規電容以耦接至 屏蔽層，而正端、負端與所述輸出正極與輸出地的其中之一三者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層。
於本發明的另一示範性實施例中，在所述電源可以為適配器電源的條件下，所述至少一電容包括安規電容。整流電路具有第一至第四端，其中第一與第二端透過輸入濾波電路而分別耦接至火線與零線，而第三與第四端則分別耦接至正端與負端。步驟(c)包括：耦接第一與第二端的其中之一至屏蔽層；以及耦接輸出正極與輸出地的其中之一至屏蔽層。在此條件下，所述第一與第二端的其中之一以及所述輸出正極與輸出地的其中之一兩者中的一者透過安規電容以耦接至屏蔽層，而所述第一與第二端的其中之一以及所述輸出正極與輸出地的其中之一兩者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層。
於本發明的另一示範性實施例中，在所述電源可以為三相交流轉直流電源(three-phase AC-to-DC power supply)的條件下，輸入部用以接收三相交流電源，並包含第一火線(L1-line)、第二火線(L2-line)、第三火線(L3-line)以及零線(N-line)。輸出部用以輸出直流電源，並包含輸出正極與輸出地。
於本發明的另一示範性實施例中，在所述電源可以為三相交流轉直流電源的條件下，三相交流轉直流電源可以為三相交流轉直流電源供應器，而屏蔽層的材質可以為金屬。基此，當三相交流轉直流電源供應器之外殼的材料為金屬時，則屏蔽層可以為三相交流轉直流電源供應器的外 殼與相異於三相交流轉直流電源供應器之外殼的元件的其中之一，且當三相交流轉直流電源供應器之外殼的材料非為金屬時，則屏蔽層不為三相交流轉直流電源供應器的外殼。
於本發明的另一示範性實施例中，在所述電源可以為三相交流轉直流電源的條件下，所述至少一電容包括第一安規電容、第二安規電容、第三安規電容以及第四安規電容，而步驟(c)包括：耦接第一火線、第二火線、第三火線與零線至屏蔽層；以及耦接輸出正極與輸出地的其中之一至屏蔽層。在此條件下，第一火線、第二火線、第三火線、零線以及所述輸出正極與輸出地的其中之一五者中的四者分別透過第一至第四安規電容以耦接至屏蔽層，而第一火線、第二火線、第三火線、零線以及所述輸出正極與輸出地的其中之一五者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層。
於本發明的另一示範性實施例中，在所述電源可以為直流轉直流電源(DC-to-DC power supply)的條件下，輸入部用以接收直流輸入電源，並包含輸入正極與輸入地。輸出部用以輸出直流輸出電源，並包含輸出正極與輸出地。
於本發明的另一示範性實施例中，在所述電源可以為直流轉直流電源的條件下，直流轉直流電源可以為直流轉直流電源供應器，而屏蔽層的材質可以為金屬。基此，當直流轉直流電源供應器之外殼的材料為金屬時，則屏蔽層可以為直流轉直流電源供應器的外殼與相異於直流轉直流電源供應器之外殼的元件的其中之一，且當直流轉直流電 源供應器之外殼的材料非為金屬時，則屏蔽層不為直流轉直流電源供應器的外殼。
於本發明的另一示範性實施例中，在所述電源可以為直流轉直流電源的條件下，所述至少一電容包括第一安規電容與第二安規電容，而步驟(c)包括：耦接輸入正極與輸入地至屏蔽層；以及耦接輸出正極與輸出地的其中之一至屏蔽層。在此條件下，輸入正極、輸入地以及所述輸出正極與輸出地的其中之一三者中的二者分別透過第一與第二安規電容以耦接至屏蔽層，而輸入正極、輸入地以及所述輸出正極與輸出地的其中之一三者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層。
於上述本發明的一示範性實施例中，上述任一/每一安規電容分別為Y1電容或者為兩串接的Y2電容。
基於上述，於本發明中，採用上述方案後，可以衰減電源(例如：適配器電源、三相交流轉直流電源、直流轉直流電源等)傳遞出去的干擾，特別可以減小於LISN電阻上各別的共模干擾電流。
應瞭解的是，上述一般描述及以下具體實施方式僅為例示性及闡釋性的，其並不能限制本發明所欲主張之範圍。
現將詳細參考本發明之示範性實施例，在附圖中說明所述示範性實施例之實例。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件代表相同或類似部 分。
以下將結合附圖，對本發明的技術方案進行詳細說明。
圖2(a)~圖2(f)是本發明一示範性實施例之第一實施結構的示意圖。請參閱圖2(a)~圖2(f)，例如為適配器電源(adapter power supply)的電源至少包括：屏蔽層(shielding layer)(1)與電路本體(circuit body)(3)。其中，適配器電源可以為適配器電源供應器或適配器電源供應單元，而屏蔽層(1)的材質可以為金屬，例如：銅、鐵等，但並不限制於此，而且亦可稱為屏蔽罩(shielding shall)。基此，當適配器電源供應器之外殼的材料為金屬時，則屏蔽層(1)可以為適配器電源供應器的外殼與相異於適配器電源供應器之外殼的元件的其中之一；另一方面，當適配器電源供應器之外殼的材料非為金屬時，則屏蔽層(1)不為適配器電源供應器的外殼。另外，如圖5所示，電路本體(3)包括：輸入部(input part)(2)、輸入濾波電路(input filtering circuit)(31)、整流電路(rectification circuit)(32)、直流轉直流轉換電路(DC-DC conversion circuit)(33)、輸出濾波電路(output filtering circuit)(34)，以及輸出部(output part)(4)。
於本示範性實施例中，輸入部(2)、輸入濾波電路(31)、整流電路(32)、直流轉直流轉換電路(33)、輸出濾波電路(34)，以及輸出部(4)依次連接。輸入部(2)用以接收交流電源(AC power)AC_IN，並且包含 火線(fire line，亦可稱為L線)(L)與零線(neutral line，可稱為N線)(N)。輸出部(4)用以輸出直流電源(DC power)DC_OUT，並且包含輸出正極(output positive electrode)(+,41)與輸出地(output ground)(-,42)。直流轉直流轉換電路(33)的輸入具有正端(positive terminal)(+’)與負端(negative terminal)(-’)。
如圖2(a)~圖2(f)所示，火線(L)與零線(N)係耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一係耦接至屏蔽層(1)。而且，火線(L)、零線(N)以及所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一三者中的兩者分別透過安規電容C1、C2以耦接至屏蔽層(1)，而火線(L)、零線(N)以及所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一三者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖2(a)所示，舉例來說，火線(L)係透過安規電容C1以耦接至屏蔽層(1)。零線(N)係透過安規電容C2以耦接至屏蔽層(1)。輸出地(-,42)係直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖2(b)所示，舉例來說，火線(L)係透過安規電容C1以耦接至屏蔽層(1)。零線(N)係透過安規電容C2以耦接至屏蔽層(1)。輸出正極(+,41)係直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖2(c)所示，舉例來說，火線(L)係透過安規電容C1以耦接至屏蔽層(1)。零線(N)係直接耦接至屏 蔽層(1)。輸出地(-,42)係透過安規電容C2以耦接至屏蔽層(1)。
如圖2(d)所示，舉例來說，火線(L)係直接耦接至屏蔽層(1)。零線(N)係透過安規電容C1以耦接至屏蔽層(1)。輸出地(-,42)係透過安規電容C2以耦接至屏蔽層(1)。
如圖2(e)所示，舉例來說，火線(L)係透過安規電容C1以耦接至屏蔽層(1)。零線(N)係直接耦接至屏蔽層(1)。輸出正極(+,41)係透過安規電容C2以耦接至屏蔽層(1)。
如圖2(f)所示，舉例來說，火線(L)係直接耦接至屏蔽層(1)。零線(N)係透過安規電容C1以耦接至屏蔽層(1)。輸出正極(+,41)係透過安規電容C2以耦接至屏蔽層(1)。
圖2(a)的原理係與圖2(b)~圖2(f)類似，故於此將以圖2(a)為例來說明本發明的原理。在圖2(a)所述的連接方式下，共模干擾電流ICM被安規電容(C1,C2)以及屏蔽層(1)所組成的支路旁路(bypass)，因而得以衰減了阻抗平衡網路(line impedance stabilization network)電阻LISN上各別的共模干擾電流，使得檢測到的共模干擾(common-mode interferences)減小。
另一方面，圖3(a)~圖3(d)是本發明一示範性實施例之的第二實施結構的示意圖，而圖4(a)~圖4(d)是本發明一示範性實施例之的第三實施結構的示意圖。情 合併參閱圖3(a)~圖3(d)與圖4(a)~圖4(d)，如圖3(a)~圖3(d)與圖4(a)~圖4(d)所示，火線(L)與零線(N)的其中之一係耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一係耦接至屏蔽層(1)。而且，所述火線(L)與零線(N)的其中之一以及所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一兩者中的一者透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)，而所述火線(L)與零線(N)的其中之一以及所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一兩者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖3(a)所示，舉例來說，零線(N)係透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)，而輸出地(-,42)則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖3(b)所示，舉例來說，零線(N)係直接耦接至屏蔽層(1)，而輸出地(-,42)則透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)。
如圖3(c)所示，舉例來說，零線(N)係透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖3(d)所示，舉例來說，零線(N)係直接耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)則透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)。
如圖4(a)所示，舉例來說，火線(L)係透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)，而輸出地(-,42)則直接耦 接至屏蔽層(1)。
如圖4(b)所示，舉例來說，火線(L)係透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖4(c)所示，舉例來說，火線(L)係直接耦接至屏蔽層(1)，而輸出地(-,42)則透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)。
如圖4(d)所示，舉例來說，火線(L)係直接耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)則透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)。
如圖3(a)~圖3(d)所示的第二實施結構與圖4(a)~圖4(d)所示的第三實施結構可以實現如圖2(a)~圖2(f)所示之第一實施結構的目的。
另一方面，圖6(a)~圖6(j)是本發明一示範性實施例之的第四實施結構的示意圖。請合併參閱圖6(a)~圖6(j)，於本示範性實施例中，如圖6(a)~圖6(j)所示之整流電路(32)可以採用全橋拓撲(full bridge topology)來實施，但並不限制於此。在此條件下，如圖6(a)~圖6(j)所示，正端(+’,A)與負端(-’,B)的其中之一至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一係耦接至屏蔽層(1)。而且，所述正端(+’,A)與負端(-’,B)的其中之一以及所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一兩者中的一者透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)，而所述正端(+’,A)與負端(-’, B)的其中之一以及所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一兩者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖6(a)所示，舉例來說，負端(-’,B)係透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)，而輸出地(-,42)則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖6(b)所示，舉例來說，正端(+’,A)係透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)，而輸出地(-,42)則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖6(c)所示，舉例來說，正端(+’,A)係直接耦接至屏蔽層(1)，而輸出地(-,42)則透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)。
如圖6(d)所示，舉例來說，負端(-’,B)係直接耦接至屏蔽層(1)，而輸出地(-,42)則透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)。
當然，在其他有別於圖6(a)~圖6(d)的示範性實施例中，負端(-’,B)可以直接耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)則可以透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)；或者，正端(+’,A)可以直接耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)則可以透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)。
另外，如圖6(e)~圖6(j)所示，正端(+’,A)與負端(-’,B)係耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一係耦接至屏蔽層(1)。而且，正端(+’,A)、負端(-’,B)與所述輸出正極(+,41)與 輸出地(-,42)的其中之一三者中的兩者分別透過安規電容C1、C2以耦接至屏蔽層(1)，而正端(+’,A)、負端(-’,B)與所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一三者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖6(e)所示，舉例來說，正端(+’,A)與負端(-’,B)分別透過安規電容C1、C2以耦接至屏蔽層(1)，而輸出地(-,42)則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖6(f)所示，舉例來說，正端(+’,A)與輸出地(-,42)分別透過安規電容C1、C2以耦接至屏蔽層(1)，而負端(-’,B)則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖6(g)所示，舉例來說，負端(-’,B)與輸出地(-,42)分別透過安規電容C1、C2以耦接至屏蔽層(1)，而正端(+’,A)則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖6(h)所示，舉例來說，正端(+’,A)與負端(-’,B)分別透過安規電容C1、C2以耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖6(i)所示，舉例來說，負端(-’,B)與輸出正極(+,41)分別透過安規電容C1、C2以耦接至屏蔽層(1)，而正端(+’,A)則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖6(j)所示，舉例來說，正端(+’,A)與輸出正極(+,41)分別透過安規電容C1、C2以耦接至屏蔽層(1)，而負端(-’,B)則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖6(a)~圖6(j)所示的第四實施結構可以實現如圖2(a)~圖2(f)所示之第一實施結構的目的。
關聯於上述第一至第四實施結構的示範性實施例，所提之針對適配器電源中屏蔽層(1)的新型接地方式/手段能夠透過至少一安規電容而旁路部分回流至輸入部(2)的共模干擾電流(ICM)，從而衰減了阻抗平衡網路電阻LISN上各別的共模干擾電流。
在上述第一至第四實施結構中，火線(L)與零線(N)係被拿來以連接至屏蔽層(1)為例來進行說明，但是本發明並不限制於此。更清楚來說，整流電路(32)可以具有非高頻跳動的四個端(點)L’、N’、A’、B’，其中端(點)L’、N’透過輸入濾波電路(31)而分別耦接至火線(L)與零線(N)，而端(點)A’、B’則分別耦接至正端(+’,A)與負端(-’,B)。在此條件下，端(點)L’、N’的其中之一係耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一係耦接至屏蔽層(1)。而且，所述端(點)L’、N’的其中之一以及所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一兩者中的一者透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)，而所述端(點)L’、N’的其中之一以及所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一兩者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖7所示，舉例來說，端(點)N’係透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)，而輸出地(-,42)則直接耦接至屏蔽層(1)。
當然，在其他有別於圖7的示範性實施例中，端(點)N’可以直接耦接至屏蔽層(1)，而輸出地(-,42)則可以 透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)。或者，端(點)N’可以透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)則可以直接耦接至屏蔽層(1)。或者，端(點)N’可以直接耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)則可以透過安規電容C以耦接至屏蔽層(1)。
相似地，在其他示範性實施例中，端(點)L’、N’亦可分別被在輸入濾波電路(31)中與火線(L)以及零線(N)相連接的節點(nodes)所取代。
另外，在其他示範性實施例中，如圖6(a)~圖6(j)所示之正端(+’,A)與負端(-’,B)亦可分別被端(點)A’、B’所取代，但是不包含具有高頻跳動變化的端(點)D。
在此值得一提的是，儘管在前述的示範性實施例中，僅以整流橋和反馳式轉換的拓撲結構來舉例說明，但是本發明並不限制於此。更清楚來說，本發明所提之接地方式/手段仍可應用在其他具有相異於返馳式轉換拓撲型式的適配器電源中，而且還可以應用在類似於適配器電源的應用領域。
舉例來說，本發明所提的接地方式/手段可應用在如圖8所示的三相交流轉直流電源(three-phase AC-to-DC power supply)。相似地，三相交流轉直流電源至少包括：屏蔽層(1)與電路本體(3’)。其中，三相交流轉直流電源可以為三相交流轉直流電源供應器，而屏蔽層(1)的材質可以為金屬，例如：銅、鐵等，但並不限制於此，而且亦可 稱為屏蔽罩(shielding shall)。基此，當三相交流轉直流電源供應器之外殼的材料為金屬時，則屏蔽層(1)可以為三相交流轉直流電源供應器的外殼與相異於三相交流轉直流電源供應器之外殼的元件的其中之一；另一方面，當三相交流轉直流電源供應器之外殼的材料非為金屬時，則屏蔽層(1)不為三相交流轉直流電源供應器的外殼。另外，電路本體(3’)係對應於三相交流轉直流電源，並至少包括輸入部(2)與輸出部(4)。
在所提之接地方式/手段應用在三相交流轉直流電源的條件下，輸入部(2)用以接收三相交流電源AC_IN’，並包含第一火線(L1線，LA)、第二火線(L2線，LB)、第三火線(L3線，LC)以及零線(N線，N)。另外，輸出部(4)用以輸出直流電源DC_OUT，並包含輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)。
如圖8所示的示範性實施例中，第一火線(LA)、第二火線(LB)、第三火線(LC)以及零線(N)係耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一係耦接至屏蔽層(1)。而且，第一火線(LA)、第二火線(LB)、第三火線(LC)、零線(N)以及所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一五者中的四者分別透過安規電容C1~C4以耦接至屏蔽層(1)，而第一火線(LA)、第二火線(LB)、第三火線(LC)、零線(N)以及所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一五者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖8所示，舉例來說，第一火線(LA)係透過安規電容C1以耦接至屏蔽層(1)。第二火線(LB)係透過安規電容C2以耦接至屏蔽層(1)。第三火線(LC)係透過安規電容C3以耦接至屏蔽層(1)。零線(N)係透過安規電容C4以耦接至屏蔽層(1)。輸出正極(+,41)係直接耦接至屏蔽層(1)。
於此，其他有別圖8的可行實施結構可以藉由參照上述關聯於圖2(a)~圖(f)之示範性實施例的教示而類推/推演出，故而在此並不再加以詳述之。
再者，本發明所提的接地方式/手段可應用在如圖9所示的直流轉直流電源(DC-to-DC power supply)。相似地，直流轉直流電源至少包括：屏蔽層(1)與電路本體(3”)。其中，直流轉直流電源可以為直流轉直流電源供應器，而屏蔽層(1)的材質可以為金屬，例如：銅、鐵等，但並不限制於此，而且亦可稱為屏蔽罩(shielding shall)。基此，當直流轉直流電源供應器之外殼的材料為金屬時，則屏蔽層(1)可以為直流轉直流電源供應器的外殼與相異於直流轉直流電源供應器之外殼的元件的其中之一；另一方面，當直流轉直流電源供應器之外殼的材料非為金屬時，則屏蔽層(1)不為直流轉直流電源供應器的外殼。另外，電路本體(3”)係對應於直流轉直流電源，並至少包括輸入部(2)與輸出部(4)。
在所提之接地方式/手段應用在直流轉直流電源的條件下，輸入部(2)用以接收直流輸入電源DC_IN，並包 含輸入正極(+,91)與輸入地(-,92)。另外，輸出部(4)用以輸出直流輸出電源DC_OUT，並包含輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)。
如圖9所示的示範性實施例中，輸入正極(+,91)與輸入地(-,92)係耦接至屏蔽層(1)，而輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一係耦接至屏蔽層(1)。而且，輸入正極(+,91)、輸入地(-,92)以及所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一三者中的二者分別透過安規電容C1、C2以耦接至屏蔽層(1)，而輸入正極(+,91)、輸入地(-,92)以及所述輸出正極(+,41)與輸出地(-,42)的其中之一三者中的剩餘者則直接耦接至屏蔽層(1)。
如圖9所示，舉例來說，輸入正極(+,91)係透過安規電容C1以耦接至屏蔽層(1)。輸入地(-,92)係透過安規電容C1以耦接至屏蔽層(1)。輸出正極(+,41)係直接耦接至屏蔽層(1)。
於此，其他有別圖9的可行實施結構可以藉由參照上述關聯於圖2(a)~圖(f)之示範性實施例的教示而類推/推演出，故而在此並不再加以詳述之。
另一方面，前述的任一/每一安規電容(C,C1,C2,C3,C4)可以為一個Y1電容，或者為兩個串接的Y2電容，但並不限制於此。
除此之外，基於上述示範性實施例所揭示/教示的內容，一種適於電源(例如：適配器電源、三相交流轉直流 電源、直流轉直流電源等，但並不限制於此)且通用的接地方法可以被彙整與提出。更清楚來說，所彙整與提出的接地方法可以包括：(a)提供對應於電源的電路本體，其中電路本體包含輸入部與輸出部；(b)提供屏蔽層，並將電路本體置於屏蔽層中；以及(c)致使輸入部與輸出部的至少其中之一透過至少一電容以耦接至屏蔽層。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。另外，本發明的任一實施例或申請專利範圍不須達成本發明所揭露之全部目的或優點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，並非用來限制本發明之權利範圍。
L‧‧‧火線(L線)
LA‧‧‧第一火線(L1線)
LB‧‧‧第二火線(L2線)
LC‧‧‧第三火線(L3線)
N‧‧‧零線(N線)
1‧‧‧屏蔽層
2‧‧‧輸入部
3、3’、3”‧‧‧電路本體
4‧‧‧輸出部
41‧‧‧輸出正極
42‧‧‧輸出地
91‧‧‧輸入正極
92‧‧‧輸入地
+’、A‧‧‧正端
-’、B‧‧‧負端
LISN‧‧‧阻抗平衡網路電阻
ICM(=ICM1+ICM2)‧‧‧共模干擾電流
Z‧‧‧大地
C、C1~C4‧‧‧安規電容
AC_IN‧‧‧交流電源
AC_IN’‧‧‧三相交流電源
DC_OUT‧‧‧直流(輸出)電源
DC_IN‧‧‧直流(輸入)電源
31‧‧‧輸入濾波電路
32‧‧‧整流電路
33‧‧‧直流轉直流轉換電路
34‧‧‧輸出濾波電路
A’、B’、L’、N’、D‧‧‧端(點)
下面的所附圖式是本發明的說明書的一部分，繪示了本發明的示例實施例，所附圖式與說明書的描述一起說明本發明的原理。
圖1是傳統適配器電源中之屏蔽層的接地方法示意圖。
圖2(a)~圖2(f)是本發明一示範性實施例之第一實施結構的示意圖。
圖3(a)~圖3(d)是本發明一示範性實施例之的第 二實施結構的示意圖。
圖4(a)~圖4(d)是本發明一示範性實施例之的第三實施結構的示意圖。
圖5是本發明一示範性實施例之適配器電源的系統方塊圖。
圖6(a)~圖6(j)是本發明一示範性實施例之的第四實施結構的示意圖。
圖7是圖3(a)的另一種實施方式示意圖。
圖8是本發明一示範性實施例之的第五實施結構的示意圖。
圖9是本發明一示範性實施例之的第六實施結構的示意圖。
L‧‧‧火線(L線)
N‧‧‧零線(N線)
1‧‧‧屏蔽層
3‧‧‧電路本體
41‧‧‧輸出正極
42‧‧‧輸出地
LISN‧‧‧阻抗平衡網路電阻
ICM(=ICM1+ICM2)‧‧‧共模干擾電流
Z‧‧‧大地
C1、C2‧‧‧安規電容

Claims (25)

  1. 一種接地方法，適於一電源，而該接地方法包括：(a)提供對應於該電源的一電路本體，其中該電路本體包含一輸入部與一輸出部；(b)提供一屏蔽層，並將該電路本體置於該屏蔽層中；以及(c)致使該輸入部與該輸出部的至少其中之一透過至少一電容以耦接至該屏蔽層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之接地方法，其中該電源為一適配器電源(adapter power supply)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之接地方法，其中該電路本體更包含一輸入濾波電路、一整流電路、一直流轉直流轉換電路以及一輸出濾波電路，其中，該輸入部、該輸入濾波電路、該整流電路、該直流轉直流轉換電路、該輸出濾波電路以及該輸出部依次連接。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之接地方法，其中：該輸入部用以接收一交流電源，並包含一火線(L-line)與一零線(N-line)；該輸出部用以輸出一直流電源，並包含一輸出正極與一輸出地；以及該直流轉直流轉換器的輸入具有一正端與一負端。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之接地方法，其中：該適配器電源為一適配器電源供應器，而該屏蔽層的 材質為金屬；以及當該適配器電源供應器之一外殼的材料為金屬時，則該屏蔽層為該外殼與一相異於該外殼之元件的其中之一，且當該外殼的材料非為金屬時，則該屏蔽層不為該外殼。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之接地方法，其中該至少一電容包括一第一安規電容與一第二安規電容，而步驟(c)包括：耦接該火線與該零線至該屏蔽層；以及耦接該輸出正極與該輸出地的其中之一至該屏蔽層，其中，該火線、該零線以及所述該輸出正極與該輸出地的其中之一三者中的兩者分別透過該第一與該第二安規電容以耦接至該屏蔽層，而該火線、該零線與所述該輸出正極與該輸出地的其中之一三者中的剩餘者則直接耦接至該屏蔽層。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之接地方法，其中該第一與該第二安規電容分別為一Y1電容或者為兩串接的Y2電容。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之接地方法，其中該至少一電容包括一安規電容，而步驟(c)包括：耦接該火線與該零線的其中之一至該屏蔽層；以及耦接該輸出正極與該輸出地的其中之一至該屏蔽層，其中，所述該火線與該零線的其中之一以及所述該輸出正極與該輸出地的其中之一兩者中的一者透過該安規電容以耦接至該屏蔽層，而所述該火線與該零線的其中之一 以及所述該輸出正極與該輸出地的其中之一兩者中的剩餘者則直接耦接至該屏蔽層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之接地方法，其中該安規電容為一Y1電容或者為兩串接的Y2電容。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之接地方法，其中該至少一電容包括一安規電容，而步驟(c)包括：耦接該正端與該負端的其中之一至該屏蔽層；以及耦接該輸出正極與該輸出地的其中之一至該屏蔽層，其中，所述該正端與該負端的其中之一以及所述該輸出正極與該輸出地的其中之一兩者中的一者透過該安規電容以耦接至該屏蔽層，而所述該正端與該負端的其中之一以及所述該輸出正極與該輸出地的其中之一兩者中的剩餘者則直接耦接至該屏蔽層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之接地方法，其中該安規電容為一Y1電容或者為兩串接的Y2電容。
  12. 如申請專利範圍第5項所述之接地方法，其中該至少一電容包括一第一安規電容與一第二安規電容，而步驟(c)包括：耦接該正端與該負端至該屏蔽層；以及耦接該輸出正極與該輸出地的其中之一至該屏蔽層，其中，該正端、該負端與所述該輸出正極與該輸出地的其中之一三者中的兩者分別透過該第一與該第二安規電容以耦接至該屏蔽層，而該正端、該負端與所述該輸出正極與該輸出地的其中之一三者中的剩餘者則直接耦接至該 屏蔽層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之接地方法，其中該第一與該第二安規電容分別為一Y1電容或者為兩串接的Y2電容。
  14. 如申請專利範圍第5項所述之接地方法，其中：該至少一電容包括一安規電容；該整流電路具有第一至第四端，其中該第一與該第二端透過該輸入濾波電路而分別耦接至該火線與該零線，而該第三與該第四端則分別耦接至該正端與該負端；以及步驟(c)包括：耦接該第一與該第二端的其中之一至該屏蔽層；以及耦接該輸出正極與該輸出地的其中之一至該屏蔽層，其中，所述該第一與該第二端的其中之一以及所述該輸出正極與該輸出地的其中之一兩者中的一者透過該安規電容以耦接至該屏蔽層，而所述該第一與該第二端的其中之一以及所述該輸出正極與該輸出地的其中之一兩者中的剩餘者則直接耦接至該屏蔽層。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之接地方法，其中該規電容為一Y1電容或者為兩串接的Y2電容。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之接地方法，其中該電源為一三相交流轉直流電源。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之接地方法，其中： 該輸入部用以接收一三相交流電源，並包含一第一火線(L1-line)、一第二火線(L2-line)、一第三火線(L3-line)以及一零線(N-line)；以及該輸出部用以輸出一直流電源，並包含一輸出正極與一輸出地。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之接地方法，其中：該三相交流電源為一三相交流電源供應器，而該屏蔽層的材質為金屬；以及當該三相交流電源供應器之一外殼的材料為金屬時，則該屏蔽層為該外殼與一相異於該外殼之元件的其中之一，且當該外殼的材料非為金屬時，則該屏蔽層不為該外殼。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之接地方法，其中該至少一電容包括一第一安規電容、一第二安規電容、一第三安規電容以及一第四安規電容，而步驟(c)包括：耦接該第一火線、該第二火線、該第三火線與該零線至該屏蔽層；以及耦接該輸出正極與該輸出地的其中之一至該屏蔽層，其中，該第一火線、該第二火線、該第三火線、該零線以及所述該輸出正極與該輸出地的其中之一五者中的四者分別透過該第一至該第四安規電容以耦接至該屏蔽層，而該第一火線、該第二火線、該第三火線、該零線以及所述該輸出正極與該輸出地的其中之一五者中的剩餘者則直接耦接至該屏蔽層。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之接地方法，其中該第一至該第四安規電容分別為一Y1電容或者為兩串接的Y2電容。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之接地方法，其中該電源為一直流轉直流電源。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之接地方法，其中：該輸入部用以接收一直流輸入電源，並包含一輸入正極與一輸入地；以及該輸出部用以輸出一直流輸出電源，並包含一輸出正極與一輸出地。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之接地方法，其中：該直流轉直流電源為一直流轉直流電源供應器，而該屏蔽層的材質為金屬；以及當該直流轉直流電源供應器之一外殼的材料為金屬時，則該屏蔽層為該外殼與一相異於該外殼之元件的其中之一，且當該外殼的材料非為金屬時，則該屏蔽層不為該外殼。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之接地方法，其中該至少一電容包括一第一安規電容與一第二安規電容，而步驟(c)包括：耦接該輸入正極與該輸入地至該屏蔽層；以及耦接該輸出正極與該輸出地的其中之一至該屏蔽層，其中，該輸入正極、該輸入地以及所述該輸出正極與該輸出地的其中之一三者中的二者分別透過該第一與該第 二安規電容以耦接至該屏蔽層，而該輸入正極、該輸入地以及所述該輸出正極與該輸出地的其中之一三者中的剩餘者則直接耦接至該屏蔽層。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之接地方法，其中該第一與該第二安規電容分別為一Y1電容或者為兩串接的Y2電容。
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