TW201251172A - Organic EL device manufacturing method and apparatus - Google Patents

Description

201251172 v 六、發明說明： I：發明戶斤屬之技術销域；j 發明領域 本發明係有關於一種在形成於基材上之電極層上具有 有機層’且由該有機層發光之有機EL元件之製造方法及製 造裝置。 C ^czj. 發明背景 近年來’有機EL(電致發光）元件作為下一世代之低耗 電發光顯示裝置使用之元件受到注目。基本上，有機£1/元 件具有包含由有機發光材料形成之發光層的至少一層有機 、 層及一對電極。該有機EL元件可發出來自有機發光材料之 多種彩色光，且是自發光元件，因此作為電視(τν)等之顯 示器用途受到注目。 有機EL元件係包含發光層之至少一層有機層被夾持在 具有互相相反電極之2個有機層之間而構成（夾心式構造）， 且各有機層係分別由數nm〜數十nm之有機膜構成。以電極 層夾持之有機層可被支持在基材上，且藉在基材上依序積 層陽極層、有機層、陰極層可形成有機EL元件。又，有機 層有多數層時，可在陽極層上依序積層各有機層。 關於如此之有機EL元件之製造方法，一般已知的是以 真空瘵鍍或塗布法作為在形成於基材上之陽極層上成膜 (形成）各有機層之方法。其中，由可提高用以形成有機層之 材料(有機層形成材料)之純度，且容易得到長壽命之觀點來

C 3 201251172 看’主要使用的是真空蒸鍍法。 上述真空蒸锻法係藉由在蒸錢 設於與基材對向之位置之蒸麟 —腔至内使 因此設有對應於_層〇鍍源。Μ鍍㈣成有機層， 該蒸鍍源之加埶邻Λ叙_，，、 、體而言，藉由配置於 於上m 熱錢層形成材料使錢化，且由設 ==之嘴嘴吐出經氣化之有機層形成材料(氣化 在形成於基材上之陽極層上，藉此在該 1%極層上4鍍有機層形成材料。 〗該真空蒸鍍法中係採用所謂批次製程或捲製程。批次 製程係在每—片形柄陽極狀基材中之陽極層上蒸鍍有 機層的製程。又，捲製程係連續地(以所謂捲對捲方式)送出 办成有陽極層捲取成捲狀之帶狀基材’ _面以驅動旋轉 之罐型滾筒表面讀送出之基材並與其—起旋轉而移動， 一面在陽極層上連續地蒸鍍各有機層，接著將蒸鍍有各有 機層之基材捲取成捲狀的製程。其中，由謀求低成本化之 觀點來看’使用捲製程製造有機EL元件是最好的。 但是’如此地在真空蒸鍍法中採用捲製程時，有時發 光色由所希望之發光色會產生變動（不均勻），製造出低品質 之有機EL元件。 另一方面’有人提出在真空蒸鍍法中由增長壽命之觀 點來看為了減少發光層吸取之水分量，縮小蒸鍍源與基材 間之距離的技術(請參照專利文獻1) ’但是一旦如此縮小蒸 鍍源與基材間之距離，在基材寬度方向上由該基材中央部 越向兩端部，有機層形成材料之附著量就會越少，且該中 201251172 央部之膜厚變成比兩端部之膜厚大。因此，特別更加六易 在基材之寬度方向上製造出上述發光色由所希望之發2色 變動之低品質有機EL元件。 因此，在捲製程中，為了縮小在基材之寬度方向上之 中央部與兩端部之間有機層形成材料之附著量的差，有人 提議藉由與基材移動方向平行之流量修正構件在基材之寬 度上分成2個以上之區域，且通過由該流量修正構件形成之 狹縫吐出有機層形成材料，使其附著在基材上(請參照專利 文獻2)。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特開2008-287996號公報 專利文獻2:日本特開2009-302045號公報 L 明内】 發明概要 發明欲解決之課題 但疋，一旦设置上述流量修正構件，只要因該流量修 正構件受遮蔽之部份’噴嘴之開口面積便會實質地減少， 因此有機層之形成速度變慢，有招致有機EL元件之生產致 率降低之虞。 鑑於上述問題，本發明之目的在於提供一種—面縮短 基材與蒸鍍源之距離，一面抑制發光色之變動，且可有效 率地製造向品質有機EL元件之有機EL元件之製造方法及 製造裝置。 201251172 用以解決課題之手段 本發明人為解決前述課題鑽研後，發現將喷嘴之開口 部寬度（與基材移動方向呈垂直方向的喷嘴開口寬度)w，在 基材上形成之有機層之發光寬度(在發光區域巾與基材移 動方向呈垂直方向之寬度)A，及開口部與基材之距離h設定 為預定之關係’藉此可有效地製造減少基材與蒸錢源之通 孔且抑制發光色變動之高品質有機EL元件，並完成本發明。 即，本發明之有機EL元件之製造方法，係一種有機EL 元件之製1^方法’其包含蒸鍍步驟，該蒸鍍步驟係藉由使 絰氣化之有機層形成材料從喷嘴吐出，而在相對於 進行相對移動之基材上形成有機層； 、 並且，忒製造方法係以下述方式進行前述蒸錢步驟， 即.形成由前述有機層構成且具有相對於基材移動方向呈 垂直方向之寬度A(mm)的發光區域，且， 當令前述喷嘴之開口部中與前述基材移動方向呈垂直 方向的長度為W(mm)，且令前述開口部與前述基材之距離 為h(mm)時’滿足式WgA+2xh(其中，h^5mm)。 藉由進行如上所述之蒸鍍步驟，可有效率地製造一面 縮短基材與蒸鍍源之距離，一面抑制發光色變動之高品質 有機EL元件。 又’本發明之有機EL元件之製造裝置，係一種有機el 元件之製造裝置，其具有蒸鍍源，該蒸鍍源係藉由從喷嘴 吐出經氣化之有機層形成材料，而在相對於該喷嘴進行相 對移動之基材上形成有機層者， 201251172 並且，該製造裝置係以下述方式構成，即：形成由前 述有機層構成且具有相對於基材移動方向呈垂直方向之寬 度A(mm)的發光區域，且， 當令前述喷嘴之開口部中與前述基材移動方向呈垂直 方向的長度為W(mm)，且令前述開口部與前述基材之距離 為h(mm)時，滿足式W2A+2xh(其中，h$5mm)。 發明效果 如上所述，藉由本發明，可有效率地製造一面縮短基 材與蒸鍍源之距離，一面抑制發光色變動之高品質有機EL 元件。 圖式簡單說明 第1圖是模式地顯示本發明一實施形態之有機EL元件 之製造方法所使用的一實施形態之有機EL元件之製造裝置 的概略側面截面圖。 第2A圖是顯示形成在基材上之陽極層及有機層之配置 關係之一例的圖，且是顯示在陽極層上積層有有機層之狀 態的俯視圖。 第2B圖是第2A圖之XX'箭號方向觀看之截面圖。 第3A圖是顯示在基材上形成之陽極層、有機層及陰極 層之配置關係之一例的俯視圖。 第3B圖是第3A圖之YY'箭號方向觀看之截面圖。 第4圖是模式地顯示喷嘴開口部與基材之周邊構成的 概略放大側面截面圖。 第5圖是由第4圖上方模式地顯示喷嘴開口部與基材之 2〇l25ll72 g己置關係的概略放大平面圖。 第6圖是模式地顯示於真空腔室内設有多數蒸錢源之 狀態的概略側面截面圖。 第7A圖是模式地顯示有機EL元件之層構成的概略側 面截面圖’且是顯示有機層為1層之情形的圖。 第7B圖是模式地顯示有機EL元件之層構成的概略側 面截面圖’且是顯示有機層為3層之情形的圖。 第7C圖是模式地顯示有機EL元件之層構成的概略側 面截面圖’且是顯示有機層為5層之情形的圖。 C實施方式3 用以實施發明之形態 以下’一面參照圖式一面說明本發明之有機EL元件之 製造方法及有機EL元件之製造裝置的實施形態。 如第1圖所示，有機EL元件之製造裝置1係具有真空腔 室3之蒸鍍裝置，且在真空腔室3内概略地配置有作為基材 供給手段之基材供給裝置5，罐型滾筒7，蒸鍍源9，及基材 回收裝置6。真空腔室3係藉由未圖示之真空產生裝置使其 内部呈減壓狀態，且可在内部形成真空區域。 上述基材供給裝置具有將捲取成捲狀之帶狀基材21送 出之供給輥5。上述基材回收裝置6具有捲取送出之基材21 的捲取輥6。即，由供給輥5送出之基材21供給至罐型滾筒7 後’藉捲取輥6捲取，成為所謂捲對捲方式。 罐型滾筒7係由圓筒狀之不鏽鋼形成，且可驅動旋轉。 °亥罐型滾筒7由供給輥5送出（供給）’且捲取輥_6捲取之其材 8 201251172 21係配置在可以預定張力捲掛之位置，且可以罐型滾筒7周 面（表面）支持基材21之非電極層側（具體而言，與陽極層設 置側相反之側）。又，罐型滾筒7可藉由旋轉（第上圖之逆時針 旋轉地旋轉）’使被捲掛(被支持）之基材21與罐型滾筒7一起 以旋轉方向移動。 該罐型滾筒7宜在内部具有冷卻機構等之溫度調整機 構，因此，在後述基材21上之有機層成膜時，可使基材21 之溫度安定。㈣滾筒7之外徑，例如可設定為 300〜2000mm。 又’罐型滚筒7旋轉時’隨著其旋轉由供給觀5依序送 出基材2卜且送出之基材21—面抵接於罐魏筒7之周面而 被支持，-面以其旋轉方向軸，同時藉由捲取輥6捲取離 開罐型滚筒7之基材21。 基材21之形成材料使用具有即使捲掛在罐型滾筒7上 亦不曰知傷之可撓性的材料，且如此之材料可舉金屬材 料、非金屬材料或樹脂材料為例。 上述金屬材料可舉例如：不鏽鋼、鐵鎳合金等之合金， 銅錄鐵雀呂，鈦等。又，上述鐵錄合金可舉％合金或 42合金等為例。其巾，由容易適祕捲製程之觀點來看， 上述金屬材料宜為不鏽鋼，銅，銘或欽。又，由處理性或 基材之捲取性之觀點來看，由該金屬材料形成之基材的厚 度宜為5〜200μηι。 上述非金屬無機材料可舉坡璃為例，且由該玻璃形成 之基材可舉具有撓性之薄膜料為例n充分機械強 201251172 度及適度可塑性之觀點來看 材的厚度宜為5〜5〇〇μιη。 由非金屬無機材料形成之基 上述樹脂材料可舉熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂等之 合成樹脂，且該合成樹脂可舉例如：聚酿亞胺樹脂，聚醋 樹脂’環氧樹脂’聚胺基甲酸輯脂，聚苯乙烯樹脂，聚 乙烯樹脂，聚酿胺樹脂’ _腈_丁二秦苯乙烯(abs)共聚 物樹脂’聚碳酸醋樹脂，石夕氧樹月旨，氟樹脂等。又，由樹 脂材料形叙紐可使用，❹，上述合成樹脂之薄膜。 又，由充分機械強度及適度可塑性之觀點來看，該基材之 厚度宜為5〜500μηι。 基材21之寬度係依據形成之有機£1^元件尺寸適當設 計，沒有特別限制，但是，例如，宜為5mm〜1〇〇〇mm。 具體而言，基材21可使用藉由濺鍍預先形成陽極層 23(請參照第2圖）者。 用以形成之陽極層23的材料可使用銦辞氧化物 (IZO)、銦錫氧化物(ITO)等各種透明導電材料，金，銀、白 金專之金屬或合金材料。 ?矣錢源9係用以形成包含發光層（有機層25a)之至少1層 有機層（請參照第7圖）者，且依據用以形成有機層設置1個以 上。在本實施形態中，為了形成1層有機層25a設有1個蒸鍍 源9。蒸鍍源9係配置在罐型滾筒7周面中與基材21之支持區 域對向的位置，且藉由在基材21上蒸鍍用以形成有機層之 材料（有機層形成材料22)，可在形成於基材21上之陽極層23 上形成有機層25a(請參照第2圖、第7圖）。 10 201251172 S亥癌鍍源9之構成沒有特別限制，只要具有可向基材21 吐出藉由加熱等氣化之有機層形成材料22即可。例如’蒸 鑛源9可收容有機層形成材料22，且喷嘴知具有加熱部（未 圖示）。噴嘴9a係配置成與罐型滾筒7中之基材以的支持區 域對向。上述加熱部可加熱有機層形成材料22使其氣化， 且氣化之有機層形成材料22可由喷嘴知之開口部9aa(請參 照第4圖及第5圖）吐出至外部。又，開口部—形成為矩形。 此外，關於開口部9aa之尺寸細節在以下說明。 又，—旦在上述蒸鍍源9内加熱有機層形成材料22，該 有機層形成材料22便會氣化，且經氣化之有機層形成材料 22由喷嘴9a向基材21吐出，並蒸鍍在基材21上。藉由如此 地在基材21上蒸鑛氣化之有機層形成材料22，如第2圖及第 7A圖所示，在形成於基材21上之陽極層23上形成有機層 25a。 有機層沒有特別限制，只要至少具有發光層（有機層 25a)即可，又，可依需要形成多數有機層。如第78圖所示， 可依序積層正孔注入層（有機層25b)、發光層（有機層25a)及 電子注入層（有機層25c)’積層3層有機層。此外，可依需要， 藉由將正孔輸送層（有機層25d ’請參照第7C圖）夾在上述第 7B圖顯示之發光層（有機層25匀與正孔注入層（有機層乃匕) 之間，或，藉由將電子輸送層（有機層25e)(請參照第7C圖） 炎在發光層（有機層25a)與電子注入層（有機層25c)之間，積 層4層有機層。 另外，如第7C圖所示，可將正孔輸送層（有機層25d)夾 11 201251172 在正孔注入層（有機層25b)與發光層（有機層25a)之間，且將 電子輸送層（有機層25e)夾在發光層（有機層25a)與電子注 入層（有機層25c)之間，藉此積層5層有機層。又，各有機層 之膜厚通常設計為數nm〜數十nm左右，但是該膜厚係可依 據有機層形成材料22或發光特性等適當設計者，沒有特別 限制。 用以形上述發光層之材料可使用，例如，三（8_羥喹啉) 紹(Alq3)，摻雜銦錯合物（ir(ppy)3)之4,4I_N，NI_二肼甲醯聯 笨(CBP)等。 用以形成正孔注入層25b之材料可使用，例如，銅酞青 (CuPc)，4,4’-雙[N-4-(N，N-二-m-三胺基）苯基]-N-苯基胺基] 聯苯(DNTPD)等。 用以形成上述正孔輸送層之材料可使用，例如，4,4，_ 雙[N-(l-萘基)-N-苯基胺基]聯笨(α·ΝρΕ))，N，N，_二苯基 -N，N-雙(3-曱本基)_ι，ι'聯苯 _4,4'二胺(tpd)等。 用以形成上述電子注入層之材料可使用，例如，氣化 鋰(LiF)，氟化鉋(CsF)，氧化鋰(Li2〇)等。 用以形成上述電子輸送層之材料可使用，例如，三 經啥琳碑(Alq3) ’雙(2·甲基，8，琳)_4_苯義轉蝴）， OXD-7(l，3-雙[5_(p_特-丁笨基扣㈣二唾_2·基])苯等。 又’蒸鑛源9可依據如上述之在基材以之陽極層23上形 成之有機層的積層構成或積層數量配置⑽以上。例如，如 第7Β圖所示積層3層有機層時，如第6圖所示，可沿罐型滚 筒7之旋轉方向配置3個蒸鍍源。如此沿罐型滾『之旋轉方 12 201251172 向設置多數蒸鍍源時，可藉由相對於該旋轉方向配置於最 上游側之蒸鍍源9在陽極層23上蒸鍍第1層有機層後，藉由 下游側之蒸鍍源9在第1層有機層上依序蒸鍍第2層以後之 有機層而積層。 陰極層27可使用包含銘(A1)，鎂(Mg)，銀(Ag)，ITO， 鹼金屬，或鹼土族類金屬之金屬等。在第3圖所示之一例 中’陰極層27係在與有機層25a重疊之部份中形成比有機層 25a小之矩形。 又，將用以形成陽極層23之真空成膜裝置配置在相對 罐型滾筒7之旋轉方向用以形成有機層之蒸鍍源9的上游 側，且將用以形成陰極層27之真空成膜裝置配置在下游 側，並且將一面被罐型滾筒7支持一面移動之基材21成膜在 陽極層23上後，可蒸鑛有機層25a，再成膜陰極層27。 又’此外’陽極層23及陰極層27之材料使用可藉蒸鑛 源蒸鍍之材料時，在真空腔室3内配置陽極層23及陰極層27 用之蒸鍍源，且在基材21上依序連續蒸鍍陽極層23、有機 層25a、陰極層27，藉此可形成有機EL元件20。 在如此形成之有機EL元件20中，當在陽極層23及陰極 層27上分別施加陽極及陰極之電壓時，電流流至有機層 25a。因此，在與基材呈垂直之方向上，有機層25a中與陽 極層23及陰極層27都重疊之區域發光(發光區域）。 在該有機層25a之發光區域R中，與基材21之移動方向 呈垂直方向的寬度為發光寬度A。又，由該發光區域R放射 之光係藉由通過陽極層23或陰極層27之至少一層而放射， 13 201251172 且該陽極層23表面或陰極層27表面形成有機EL元件2〇之發 光面。 接著，就喷嘴9a之開口部9aa中與基材21之移動方向呈 垂直方向的長度（開口寬度)W(mm)、有機層25a之發光寬度 Adnm)、及開口部9aa與基材2丨之距離h(mm)的關係進行& 明。又，第4圖之左右方向係基材21之寬度方向第5圖之 鏤空箭號表示基材之移動方向，且第5圖之上下方向係基材 21之寬度方向（與移動方向呈垂直之方向）。又，以下「基材 之寬度方向」有時只稱為「寬度方向」。 如第4及5圖所示，噴嘴9a之開口寬度為w，有機層25 之發光寬度為A，且開口部9aa與基材21之距離為h。此時， W、A及h係設計成滿足式W2A+2xh(其中h$5mm)。 因h為5mm以下（其中5mm)，可使氣化之有機層形成 材料22以高密度到達基材21，因此可提高該有機層形成材 料22之利用效率。又，由使氣化之有機層形成材料22為更 高密度之觀點來看，距離h宜為5mm以下，且3mm以下更 佳。為了將該距離h調整為預定值，亦可將喷嘴9a配置在開 口部9aa相對基材21只分開該預定值之位置。 又’因滿足式W2A+2xh，在有機層25a中發光區域之 寬度方向兩端部中，可使有機層形成材料22之附著量增 加，因此可減少在該發光區域R之寬度方向中央部與兩端部 之間有機層形成材料22之附著量的差，即膜厚之差。又， 越抑制在該有機EL元件20内部中有機層之膜厚（厚度）的變 動，電氣特性之差或光學特性之差越小，可抑制發光面之 14 201251172 亮度不均。因此，由於可抑制有機層25a之發光變動，故可 有效率地製造抑制發光色變動之高品質有機EL元件。 又，在基材21之移動方向上，基材21通過吐出之有機 層形成材料22附著之區域的全部，因此發光區域尺之膜厚變 動小。因此，如上所述，因使在發光區域尺之寬度方向上有 機層之犋厚變動減少，故可使在發光區域R之全部區域中， 起因於上述吐出狀態之有機層的膜厚變動減少。 上述開口寬度W沒有特別限制，只要滿足h為5mm以 下，且，W2A+2xh即可。但是開口寬度w過小時，雖然形 成發光區域R但是有無法形成足夠有機層之虞，且過大時有 招致製造裝置大型化且成本增加之虞。例如，開口寬度w 小於5mm時，有發光面積變窄，且產量降低之虞，又，開 口寬度W超過1000mm時，有招致裝置之大型化，且裝置成 本增加之虞。因此，例如考慮該觀點可適當設計開口寬度 w’且例如開口寬度W宜為5mm以上且l〇〇〇mm以下，更佳 的是5mm以上100mm以下，且特佳的是l〇mm以上且70mm 以下。又，開口寬度W比基材21之寬度大時，有有機層形 成材料22無效地飛散之虞，因此考慮該觀點，例如開口寬 度W宜為基材21之寬度以下。 上述發光寬度A沒有特別限制，只要滿足h為5mm以 下，且W2A+2xh即可。但是，A過小時，有發光區域R過 小且無法充分發光之虞，又，過大時有因混入微小異物產 率降低之虞。又，發光寬度A亦具有依據使用有機EL元件 之用途等設計之性質。因此，例如考慮該觀點，可適當設 15 201251172 計發光寬度A，且例如發光寬度a宜為3mm以上且900mm以 下，較佳的是3mm以上且90mm以下，且更佳的是5mm以上 且60mm以下。 以下，就使用上述製造裝置之一實施形態之有機EL元 件之製造方法進行說明。 本實施形態之有機EL元件之製造方法包含藉由從噴嘴 9a吐出氣化之有機層形成材料22，在相對於該喷嘴9a進行 相對移動之基材21上形成有機層25a之蒸鍍步驟，又，進行 前述蒸鍍步驟，以形成由有機層25a構成且發光寬度（相對 於基材移動方向呈垂直方向之寬度)A之發光區域R，且，當 令與基材移動方向呈垂直之喷嘴開口寬度為W(mm)，且令 開口部9aa與基材21之距離為h時，滿足式W2A+2xh(其中h S 5mm)。 在本實施形態中，預先如上所述地設定開口寬度W、 發光寬度A及距離h，且依據設定之距離配置喷嘴％，並設 定陽極層23、有機層25a及陰極層27之尺寸及位置關係。 例如，首先，將開口寬度W、發光寬度A及距離h中距 離h之數值設定為5mm以下之設定值。在先設定距離匕之情 形下，接著設定發光寬度A及開口寬度W以滿足式wg A+2xh。接著’設定發光區域r之尺寸以具有設定之發光寬 度A，且設定有機層25a、陽極層23及陰極層27之尺寸以及 該等層之形成位置（即重疊狀態）以得到該發光區域R。 同樣地，在先設定發光寬度A之情形下，接著設定開口 寬度W及距離h使距離h為5mm以下且滿足式W2A+2xh，接 16 201251172 著，在先設定開口寬度W之情形下，接著設定發光寬度A及 距離h使距離h為5mm以下立滿足式WgA+2xh。 又，在該設定後，首先，藉由濺鍍在一面側預先形成 陽極層23 ’且由供給親5送出捲取成捲狀之基材21。 接著’ 一面移動送出之基材21使與形成有陽極層23之 側相反之側抵接於罐型浪同7之表面，一面藉由與罐型滚筒 7對向配置之蒸鍵源9使包含有機層25a(請參照第7圖）之有 機層形成材料22氣化，立使氣化之有機層形成材料22由喷 嘴9 a吐出並蒸鍍在被罐蜇滾筒7支持之基材21上的陽極層 23上。 因此，可在使h為5mm以下且滿足式W2A+2xh之情形 下在基材21上形成有機層25a。有機層25a形成後，藉捲取 輥6捲取形成有有機層25a之基材21。此外，在有機層25a 上’藉由未圖示之蒸鍍裝置形成陰極層27，藉此可在基材 21上形成依序積層陽極層23、有機層25a及陰極層27之有機 EL元件20。 藉由如此製造之有機EL元件20，可如上所述地抑制在 發光區域R之有機層25a之膜厚變動。 又’如上所述’越抑制有機層25a之膜厚變動，越可進 一步抑制發光面之亮度不均，若有鑑於此，則該膜厚變動 宜為±10%以下。藉使膜厚變動宜為土1〇%以下，可獲得在 20%以内之有機EL元件2〇發光面的亮度不均。 本發明之有機EL元件之製造方法及製造裝置係如上所 述，但是本發明不限於上述各實施形態且在本發明意圖之 17 201251172 範圍内可適當變更設計。例如，在上述實郷㈣係在蒸 鍍源9内使有機層形成材料22氣化，但是亦可將以另外的妒 置氣化之有機層形成材料22導入蒸鍍源9内，且由蒸鍍源9 之喷嘴9a吐出。 又，在上述實施形態中係將供給輥5配置在真空腔室3 内，但是對罐型滚筒7之供給方法沒有特別限制，只要可將 基材21送出至罐型滚筒7即可。又，在上述實施形態中係捲 取蒸鐘步驟結束後之基材21，但是亦可不捲取該基材21， 而供應至裁斷等步驟。 又，在上述實施形態中係藉由形成比有機層25a小之矩 形來設計發光區域R，但是該發光區域r之設計沒有特別限 制’可另外將絕緣層配置在有機層25a與陰極層27之間，且 藉由將該絕緣層形成為比有機層25a小之矩形來設計發光 區域R。又，在上述實施形態中係就蒸鍍發光層作為有機層 之情形進行說明’但是’另外，在蒸鍍正孔注入層、正孔 輸送層、電子注入層、電子輸送層作為有機層之情形下， 就各有機層之發光寬度A及各蒸鍍源之喷嘴中開口部與基 材21之距離的關係而言，可與上述同樣地適用本發明。 實施例 以下舉實施例更詳細地說明本發明，但是本發明不限 於該等實施例。 <有機層之發光區域中之膜厚誤差的評價> 為更準確地測量形成之有機層的膜厚變動，在基材上 直接形成有機層，且測量形成之有機層的膜厚，並且由測

18 201251172 量結果算出膜厚誤差。 具體而言，如上述實施形態所示，在真空腔室内配置i 個蒸鑛源，且使用三（8-羥喹淋)鋁(Alq3)作為用以形成有機 層（發光層）之材料’並且使用寬度7〇mm '全長130mm之挽 性玻璃基板(基材)作為基材21。 接著’在該撓性玻璃基板上，藉由上述實施形態之有 機EL元件之製造方法，直接以蒸鍍源氣化Alq3，且在基材 上連續蒸鑛氣化之Alq3，藉此形成有機層。此時，使喷嘴 9a之開口寬度W，有機層之發光寬度A，開口部與基材之距 離h如表1〜3所示地進行種種變化，且形成有機層使得膜厚 為lOOnm。又’真空腔室3内之真空度為5.〇xl〇_5pa，且在蒸 鍍源之加熱溫度為300。(：。 對於形成之發光層之膜厚，使用ULVAC公司製之觸針 式表面形狀測量器Dektak，使該測量器抵接形成有有機層 之表面，且在該有機層中之基材長方向中央，在寬度方向 上每隔1mm測量膜厚，並且藉由膜厚誤差=(膜厚之最大值_ 最小值)/最大膜厚χ100(%)，算出寬度方向之膜厚誤差。又， 評價膜厚誤差$5°/◦時為◎，5%<膜厚誤差$10%時為〇， 且1〇%<膜厚誤差時為X。結果顯示於表1〜表3中。 <有機EL元件之發光區域中之亮度不均的評價> 使用形成有以預定圖案之ΙΤΟ作為陽極層之寬度 70mm、長度130m之撓性玻璃基板，且使用3個蒸鍍源，在 該陽極層上使作為正孔注入層之CuPc為膜厚25nm、作為正 孔輸送層之NPB膜厚為45nm、作為發光層之Aiq3為臈厚 19 201251172 60nm、作為電子注入層之LiF為膜厚0 5nm、作為陰極層之 A1為膜厚l〇nm作為有機層，且依此順序在基材上依序形 成。又，每形成一連串之CuPc、NPB及Alq3，即如表i、2 及3所示地使開口寬度w、發光寬度A及距離h變化。 藉由施加電壓於陽極層23及陰極層27使流過有機層25 之電流的電流密度為7_5mA/cm2，使形成之有機EL元件發 光。此時，使用有機EL特性評價裝置（有機EL發光效率測量 裝置，PRECISE GAUGES公司製，型式EL-1003)，在該有 機EL元件之發光區域中之基材長方向中央，在寬度方向上每 隔1mm測量在發光面之亮度。由測量結果，亮度不均=(最大 亮度-最小亮度V最大亮度χ100(°/〇)，算出寬度方向之亮度不 均。又’評價亮度不均$10%時為◎，1〇%<亮度不均$20% 時為〇’且20%<亮度不均時為X。結果顯示於表1〜表3中。

20 201251172 [表i] W A h A+2xh A+2xh 膜厚誤差 亮度不均 \ (%) 評價 (%) 評價 實施例1 20 18 0.5 19 〇 2 ◎ 4 ◎ 實施例2 20 18 1 20 〇 7 〇 14 〇 比較例1 20 18 2 22 X 18 X 36 X 比較例2 20 18 3 24 X 25 X 50 X 比較例3 20 18 4 26 X 29 X 58 X 比較例4 20 18 5 28 X 30 X 60 X 實施例3 20 16 0.5 17 〇 1 ◎ 2 ◎ 實施例4 20 16 1 18 〇 3 ◎ 6 ◎ 實施例5 20 16 2 20 〇 9 〇 18 〇 比較例5 20 16 3 22 X 15 X 30 X 比較例6 20 16 4 24 X 19 X 38 X 比較例7 20 16 5 26 X 21 X 42 X 實施例6 20 10 0.5 11 〇 0 ◎ 0 ◎ 實施例7 20 10 1 12 〇 0 ◎ 0 ◎ 實施例8 20 10 2 14 〇 2 ◎ 4 ◎ 實施例9 20 10 3 16 〇 3 ◎ 6 ◎ 實施例10 20 10 4 18 〇 5 ◎ 10 ◎ 實施例11 20 10 5 20 〇 6 〇 12 〇 21 201251172 在表1中’顯示令開口寬度W為一定，即W=20iniii，且 使發光寬度A及距離h變化時之結果。如實施例1~5所示’確 認當A=18mm及16mm兩種情形時，滿足式WgA+2xh者(表 中以〇表示）之膜厚誤差及亮度不均為小。相對於此，如比 較例1〜7所示，確認不滿足式W2A+2xh者（表中以X表示） 之膜尽誤差及免度不均都為大。又，如實施例6〜11所示， 開口寬度W與發光寬度A之差(W_A)為1〇麵以上時，無論發 光寬度A及距離h之大小為何均滿足w^A+2xh，因此膜厚 誤差及亮度不均變小。 [表2]

在表2中，顯示令開口寬度％為_定， 使發光寬度A及距離h變化時之結果。如實施例i2〜i6所禾 22 201251172 確認當A=9mm、Smm及7mm之任一種情形時，滿足式 A+2xh者(表中以〇表示）之膜厚誤差及亮度不均都為小。= 對於此，如比較例8〜20所示’確認不滿足式w ^ A+2xh者（表 中以X表示）之膜厚誤差及亮度不均都為大。又，當w=1〇mm 時’開口寬度W與發光寬度A之差(W-A)小於10mm，因此與 上述表1不同，沒有無論發光寬度A及距離h之大小為何均滿 足WgA+2xh之情形。 [表3] \u A h A+2xh A+2xh 厚誤差 — W A (%) 評價 (%) 評價 實施例17 50 48 0.5 49 〇 2 ◎ 4 --- ◎ 實施例18 50 48 1 50 〇 7 〇 14 ~*.....— 比較例21 50 48 2 52 X 18 X 36 X 比較例22 50 48 3 54 X 25 X 50 h---—. X 比較例23 50 48 4 56 X 29 X 58 X 比較例24 50 48 5 58 X 30 X 60 X 實施例19 50 46 0.5 47 〇 1 ◎ 2 ----- ◎ 實施例20 50 46 1 48 〇 3 ◎ 6 實施例21 50 46 2 50 〇 9 〇 18 比較例25 50 46 3 52 X 15 X 30 X 比較例26 50 46 4 54 X 19 X 38 ---. X 比較例27 50 46 5 56 X 21 X 42 X 實施例22 50 40 0.5 41 〇 0 ◎ 0 ◎ 實施例23 50 40 1 42 〇 0 ◎ 0 mwm 實施例24 50 40 2 44 〇 2 ◎ 4 ◎ 實施例25 50 40 3 46 〇 3 ◎ 6 實施例26 50 40 4 48 〇 5 ◎ 10 ◎ 1 實施例27 50 40 5 50 〇 6 〇 12 一— --— 〇 --~. 在表3中，顯示令開口寬度w為一定，即W=5〇mni，且 使發光寬度A及距離h變化時之結果。如實施例17〜21所示， 確認當A=48mm及46mm兩種情形時’滿足式WgA+2xh者 (表中以〇表示）之膜厚誤差及亮度不均為小。相對於此，如 23 201251172 比較例21〜27所示，確認不滿足式wgA+2xh者（表中、 丁 Μ X表 示膜厚誤差及亮度不均都為大。又，如實施例22〜27所 示，開口寬度W與發光寬度Α之差（W-Α)為l〇mmM上時如 上述表1同樣地，無論發光寬度A及距離h之大小為何均滿足 W多A+2xh ’膜厚誤差及亮度不均變小。 由上述之結果可了解，藉由本發明之有機£1^元件之製 造方法及有機ELtg件之製造裝置，可抑制形成在基材以上 之有機層之膜厚的變動，且可抑制有機ELs件之發光色的 變動。 C蘭式簡單明】 第1圖是模式地顯示本發明一實施形態之有機EL元件 之製造方法所使用的一實施形態之有機£1元件之製造裴蓼 的淋略側面截面圖。 第2A圖是顯示形成在基材上之陽極層及有機層之齡襄 關係之一例的圖，且是顯示在陽極層上積層有有機詹之狀 態的俯視圖。 第2B圖是第2A圖之XX，箭號方向觀看之截面圖。 第3Α圖是顯示在基材上形成之陽極層、有機層反陰嫜 層之配置關係之一例的俯視圖。 第3Β圖是第3Α圖之ΥΥ，箭號方向觀看之截面圖。 第4圖是模式地顯示噴嘴開口部與基材之周邊構成的 概略放大側面截面圖。 第5圖是由第4圖上方模式地顯示噴嘴開口部與基紂厶 配置關係的概略放大平面圖。 24 201251172 第6圖是模式地顯示於真空腔室内設有多數蒸鍍源之 狀態的概略側面截面圖。 第7A圖是模式地顯示有機EL元件之層構成的概略側 面截面圖，且是顯示有機層為1層之情形的圖。 第7B圖是模式地顯示有機EL元件之層構成的概略側 面截面圖，且是顯示有機層為3層之情形的圖。 第7C圖是模式地顯示有機EL元件之層構成的概略側 面截面圖，且是顯示有機層為5層之情形的圖。 【主要元件符號說明】 1.. .有機EL元件之製造裝置 3.. .真空腔室 5.. .基材供給裝置；供給輥 6.. .基材回收裝置；捲取輥 7.. .罐型滾筒 9.. .蒸鑛源 9a...噴嘴 9aa...開口部 20.. .有機EL元件 21.. .基材 25a...發光層；有機層 25b...正孔注入層(有機層) 25c...電子注入層(有機層) 25d...正孔輸送層(有機層) 25e...電子輸送層(有機層) 27...陰極層 A...發光寬度 h...距離 R...發光區域 W...開口寬度 22.. .有機層形成材料 23.. .陽極層

C 25

Claims (1)

1. 201251172 七、申請專利範圍： L 一種有機EL元件之製造方法，包含： +蒸鍵步驟，其係藉由使經氣化之有機層形成材料從 策嘴吐出，而在相對於該喷嘴進行相對移動之基材上形 成有機層； 並且，該製造方法係以下述方式進行前述蒸鑛步 驟，即：形成由前述有機層構成且具有相對於基材移動 方向呈垂直方向之寬度A(mm)的發光區域，且， 當令前述噴嘴之開口部t與前述基材移動方向呈 垂直方向的長度為W(mm)，且令前述開口部與前述基材 之距離為h(mm)時，滿足式W2A+2xh(其中，h$5mm)。 2. —種有機EL元件之製造裝置，具有： 蒸鍍源’其係藉由從喷嘴吐出經氣化之有機層形成 材料，而在相對於該喷嘴進行相對移動之基材上形成有 機層者； 並且，該製造裝置係以下述方式構成，即：形成由 前述有機層構成且具有相對於基材移動方向呈垂直方 向之寬度A(mm)的發光區域，且’ 當令前述喷嘴之開口部中與前述基材移動方向呈 垂直方向的長度為W(mm)’且令前述開口部與前述基材 之距離為h(mm)時，滿足式W2 A+2xh(其中，h$5mm)。 26