201251547 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 _1 ] 本發明係有關一種封I基板之絕緣保護層開孔之形 成方法，尤指一種利用金屬阻擋層做為遮罩的絕緣保護 層開孔之形成方法。 [先前技術3 闺 «電子產業的蓬勃發展，封裝步驟已成為電子產 品中的重要製程之-’而封裝基板即在這中間扮演將半 導體晶片的電性接點扇出（fan out)以連接電路板的重 要角色。 [0003] 一般來說，在進行封裝製程之前，封裝基板需要在 最外層覆蓋例如防烊層（solder mask)的絕緣保護層 ，該絕緣保護層的作用主要是防止線路層氧化與避免封 裝基板受外力而損傷，且該絕緣保護層具有複數絕緣保 護層開孔以分別外露出用以對外電性連接的電性接觸墊 習知於封裝基板中製作絕緣保護層開孔之方式係先 全面性地覆蓋絕緣保護層，再於該絕緣保護層中藉由雷 射加工製程而燒灼形成複數絕緣保護層開孔，其中，各 該絕緣保護層開孔係分別外露各該電性接觸塾。 [0005] 惟，於習知之絕緣保護層開孔之形成方法中，係以 100120461 雷射加工製程來逐次形成各個絕緣保護層開孔，因此隨 著絕緣保護層開孔的數量增加，整體雷射加I的時間也 會等比例增加’這將會嚴重造成整 高最終產品的成本。 體產能低落，進而提 表單編號A0101 苐4頁/共18頁 1002( 201251547 [0006] 因此，如何提出一種封裝基板之絕緣保護層開孔之 形成方法，以避免習知絕緣保護層開孔之形成方法的產 率較低，導致產品競爭力下降等問題，實已成為目前亟 欲解決的課題。 【發明内容】 [0007] 鑑於上述習知技術之種種缺失，本發明之主要目的 係提供一種產率較高的絕緣保護層開孔之形成方法。 [0008] 為達上述及其他目的，本發明揭露一種封裝基板之 0 絕緣保護層開孔之形成方法，係包括：於表面具有複數 電性接觸墊的基材上形成絕緣保護層；於該絕緣保護層 上形成金屬阻擋層；於該金屬阻擋層上形成阻層，且該 阻層形成有複數對應各該電性接觸墊的阻層開孔；移除 各該阻層開孔中的金屬阻擋層，以構成複數金屬阻擋層 開孔；移除該阻層；移除各該金屬阻擋層開孔中的絕緣 保護層，以構成複數絕緣保護層開孔；以及移除該金屬 阻擋層。 C) [0009] 於本發明之封裝基板之絕緣保護層開孔之形成方法 中，該基材可為表面具有線路層之核心板、具有核心層 之封裝基板的最外層介電層、或無核心層的封裝基板的 最外層介電層。 [0010] 又於前述之形成方法中，該電性接觸墊可為置晶墊 、打線墊、表面黏著墊、或植球墊，移除該絕緣保護層 的方式可為電漿蝕刻、化學蝕刻、或喷砂，移除該金屬 阻擋層的方式可為蝕刻、刷磨或化學機械研磨，且該絕 緣保護層之材質可為ABF (Ajinomoto Build-up Film 100120461 表單編號 A0101 第 5 頁/共 18 頁 1002034611-0 201251547
[0011] [0012] [0013] [0014] [0015] 由上可知，因為本發明係以金屬阻擋層做為移除絕 緣保護層時的遮罩，並以全版面同步移除的方式來形成 該等絕緣保護層開孔，因此可突破習知雷射加工的瓶頸 ，而大幅提升整體產能；再者，由於該金屬阻擋層與絕 緣保護層之間具有較佳的移除選擇性，所以即使所需之 絕緣保護層開孔的孔徑偏小，亦能做出品質良好且輪廓 平順的絕緣保護層開孔，進而提升最終產品的可靠度。 【實施方式】 以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式 ，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之内容輕易地 瞭解本發明之其他優點及功效。 第一實施例 請參閱第1A至1G圖，係本發明之封裝基板之絕緣保 護層開孔之形成方法的第一實施例之剖視圖。 如第1A圖所示，提供一具有相對之第一表面20a與第 二表面20b的核心板20、及貫穿該核心板20之導電通孔 201，該第一表面20a與第二表面20b上分別形成有第一 線路層21a與第二線路層21b，該第一線路層21a具有複 數例如置晶墊或打線墊的電性接觸墊211、與複數例如表 面黏著（SMT)墊的電性接觸墊212，該第一表面20a與 第一線路層21a上形成有絕緣保護層22a，且該第二線路 層21b具有複數例如植球墊的電性接觸墊213，該第二表 面20b與第二線路層21b上形成有絕緣保護層22b，其中 100120461 表單編號A0101 第6頁/共18頁 1002034611-0 201251547 ’*亥絕緣保護層22a，22b之材質可為ABF (Ajinomoto
Build-up Film)。 如第1B圖所示’於該絕緣保護層22a，22b上分別形 成金屬阻擋層23a，23b。 如第1C圖所示，於該金屬阻擋層23a，23b上分別形 成阻層24a，24b ’且該阻層24a，24b分別形成有複數對應 各該電性接觸塾211，212, 213的阻層開孔241，242, 243 如第1D圖所示’移除各該阻層開孔241，242,243中 的金屬阻播層23a，23b，以構成複數金屬阻擋層開孔 231,232,233。 [0019] 如第1E圖所示，移除該阻層24a，24b。 [0020] 如第1F圖所示，移除各該金屬阻擋層開孔 231’ 232, 233中的絕緣保護層22a，22b，以構成複數絕 緣保護層開孔221，222, 223，其中，移徐該絕緣保護層 〇 22a，22b的方式可為電漿钱刻、化學餘刻、或嘴砂（ pumice)。 [0021] 如第1G圖所示，移除該金屬阻擋層23a，23b，其中 ，移除該金屬阻擋層23a，23b的方式可為蝕刻、刷磨或化 學機械研磨（chemical mechanical polishing，簡 稱CMP)。至此即元成對應各該電性接觸塾211 212 213 的絕緣保護層開孔221，222, 223。 [0022] 第二實施例 1002034611-0 100120461 表單编號A0101 第7頁/共18頁 201251547 [0023] 請參閱第2A至2G圖’係本發明之封裝基板之絕緣保 護層開孔之形成方法的第二實施例之剖視圖。 [0024] 如第2A圖所示，提供，核心線路層，該核心線路 層30包括至少一介電層301、形成於該介電層301上的第 一線路層302、及貫穿該介電層301且連接該第一線路層 302的導電盲孔303，該核心線路層30-側之最外層之該 第一線路層302具有複數例如置晶塾或打線墊的電性接觸 墊3021、與複數例如表面黏著墊的電性接觸墊3022，於 具有之該第一線路層302之該核心線路層30之一側上形成 有絕緣保護層32a，且該核心線路層30之另一側上形成有 連接該導電盲孔3〇3的第二線路層31 ’該第二線路層31具 有複數例如植球墊的電性接觸墊311 ’於具有該第二線路 層31之該核心線路層30之一側上形成有絕緣保護層32b， 其中，該絕緣保護層32a，32b之材質可為ABF ( Ajinomoto Build-up Film)。 [0025] 如第2B圖所示，於該絕緣保護層32a，32b上分別形 成金屬阻擋層33a，33b。 [謹] 如第2C圖所示，於該金屬阻擋層33a，33b上分別形 成阻層34a，34b ’且該阻層34a，34b分別形成有複數對應 各該電性接觸墊3021，3022, 31 1的阻層開孔 341，342, 343。 [0027] 如第2D圖所示，移除各該阻層開孔341，342, 343中 的金屬阻擋層33a，33b，以構成複數金屬阻擋層開孔 331，332, 333。 100120461 表單編號A0101 第8頁/共18頁 1002034611-0 201251547 [0028] [0029] [0030]
[0031] [0032] [0033]
[0034] 100120461 如第2E圖所示，移除該阻層34a，34b。 如第2F圖所示，移除各該金屬阻擋層開孔 331, 332, 3 33中的絕緣保護層3 2a，32b，以構成複數絕 緣保護層開孔321，322, 323，其中，移除該絕緣保護層 32a，32b的方式可為電漿蝕刻、化學蝕刻、或喷砂（ pumice) 〇 如第2G圖所示，移除該金屬阻擋層33a，33b，其中 ，移除該金屬阻擋層33a，33b的方式可為蝕刻、刷磨或化 學機械研磨（chemical mechanical polishing，簡 稱CMP)。至此即完成對應各該電性接觸墊 3021，30 22, 31 1 的絕緣保護層開孔321，322, 323。 第三實施例 請參閱第3圖，係本發明之封裝基板之絕緣保護層開 孔之形成方法的第三實施例之剖視圖。 如第3圖所示，本實施例大致與前一實施例相同，其 主要不同之處僅在於本實施例之基材係為具有核心層40 之封裝基板的最外層介電層41，而前一實施例之基材係 為無核心層的封裝基板的最外層介電層301，至於本實施 例之絕緣保護層開孔之形成方法可由前一實施例輕易地 類推而得知，故在此僅圖示出形成絕緣保護層開孔後之 最終結構。 综上所述，不同於習知技術，由於本發明係以金屬 阻擋層做為移除絕緣保護層時的遮罩，並以電漿蝕刻、 化學蝕刻、或喷砂之類的全版面同步移除方式來形成該 表單編號A0101 第9頁/共18頁 1002034611-0 201251547 等絕緣保護層開孔，因此可大幅提升整體產能，而進一 v降低最終產品成本；此外，該金屬阻擋層與絕緣保護 層之間具有較佳的移除選擇性，因此即使所需之絕緣保 濩層開孔的孔徑較小（例如在60微米以下），亦能做出 °〇質良好且輪廓平順的絕緣保護層開孔，進而提升最終 產品的可靠度。 '''、 [0035] 上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及复 效’而非用於制本發^任何熟習此項技藝、力 可在不違背本發明之精神及範訂，對上述實# 修改。因此本發明之權夫丨& & 叫壤行 乃之權利保護範圍，應如後逑 利範圍所列。 甲靖專 【圖式簡單說明】 [0036] 第1A至1G圖係本發明 货月之封裝基板之絕緣保，垃 之形成方法的第-實施例或層開孔 [0037] 第2A至2G圖係本發明 之形成方法的第二實施例 之封裝基板之絕緣俤 之剖視圖；以及 幾層 開孔 [0038] 第3圖係本發明 之封農基板之絶緣保護層開 方法的第三實施例之剖視圖。 孑 形戍 【主要元件符號說明】 [0039] [0040] [0041] [0042] 100120461 2020a 20b201 核心板 第一表面 第二表面 導電通孔 表單編號A0101 第10頁/共18貢 201251547 [0043] 21a,302 第一線路層 [0044] 21b,31 第二線路層 [0045] 211,212,213,3021,3022,311 電性接觸墊 [0046] 22a,22b,32a,32b 絕緣保護層 [0047] 221,222,223,321,322,323 絕緣保護層開孔 [0048] 23a,23b,33a,33b 金屬阻擋層 [0049] 231,232,233,331,332,333 金屬阻擋層開孔 [0050] 24a,24b,34a,34b 阻層 [0051] 241,242,243,341,342,343 阻層開孔 [0052] 30 核心線路層 [0053] 301,41 介電層 [0054] 303 導電盲孔 [0055] 40 核心層 100120461 表單編號A0101 第11頁/共18頁 1002034611-0