TW201250768A - Method for fabricating field emission display device and electrochemical system for fabricating the same - Google Patents
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201250768 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發月疋有關於一種場發射顯示元件,且 種以電化學製程移除部份金屬層之場發射顯示元件的方法; 。一 【先前技術】 射顯示妓·許多微尖端結構在_ :;=面射_極導電層= ‘ 的發光原理和陰極射辭(CathGde RayTube, i 發射齡11是彻多健排_場放射電 子=eld £缝推成.的電子發射源,因此,場發射顯示器 面顯示器。換言之’場發射顯示器具有陰極射線 吕在旦質上的優點,但卻对體魏大與重量龐大之缺點。 【發明内容】 方+本目的之-在於提供—種場發射顯示元件的製作 射顧--也匕!醇類溶劑做為電解液,當二醇類溶劑與場發 去’=二之屬層接觸時,不會破壞所接觸的金屬層。再 廄而的金屬離子可溶解於電解液中,不會與電解液反 應而產生金屬沉澱物。 ^發^之另-目的在於提供一種場發射顯示元件之電化 其可應用於製作場發射顯示元件,優點在於可以藉 由知作電壓的控制將要移除的金屬層完全移除而不會移除到 201250768 要保留的金屬層。 本U之#χ佳實施例提供—種場發射顯示元件的製作方 法包S .提供基板,於基板之上形成絕緣層;於絕緣層上形 成第-金屬層’随化第—金屬層及絕緣層以在第—金屬層及 絕緣層内形成至少-開口;於第—金屬層上及開口内形成第二 金屬1’其巾第二金屬層包括位在開口的第-部份以及位在第 -金屬層上的第二部份’且第—部份與第二部份彼此電性分 金屬層的第一部份。 m弟一 在ί發:ί:實施例中,上述之第-金屬層的材料包含 鉻,而第二金屬層的材料包含鉬。 在本發明之-實施例巾,上述 !呂,第二金屬層的材料包含錦。第金屬層的材料包含 在本發明之一實施例中,上述以電 屬金屬層的第,之步驟包含:施 於第一金屬層上,且以一陽極氧化移哈 ’、電坠 金屬層的第二部份。 〃—金屬層上之第二 在本發明之-實施例中,上述之經陽極氧化 之第二部⑽以金屬離子形式溶解於電解 ^屬層 -實施例中,上述之施加於第—金屬層^本發明之 第一金屬層之臨界電壓。 呆乍電堅小於移除 屬二=/層:::心 金屬層之臨界電壓。 糸小於移除第一 在本發明之一實施例中,上述之二醇類溶劑包含m 201250768 醇(l,2-propanediol) 、I,3-丙二醇(l,3-Propanediol)或乙二醇 (ethylene glycol)。 在本發明之一實施例中’上述之電解液包含有機酸電解 質。 在本發明之一實施例中’上述之有機酸電解質包含對·甲 基笨績酸(p-Toluenesulfonic acid,簡稱為 p_TSA)。 在本發明之一實施例中’上述之電解液包含鹽類。 在本發明之一實施例中’上述之鹽類包含四乙基銨對曱笨 磺酸酯(Tetraethylammonium p-Toluenesulfonate,簡稱為 TEA-pTS) 〇 在本發明之一實施例中,上述之在基板上更包含形成一下 層金屬層,而絕緣層形成於下層金屬層上,且位於開口内之第 二金屬層的第一部份電性連接至下層金屬層。 本發明另提供一種電化學系統,適於應用於製作場發射 顯示元件。電化學系統包含:電解槽,用以容置含有二醇類溶 劑之一電解液;陽極電極,浸置於含有電解液之電解槽内,其 中陽極電極包含基板;絕緣層設置在基板上;第一金屬層,設 置在絕緣層上;至少一開口,設置於第一金屬層及絕緣層内; 以及第一金屬層,包含設置在開口内之第一部份及設置在第一 金屬層上之第二部份,第一部份與第二部份電性分離;陰極電 極,浸置於含有電解液之電解槽内;以及電源供應裝置,具有 一正極及負極,正極與陽極電極之第一金屬層電性連接,而負 極與陰極電極電性連接。 在本發明之一實施例中,上述之二醇類溶劑包含丙二 醇、1,3-丙二醇或乙二醇。 在本發明之一實施例中,上述之電解液包含有機酸電解 201250768
^本發明之-實關中,上述之電解液更包含有機鹽類。 =本發明之—實施例中,上述之當第—金屬層的材料包含 鉻或鋁,而第二金屬層的材料包含錮或鎳。 在本發明之-實施例巾,上述之陰極電極的材料包含白金 或白金$太合金。 在本發明之-實施例中,上述之電化學系統更包含一怪溫 ,制裝置’用以容置電解槽且控制該電解槽内之電解液之溫 度。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易 ‘,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。 【實施方式】 圖_1至圖4係表不場發射顯示元件之製作流程示意圖;圖 5係表示用於製作場發_示元件之電化學魏之示意圖;以 及,6係表示在進行電化學反應時,第一金屬層及第二金屬層 之操作電壓及電流之關係圖。 β請參考圖1,本實施例之場發射顯示元件之製作方法是先 ,供-基板1G,基板1G的材料為陶竟基板、玻璃基板或塑膠 硬質或軟質材料。接著,在基板1〇上方形成絕緣層14,此 絕緣層14之材料為例如是二氧化矽、氮氧化矽(smc⑽ oxynitride)或氮化矽(slnconnitride)等介電材料。之後,在絕緣 層14上形成第一金屬層16,在此實施例中,第一金屬層π ,做為閘^層㈣心㈣’其材料為鉻⑽贿㈣或銘⑽^ 夕,在一實施例中,可在基板1〇上先形成下金屬層12,接著 再將絕緣層14形成於下金屬層12上。 201250768 接著請參考圖2,於第—金屬層16與絕緣層 曼 少一開口 160。在第一金屬層16與絕緣層 的方法例如是將具有開口圖案之光阻層(9未,成開口 160 金屬…方以做為罩幕,再利_製程移 ==二 金屬層16以及部份的絕緣層14,進而在第一金^ 緣層14内形成開口 16〇,並曝露出下層金 … r上與開σ⑽内形成第 P 或其他σ適的薄膜沈積技術,將第二今麗J® 夕 第一部份181形成在開口 160内,第二金 a__
1 OO tr^ JL·' y- Mf X « " θ 18 之第^一 op jjQ 183$成在第-金屬層16上’且第二金屬層i8之第—部份⑻ 與第二金屬層18之第二部份183彼此電性分離。另外,第二 金屬層18的材料為鉬或鎳。 在本實施例中,形成在開口 16〇内的第 部份⑻係為一微尖端結構。 轉1«之弟 j妾著請參考圖4,係將在第—金屬層16上之第二金屬層18 之=二部份183移除,而保留在開σ _内之第二金屬層18 I5伤181 (微尖端結構)。在本實施例中,係利用電化 學製程移除在第-金屬層16上之第二金屬層18之第二部份 183 〇 在本實施例中,第二金屬層18之第一部份181 (微尖端結 構)與下層金屬層12構成場發射顯示元件的陰極電極板。此 =極電極板與第—金屬層16實質上係以交錯的方式設置。因此, =有外加電場施加於陰極電極板時,在陰極電極板以及對向之 ,極電極板(未繪示)之間會產生一電場,由於微尖端結構的尖 端表面會聚集較多的電子,電子會由微尖端結構的尖端發射出 8 201250768 去,當電子打到在陽極電極板上的螢光粉時則會發光。 圖5係表示適於應用於製作場發射顯示元件之電化學系 之示意圖。在圖5中,電化學系統40包含電解槽41〇:陽極 電極420、陰極電極430以及電源供應装置44〇。電解槽41〇 用以容置電解液412,電源供應裝置440的正極與負極^ 陽極電極420及陰極電極430電性連接,以進行電解作用。〃 在本發明中,在電解槽410内的電解液412係包含醇類& 劑以及電解質,其中醇類溶劑特別是指二醇類溶劑其特性包ς 介電常數大於30 (在溫度為20。〇、液體黏度(visc〇sity)小於6〇 毫泊(m Pa-s)以及沸點溫度大於15〇 。因此,根據上述_ 之特性,在本發明中所使用的二醇類溶劑包含乙二醇 ethyl glycol)、U_ 丙二醇(1,2_pr〇panedi〇1)或是 13 丙二醇 (l,3-Propanedi〇l),另外,二醇類溶劑的特性列於表一: 表一: 溶劑 介電 常 數 (20°〇 沸點 溫度(°C) 黏度 (mPa · s) 乙二醇 38.6 198 25.66 1,2-丙二醇 (a-PG) 32 187.6 56 1,3-丙二醇 (β-PG) 35 214 一 -0.466 一· --- 此外,要說明的是,在本發明中所使用的二醇類溶劑與欲 移除之金屬層摻觸時,不會破壞該金屬層。於一實施例中,將 做為金屬層的材料例如銘、鉻、鎳或鉬等或是二氧化石夕、高分 201250768 子膜例如聚亞醯胺膜(polyimide),分別浸泡於上述的二醇類溶劑 之後發現金屬層、二氧化矽或是高分子膜不會被破壞。因此, 在本發明的實施例中,係使用二醇類溶劑做為電化學系統中之 電解液。此外,二醇類溶劑在溶劑的使用上符合環保規範。 另外’為了增加電解液的導電性,於本發明中的電解液 (electrolytic solution)可以加入酸性電解質(acid electrolyte),例 如有機酸電解質(organic electrolyte)或無機酸電解質(inorganic electrolyte)。由於有機酸電解質或無機酸電解質具有較高的解 離常數,在溶於電解液之後可以增加電解液之導電性。適用於 本發明中所使用的電化學反應之無機酸電解質包括含硫的無 機酸例如硫酸(sulfuric acid)、二氧化硫(suifurous acid)或磺胺酸 (sulfamic acid);而有機酸電解質包括有機磺酸(sulf〇nic acid), 例如為芳香族磺酸(aromatic sulfonic acid)或具有苯環(benzene nng)之芳香族磺酸。在一實施例中,有機酸電解質為對-甲基 苯績酸(para-Toluenesulfonic acid,簡稱 p_TSA) 〇 另外’在本發明的一實施例中,電解液更包含一鹽類 (salt),例如有機鹽類。在一實施例中,有機鹽類為四乙基銨對 甲苯磺酸醋(Tetraethylammonium para-Toluenesulfonate,簡稱 TEA-pTS)。 因此,根據以上所述,將圖3所示之結構浸置於電解槽 41〇的電解液412内。在此要說明的是,圖3所示之結構可^ 為陽極電極420,整個結構係浸置於電解槽41〇的電解液412 内,但是在圖5中僅繪示出在基板1〇上方與正極電性連接之 第金屬層16以及要被移除之第二金屬層a之第二部份 W3,其餘的結構仍然與圖3相同。 在本發明的一實施例中,電解液412係由乙二醇溶劑以及 201250768 電解質為濃度為0.5M之對-甲基笨磺酸(p-TSA)及0.1M之四 乙基銨對甲苯石黃酸酯所組成。於本發明的另一實施例中,電解 液412可以是由1,2-丙二醇溶劑及電解質包含濃度為〇 5M之 對-甲基苯磺酸及0.1M之四乙基銨對曱苯磺酸酯所組成;或於 再一實施例中,電解液412可以是由丨,3_丙二醇及電解質濃度 為0.5M之對·甲基苯磺酸及01M之四乙基銨對甲苯磺酸酯所 、’且成。接下來,電源供應裝置440之正極電性連接於做為陽極 電極420之第一金屬層16,電源供應裝置440之負極電性連 接於陰極電極伽。當進行電化學製程時,由電 同時提供-操作電壓於第-金屬層16與陰極電極=置經過
St後,於第二金屬層18之第二部份183開始發生陽 第-全ίί ’係以陽極氧化的方式移除在第—金屬層16上之 =金屬層18之第二部份183,其中所移除的第二金屬層Μ ίίϋΓ83因電解而以金屬離子形式析出,且完全溶解於 電解:^12。另外,在陰極電極上有氫氣產生 屬展ΪΓ1 又佳實施例中,第一金屬層16的材料祕,第-全 合金。電源供縣置44G ^或是白金鈦 小於移除第-金屬層16之臨界雷斤,7層16的知作電壓要 之第二部份183之操作 1 ’ ’、即移除第二金屬層18 界電麗。如圖5所示加二第U第-金屬層16之臨 ,時,開始移除第二金屬7二屬二16的操作電壓為 超過1·3伏特時,除 θ 备刼作電壓持續增加而 在此電化學反應中,移;;:::于被析出。因此可以得知 在進行電化學反應時,施加於第=為1 也會開始發生電解除之外,第一金屬層16 在此電化學反應中I —a U出。因此可以得知, .3
I 201250768 操作電壓需低於第一金屬層16之臨界電壓(1.3伏特),使得在 電化學反應的過程中,只有第二金屬層18被移除,而第一金 屬層16不會被移除。此外,在電化學反應的過程中,第二金 屬層18之第二部份183因電解所析出之金屬離子例如翻離子 (M〇6+) ’其可完全溶解於電解液412中。在整個電化學反應過 程中,只有在第二金屬層18之第二部份183上能測到電流^, 而在第一金屬層16無法測到電流值(即電流值為零)^因此’ 電化學反應只會移除第二金屬層18之第二部份183,而不 移除其他的金屬層。 於本發明的另一實施例中,第一金屬層16的材料為鋁,
的材料為鎳’施加於第一金屬層16的操作電壓範圍為0.4〜U 伏特’其係小於移除第—金屬層16的臨界電壓約為14伏特。 ^此,第二金屬廣18在此電化學反應過程中,只會移除在第 二金屬層16上之第二金屬層18,而不會將第—金 併移除。 置4^卜组在本發明所揭露之電化學系統中更包含怪溫控制裝 置450,藉以維持整個電化學反應是 二
制裝置45〇包含值溫槽452以符L連订此U 乂及艮/jaL控制器454。在恒溫样452 内所容置的液體例如為水。恆溫 幻/皿糟452 溫至9〇t。 ^ 皿控制裝置454之溫度範圍為室 根據以上所述,利用二醇類溶 當二醇類溶劑與場發射顯 ;解/夜之優點在於: ^ X ^ a ^ .. 4不疋件之金屬層接觸時,不會破壞特
疋金屬層。另外,電解析出的 U 中,使得金躲子不會與子可岐全溶解於電解液 會有金屬沉澱物附著在微尖=而產生金屬沉殿物,故不 用性。因此,藉由本發明所^上’而影響雌端結構之使 月所揭路的二醇類溶劑做為電化學反應 12 201250768 中之電解液,可以將特定要移除的金屬層完全移除,在進入水 洗段去除溶劑之後,只會留下在電化學反應沒有被移除之金屬 層。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定 本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍 内,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後 附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1〜圖4係根據本發明所揭露之技術,表示場發射顯示 元件之製作流程示意圖; _圖5係根據本發明所揭露之技術,表示應用於製作場發射 顯示元件之電化學系統之示意圖;以及 圖6係根據本發明所揭露之技術,表示在進行電化學反應 寺第金屬層及第一金屬層之操作電壓及電流之關係圖。 【主要元件符號說明】 10:基板 12:下層金屬層 14:絕緣層 16:第一金屬層 160:開 口 18:第二金屬層 181:第二金屬層之第一部份 183:第二金屬層之第二部份 40:電化學系統 13 201250768 410:電解槽 412:電解液 420:陽極電極 430:陰極電極 440:電源供應裝置 450:恒溫控制裝置 452:恆溫槽 454:恆溫控制器
Claims (1)
- 201250768 七、申請專利範圍 i 一種場發射顯示元件製作方法,包含 提供一基板; 3 形成一絕緣層於該基板之上; 形成一第一金屬層在該絕緣層上; 圖案化該第一金屬層及該絕緣層,以屬層及該 絕緣層内形成至少一開口; 該第 形成一第二金屬層於該第一金屬層上與該開口内,其中該 =二金屬層包括位在該開口的一第一部份以^位在該第一金 層上的-第二部份’且該第—部份與該第二部份彼此電性分 離,以及 利用包含二_溶狀—電解独 :卜層上之該第二金屬層的該第二:== 口内之該第二金屬層的該第—部份。 而㈣在韻 2.如申請專利範圍第丨項所述之場 法製作方法,其中該第—金屬^^件製作方 層的材料包含鉬。全屬層的㈣包含鉻,而該第二金屬 法,上二申第H範圍第1項所述之場發射顯示元件製作 含錦心第-金屬層的材料包含銘,該第二金屬層=方包 法,龙中二^^魏11第1項所述之場發射顯件製作* ,、中_電化學f鄉除在第—金制上 15 201250768 的該第二部份之步驟包含: 施加一操作電壓於該第一金屬層上,且以 在該第一金屬層上之該第二金屬層的該第二部份。° 移除 5.如巾請專·圍第4摘狀場發射縣元 法,其中經該陽極氧化移除之該第二金屬層之 屬離子形式溶解於該電解液中。 一。卩伤係以金 6.如申請專·圍第4項所狀場發軸示元件製 法’其中施加於該第-金制上之鋪作電壓係小 一金屬層之一臨界電壓。 移矛、。亥第 7.如申請專利範@第1項所述之場發射顯示元件製作方 法’其中以該電化學製程移除在該第一金屬層上之該第二金屬 層的該第二部份之一操作電壓係小於移除該第一金屬層之一 臨界電壓。 θ 8. 如申请專利範圍第1項所述之場發射顯示元件製作方 法’其中3亥一醇類〉谷劑包含1,2-丙二醇(1,2-pr〇panediol)、1,3_ 丙二醇(l,3-Propanediol)或乙二醇(ethylene giyC〇i)。 9. 如申請專利範圍第1項所述之場發射顯示元件製作方 法,其中該電解液包含一有機酸電解質。 10. 如申請專利範圍第9項所述之場發射顯示元件製作方 法,其中該有機酸電解質包含對-曱基笨確酸(p-Toluenesulfonic 201250768 acid,簡稱為 p_TSA)。 如申明專利範圍第1項所述之場發射顯示元件製作方 法,其中該電解液包含一鹽類。 12.如申請專利範圍第n項所述之場發射顯示元件製作 方法,其中該鹽類包含四乙基銨對曱苯磺酸酯 (Tetraethylammonium p-Toluenesulfonate) 〇 13·如申請專利範圍第1項所述之場發射顯示元件製作方 法,更包含形成一下層金屬層於該基板上,而該絕緣層形成於 該下層金屬層上’且位於該開口内之該第二金聲層的該第一部 份電性連接至該下層金屬層。 ° 14. 一種電化學系統’適於應用於製作場發射顯示_ 包含: …、疋件 5亥陽極 一電解槽,用以容置含有二醇類溶劑之一電解液^ 一陽極電極,浸置於含有該電解液之該電解槽内, 電極包含: 一基板; 一絕緣層,設置在該基板上; 一第一金屬層,設置在該絕緣層上; 至少一開口’設置於該第一金屬層及該絕緣層内;以 及 “ 一第二金屬層,包含設置在該開口内之一第—部份r 及設置在該第一金屬層上之一第二部份,該第—部份 17 201250768 第二部份電性分離; 一陰極電極,浸置於含有該電解液之該電解槽内;以及 一電源供應裝置,具有一正極及一負極,該正極與該陽極 電極之該第一金屬層電性連接,而該負極與該陰極電極電性連 接。 15. 如申請專利範圍第14項所述之電化學系統,其中該 二醇類溶劑包含1,2-丙二醇、1,3-丙二醇或乙二醇。 16. 如申請專利範圍第14項所述之電化學系統,其中該 電解液包括含一有機酸電解質。 17. 如申請專利範圍第14項所述之電化學系統,其中該 電解液更包含一有機鹽類。 18. 如申請專利範圍第14項所述之電化學系統,其中當 該第一金屬層的材料包含鉻或鋁,而該第二金屬層的材料包含 錮或鎳。 19. 如申請專利範圍第14項所述之電化學系統,其中該 陰極電極的材料包含白金或白金鈦合金。 20. 如申請專利範圍第14項所述之電化學系統,更包括 一恆溫控制裝置,用以容置該電解槽且控制該電解槽内之該電 解液的溫度。 八、圖式: 18
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